基于0.18μm CMOS的电流模单元最优化设计
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基于0.18μm CMOS的电流模单元最优化设计
郭杰荣;李长生;刘长青
【期刊名称】《湖南文理学院学报（自然科学版）》
【年(卷),期】2012(24)1
【摘要】采用HSPICE对基于0.18μm工艺电流模单元进行了最优化分析.以S2I 存储单元为例,进行了电路性能、参数扫描及蒙特卡洛分析,对基准电源CMOS模型参数设定进行了最优化处理.结果证明了该方法的有效性及电路可靠性.
【总页数】4页(P39-41,45)
【作者】郭杰荣;李长生;刘长青
【作者单位】湖南文理学院物理与电子科学学院,湖南常德,415000;湖南文理学院物理与电子科学学院,湖南常德,415000;湖南文理学院物理与电子科学学院,湖南常德,415000
【正文语种】中文
【中图分类】TN306
【相关文献】
1.用CMOS跨导单元实现电流模式全极点低通滤波器 [J], 王海峰;刘利民
2.基于0.18μm CMOS标准单元的可编程分频器设计 [J], 何小虎;胡庆生
3.基于0.18μm CMOS工艺的高精度低功耗比较器电路设计 [J], 张洁
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