研磨 划片工艺技术

刀片冷却水的重要性
❖ 0.9～1.5 l/min的重 要性（为什 么修改原来 >1的标准
❖ 刀刃的晃动 是chipping 加剧的根源
划片质量的要点
❖ 贴片 贴片台异物、凸起造成芯片划伤 芯片划伤（KFJ/219 ）投诉 ❖ 烘热 长时间烘热增加圆片与type的黏合力，影响DB ❖ 校正 细化操作方法的规则（划偏……）
减薄工艺参数的差别
❖ 起始高度（type＋wafer＋空切量） 碎片
❖ 空切量（50um）
碎边
❖ 粗磨速度1/2（5~8um/sec）
裂片
❖ 精磨起始高度（粗磨结束高度）
❖ 精磨空切量（10~20）
烧片
❖ 精磨速度1/2（0.8~0.2） TTV粗糙度
❖ 结束高度（type+spec） THICKNESS
划片设备的差异
❖ BBD功能的正确使用 防止刀片破损造成擦伤 ❖ OPT功能的合理使用 科学控制切割留深减少背面缺损和残留的方法 背面缺损的顾客投诉 ❖ Step切割方式的区别 全面采用面step切割的好处 SDIP32芯片裂纹测试投诉 ❖ 自动切割程序管理 减少人为修改对划片造成的可变因素
切割水的正确方向
b. SDIP32芯片裂纹圆片厚度280um切割过程中应力释放不均 导致裂纹280um的产品采用AS切割模式
c.芯片划伤（KFJ/219)贴片台异物造成芯片划伤
d.制造异常DAD3350划偏设备异常改善设备排风和Y轴部件更 换 软件预防措施不足升版升版软件、改进校正方法、增加 图像检查
e.芯片粘污、变色压焊块切割后腐蚀采用清洁剂划片 清洁剂 粘污清理设备管道，清楚清洁剂的残留物
❖ 抛光时间（90sec） 背面粗糙度和TTV
减薄操作的要点
❖ 贴膜 墨点高度和密度对减薄质量的影响 气泡和异物导致裂片、进水 指甲、刀具、空膜引起划伤 ❖ 揭膜 揭膜角度尽量小，防止拉起圆片致裂 ❖ Wafer转移 双手拿取圆片边缘，湿脏的手指是圆片粘污的诱因
减薄异常问题的处理
❖ 厚度异常 作业前调零、首检的重要性 设备异常的及时反馈 ❖ 裂片 圆片边沿墨点的特殊处理（158刮墨点） 异常现象的警觉（底盘凹坑引起裂片） ❖ 混批 作业顺序和产品放置、清洗顺序
f.待解决的产品问题清洁剂粘污问题（残留污染）
g.新工艺产品背面缺损标准 产品表面判定基准 产品监控
清洁剂的运用
❖ Diamflow 168C/SSC-988A/ SD18的作用
· Less die reject from wafer 減低不良率 · Increase product quality 提昇產品品質 · Reduce surface tension 減少表面張力 · Extent Saw Blade life 延長晶圓切割刀壽命 · Improved ball/bond strength 提昇打線良率 · 100% water soluble 百分之百水溶性 · Non Toxic 無毒性
研磨/划片工艺技 术问题的探讨
BG/DS工艺 BG/DS材料 BG/DS质量控制
研磨减薄设备性能的差别
❖ G&N MPS2R300/400S 4~8英寸wafer、250um的能力 ❖ T46 (40/60）单轴实现粗磨/精磨的优劣点 研磨能力强、TTV/粗糙度差 ❖ DFG8540/82IF全自动程序控制 4~8inch wafer、150um/200 ❖ 双轴、冷却水温度控制 4/6粗磨、40/60精磨 TTV3um
划片刀的选用
❖ 清洗 自然晾干导致硅屑残留 ❖ 自检、MC检、VI检验 态度、标准的掌握 ❖ 粘污变色 CO2＋DI水的目的、清洁剂的使用
部分投诉、制造异常
a.投诉背面缺损圆片背面蒸铝影响切割，导致背面缺损严重切
割留深:由0.06um下降为0.055um 划片刀：HE3070替代
27HDDD
Байду номын сангаас
切割速度：由60mm/sec下降为40mm/sec