GaN技术和潜在的EMI影响

GaN技术和潜在的EMI影响
1 月出席DesignCon 2015 时，我有机会听到一个由Efficient Power Conversion 公司CEO Alex Lidow 主讲的有趣专题演讲，谈到以氮化镓(GaN)技
术进行高功率开关组件(Switching Device)的研发。

我也有幸遇到电源完整性--
在电子系统测量、优化和故障排除电源相关参数(Power Integrity - Measuring, Optimizing, and Troubleshooting Power Related Parameters in Electronic Systems) 一书的作者Steve Sandler，他提出与测量这些设备的皮秒边沿(Picosecond Edge)
速度相关联(可参看他文章索引的部分)。

由于这些新电源开关的快速开关速度与相关更高效率，因此我们希望看
到他们能适用于开关模式电源和射频(RF)功率放大器。

他们可广泛取代现有的
金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)，且具有较低的On 电阻、更小的寄
生电容、更小的尺寸与更快的速度。

我已注意到采用这些装置的新产品，其他
应用包括电信直流对直流(DC-DC)、无线电源(Wireless Power)、激光雷达(LiDAR)和D 型音频(Class D Audio)。

很显然，任何半导体组件在几皮秒内切
换，很可能会产生大量的电磁干扰(EMI)。

为了评估这些GaN 组件，Sandler 安
排我来测试一些评估板。

一块我选择测试的是Efficient Power Conversion 的半
桥(Half-bridge )1MHz DC-DC 降压转换器EPC9101(
该演示板利用8 至19 伏特(V)电流，并将其转换为1.2 伏20 安培(A)(
我试
图4 捕获的上升时间显示为217MHz，其显示最快边缘速度为1.5 纳秒，
但事实上，是在带宽限制下测量。

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