基片质量要求及检测方法

基片质量要求及检测方法
1衬底标准：
SEM M3-1296
SEM M3.2-91
SEM M3.4-91
SEM M3.5-92
SEM M3.6-88
GB/T13843.
2晶片的材料内在质量要求：
纯度＞99.999%
取向精度＜±0.5°
位错密度＜1×105个/㎝2
3 几何尺寸要求：
参考面(primary flat)定位误差＜±10
直径(dismeter)误差＜±0.05㎜
厚度(thickness)误差＜±0.03㎜
弯曲度(warp)＜20μm
平面度(flatness)＜10μm
粗糙度(roughness)R a＜0.5nm
(翘曲度bow? 总厚度偏差ttv? 表面总平整度tir? 定位边长误差？)
4 晶片表面质量要求：
崩边：不允许有弦长超过1mm的崩边。

麻点：不允许存在。

桔皮：不允许存在。

应变层：不允许存在。

5 晶片洁净度要求：
金属离子＜1×109个/cm2
有机物碳含量＜5×109个/cm2
微粒（尺寸大于0.1μm）＜20个/片
6 材料内在质量检测：
1）纯度：火花源双聚焦质谱仪
2）晶片表面取向：X射线定向仪精度±15，；日本理学Smartlab0.00010
3）位错密度：先腐蚀AL2O3+2KOH-----2KALO2+H2O(300℃,10分钟)，用金相显微镜观察计算；或用KLA Tencor Candela CS20检测。

7 几何尺寸检测
1）直径和厚度用千分尺，精度0.01mm，TTV用高度千分尺。

2）参考面定位精度：X射线定向仪精度±15，；日本理学Smartlab0.00010
3）平面度和翘曲度：用激光干涉仪检测或用FRT MicorProf TTV
4）表面粗造度;用原子力显微镜AFM检测或KLA Tencor Candela CS20检测或FRT MicorProf TTV
8 晶片表面质量检测
1）崩边：用7倍放大镜观测或KLA Tencor Candela CS20检测
麻点：用40倍放大镜观测或KLA Tencor Candela CS20检测
桔皮：用40倍放大镜观测或KLA Tencor Candela CS20检测
2）应变层：X射线双晶衍射仪或日本理学Smartlab检测
9 洁净度检测
1）金属离子和有机物碳含量;全反射X射线莹光光谱仪检测
2）微粒：用AFM检测或KLA Tencor Candela CS20检测。