半导体所等成功制备立式InSb二维单晶纳米片

半导体所等成功制备立式InSb二维单晶纳米片
佚名
【期刊名称】《人工晶体学报》
【年(卷),期】2016(45)2
【摘要】近日,中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室研究员赵建华团队与合作者北京大学教授徐洪起等在《纳米快报》（Nano Letters）上发表了高质量立式InSb二维单晶纳米片的研究成果。

在III-V族半导体中,In Sb化合物具有最窄禁带宽度、最高电子迁移率、最小有效质量和最大g因子,是制备高速低功耗电子器件、
【总页数】1页(P338-338)
【关键词】纳米片;InSb;光电子器件;电子迁移率;赵建华;自旋电子学;禁带;超晶格;研究成果;国家重点实验室
【正文语种】中文
【中图分类】O471.4
【相关文献】
1.成功制备立式InSb二维单晶纳米片 [J], ;
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3.中科院苏州纳米所非层状结构二维单晶纳米片的研究取得进展 [J], 无
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5.半导体所等成功制备立式InSb二维单晶纳米片 [J],
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