单轴应变对Sb_(2)Se_(3)空穴迁移率的影响

单轴应变对Sb_(2)Se_(3)空穴迁移率的影响
张冷;沈宇皓;汤朝阳;吴孔平;张鹏展;刘飞;侯纪伟
【期刊名称】《物理学报》
【年(卷),期】2024(73)11
【摘要】硒化锑(Sb_(2)Se_(3))是一种物相简单、元素丰富、经济友好的太阳电池吸收层材料,具有广阔的应用前景.然而,Sb_(2)Se_(3)较弱的导电性成为了限制电池器件性能的重要因素.迁移率是材料与器件的重要电学参数,应变可以改变载流子迁移率,因此,研究应变对Sb_(2)Se_(3)的载流子迁移率特性影响具有实际意义.本文通过密度泛函理论和形变势理论,系统研究了单轴应变对Sb_(2)Se_(3)能带结构、禁带宽度、等能面、有效质量的影响,分析了沿着x,y,z方向的三种单轴应变对载流子沿着x,y,z方向的迁移率μx,μy,μz的影响.研究发现,对于无应变的Sb_(2)Se_(3),μx 远大于μy和μz,实验上应该将x方向作为Sb_(2)Se_(3)的特定生长方向(即内建电场方向).综合应变对带隙、等能面、分态密度及迁移率的影响,本研究认为当应变沿着y轴方向,且压应变为3%的时候,能获得最佳性能的Sb_(2)Se_(3)太阳电池吸收层材料.
【总页数】8页(P280-287)
【作者】张冷;沈宇皓;汤朝阳;吴孔平;张鹏展;刘飞;侯纪伟
【作者单位】金陵科技学院电子信息工程学院;南京大学物理学院;南京工业大学数理科学学院
【正文语种】中文
【中图分类】TM9
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