扫描电子显微镜ppt课件
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信号的收集效率和相应检测器的安放位置有很大关系，如果 安微镜的样品室内还配有多种附 件，可使样品在样品台上能进行加热、冷却、拉伸等试验， 以便研究材料的动态组织及性能。
二、信号的收集和图像显示系 统
信号收集和显示系统包括各种信号检测器，前置放大 器和显示装置，其作用是检测样品在入射电子作用下 产生的物理信号，然后经视频放大，作为显像系统的 调制信号，最后在荧光屏上得到反映样品表面特征的 扫描图像。
12-0引言
2、 图像景深大，富有立体感。可直接观察起 伏较大的粗糙表面（如金属和陶瓷的断口等）
3、试样制备简单。只要将块状或粉末的、导 电的或不导电的试样不加处理或稍加处理，就 可直接放到SEM中进行观察。一般来说，用 SEM观察断口时，样品不必复制，可直接进行 观察，这给分析带来极大的方便。比透射电子 显微镜（TEM）的制样简单，且可使图像更近 于试样的真实状态。
二次电子、背散射电子和透射电子的信号都可采用闪 烁计数器来进行检测。信号电子进入闪烁体后即引起 电离，当离子和自由电子复合后就产生可见光。可见 光信号通过光导管送入光电倍增器，光信号放大，即 又转化成电流信号输出，电流信号经视频放大器放大 后就成为调制信号。
二、信号的收集和图像显示系 统
如前所述，由于镜筒中的电子束和显像 管中电子束是同步扫描，而荧光屏上每 一点的亮度是根据样品上被激发出来的 信号强度来调制的，因此样品上各点的 状态各不相同，所以接收到的信号也不 相同，于是就可以在显像管上看到一幅 反映试样各点状态的扫描电子显微图像。
俄歇电子特点:
(1)俄歇电子的能量很低，能量有特征值, 一般在50eV-1500eV范围内。
(2)俄歇电子的平均自由程很小(1nm左 右).因此在较深区域中产生的俄歇电子 在向表层运动时必然会因碰撞而损失能 量,使之失去了具有持征能量的特点.
6.俄歇电子
(3)距离表面层1nm左右范围内(即几个 原子层厚度)逸出的俄歇电子才具备特征 能量，因此俄歇电子特别适用做表面层 成分分析。
4.透射电子
如果被分析的样品很薄．那么就会有一 部分入射电子穿过薄样品而成为透射电 子。(当采用扫描透射操作方式对薄样品 成像和微区成分分析时形成的透射电子).
4.透射电子
这种透射电子是由直径很小(小于10nm ) 的高能电子束照射薄样品时产生的，因 此，透射电子信号是由微区的厚度、成 分和晶体结构来决定。透射电子流强度 用it表示。
图12-4 电子束在样品表面进行的扫描方 式
(a)光栅扫描； (b)角光栅扫描
扫描线圈是扫描电子显微镜的一个重要组件，它一般放在 最后二透镜之间，也有的放在末级透镜的空间内，使电子 束进入末级透镜强磁场区前就发生偏转，为保证方向一致 的电子束都能通过末级透镜的中心射到样品表面；扫描电 子显微镜采用双偏转扫描线圈。
1、背散射电子
背散射电子的特点： (1)来自样品距表层几百纳米的深度范围。 (2)它的产额能随样品原子序数增大而增
多，因此可用来显示原子序数衬度，并 定性地用作成分分析。当然也能用作形 貌分析.
2．二次电子
二次电子：
在入射电子束作用下被轰击出来并离开 样品表面的核外电子。
二次电子是一种真空中的自由电子。由 于原子核和外层价电子间的结合能很小， 因此外层的电子比较容易和原子脱离，使 原子电离。
射系数)； α＝ ia /i0, 叫做吸收系数； τ＝ it /i0。 叫做透射系数。
几种电子信号强度之间的关系
对于给定的材料，当入射电子能量 和强度一定时，上述四项系数与样 品质量厚度之间的关系，如图12— 2所示。
图12-2 铜样品η、δ、α、τ系数与ρt之间 关系(入射电子能能量＝10kv）
当电子束进入上偏转线圈时，方向发生转折，随后又由下 偏转线圈使它的方向发生第二次转折。在电子束偏转的同 时还进行逐行扫描，电子束在上下偏转线圈的作用下，扫 描出一个长方形，相应地在样品上画出一帧比例图像。
如果电子束经上偏转线圈转折后未经下偏转线圈改变方向， 而直接由末级透镜折射到入射点位置，这种扫描方式称为 角光栅扫描或摇摆扫描。
2．二次电子
一个能量很高的入射电子射入样品时，可 以产生许多自由电子，这些自由电子中 90％是来自样品原子外层的价电子。
二次电子的特点： (1)能量较低(≤50 eV )
大多数二次电子只带有几个电子伏特的能 量。在用二次电子收集器收集二次电子时， 往往也会把极少量低能量的非弹性
2．二次电子
背散射电子一起收集进去。事实上这两者 是无法区分的。
非弹性背散射电子是入射电子和样品核 外电子撞击后产生的非弹性散射，不仅 方向改变，能量也有不同程度的损失。 如有些电子经多次散射后仍能反弹出来， 这就形成非弹性背散射电子。
1、背散射电子
非弹性背散射电子的能量分布范围很宽， 从数十电子伏直到数千电子伏。
从数量上看，弹性背散射电子远比非弹 性背散射电子所占的份额多。
除了上述6种信号外，还有阴极荧光、 电子束感生效应等信号，经调制后也可 以用于专门的分析。
12—2 扫描电子显微镜的构造 和工作原理
SEM组成: 1.电子光学系统. 2.信号收集处理、图像显示和记录系
统. 3.真空系统 见图12—3.
图123扫 描电 镜结 构原 理方 框图
一、电子光学系统（镜筒）
在某一能量范围内，二次电子产额都 大于1，随着α的增大，二次电子产额曲 线的极大值增大，并向高能方向移动。
图12-1-1二次电子产额与电子能 量和入射角的关系
3．吸收电子
入射电子进入样品后，经多次非弹性散射 能量损失殆尽(假定样品有足够的厚度没 有透射电子产生)，最后被样品吸收。若 在样样品和地之间接入一个高灵敏度的电 流表，就可以测得样品对地的信号，这个 信号是由吸收电子提供的。假定i0、 ib 、 is 、，ia分别表示入射电子电流强度、背散 射电子流强度、二次电子流强度和吸收电 子流强度。
4．样品室
扫描电子显微镜的样品室空间较大，一般可放置20×10 mm 的块状样品。
为适应断口实物等大零件的需要，近年来还开发了可放置尺 寸在125mm以上的大样品台。观察时，样品台可根据需要沿 X、Y及Z三个方向平移，在水平面内旋转或沿水平轴倾斜。
样品室内除放置样品外，还安置信号探测器。各种不同信号 的收集和相应检测器的安放位置有很大的关系.如果安置不当， 则有可能收不到信号或收到的信号很弱，从而影响分析精度。
电子光学系统包括电子枪、电磁透 镜、扫描线圈和样品室。 1．电子枪
扫描电子显微镜中的电子枪与透射电子 显微镜的电子枪相似，只是加速电压比 透射电子显微镜低。
SEM中的电磁透镜都不作成像透镜用， 而是作聚光镜用.
功能:把电子枪的束斑(虚光源)逐级聚焦
缩小，使原来直径约为50um的束斑缩
小成一个只有数个nm的细小斑点，要达 到达样的缩小倍数，必须用几个透镜来 完成。
3．吸收电子
在不考虑透射电子流时有：
ia ＝i0－ （ib +is）
入射电子束和样品作用后，若逸出表面 的背散射电子和二次电子数量越少．则 吸收电子信号强度越大。若把吸收电子 信号调制成图像，则它的衬度恰好和二 次电子或背散射电子信号调制的图像衬 度相反。
3．吸收电子的原子序数衬度
当电子束入射一个多元素的样品表面时， 由于不同原子序数部位的二次电子产额 基本上是相同的，则产生背散射电子较 多的部位(原子序数大),其吸收电子的数 量就较少，反之亦然。因此，吸收电子 能产生原子序数衬度，同样也可以用来 进行定性的微区成分分析.
(2) 二次电子发射深度距离表层5-10 nm. 它对样品的表面形貌十分敏感，因此，能 非常有效地显示样品的表面形貌。
(3)二次电子的产额和原子序数之间没有明 显的依赖关系，故不能用它来进行成分分 析。
2．二次电子
(4)二次电子产额η （二次电子流与入射电 子流的比值）与入射电子能量和入射角 α （入射束和样品表面法线的交角）有 关,见图12-1-1。
1、背散射电子
背散射电子是被固体样品中的原子核反 弹回来的一部分入射电子，其中包括弹 性背散射电子和非弹性背散射电子。
弹性背散射电子是指被样品中原子核反 弹回来的，散射角大于90o的那些入射电 子，其能量没有损失(或基本上没有损 失)。
1、背散射电子
一般弹性背散射电子的能量能达到数千 到数万电子伏。
采用普通热阴极电子枪时，电子束斑直 径可达到6nm左右。若采用六硼化钄阴 极和场发射电子枪，电子束直径还可进 一步缩小。
我院的SEM
3．扫描线圈
其作用是使电子束偏转，并在样品表面 作有规则的扫动，电子束在样品上的扫 描动作和显像管上的扫描动作保持严格 同步(由同一扫描发生器控制)。
图12-4示出电子束在样品表面进行扫描 的两种方式。进行形貌分析时都采用光 栅扫描方式，见图12-4(a)。
6.俄歇电子
在入射电子激发样品的特征x射线过程 中，如果在原子内层电子能量跃迁过程 中释放出来的能量并不以x射线的形式发 射出去，而是用这部分能量把空位层内 的另一个电子发射出去(或使空位层的外 层电子发射出左)，这个被电离出来的电 子称为俄歇电子(见1—5X射线与物质的 相互作用)。
6.俄歇电子
12-0引言
装上半导体样品座附件，可以直接观察晶体管或集 成电路的p-n结及器件失效部位的情况。
装上不同类型的试样台和检测器可以直接观察处于 不同环境（加热、冷却、拉伸等）中的试样显微结 构形态的动态变化过程（动态观察）。
12-1 电子束与固体样品作用 时产生的信号
样品在 电子束 的轰击 下会产 生图 12-1所 示的各 种信号
12-0 引言
SEM的成像原理是以类似电视摄影显像的方 式，利用细聚焦电子束在样品表面扫描时激发 出来的各种物理信号来调制成像的。
SEM的特点：
1、仪器分辨本领较高。新式SEM的二次电子 像的分辨率已达到3-4nm。二次电子像分辨 本领可达1.0nm(场发射),3.0nm(钨灯丝)。仪 器放大倍数变化范围大（从几倍到几十万倍）， 且连续可调。
12-0引言
SEM装上波长色散X射线谱仪（WDX）（简称波谱仪） 或能量色散X射线谱仪（EDX）（简称能谱仪）后， 在观察扫描形貌图像的同时，可对试样微区进行元 素分析。
SEM、TEM和EDS的结合同位分析： 电子枪效率不 断提高，使得SEM的样品室附近的空间增大，可以 装入更多的探测器。因此，目前的扫描电子显微镜 不只是分析形貌貌，它可以和其它分析仪器相组合， 使人们能在同一台仪器上进行形貌、微区成分和晶 体结构等多种微观组织结构信息的同位分析。
对于大块试样，样品同 一部位的吸收系数,背 散射系数和二次电子发 射系数三者之间存在互 补关系；由于二次电子 信号强度与样品原子序 数没有确定的关系，因 此可以认为，如果样品 微区背散射屯子信号强 度大，则吸收电子信号 强度小。反之亦然。
5.特征X射线
当样品原子的内层电子被入射电子激发 或电离时，原子就会处于能量较高的激 发状态，此时外层电子将向内层跃迁以 填补内层电子的空缺，从而使具有特征 能量的x射线释放出来(见1-4 X射线图)。 根据莫塞莱定律，如果用x射线探测器测 到了样品微区中存在某一种特征波长， 就可以判定这个微区中存在着相应的元 素。
几种电子信号强度之间的关系
综上所述，如果使样品接地保持电中性， 那么入射电子激发固体样品产生的四种 电子信号强度与入射电子强度之间必然 满足以下关系：
I0＝ ib +is +ia+ it 或
12-1
η+α+τ+δ＝1
12-2
几种电子信号强度之间的关系
式中
η＝ ib / i0，叫做背散射系数； δ＝ is／ i0，叫做二次电子产额(或发
2.电磁透镜
SEM一般都有3个聚光镜，前2个 聚光镜是强磁透镜，可把电子束光 斑缩小．第3个透镜是弱磁透镜（物 镜），具有较长的焦距。
布置物镜目的在于使样品室和透镜 之间留有一定的空间，以便装入各 种信号探测器。
2.电磁透镜
SEM照射到样品上的电子束直径越 小，就相当于成像单元的尺寸越小， 相应的分辨率就越高。
二、信号的收集和图像显示系 统
信号收集和显示系统包括各种信号检测器，前置放大 器和显示装置，其作用是检测样品在入射电子作用下 产生的物理信号，然后经视频放大，作为显像系统的 调制信号，最后在荧光屏上得到反映样品表面特征的 扫描图像。
12-0引言
2、 图像景深大，富有立体感。可直接观察起 伏较大的粗糙表面（如金属和陶瓷的断口等）
3、试样制备简单。只要将块状或粉末的、导 电的或不导电的试样不加处理或稍加处理，就 可直接放到SEM中进行观察。一般来说，用 SEM观察断口时，样品不必复制，可直接进行 观察，这给分析带来极大的方便。比透射电子 显微镜（TEM）的制样简单，且可使图像更近 于试样的真实状态。
二次电子、背散射电子和透射电子的信号都可采用闪 烁计数器来进行检测。信号电子进入闪烁体后即引起 电离，当离子和自由电子复合后就产生可见光。可见 光信号通过光导管送入光电倍增器，光信号放大，即 又转化成电流信号输出，电流信号经视频放大器放大 后就成为调制信号。
二、信号的收集和图像显示系 统
如前所述，由于镜筒中的电子束和显像 管中电子束是同步扫描，而荧光屏上每 一点的亮度是根据样品上被激发出来的 信号强度来调制的，因此样品上各点的 状态各不相同，所以接收到的信号也不 相同，于是就可以在显像管上看到一幅 反映试样各点状态的扫描电子显微图像。
俄歇电子特点:
(1)俄歇电子的能量很低，能量有特征值, 一般在50eV-1500eV范围内。
(2)俄歇电子的平均自由程很小(1nm左 右).因此在较深区域中产生的俄歇电子 在向表层运动时必然会因碰撞而损失能 量,使之失去了具有持征能量的特点.
6.俄歇电子
(3)距离表面层1nm左右范围内(即几个 原子层厚度)逸出的俄歇电子才具备特征 能量，因此俄歇电子特别适用做表面层 成分分析。
4.透射电子
如果被分析的样品很薄．那么就会有一 部分入射电子穿过薄样品而成为透射电 子。(当采用扫描透射操作方式对薄样品 成像和微区成分分析时形成的透射电子).
4.透射电子
这种透射电子是由直径很小(小于10nm ) 的高能电子束照射薄样品时产生的，因 此，透射电子信号是由微区的厚度、成 分和晶体结构来决定。透射电子流强度 用it表示。
图12-4 电子束在样品表面进行的扫描方 式
(a)光栅扫描； (b)角光栅扫描
扫描线圈是扫描电子显微镜的一个重要组件，它一般放在 最后二透镜之间，也有的放在末级透镜的空间内，使电子 束进入末级透镜强磁场区前就发生偏转，为保证方向一致 的电子束都能通过末级透镜的中心射到样品表面；扫描电 子显微镜采用双偏转扫描线圈。
1、背散射电子
背散射电子的特点： (1)来自样品距表层几百纳米的深度范围。 (2)它的产额能随样品原子序数增大而增
多，因此可用来显示原子序数衬度，并 定性地用作成分分析。当然也能用作形 貌分析.
2．二次电子
二次电子：
在入射电子束作用下被轰击出来并离开 样品表面的核外电子。
二次电子是一种真空中的自由电子。由 于原子核和外层价电子间的结合能很小， 因此外层的电子比较容易和原子脱离，使 原子电离。
射系数)； α＝ ia /i0, 叫做吸收系数； τ＝ it /i0。 叫做透射系数。
几种电子信号强度之间的关系
对于给定的材料，当入射电子能量 和强度一定时，上述四项系数与样 品质量厚度之间的关系，如图12— 2所示。
图12-2 铜样品η、δ、α、τ系数与ρt之间 关系(入射电子能能量＝10kv）
当电子束进入上偏转线圈时，方向发生转折，随后又由下 偏转线圈使它的方向发生第二次转折。在电子束偏转的同 时还进行逐行扫描，电子束在上下偏转线圈的作用下，扫 描出一个长方形，相应地在样品上画出一帧比例图像。
如果电子束经上偏转线圈转折后未经下偏转线圈改变方向， 而直接由末级透镜折射到入射点位置，这种扫描方式称为 角光栅扫描或摇摆扫描。
2．二次电子
一个能量很高的入射电子射入样品时，可 以产生许多自由电子，这些自由电子中 90％是来自样品原子外层的价电子。
二次电子的特点： (1)能量较低(≤50 eV )
大多数二次电子只带有几个电子伏特的能 量。在用二次电子收集器收集二次电子时， 往往也会把极少量低能量的非弹性
2．二次电子
背散射电子一起收集进去。事实上这两者 是无法区分的。
非弹性背散射电子是入射电子和样品核 外电子撞击后产生的非弹性散射，不仅 方向改变，能量也有不同程度的损失。 如有些电子经多次散射后仍能反弹出来， 这就形成非弹性背散射电子。
1、背散射电子
非弹性背散射电子的能量分布范围很宽， 从数十电子伏直到数千电子伏。
从数量上看，弹性背散射电子远比非弹 性背散射电子所占的份额多。
除了上述6种信号外，还有阴极荧光、 电子束感生效应等信号，经调制后也可 以用于专门的分析。
12—2 扫描电子显微镜的构造 和工作原理
SEM组成: 1.电子光学系统. 2.信号收集处理、图像显示和记录系
统. 3.真空系统 见图12—3.
图123扫 描电 镜结 构原 理方 框图
一、电子光学系统（镜筒）
在某一能量范围内，二次电子产额都 大于1，随着α的增大，二次电子产额曲 线的极大值增大，并向高能方向移动。
图12-1-1二次电子产额与电子能 量和入射角的关系
3．吸收电子
入射电子进入样品后，经多次非弹性散射 能量损失殆尽(假定样品有足够的厚度没 有透射电子产生)，最后被样品吸收。若 在样样品和地之间接入一个高灵敏度的电 流表，就可以测得样品对地的信号，这个 信号是由吸收电子提供的。假定i0、 ib 、 is 、，ia分别表示入射电子电流强度、背散 射电子流强度、二次电子流强度和吸收电 子流强度。
4．样品室
扫描电子显微镜的样品室空间较大，一般可放置20×10 mm 的块状样品。
为适应断口实物等大零件的需要，近年来还开发了可放置尺 寸在125mm以上的大样品台。观察时，样品台可根据需要沿 X、Y及Z三个方向平移，在水平面内旋转或沿水平轴倾斜。
样品室内除放置样品外，还安置信号探测器。各种不同信号 的收集和相应检测器的安放位置有很大的关系.如果安置不当， 则有可能收不到信号或收到的信号很弱，从而影响分析精度。
电子光学系统包括电子枪、电磁透 镜、扫描线圈和样品室。 1．电子枪
扫描电子显微镜中的电子枪与透射电子 显微镜的电子枪相似，只是加速电压比 透射电子显微镜低。
SEM中的电磁透镜都不作成像透镜用， 而是作聚光镜用.
功能:把电子枪的束斑(虚光源)逐级聚焦
缩小，使原来直径约为50um的束斑缩
小成一个只有数个nm的细小斑点，要达 到达样的缩小倍数，必须用几个透镜来 完成。
3．吸收电子
在不考虑透射电子流时有：
ia ＝i0－ （ib +is）
入射电子束和样品作用后，若逸出表面 的背散射电子和二次电子数量越少．则 吸收电子信号强度越大。若把吸收电子 信号调制成图像，则它的衬度恰好和二 次电子或背散射电子信号调制的图像衬 度相反。
3．吸收电子的原子序数衬度
当电子束入射一个多元素的样品表面时， 由于不同原子序数部位的二次电子产额 基本上是相同的，则产生背散射电子较 多的部位(原子序数大),其吸收电子的数 量就较少，反之亦然。因此，吸收电子 能产生原子序数衬度，同样也可以用来 进行定性的微区成分分析.
(2) 二次电子发射深度距离表层5-10 nm. 它对样品的表面形貌十分敏感，因此，能 非常有效地显示样品的表面形貌。
(3)二次电子的产额和原子序数之间没有明 显的依赖关系，故不能用它来进行成分分 析。
2．二次电子
(4)二次电子产额η （二次电子流与入射电 子流的比值）与入射电子能量和入射角 α （入射束和样品表面法线的交角）有 关,见图12-1-1。
1、背散射电子
背散射电子是被固体样品中的原子核反 弹回来的一部分入射电子，其中包括弹 性背散射电子和非弹性背散射电子。
弹性背散射电子是指被样品中原子核反 弹回来的，散射角大于90o的那些入射电 子，其能量没有损失(或基本上没有损 失)。
1、背散射电子
一般弹性背散射电子的能量能达到数千 到数万电子伏。
采用普通热阴极电子枪时，电子束斑直 径可达到6nm左右。若采用六硼化钄阴 极和场发射电子枪，电子束直径还可进 一步缩小。
我院的SEM
3．扫描线圈
其作用是使电子束偏转，并在样品表面 作有规则的扫动，电子束在样品上的扫 描动作和显像管上的扫描动作保持严格 同步(由同一扫描发生器控制)。
图12-4示出电子束在样品表面进行扫描 的两种方式。进行形貌分析时都采用光 栅扫描方式，见图12-4(a)。
6.俄歇电子
在入射电子激发样品的特征x射线过程 中，如果在原子内层电子能量跃迁过程 中释放出来的能量并不以x射线的形式发 射出去，而是用这部分能量把空位层内 的另一个电子发射出去(或使空位层的外 层电子发射出左)，这个被电离出来的电 子称为俄歇电子(见1—5X射线与物质的 相互作用)。
6.俄歇电子
12-0引言
装上半导体样品座附件，可以直接观察晶体管或集 成电路的p-n结及器件失效部位的情况。
装上不同类型的试样台和检测器可以直接观察处于 不同环境（加热、冷却、拉伸等）中的试样显微结 构形态的动态变化过程（动态观察）。
12-1 电子束与固体样品作用 时产生的信号
样品在 电子束 的轰击 下会产 生图 12-1所 示的各 种信号
12-0 引言
SEM的成像原理是以类似电视摄影显像的方 式，利用细聚焦电子束在样品表面扫描时激发 出来的各种物理信号来调制成像的。
SEM的特点：
1、仪器分辨本领较高。新式SEM的二次电子 像的分辨率已达到3-4nm。二次电子像分辨 本领可达1.0nm(场发射),3.0nm(钨灯丝)。仪 器放大倍数变化范围大（从几倍到几十万倍）， 且连续可调。
12-0引言
SEM装上波长色散X射线谱仪（WDX）（简称波谱仪） 或能量色散X射线谱仪（EDX）（简称能谱仪）后， 在观察扫描形貌图像的同时，可对试样微区进行元 素分析。
SEM、TEM和EDS的结合同位分析： 电子枪效率不 断提高，使得SEM的样品室附近的空间增大，可以 装入更多的探测器。因此，目前的扫描电子显微镜 不只是分析形貌貌，它可以和其它分析仪器相组合， 使人们能在同一台仪器上进行形貌、微区成分和晶 体结构等多种微观组织结构信息的同位分析。
对于大块试样，样品同 一部位的吸收系数,背 散射系数和二次电子发 射系数三者之间存在互 补关系；由于二次电子 信号强度与样品原子序 数没有确定的关系，因 此可以认为，如果样品 微区背散射屯子信号强 度大，则吸收电子信号 强度小。反之亦然。
5.特征X射线
当样品原子的内层电子被入射电子激发 或电离时，原子就会处于能量较高的激 发状态，此时外层电子将向内层跃迁以 填补内层电子的空缺，从而使具有特征 能量的x射线释放出来(见1-4 X射线图)。 根据莫塞莱定律，如果用x射线探测器测 到了样品微区中存在某一种特征波长， 就可以判定这个微区中存在着相应的元 素。
几种电子信号强度之间的关系
综上所述，如果使样品接地保持电中性， 那么入射电子激发固体样品产生的四种 电子信号强度与入射电子强度之间必然 满足以下关系：
I0＝ ib +is +ia+ it 或
12-1
η+α+τ+δ＝1
12-2
几种电子信号强度之间的关系
式中
η＝ ib / i0，叫做背散射系数； δ＝ is／ i0，叫做二次电子产额(或发
2.电磁透镜
SEM一般都有3个聚光镜，前2个 聚光镜是强磁透镜，可把电子束光 斑缩小．第3个透镜是弱磁透镜（物 镜），具有较长的焦距。
布置物镜目的在于使样品室和透镜 之间留有一定的空间，以便装入各 种信号探测器。
2.电磁透镜
SEM照射到样品上的电子束直径越 小，就相当于成像单元的尺寸越小， 相应的分辨率就越高。