杭州电子科技大学2014年《834普通化学》考研专业课真题试卷
电子科技大学【2014 年攻读硕士学位研究生入学考试试题】241专业课真题
电子科技大学2014年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：241法语（二外）注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。
一、用括号中动词的正确形式填空。
（每空1分，共10分）1. Plusieurs éléments (rendre) ____________ maintenant la situation grave.2. Je vais vous inscrire. (donner) ____________ -moi votre passeport.3. Au début du 20e siècle, la télévision (être) ____________ en noir et blanc.4. Hier après-midi, je (dormir) ____________ pendant trois heures.5. Ne dépassez pas les limites de vitesse ou vous (avoir) ___________ une amende.6. Je voudrais simplement que la vous (savoir) ___________ la réalité.7. Si le voyage n’était pas si long, nous (aller) __________ plus souvent en Bretagne.8. Si tu (réviser) _______________ tes cours, tu aurais réussi ton examen.9. Il est furieux de (rater) __________________ son train.10. Il écoute France Inter à la radio (préparer) __________________ le repas.二、选择填空。
2014年电子科技大学研究生试卷微波工程基础正式(带答案)
电子科技大学研究生试卷 （考试时间： 9:00 至11：00点 ，共 2小时） 课程名称 微波工程基础 教师 段兆云、岳玲娜 学时 50 学分 2.5 教学方式 课堂教学 考核日期 2014 年 1 月 6 日 成绩 考核方式： （学生填写） 一、 填空题：（每空格1分， 共32分） （1）回旋管高频结构中的工作模式一般为n TE 0波，它的相速与光速的关系是p v c >；称为 快 波；在O 型行波管中，电磁波的相速与光速的关系是p v c <，这时， 22k >β；横电磁波(TEM)的相速与光速的关系p v c =，这种波在 双导体或多导体 系统中才能传播。
（2）一个微波放大器的工作范围为2GHz-16 GHz, 其带宽为 3 个倍频程；其增益为50dB,若输入功率为0dBm ，则输出功率为 100 W 。
（3）纵向磁场铁氧体微波元件利用的是铁氧体的 法拉第旋转 效应，而利用__场移_____效应做成的微波元件则称为横向磁场铁氧体微波元件。
（4）普通电子管应用到微波频率时，将不能正常工作，其主要的限制是： 电子渡越时间的限制 ， 振荡系统的限制 。
（5）波的传播条件是 ____c f f >，这时γ是虚 数，β称为相位常数 波的截至条件是____c λλ>，这时γ是实 数，α称为 衰减常数. （6）当回旋管工作在基模时（1l =），要获得140GHz 的电磁辐射，工作磁场为3.9T ，若5l =时，则所工作磁场为0.78 T ；如果维持原来的磁场，则工作频率变为700 GHz 。
（7）特性阻抗c Z 为50Ω的均匀传输线终端接负载L Z 为20j Ω,50Ω,20Ω时，传 输线上分别形成① 纯驻波 ② 纯行波 ③ 行驻波 等三种传输状态。
（8）返波管中反馈回路是由慢波线和 电子注 形成。
学 号 姓 名 学 院 ……………………密……………封……………线……………以……………内……………答……………题……………无……………效……………………（9）微波管电子光学系统包括 电子枪 ，聚焦系统 ，收集级 。
[考研类试卷]2014年研究生入学考试(生物化学)真题试卷.doc
![[考研类试卷]2014年研究生入学考试(生物化学)真题试卷.doc](https://img.taocdn.com/s3/m/a060e255240c844769eaee89.png)
[考研类试卷]2014年研究生入学考试（生物化学）真题试卷一、单项选择题下列各题的备选答案中，只有一个是符合题意的。
1 下列科学家中，对揭示蛋白质α-螺旋结构做出显著贡献的是( )。
（A）D．E．Atkinson（B）J．B．Sumner（C）H．A．Krebs（D）L．C．Pauling2 在下列构成蛋白质分子的氨基酸残基中，能够被磷酸化的是( )。
（A）缬氨酸残基（B）丝氨酸残基（C）丙氨酸残基（D）亮氨酸残基3 在一个米氏酶催化的单底物反应中，当[S]远小于K m时，该反应的特点之一是( )。
（A）反应速度最大（B）反应速度与底物浓度成正比（C）反应速度达到最大反应速度的一半（D）反应速度与底物浓度成反比4 下列辅助因子中，既能转移酰基，又能转移氢的是( )。
（A）NAD+（B）NADP+（C）硫辛酸（D）四氢叶酸5 下列维生素中，属于酰基载体蛋白组成成分的是( )。
（A）核黄素（B）叶酸（C）泛酸（D）钴胺素6 tRNA结构中，携带氨基酸的部位是( )。
（A）DHU环（B）3'末端CCA-OH（C）TψC环（D）反密码子环7 下列酶中，能催化葡萄糖转变为6-磷酸葡萄糖的是( )。
（A）丙酮酸激酶（B）果糖磷酸激酶（C）葡萄糖磷酸酯酶（D）己糖激酶8 将乙酰CoA从线粒体转运至胞浆的途径是( )。
（A）三羧酸循环（B）磷酸甘油穿梭（C）苹果酸穿梭（D）柠檬酸穿梭9 下列反应过程中，发生氧化脱羧的是( )。
（A）乳酸→丙酮酸（B）α-酮戊二酸→琥珀酰CoA（C）丙酮酸→草酰乙酸（D）苹果酸→草酰乙酸10 下列三羧循环的酶中，以草酰乙酸为底物的是( )。
（A）柠檬酸合酶（B）琥珀酸脱氢酶（C）异柠檬酸脱氢酶（D）顺乌头酸酶11 软脂酸β-氧化分解途径中，丁酰辅酶A脱氢酶存在的部位是( )。
（A）线粒体的外膜上（B）线粒体的内膜上（C）胞浆中（D）线粒体的基质中12 下列化合物中，直接参与丁酰ACP合成己酰ACP过程的是( )。
电子科技大学2014年《820计算机专业基础》考研专业课真题试卷
电子科技大学2014年《820计算机专业基础》考研专业课真题试卷电子科技大学2014年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：820计算机专业基础注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。
《计算机操作系统》一、填空题（10分，每空2分）1.现有3个同时到达的作业J1、J2和J3，它们的执行时间分别为T1、T2和T3，且T1<t3<t2。
< bdsfid="72" p=""></t3<t2。
<> 若这三个作业在同一台处理器上以单道方式运行，则平均周转时间最小的执行顺序是____。
2.若一个信号量的初值是5，经过多次P、V操作以后，其值变为-3，则此时等待进入临界区的进程数目是____。
3.某基本分页存储管理系统具有快表，内存访问时间为2sμ，检索快表的时间为0.5sμ。
若快表的命中率为80%，且忽略快表更新时间，则有效访问时间是____sμ。
4.在段页式存储管理系统中，若不考虑快表，为获得一条指令或数据，至少需要访问_____次内存。
5.某虚拟存储器中的用户空间共有32个页面，每页1KB，主存16KB。
假设某时刻系统为用户的第0、1、2、3页分别分配的物理块为5、10、4、7，则虚拟地址0A6F对应的物理地址是_______（请使用十六进制表示）。
二、选择题（14分，每题2分）1.现代操作系统中最基本的两个特征是（）。
A. 共享和不确定B. 并发和虚拟C. 并发和共享D. 虚拟和不确定2.引入多道程序技术的前提条件之一是系统具有（）。
A. 分时功能B. 中断功能C. 多CPU技术D. SPOOLing技术3.操作系统是根据（）来对并发执行的进程进行控制和管理的。
A. 进程的基本状态B. 进程调度算法C. 进程的优先级D. 进程控制块4.在段页式存储管理系统中，地址映射表是（）A. 每个进程一张段表，一张页表。
杭州电子科技大学电子信息学院《844数字电路》历年考研真题汇编
目 录2015年杭州电子科技大学数字电路考研真题2014年杭州电子科技大学数字电路考研真题2013年杭州电子科技大学数字电路考研真题2012年杭州电子科技大学数字电路考研真题2011年杭州电子科技大学数字电路考研真题2010年杭州电子科技大学数字电路考研真题2009年杭州电子科技大学数字电路考研真题2008年杭州电子科技大学数字电路考研真题2007年杭州电子科技大学数字电路考研试题2006年杭州电子科技大学数字电路考研真题2005年杭州电子科技大学数字电路考研真题2015年杭州电子科技大学数字电路考研真题杭州电子科技大学2015年攻读硕士学位研究生招生考试《数字电路》试题(试题共 四 大题，共8页，总分150分)姓名 报考专业 准考证号【所有答案必须写在答题纸上，撤在试卷或草稿纸上无效！】,、单.项选择题(本大题共10小题.每小题3分，木大题丹30分)F=0B.D.C=I,D=OC. 0P. I1. 今年双II 淘宝网上销包额达S71亿元,这个数转换成二进制时位数有()位.A. 36B. 37C. 38D. 392. 下列各进制数中，值最大的是( ).A. [00110101]zB. [3AJ16C. [56]ioD. [0101011UM21HU)3. 己知F=ABC+CD.选出A. A"0, BC= iC. BC=l,D=l41=(A. AB. A'5. 逻辑函数F(4B,C) =尸田,48的娘小项表达式为＜).A. F(A l B ；C) = En(0,2(4,7)B. F(A,B.C) = Im(l,5,6, 7) .C. FU f 0,0 = £»(0,2,3,4)D. F(A, B,C) = Em(2. 4.6,7)6. 以卜-没有商品的器件是().A,编码器 B,译码器C.敖据选择器D,数据分配器7. J=K=1的J-K 触发器时钟输入频率为10Hz ，则Q 输出是( ).A.保持原电平B. 20Hz 方波C. 10Hz 方波D.5Hz 方波那I 也花X 页8.S-R基本触发器出现不确定输出表示此时输入SR为（）.A.11-10的IIB.11-00的00C.00-11的II0.00-10的009.如图所示电路中.只有（）不能实现Q o+1-2".二、分折题（本大题共6小题”每小魅9分，本大题共54分）1.将表达式F化为或非-或非形式：F(A.B,C,D)/1C+5£>+ABCD(A+5)2,由位全加器和四选数据选择器构成的组合电路如下图所示.分析读电路，清用给定卡诺图化筒输出函数F金蛾筒与或式.3.数字避辑电路及CLK.A、B,C的电压波形如F图所示，忒舄出Q的表达式，圆出Q的输出电压波形，设触发器的初始态为“0”，LL不号虑器件的传输延退时间。
电子科技大学【2014 年攻读硕士学位研究生入学考试试题】840专业课真题
x
k1
θ
z
o
θ
k2
(3) 若这两束自然光光强不相等，设 I1=2I2, 也考虑光束夹角对光矢量振动方向的影响，求干 涉条纹的可见度。（10 分）
3. 用白色平行光正入射到透射式夫琅禾费衍射光栅上，在 300 衍射角上方向上观测到 600nm 的第 2 级主极大，但在该方向上 400nm 的主极大缺级。若该光栅刚好能分辨第 2 级光谱中在 600nm 附近波长差为 0.005nm 的两条谱线。求(1) 光栅常数; (2) 光栅的总宽度; (3) 狭缝的可 能最小宽度。（10 分）
A. 光源的横向宽度限制双缝的最大距离。
B. 光源的谱宽限制观察屏上干涉条纹的横向范围。
C. 条纹可见度整体随光源谱宽增大而降低。
D. 在光源临界宽度范围内，条纹可见度整体随光源宽度增大而降低。
13. 迈克耳逊干涉仪中补偿板的作用是
。
A. 消除两光路的不对称性
B. 补偿两光路的光程差
C. 在使用白色光源时补偿分光板的色散
B. 当 k 沿光轴时，S 与 k 的方向一致。
C. 当 k 沿光轴时，D 的方向无限制。
D. 当 k 沿主轴时，S 与 k 的方向一致。
22. 为使光正入射到单轴晶体内能获得最大的离散角，光轴与通光面的夹角β应满足
。
A. tgβ = ne / no
B. tgβ = no / ne
( ) C. tgβ = ne2 − no2 2neno
D．散射
25. 关于色散，下列说法中不正确的是
。
A. 正常色散发生在介质的透明区。
B. 反常色散发生在介质固有频率附近。
C. 正常色散是折射率随波长增加而减小的色散。 D. 反常色散是色散率为负的色散。
电子科技大学【2014 年攻读硕士学位研究生入学考试试题】832专业课真题
电子科技大学2014年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：832 微电子器件注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。
一、填空题（共48分，每空1.5分）1、PN结二极管用途广泛，在作为变容二极管使用时，主要利用其（）向偏置的（）电容；在作为温度传感器使用时，主要利用其正向导通压降会随温度的升高而（）。
2、一个P+N型的二极管，电子和空穴的寿命分别为τn和τp，在外加正向直流电压V1时电流为I1，当外加电压反向为－V2时，器件会经历一段反向恢复过程，这主要是由正向导通时存储在（）型中性区中的非平衡少子造成的，该非平衡少子的总量为（）。
3、防止PN结发生热击穿，最有效的措施是降低器件的（）。
同时，禁带宽带越（）的半导体材料，其热稳定性越好。
（第二个空填“大”或“小”）4、双极型晶体管的基区宽度调变效应越严重，其厄尔利电压越（），共发射极增量输出电阻越（）。
（填“大”或“小”）5、已知双极型晶体管的基区度越时间和基区少子寿命分别为τb和τB，则1/τB表示的物理意义为（），因此τb/τB可以表示（）。
6、MOSFET的亚阈区摆幅S反应了在亚阈区中（）的控制能力。
栅氧化层越厚，则S越（），该控制能力越（）。
（第二个空填“大”或“小”，第三个空填“强”或“弱”）7、当金属和P型半导体形成金-半接触时，如果金属的功函数大于半导体的功函数，半导体表面将形成（），该结构（）单向导电性。
（从以下选项中选择）A 电子阻挡层B 电子反阻挡层C空穴阻挡层 D 空穴反阻挡层E 具有F 不具有微电子器件试题共6页，第1页8、MOSFET的跨导是（）特性曲线的斜率，而漏源电导是（）特性曲线的斜率。
在模拟电路中，MOSFET一般工作在（）区，此时理想情况下漏源电导应为零，但实际上由于（）和（），漏源电导通常为正的有限值。
9、短沟道MOSFET中采用偏置栅结构或漏端轻掺杂结构，是为了降低漏端附近的电场强度，从而抑制（）效应，防止器件电学特性退化。
2014年硕士研究生入学考试初试专业课804物理化学A试题
2014年硕⼠研究⽣⼊学考试初试专业课804物理化学A试题北京科技⼤学2014年硕⼠学位研究⽣⼊学考试试题=============================================================================================================试题编号：804 试题名称：物理化学A （共 5 页）适⽤专业：材料科学与⼯程、材料⼯程（专业学位）说明：1. 所有答案必须写在答题纸上，做在试题或草稿纸上⽆效。
2. 符号θ在右上⾓表⽰标准态, 例如pθ表⽰⼀个标准压⼒100 kPa，Eθ表⽰标准电动势等。
=============================================================================================================⼀、选择题( 共18题，每题2 分，共36分)1. ⼀可逆热机与⼀不可逆热机在其它条件都相同时, 燃烧等量的燃料, 则可逆热机牵引的列车⾏⾛的距离：( )(A) 较长(B) 较短(C) ⼀样(D) 不⼀定2. 向某溶剂中加⼊适量⾮挥发性溶质形成稀溶液后，导致沸点升⾼，说明该溶液中溶剂的化学势与未加溶质前溶剂的化学势相⽐发⽣了什么变化？( )(A) 升⾼(B) 降低(C) 相等(D) ⽆法确定3. ⼀定量的某理想⽓体从始态经向真空⾃由膨胀到达终态，可⽤下列哪个热⼒学判据来判断该过程的⾃发性：( )(A) ?U (B) ?G (C) ?H (D) ?S4. 对于下列平衡系统：①⾼温下⽔蒸⽓被分解；②同①，同时通⼊⼀些H2(g)和O2(g)；③H2(g)和O2(g)同时溶于⽔中，其独⽴组元数K和⾃由度数f的值完全正确的是：( )(A) ①K = 1，f = 1 ②K = 2，f = 2 ③K = 3，f = 3(B) ①K = 2，f = 2 ②K = 3，f = 3 ③K = 1，f = 1(C) ①K = 3，f = 3 ②K = 1，f = 1 ③K = 2，f = 2(D) ①K = 1，f = 2 ②K = 2，f = 3 ③K = 3，f = 35. 已知反应2NO(g) + O2(g) = 2NO2(g) 是放热的，当该反应在某温度、压⼒下达平衡时，若使平衡向右移动，则应采取的措施是：( )(A) 降低温度和减⼩压⼒(B) 降低温度和增⼤压⼒(C) 升⾼温度和减⼩压⼒(D) 升⾼温度和增⼤压⼒6. 将氧⽓分装在同⼀绝热⽓缸的两个⽓室内，其中左⽓室内氧⽓状态为p1=101.3 kPa, V1=2 dm3, T1=273.2 K，右⽓室内状态为p2=101.3 kPa, V2=1 dm3, T2=273.2 K；现将⽓室中间的隔板抽掉（忽略隔板厚度），使两部分⽓体充分混合，则此过程中氧⽓的熵变为：( )(A) ?S >0 (B) ?S <0 (C)?S =0 (D)不确定7. 在下列状态变化中，哪个可以应⽤公式d U =T d S - p d V ? ( )(A) NO2⽓体缓慢膨胀，始终保持化学平衡NO2 = NO + (1/2)O2(B) NO2⽓体以⼀定速度膨胀，解离出来的NO + (1/2)O2总是低于平衡组成(C) SO3⽓体在解离为SO2 + (1/2)O2的条件下膨胀(D) ⽔在-10℃时等温结冰8. 2摩尔液态C2H5OH在正常沸点完全转变为⽓态时，⼀组不变的热⼒学函数（变）是：( )(A) 内能，焓，系统的熵变(B) 温度，总熵变，亥姆霍兹函数(C) 温度，总熵变，吉布斯函数(D) 内能，温度，吉布斯函数9. 下述说法何者正确：( )(A) ⽔的⽣成热即是氧⽓的燃烧热(B) ⽔蒸⽓的⽣成热即是氧⽓的燃烧热(C) ⽔的⽣成热即是氢⽓的燃烧热(D) ⽔蒸⽓的⽣成热即是氢⽓的燃烧热10. 在1100℃时，发⽣下列反应：(1) C(s) + 2S(s) = CS2(g) K(1)= 0.258(2) Cu2S(s) + H2(g) = 2Cu(s) + H2S(g) K(2)= 3.9×10-3(3) 2H2S(g) = 2H2(g) + 2S(s) K(3) = 2.29×10-2则1100℃时反应C(s) + 2Cu2S(s) = 4Cu(s) + CS2(g) 的K为：( )(A) 8.99×10-8(B) 8.99×10-5(C) 3.69×10-5(D) 3.69×10-811. 对于同⼀电解质⽔溶液，当其浓度逐渐增加时，何种性质将随之增加：( )(A) 稀溶液范围内的(B) (C)(D) 电导池常数Kcell12. 下列说法不属于可逆电池特性的是：( )(A) 电池放电与充电过程电流⽆限⼩(B) 电池的⼯作过程肯定为热⼒学可逆过程(C) 电池内的化学反应在正逆⽅向彼此相反(D) 电池所对应的化学反应Δr G m = 013. 讨论固体对⽓体等温吸附的朗格缪尔理论中，其最重要的基本假设为：( )(A) ⽓体是处在低压下(B) 固体表⾯是不均匀的(C) 吸附是单分⼦层的(D) 吸附是多分⼦层的14. 已知某⼀反应⽅程式为A+B = 2D，在动⼒学研究中，表明了：( )(A) 它是⼆级反应(B) 它是双分⼦反应(C) 它是复合反应，⽽⾮基元反应 (D) 反应物和产物间的计量关系15. 将⼀透明容器抽成真空，放⼊固体碘，当温度为50℃时，可见到明显的碘升华现象，有紫⾊⽓体出现，若维持温度不变，向容器中充⼊氧⽓使之压⼒达到100 p θ时，容器中⽓体颜⾊将： ( )(A) 紫⾊变深 (B) 紫⾊变浅 (C) 颜⾊不变 (D) 有液态碘出现16. 已知A 与B 可构成固熔体，在组分A 中，若加⼊B 可使A 的熔点提⾼，则固液两相共存时，组分B 在此固熔体中的含量 ( )组分B 在液相中的含量。
2014年杭州电子科技大学考研初试真题统计学综合
杭州电子科技大学2014年攻读硕士学位研究生入学考试《统计学综合》试题（试題共四大题，共4页，总分150分）姓名____________ 报考专业 _________________ 准考证号_____________【所有答案必须写在答题纸上.做在试卷或苹稿纸上无效】一、单項选样题（冷大題共10小题，每小惡2分.木大题共20分》1.某连续芟対•其末组为开口细・卜限为200•乂知其沁fl的细中（ft为180.则末ffl的中值为（）A.180 B、200 C、220 I）、2402.对JWf破坏性的产胡质$检验.最恰当的调責方式葩（）A.推样调賁B. JR点调背C、奂感调會 D.泮育3.在梵他条件不变的情况厂采用觅置抽样方式.将允许汉鸽扩人为原*的3倍.則样本容域（）A.扩人为原来的9倍B.扩人为原来的3倍C.缩小剑原来的1/9借D、縮小刘原*的1/3倍4.某注院统计系有50名研究生.国贸系有25名研究生，金戲系有32名妙究生.经济系有】8名妍究生・则在上面的描述中.农数是（）A. 50 B、统计系C. 18 D、经济系5.设茱批产品的jfi帛服从止态分布N3&）.其中“、i为水知参数.为了检验原假设〃。
：“ =5如現从中机抽取10个样本.泌得平均虫域为5.2kg.标准怎为1.6kg.则在址卄性水平a卜••其护绝域为（）A・ W/0） B. W0）C・ |/|>/a a（9）D、"KM）6.相关系数/•的取值范泅为（）A.-Isro B、O"Sl G-1W D. -ao<r<+oo7.根据捋数化折标的性质的不同•统计抬数可以分为（）A.综合折数和平均指数B.个体折数和总折数C.质域捋标折数和数埔指标指数D.动态折數和®态拆数8・设兀…,A；址*门均值为“的总体的一个简取融机样本.则卜列哪个不是“的无偏估计（）A、X、B、g+XJ/2C、（X、+ 比）/3队（益+禺+…+ X」/刀9.定墓发展速度可以农示为（）A.报告期水平打某同定时期水甲的比值B.报告期水平与前期水平的比值C.本期发展水平耳上年同期发展水平的比伯D.年矩10KW与上年同期发展水平的比值10.设XN…,X,足来口均佰为25、方井为9的总体的一个简单随机样本.則在人样本情况卜I样本均值X近似服从（）A. N（25.9）B. N（25,9/扬）C.N（25.9/〃D. N（25,3/扬）二. 填空题（車大題共10空.邯空1分，本大題共10分〉1.标土对以分为 ___________ 和____________ 两种.2.篥金业生产一种产骷・fif经过3个连绒作业的弔何.*个牛何的户&合格聿分别为94b 9琳和97%.则该产黒的平均合格*为________________ •平均次禺率为____________ •3.时间序列按册K构成娶索中统计后标值的我现形式可以分为 ___________ • ____________ • ___________ 二种类住.4.设兀…,A；是来白疋态分布总体N(2,1/2)的一个简单甌机样本.則数学期望£(『1匕)= _____________ .方丼》(£〈)= _______________ •r«15.设儿,兀昇・・,心经来口一顶分布总体B(mp)的个简宀莎机样本•则参数p的矩估计为_____________•三. 简答题(本大题共5小每小收6分.本大題媒30分)1.简述统计舅代力卒的丄要内界・2.弓出常见的变异抬标•3.简述总体参数检验的四个步骤.4.简述相关分析耳何舁分析的概念.5.简述时间序列的构成闪索•四、计算題(本大題共6小堪・毎小题15分.本人匱共90分〉1乩甲、乙曲单位I•人生产/的杯准基分别为<7<1(=0.65 (fl). <7^ = 0.75(件)• (1)分别求甲、乙两单位I.人的平均产W： 12)比牧甲、乙两单. 位工人平均产釁的代表性.2.设菜批钊子的KKI服从止态分布N(“•/) •现从中处取10枚，测御其氏度(单位：cm)为2. 16 2. 12 2. 11 2. 13 2. 152. 10 2. 17 2. 10 2. 12 2. II试分别在如卜两冲情况求“的藍信水平为90%的估计区间.⑴ (T = 0.01 (cm)：(2) b末知.注^已知J /(r)^ = 0.05. J心⑼^ = 0.05.其中/(x)我示标IMS IW准止态分布的密巫肉数.f(x;9)农示(1由段为9的f分布密度曲数.(1)计隽该企业产骷户域与单B成本Z间的相关系数：⑵建立该企业单位成本(/)关丁产品产故(X》的红性冋归方程:(3)布山产品产诫毎增加1 (万件).单位成本会减少多少•(1)计知三种产£的产域个体播数和价格个体拆Bu(2)计I?二种产肘的拉氏产垠佶数\(3)计界三种产AA的帕氏价格描数.5.设总体/服从指故分布.其密度曲数为g(x)=加•二若x>00. 若x S 0其中A>0.现从总体X中抽取一个简单Mi机样本・5血,・・・.九・试求参数久的矩佔计址和僉人似然估计埼.&某企业2007 2012年职I：总人數和I•科技术人员数的冇关资料如卜农 (年底数(1)计算该企业职I：总人数的年平均«L(2)计I?该企业1畀技术人员数的年平沟数：(3)计算该企业I•柑技术人员数山駅I•总人数比巫的年平均数.。
2014年硕士研究生入学考试初试专业课833无机化学试题
北京科技大学2014年硕士学位研究生入学考试试题================================================================================= ============================试题编号：833 试题名称：无机化学（共 5 页）适用专业：化学、化学工程与技术、化学工程(专业学位）说明：所有答案必须写在答题纸上，做在试题或草稿纸上无效。
================================================================================= ============================一、是非题（判断下列叙述是否正确，正确的在括号中画√，错误的画×）(本大题分8小题, 每小题1.5分, 共12分)1、NaHS 水溶液显酸性。
.................................................................................（）2、实验室使用的铬酸洗液是用重铬酸钾和浓硫酸配制而成的。
..................………………………………………………………………………..（）3、由于生成配离子，Ag (Ⅰ) 的氧化性增强。
........................... （）4、f区元素原子主要在(n - 2)f亚层中电子数目不同，外层及次外层则相差不多，所以同一周期的f区元素之间表现出相似的化学性质。
...............................................................（）5、磁矩大的配合物，其稳定性强。
...................................................（）6、碱土金属氯化物的熔点高低次序为：BeCl2 < MgCl2 < CaCl2 < SrCl2 < BaCl2。