模拟电子技术基础习题
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3．PN结加正向电压时__导__通___，加反向电压时 __截__止___，这种特性称为PN结的 单__向__导__电_ 特性。
4．PN结正向偏置时P区的电位__高__于___N区的电位。
5．二极管正向导通的最小电压称为__死__区__电压， 使二极管反向电流急剧增大所对应的电压称为 __击__穿___电压.
22.三种基本组态的放大电路中，有电压放大无电流 放大的是＿＿＿共基＿极＿＿电路，有电流放大无电压 放大的是＿＿共＿集＿电＿极＿电路，既有电压放大又有 电流放大的是＿共＿射＿极＿＿电路。
23.分压偏置的共射极放大电路中的作用是 ＿稳＿定＿靜＿态＿工作点＿。
24.多级放大电路常见的耦合方式有＿＿＿直接＿＿、＿ ＿阻＿容＿＿、＿＿变＿压＿器＿。
6．二极管最主要的特性是单向导电 ，使用时应考 虑的两个主要参数是 最大整 流电流 和 最大反向工作电压_。
7．在常温下，硅二极管的死区电压约___0_.5___V， 导通后在较大电流下的正向压降约___0_.7___V 。
8．在常温下，锗二极管的死区电压约为_0_._1V____V，导 通后在较大电流的正向压降约为__0_.3____V。
6.当才三成极立管，工发作射在极＿＿＿放正＿＿大向＿＿＿区偏时置，，关集系电式极IC＿反≈＿向β＿IB
＿偏置。
7.当＿三零＿极或管反工向作＿在偏＿置截＿，止＿集＿电区极时＿反，＿向I＿C≈偏0置；。发射极＿
8.当＿三正＿极向＿管＿工偏作置在，＿集＿饱电＿和极＿＿区＿正时＿向，＿U偏CE置≈。0。发射极
15.滤波电路的作用是_降低输出直_流_电__中_的_ 脉动成分 _， 滤波电路包含有__储__能___元件。
16.单相半波整流，单相桥式整流相比，脉动比较大 的是_单__相_半__波_，整流效果好的是_单__相_桥__式_。
17.在单相桥式整流电路中，如果任意一个二极管反 接，则_电__源_短__路__，如果任意一只二极管脱焊，则 成为_半_波__整_流__。
3AD30C 3DD15D 3DG8050
16.某放大电路，当输入电压为10mV时，输出电压 为7V，当输入电压为1＿10＿0 ＿＿。
17.直流放大器能放大＿＿交＿直＿流＿信号＿，交流放大器能 放大＿＿交＿流＿信＿号 ＿。
18.当静态工作点设置偏低时，会引起＿＿截＿止＿失真， 单级共射放大电路输出电流波形的＿＿负＿半周产 生削波，需将基极上偏置电阻的值调＿小＿＿。
25.直接耦合放大电路既能放大＿＿＿直＿流＿＿信号， 又能放大＿＿交＿流＿＿信号，但它存在零漂的问题， 常采用＿＿差＿动＿放大电路来抑制零漂。
26.多级放大电路与单级放大电路相比，电压增益变 ＿＿大＿＿，通频带变＿＿窄＿＿。
二、选择题
1．当三极管的两个PN结都反偏时，则三极管处于
(
)。
A.截止状态 B.饱和状态 C.放大状态 D.击穿
4.桥式整流电路中，流过每个二极管的平均电流相同， 都只有负载电流的一半。（ ）√
5.当变压器中心抽头式全波整流电路和桥式整流电路 的输入电压相同时，它们的输出电压波形相同，每 个二级管承受的反向电压相同。（ × ）
四、分析计算： 1.判断下列电路中二极管的工作状态。
VD1导通，VD2截止
VD 截止
4.用万用表的 R10 档0和 R1K档分别测量一个
正常二极管的正向电阻，两次测量值分别为 R 1和R2， 则 R 1 与 R2 的关系为( )。
A. R1R2 B. R1 R2 C. R1R2
5.当温度为 20C时，二极管的导通电压为0.7V ， 若其他参数不变，当温度升高到 40C时，二极管的
二、选择题：
1.二极管的导通条件是( )。 A. UD 0 B. UD 死区电压 C.UD 击穿电压。
2.硅二极管的正向电压在0.7V的基础上增加10％， 它的电流( )。
A.基本不变 B.增加10％ C.增加10％以上
3.硅二极管的正向电压在0.3V的基础上增大10％， 它的电流( )。
A.基本不变 B.增加10％ C.增加10％以上
12.有三个整流电路A、B、C，变压器副边电压，负载电压的波 形如图所示，符合该波形的电路是_______。
三、判断题
1. 在二极管的反向截至区，反向电流随反向电压增大 而增大。（ × ）
2. 如果稳压管工作电流则管子可能被损坏。（ × ）
3. 指针式万用表的红表笔（正端）接二极管的正极， 黑表笔（负端）接二极管的负极，测得的是二极管 的正向电阻。（ × ）
2.图所示，设二极管导通压降为0.7V，判断二极管是否
导通，并求输出电压 U O 。
导通 +11.3V
截止 0V
截止 +6V
导通 +0.7V
导通 -12.7V
3.图所示，设二极管导通压降为0.7V，判断二极管是否 导通，并求输出电压 U O 。
V导 D 通 U O0.7V
VD1导通V，D2截止， VD3截止V，D4导通
V：12V A1：14mA A2：6mA
7．电容滤波桥式整流电路及输出电压极性如图所示
u2 102si nt( V )试求：
（1）画出图中4只二极管和滤波电容（标出极性）；
（2）正常工作时，Uo =？ 12V
（3）若电容脱焊，Uo=？ 9V
（4）若RL开路，Uo =？
14V
（5）若其中一个二极管开路，Uo =？ 10V
B.等于 2U2
D.等于 2 2U2
10．单相桥式整流电容滤波电路，当满足 RLC
时，负载电阻上的平均电压为_______。
（3～5）T 2
A.1.1U2 B. 0.9U2 C. 1.2 U2 D. 0.45U2
u 1示1波．器所观示察电路图o的中波u形i 正1 确的0 s是i_n __t_(，V __（)_。忽略导通压降）用
A．15V B．9V C．24V
8.电路如图所示,VD1～VD3为理想二极管,A、B、C白炽 灯泡额定功率相同，其中最亮的灯是_______。
A. B B. C C. A
9．理想二极管桥式整流和电阻性负载电路中，二极管承
受的最大反向电压为_______。
A．小于 2U2
C.大于 2U2，小于 2 2U2
UO 7.3V
4.图所示，设二极管导通压降为0.7V，判断二极管是否
导通，并求输出电压 U O 。
VD1截止V，D2导通 UO 5.3V
VD导通 UO 11.3V
u tV u 5.电路如图所示，设 E，6V i 1s2in ()，二极管
的正向压降忽略不计，试在图中分别画出 o1的波形。
19.当静态工作点设置偏高时，会引起＿＿饱＿和＿失真， 单级共射放大电路输出电压波形的＿＿负＿半周产 生削波，需将基极上偏置电阻的值调＿大＿＿。
20.造成放大电路静态工作点不稳定的因素很多，其 中影响最大的是＿温＿度＿引＿起＿的＿参数变化。
21.三种基本组态的放大电路中，与相位相反的是 共射放大 电路，与相位相同是 共基和共集放大 电路。
一、填充题
1.三极管从结构上看可以分成＿＿N＿PN＿＿和＿＿PN＿P＿＿ 两种类型。
2.晶体三极管工作时有＿＿自＿由＿电＿子＿和＿＿空＿穴＿＿＿两 种载流子参与导电，因此三极管又称为＿＿双＿极＿型＿＿
晶体管。
3.设晶体管的压降 U CE 不变，基极电流为20μA时，集电 极电流等于2mA，则 =_1_0_0_。若基极电流增大至
模拟电子技术基础习题
14.04.2021
生产计划部
第一章 半导体二极管及其应用电路
一、填空：
1．半导体是导电能力介于__导__体___和_绝__缘__体__之间的物 质。
2．利用半导体的__掺__杂___特性，制成杂质半导体；利 用半导体的__光__敏___特性,制成光敏电阻，利用半 导体的___热_敏___特性,制成热敏电阻。
2．当三极管的两个PN结都正偏时，则三极管处于
(
)。
A.截止状态 B.饱和状态 C.放大状态 D.击穿
3.测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别 为6V、5.3V和-6V，则该三极管的类型为（ ）。
A.硅PNP型 B.硅NPN型 C.锗PNP型 D.锗NPN型
12．当温度升高时，二极管的正向特性曲线将 ___左__移___，反向特性曲线将__下__移___。
13．当温度升高时，二极管的正向电压降___减_小___，反 向击穿电压___减_小____，反向电流___增__大___。
14.整流电路的作用是 将交流__电__变_成_ 脉动的直流电 __， 核心元器件是_二__极__管__。
稳定电压UZ 1V2，最大稳定电流IZM2m 0 ，A若流经电
压表V的电流可忽略不计。求：
1)开关S合上时，电压表V、电流表A1和电流表A2的读 数为多少？ V：12V A1：12mA A2：6mA
2)开关S打开时，流过稳压管的电流为多少？IZ：12mA 3)开关S合上，且输入电压由原来30 V上升到33 V时， 此时电压表V、电流表A1和电流表A2的读数为多少？
25μA，集电极电流相应地增大至2.6mA，则 =__1_2_0。
4.三极管的电流放大作用是指三极管的＿集＿电＿极＿＿ 电流约是＿＿基＿极＿＿电流的倍，即利用＿基＿极＿ ＿＿电流，就可实现对＿集＿电＿极＿＿电流的控制。
5.某三极管的发射极电流等于1mA，基极电流等于 20μA，穿透电流Iceo=0则其集电极电流等于 _0_._9_8mA ，电流放大系数β等于_4_9__。
,试判断三极管的
V 类1 型 是4 V ＿,V ＿2 ＿ ＿1 .2 ，V 材,V 料3 是 ＿1 .5 ＿锗V ＿＿。
PNP
12.晶体三极管放大电路中三个电极的电位分别为，
V 1 4 V ,V 2 1 .2 V ,V 3 1 .5 V ,三个电极分
别1为＿＿＿C＿＿＿，2为＿＿＿E＿＿＿，3为＿ ＿＿B＿＿＿。
导通电压将( )。
A.等于0.7V B.小于 0.7V
C.大于0.7V
6.如图所示，二极管均为理想元件，则VD1、VD2、 VD3的工作状态为( )。
A. VD1导通， VD2 、 VD3截止 B. VD2导通， VD1 、 VD3截止 C. VD3导通， VD1 、 VD2截止
7 .在图示电路中稳压管VDZ1的稳定电压为9V， VDZ2的 稳定电压为15V，输出电压 U O 等于( )。
9．半导体二极管加反向偏置电压时，反向峰值电流越 小，说明二极管的__单向_导__电__性能越好。
10．稳压管工作在伏安特性的__反_向__击_穿__区，在该区内 的反向电流有较大变化，但它两端的电压 基_ 本__不_变___。
11．理想二极管正向电阻为____0____，反向电阻为 _无__穷_大___，这两种状态相当于一个__开__关___。
u tV 5.电路如图所示，设 E，6V i 1s2in ()，二极管 u 的正向压降忽略不计，试在图中分别画出 o2的波形。
u tV 5.电路如图所示，设 E，6V i 1s2in ()，二极管 u 的正向压降忽略不计，试在图中分别画出 o3 的波形。
6．图示电路中，已知2CW5的参数如下：
13.温度升高时，三极管的电流放大倍数β将＿增＿大＿
＿＿； ＿减穿 ＿小透 ＿电 。流ICEO将＿＿增＿大＿；发射极电压UBE将
14.温度升高时，三极管的共射输入特性曲线将_左___ 移，输出特性曲线将__上__移，而且输出特性曲线 之间隔将变_宽___。
15. 查阅电子器件手册，了解下列常用三极管的极 限参数，并记录填写在下表中
9.当NPN硅管处在放大状态时，在三个电极电位中， 以＿＿集＿电＿极的电位最高，＿＿发＿射＿极电位最低， ＿＿＿基＿极和＿＿＿＿发极射电位差等于＿＿＿0＿.7V。
10.当PNP锗管处在放大状态时，在三个电极电位中，
以＿＿＿＿极的电位最高，＿＿＿＿极电位最低，
UBE等于发＿射＿＿＿。
集电
11.晶体三极管放大-0电.3路V 中 三个电极的电位分别为
8.电容滤波桥式整流电路及输出电压极性如图所示，
u t （1）2 画 出2 图中40 2 只s 二极i管(n 和V 滤)试波求电：容（标出极性）；
（2）正常工作时，Uo =？ 24V
（3）若电容脱焊，Uo=？ 18V
（4）若RL开路，Uo =？
28V
（5）若其中一个二极管开路，Uo =？ 20V
第二章 半导体三极管
4．PN结正向偏置时P区的电位__高__于___N区的电位。
5．二极管正向导通的最小电压称为__死__区__电压， 使二极管反向电流急剧增大所对应的电压称为 __击__穿___电压.
22.三种基本组态的放大电路中，有电压放大无电流 放大的是＿＿＿共基＿极＿＿电路，有电流放大无电压 放大的是＿＿共＿集＿电＿极＿电路，既有电压放大又有 电流放大的是＿共＿射＿极＿＿电路。
23.分压偏置的共射极放大电路中的作用是 ＿稳＿定＿靜＿态＿工作点＿。
24.多级放大电路常见的耦合方式有＿＿＿直接＿＿、＿ ＿阻＿容＿＿、＿＿变＿压＿器＿。
6．二极管最主要的特性是单向导电 ，使用时应考 虑的两个主要参数是 最大整 流电流 和 最大反向工作电压_。
7．在常温下，硅二极管的死区电压约___0_.5___V， 导通后在较大电流下的正向压降约___0_.7___V 。
8．在常温下，锗二极管的死区电压约为_0_._1V____V，导 通后在较大电流的正向压降约为__0_.3____V。
6.当才三成极立管，工发作射在极＿＿＿放正＿＿大向＿＿＿区偏时置，，关集系电式极IC＿反≈＿向β＿IB
＿偏置。
7.当＿三零＿极或管反工向作＿在偏＿置截＿，止＿集＿电区极时＿反，＿向I＿C≈偏0置；。发射极＿
8.当＿三正＿极向＿管＿工偏作置在，＿集＿饱电＿和极＿＿区＿正时＿向，＿U偏CE置≈。0。发射极
15.滤波电路的作用是_降低输出直_流_电__中_的_ 脉动成分 _， 滤波电路包含有__储__能___元件。
16.单相半波整流，单相桥式整流相比，脉动比较大 的是_单__相_半__波_，整流效果好的是_单__相_桥__式_。
17.在单相桥式整流电路中，如果任意一个二极管反 接，则_电__源_短__路__，如果任意一只二极管脱焊，则 成为_半_波__整_流__。
3AD30C 3DD15D 3DG8050
16.某放大电路，当输入电压为10mV时，输出电压 为7V，当输入电压为1＿10＿0 ＿＿。
17.直流放大器能放大＿＿交＿直＿流＿信号＿，交流放大器能 放大＿＿交＿流＿信＿号 ＿。
18.当静态工作点设置偏低时，会引起＿＿截＿止＿失真， 单级共射放大电路输出电流波形的＿＿负＿半周产 生削波，需将基极上偏置电阻的值调＿小＿＿。
25.直接耦合放大电路既能放大＿＿＿直＿流＿＿信号， 又能放大＿＿交＿流＿＿信号，但它存在零漂的问题， 常采用＿＿差＿动＿放大电路来抑制零漂。
26.多级放大电路与单级放大电路相比，电压增益变 ＿＿大＿＿，通频带变＿＿窄＿＿。
二、选择题
1．当三极管的两个PN结都反偏时，则三极管处于
(
)。
A.截止状态 B.饱和状态 C.放大状态 D.击穿
4.桥式整流电路中，流过每个二极管的平均电流相同， 都只有负载电流的一半。（ ）√
5.当变压器中心抽头式全波整流电路和桥式整流电路 的输入电压相同时，它们的输出电压波形相同，每 个二级管承受的反向电压相同。（ × ）
四、分析计算： 1.判断下列电路中二极管的工作状态。
VD1导通，VD2截止
VD 截止
4.用万用表的 R10 档0和 R1K档分别测量一个
正常二极管的正向电阻，两次测量值分别为 R 1和R2， 则 R 1 与 R2 的关系为( )。
A. R1R2 B. R1 R2 C. R1R2
5.当温度为 20C时，二极管的导通电压为0.7V ， 若其他参数不变，当温度升高到 40C时，二极管的
二、选择题：
1.二极管的导通条件是( )。 A. UD 0 B. UD 死区电压 C.UD 击穿电压。
2.硅二极管的正向电压在0.7V的基础上增加10％， 它的电流( )。
A.基本不变 B.增加10％ C.增加10％以上
3.硅二极管的正向电压在0.3V的基础上增大10％， 它的电流( )。
A.基本不变 B.增加10％ C.增加10％以上
12.有三个整流电路A、B、C，变压器副边电压，负载电压的波 形如图所示，符合该波形的电路是_______。
三、判断题
1. 在二极管的反向截至区，反向电流随反向电压增大 而增大。（ × ）
2. 如果稳压管工作电流则管子可能被损坏。（ × ）
3. 指针式万用表的红表笔（正端）接二极管的正极， 黑表笔（负端）接二极管的负极，测得的是二极管 的正向电阻。（ × ）
2.图所示，设二极管导通压降为0.7V，判断二极管是否
导通，并求输出电压 U O 。
导通 +11.3V
截止 0V
截止 +6V
导通 +0.7V
导通 -12.7V
3.图所示，设二极管导通压降为0.7V，判断二极管是否 导通，并求输出电压 U O 。
V导 D 通 U O0.7V
VD1导通V，D2截止， VD3截止V，D4导通
V：12V A1：14mA A2：6mA
7．电容滤波桥式整流电路及输出电压极性如图所示
u2 102si nt( V )试求：
（1）画出图中4只二极管和滤波电容（标出极性）；
（2）正常工作时，Uo =？ 12V
（3）若电容脱焊，Uo=？ 9V
（4）若RL开路，Uo =？
14V
（5）若其中一个二极管开路，Uo =？ 10V
B.等于 2U2
D.等于 2 2U2
10．单相桥式整流电容滤波电路，当满足 RLC
时，负载电阻上的平均电压为_______。
（3～5）T 2
A.1.1U2 B. 0.9U2 C. 1.2 U2 D. 0.45U2
u 1示1波．器所观示察电路图o的中波u形i 正1 确的0 s是i_n __t_(，V __（)_。忽略导通压降）用
A．15V B．9V C．24V
8.电路如图所示,VD1～VD3为理想二极管,A、B、C白炽 灯泡额定功率相同，其中最亮的灯是_______。
A. B B. C C. A
9．理想二极管桥式整流和电阻性负载电路中，二极管承
受的最大反向电压为_______。
A．小于 2U2
C.大于 2U2，小于 2 2U2
UO 7.3V
4.图所示，设二极管导通压降为0.7V，判断二极管是否
导通，并求输出电压 U O 。
VD1截止V，D2导通 UO 5.3V
VD导通 UO 11.3V
u tV u 5.电路如图所示，设 E，6V i 1s2in ()，二极管
的正向压降忽略不计，试在图中分别画出 o1的波形。
19.当静态工作点设置偏高时，会引起＿＿饱＿和＿失真， 单级共射放大电路输出电压波形的＿＿负＿半周产 生削波，需将基极上偏置电阻的值调＿大＿＿。
20.造成放大电路静态工作点不稳定的因素很多，其 中影响最大的是＿温＿度＿引＿起＿的＿参数变化。
21.三种基本组态的放大电路中，与相位相反的是 共射放大 电路，与相位相同是 共基和共集放大 电路。
一、填充题
1.三极管从结构上看可以分成＿＿N＿PN＿＿和＿＿PN＿P＿＿ 两种类型。
2.晶体三极管工作时有＿＿自＿由＿电＿子＿和＿＿空＿穴＿＿＿两 种载流子参与导电，因此三极管又称为＿＿双＿极＿型＿＿
晶体管。
3.设晶体管的压降 U CE 不变，基极电流为20μA时，集电 极电流等于2mA，则 =_1_0_0_。若基极电流增大至
模拟电子技术基础习题
14.04.2021
生产计划部
第一章 半导体二极管及其应用电路
一、填空：
1．半导体是导电能力介于__导__体___和_绝__缘__体__之间的物 质。
2．利用半导体的__掺__杂___特性，制成杂质半导体；利 用半导体的__光__敏___特性,制成光敏电阻，利用半 导体的___热_敏___特性,制成热敏电阻。
2．当三极管的两个PN结都正偏时，则三极管处于
(
)。
A.截止状态 B.饱和状态 C.放大状态 D.击穿
3.测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别 为6V、5.3V和-6V，则该三极管的类型为（ ）。
A.硅PNP型 B.硅NPN型 C.锗PNP型 D.锗NPN型
12．当温度升高时，二极管的正向特性曲线将 ___左__移___，反向特性曲线将__下__移___。
13．当温度升高时，二极管的正向电压降___减_小___，反 向击穿电压___减_小____，反向电流___增__大___。
14.整流电路的作用是 将交流__电__变_成_ 脉动的直流电 __， 核心元器件是_二__极__管__。
稳定电压UZ 1V2，最大稳定电流IZM2m 0 ，A若流经电
压表V的电流可忽略不计。求：
1)开关S合上时，电压表V、电流表A1和电流表A2的读 数为多少？ V：12V A1：12mA A2：6mA
2)开关S打开时，流过稳压管的电流为多少？IZ：12mA 3)开关S合上，且输入电压由原来30 V上升到33 V时， 此时电压表V、电流表A1和电流表A2的读数为多少？
25μA，集电极电流相应地增大至2.6mA，则 =__1_2_0。
4.三极管的电流放大作用是指三极管的＿集＿电＿极＿＿ 电流约是＿＿基＿极＿＿电流的倍，即利用＿基＿极＿ ＿＿电流，就可实现对＿集＿电＿极＿＿电流的控制。
5.某三极管的发射极电流等于1mA，基极电流等于 20μA，穿透电流Iceo=0则其集电极电流等于 _0_._9_8mA ，电流放大系数β等于_4_9__。
,试判断三极管的
V 类1 型 是4 V ＿,V ＿2 ＿ ＿1 .2 ，V 材,V 料3 是 ＿1 .5 ＿锗V ＿＿。
PNP
12.晶体三极管放大电路中三个电极的电位分别为，
V 1 4 V ,V 2 1 .2 V ,V 3 1 .5 V ,三个电极分
别1为＿＿＿C＿＿＿，2为＿＿＿E＿＿＿，3为＿ ＿＿B＿＿＿。
导通电压将( )。
A.等于0.7V B.小于 0.7V
C.大于0.7V
6.如图所示，二极管均为理想元件，则VD1、VD2、 VD3的工作状态为( )。
A. VD1导通， VD2 、 VD3截止 B. VD2导通， VD1 、 VD3截止 C. VD3导通， VD1 、 VD2截止
7 .在图示电路中稳压管VDZ1的稳定电压为9V， VDZ2的 稳定电压为15V，输出电压 U O 等于( )。
9．半导体二极管加反向偏置电压时，反向峰值电流越 小，说明二极管的__单向_导__电__性能越好。
10．稳压管工作在伏安特性的__反_向__击_穿__区，在该区内 的反向电流有较大变化，但它两端的电压 基_ 本__不_变___。
11．理想二极管正向电阻为____0____，反向电阻为 _无__穷_大___，这两种状态相当于一个__开__关___。
u tV 5.电路如图所示，设 E，6V i 1s2in ()，二极管 u 的正向压降忽略不计，试在图中分别画出 o2的波形。
u tV 5.电路如图所示，设 E，6V i 1s2in ()，二极管 u 的正向压降忽略不计，试在图中分别画出 o3 的波形。
6．图示电路中，已知2CW5的参数如下：
13.温度升高时，三极管的电流放大倍数β将＿增＿大＿
＿＿； ＿减穿 ＿小透 ＿电 。流ICEO将＿＿增＿大＿；发射极电压UBE将
14.温度升高时，三极管的共射输入特性曲线将_左___ 移，输出特性曲线将__上__移，而且输出特性曲线 之间隔将变_宽___。
15. 查阅电子器件手册，了解下列常用三极管的极 限参数，并记录填写在下表中
9.当NPN硅管处在放大状态时，在三个电极电位中， 以＿＿集＿电＿极的电位最高，＿＿发＿射＿极电位最低， ＿＿＿基＿极和＿＿＿＿发极射电位差等于＿＿＿0＿.7V。
10.当PNP锗管处在放大状态时，在三个电极电位中，
以＿＿＿＿极的电位最高，＿＿＿＿极电位最低，
UBE等于发＿射＿＿＿。
集电
11.晶体三极管放大-0电.3路V 中 三个电极的电位分别为
8.电容滤波桥式整流电路及输出电压极性如图所示，
u t （1）2 画 出2 图中40 2 只s 二极i管(n 和V 滤)试波求电：容（标出极性）；
（2）正常工作时，Uo =？ 24V
（3）若电容脱焊，Uo=？ 18V
（4）若RL开路，Uo =？
28V
（5）若其中一个二极管开路，Uo =？ 20V
第二章 半导体三极管