深亚微米低压CMOS IC的ESD保护方法
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深亚微米低压CMOS IC的ESD保护方法
夏增浪
【期刊名称】《半导体技术》
【年(卷),期】1999(24)3
【摘要】详述了目前用于深亚微米ＣＭＯＳＩＣ的静电放电（ＥＳＤ）保护方法，比较了它们各自的特点，并详细阐述了栅耦合ＰＭＯＳ触发／ＮＭＯＳ触发横向可控硅（ＰＴＬＳＣＲ／ＮＴＬＳＣＲ）ＥＳＤ保护电路的工作原理。
【总页数】5页(P45-49)
【关键词】深亚微米;低压CMOS;IC;ESD保护电路
【作者】夏增浪
【作者单位】北京微电子技术研究所
【正文语种】中文
【中图分类】TN432.06
【相关文献】
1.深亚微米CMOS IC全芯片ESD保护技术 [J], 臧佳锋;薛忠杰
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韩孝勇
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