门电路数字电路.pptx
合集下载
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
第
第二种
一
种
0.5V
VON 0.7V
+
-
第三 种
1
第2页/共66页
3.动态特性 输入信号快变化时的特性。
当外加电压突然由正向变为反向时， 二极管会短时间导通。
这段时间用tre表示，称为 反向恢复时间。
它是由于二极管正向导通时
PN结两侧的多数载流子扩散到
对方形成电荷存储引起的。
t
i
t
D
i
tre
RL
静态电流： ICCL=iB1+iC2
=(5-2.1)/4+(5-1)/1.6=3.2mA ICCH =iB1
=(5-0.9)/4=1mA
在动态情况下，会出现T4和T5同时导通 的情况，，特别是输出由低电平跳变为高电 平时。使电源电流出现尖峰脉冲。
此电流最大可达30多mA.
电源尖峰电流的不利影响：
1.使电源平均电流增加；
iB=2.9v/4k=0.72mA
=20
所以，T2饱和。
推拉式（push-pull）、 图腾柱（totem-pole）输出电路
T4截止，因此T5饱和。
=0.2V O
第18页/共66页
18
二、TTL反相器的静态特性 （一） 电压传输特性
AB段
输出高电平
B点： I=0.6V，
AB段称为截止区；
BC段
RON
第9页/共66页
回下页
8
4.MOS管的开关特性及等效电路
•静态特性—三个工作区。
可变电阻区：
GD ,GS VGS(th)
截止区：
GS ,GD VGS (th)
恒流区：
I
GS VGS(th) ,GD VGS(th)
i 等效电路如图，其中CI为栅极输入电容。约为几皮法D。 D
•动态特性—延迟作用。
受功耗限制，74系列门输出高 电平时最大负载电流不超过0.4mA。
2.低电平输出特性 rce
T5饱和，c-e间等效电阻不超过 10欧姆，因此直线斜率很小。
23
第24页/共66页
例：计算G1能驱动的同类门的个数。
设
解：
G
1
满
足
：
V
O
H
=
3
.
2
V,
VOL=0.2V。
•G1输出低电平
N1=16/1 =16
条件
特点
BE结 BC结
截
止
< BE
VON
(0.7V)
ic=ICEO(=0) , iB=0
反反
导 放 大 Ib < IBS
ic =
iB
正反
通 饱 和 Ib IBS=ICS /
CE =VCE(sat)=0.3V 0V 正
正
4
第5页/共66页
2.动态特性
I
•等效电路
iC
I
iC O O
截止时
饱和时
控G制S，其关系式为：
4V和3V时的夹断点。
GS
相应曲线称为转移特性。
•第输8入页特/共性66可页不讨论。
3.MOS管的基本开关电路
当 I=0V时，MOS 管截止，
=VDD；
O
当
=IVDD时，MOS管导通。
O
RON RON RD
VVDCDC
若 RD RO，N则
o 0,
MOS管工作在可变电阻区。
由于是单极型器件，无电荷存储效应。动态情况下， O
主要是输入电容和负载电容起作用，使漏极电流和漏源 电压都滞后于输入电压的变化。其延迟时间比双极型三 极管还要长。
第10页/共66页
电路图
9
5.MOS管的四种类型
(1)N沟道增强型 (2)P沟道增强型
开启电压
(3)N沟道耗尽型 (4)P沟道耗尽型
夹断电压
低电平噪声容限：
VNL VIL(max) VOL(max)
对于74系列门电路，VNH、VNL都不小于0.4V。
设定VOH(min)求出 VIL(max)
VOH(min)
2.4V
VOL(max)
0.4V
第20页/共66页
设定VOL(max)求出 VIH(min)
VIL(max)
0.8V
VIH(min)
返回OC
第21页/共66页
IIH IIL
20
（三）输入端负载特性
当 小I 于0.6V时
当RP较小时，这是直 线方程
当极电位=I被1.钳4V在时2，.1TV2而、T不5均再已随导RP通增，加T，1基因
此 也不再随RP增加。 I
返回25
21
第22页/共66页
例：计算图中电阻RP取值范围。已知：VOH=3.4V,VOL=0.2V, VIH(min)=2.0V, VIL(max)=0.8V，IIH＝0.04mA。
•G1输出高电平
G1输出高电平时，最大 允许输出电流为0.4mA；
每个负载门电流
每个负载门输入电流为IIH, 不超过0.04mA;故：
N2= 0.4/0.04 =10 综合N1,N2,应取N=10
N称为门的扇出系数。
0.2V
第25页/共66页
G1门 电流
16
24
25
三、TTL反相器的动态特性
1.传输延迟时间
源极 Source
栅极 Gate
(M导e电tal沟-O道xide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 称(反为型：层金)属—氧化物—半导体场效应管或绝缘栅场效应管
漏极
Drain
S
D
B
当 G大S 于VGS(th)时，将出现导电沟道。 VGS(th)称为开启电压，与管子构造有关。
2.0V
19
（二） 输入特性
•输入为0.2V时
IIL称为输入低电平电流。
IIS
IIS称为输入短路电流— =0V的输I 入电流。
•输入为3.4V时 IIH称为输入漏电流。
•输入为其他电压时
输入电压小于0.6V时，计算IIL的公式 仍然成立(把VIL换为 ），是一直线方
程。 I
ii
输入电压为负时，基本是保护二极 管的伏安特性。
导电沟道将源区和漏区连成一体。此时在D,S间加电压 ，将形成漏极电D流S iD。 称为N沟道增强型场效应管
显然，导电沟道的厚度与栅源电压大小有关。而沟道越厚，管子的导通电阻
RON越小。因而，若 压控制器件。
不变，
就可控制漏极电流iD。因此把MOS管称为电
DS
GS
第7页/共66页
7
2.输入输出特性
从而使T5截止，输出为高电平。
延迟作用是由晶体管的延迟时间，电 阻以及寄生电容等因素引起的。
tPLH往往比tPHL大。 经常用平均传输延迟时间tPD来表示：
tPD =(tPLH +tPHL)/2 2.交流噪声容限
干扰信号作用时间短 到与tPD相近时的噪声容限。
此时，tW越小，允许的干扰信号幅值越 大。
第26页/共66页
3.电源动态尖峰电流
T2通、T5=未通
C点： 线性区；
I=1.3V，BC段称为
CD段 T5通，且逐渐饱和
D点： =1I.4V，CD段称
为转折区；
CD段中点的输入电压称为阈值电压， 用VTH 表示。
DE段 输出低电平 DE段称为饱和区；
第19页/共66页
•输入端噪声容限
高电平噪声容限：
VNH VOH (min) VIH (min)
R1
R2
5 0.7 0.7 8 0.4mA
iB
3.3
10
i1
i2
I BS
VCC
VCE (sat)
RC
5 0.1 0.25mA 20 1
iB>iBS,三极管深饱和，
o =VCE(sat)
0V。
15
第16页/共66页
16
第四节 TTL门电路
1961年美国德克萨斯仪器公司首先制成集成电路。英文Integrated Circuit,简称IC。
当输入信号使三极管在截止和饱和两种状态之间迅速转换时，三极管内部电荷 的建立和消散都需要时间，因而集电极电流的变化将滞后于输入电压的变化。从而 导致输出电压滞后于输入电压的变化。
也可以理解为三极管的结电容起作用。
注意：三极管饱和越深，由饱和到截止的延迟时间越长。
5
第6页/共66页
6
（二）MOS管的开关特性 1.MOS管的工作原理
2
第3页/共66页
3
二、半导体三极管的开关特性
i （一）双极型三极管的开关特性 B
1.静态特性
基本开关电路如图：
iB
BE
可用输入输出特性来描述。 可用图解法分析电路：
iC
BE
输入特性
iB
iCCE
I iB
iC O
第4页/共66页
CE
输出特性
CE=VCC-iCRC
开关特性可归纳为下表：
也是“特点”的一部分
对于74系列，当RP=2K 时， 就达到1.4IV。
牢记：RP大于2K欧姆时，输入等效为高电平；小于0.7K欧姆时，输入等效为 低电平。
22
第23页/共66页
（四）输出特性
1.高电平输出特性
T4饱和前，VOH基本不随iL 变，T4饱和后，VOH将随负载电 流增加线性下降，其斜率基本 由R4决定。
设A端输入0.2V，则TI基极电位为 0.9V,此时无论B端状态如何，都不会影
响T1基极电位。因此输出为高电平。
如果输入全悬空，输出为低电平。 因此输入悬空等效为输入高电平。
第28页返/共回6364页
2.或非门
或非门的原理可从两方面分析：
(1)输入全低，输出为高 A端为低电平，使T2截止；
B端为低电平，使 截止T；2
集成电路的优点：体积小、重量轻、可靠性高，功耗低。目前单个集成电路上已能作 出数千万个三极管，而其面积只有数十平方毫米。
按集成度分类：
小规模集成电路SSI: Small Scale Integration; 中规模集成电路MSI: Medium Scale Integration; 大规模集成电路LSI: Large Scale Integration; 超大规模集成电路VLSI: Very Large Scale Integration,
=20, VCE(sat) =0.1V,VIH=5V,VIL=0V
解： 方法1:求基极回路戴维南等效电路。
方法2:直接求解。
1.
=I0V
BE〈 0V
T截止，
RC=1K
o =VCC=5V
2. =5V I
可判断T导通
第15页/共66页
14
iB =i1 − i2
I VBE VBE VEE
I =VIL:
T1导通，深饱和
T2,T5截止。因为T5有漏电流，可等 效为大电阻。
1.0
2.1 3.4 0.2
0.9
0.3 1.4
T4导通，忽略R2压降，可求出
O =3.6V=VOH
I =VIH:
T1的BE结截止、BC结导通；T2、T5导通。
输入级
0.7 中间级 输出级
T2: ICS=4V/1.6K=2.5mA;
D1,D2导通，VY=3.7V
VA=3V,VB=0V
D2导通，D1截止，VY=0.7V
++ __
VA=0V,VB=3V
D1导通，D2截止，VY=0.7V
VA VB VY 0 0 0.7
ABY 000
缺点：1.电平偏移； 2.负载能力差。
0 3 0.7
010
3 0 0.7 3 3 3.7
100 111
按制造工艺分类：
双极型集成电路； 单极型集成电路；
我们介绍TTL电路。 我们介绍MOS电路。
一、TTL反相器的电路结构和工作原理
TTL (Transistor-Transistor Logic):三极第管17—页三/共极66管页逻辑电路。
17
1.电路结构
2.工作原理
（
以
7
4
系
列
非
门
为
例4）.1?
VCC=5V,VIH=3.4V,VIL=0.2V
2.通过电源线和地线产生内部噪声。
26
第27页/共66页
27
四（ 一、）其其他他类逻型辑的功T能T的L 门门 电电路路
1.与非门 T1为多发射极管。可等效为两个三
极管。
其工作原理可从两方面分析：
0.2V
0.9V
(1) 输入全高时，输出低电平。
此时A,B两端并联，T1成为一个三极管， 结论成立。
(2) 输入有低时，输出高电平。
P沟道增强型：
iD
DS
I
iDO
10
第11页/共66页
11
第12页/共66页
第三节 最简单的与、或、非门电路
由于这些电路有严重的缺点，在集成电路中并不使用，但可 帮助理解集成门的工作原理。
一、二极管与门
设：VCC=5V, VIH=3V, VIL=0V
VA=VB=0V
D1,D2导通，VY=0.7V
VA=VB=3V
解： 当 O=1VOH时，要求
VIIH2(min)
VOH-IIHRP
VIH(min)
RP 35K
当 O1=VOL时，要求
VIIL(m2ax)
I 2 =VOL+ RP(VCC - VBE – VOL)/(R1+RP)
RP 0.69K
VIL(max)
式2.4.6
综合两种情况RP应按此式选取
空间电荷区 夹断 可变电阻区
夹断点
•输出特性
恒
流
区
固定电阻
截 止 区
VGS(th)=2V
设 G＝S 5V
它也有三个工作区
VDS=0V出现沟道。
i VDS增加，则沟道“倾斜”（阻值增加）。D
VGD=VGS(th)时，沟道“夹断”。
VDS再增加时，夹断点向源区移动，但iD不
变。
同理可求出栅源电压为
恒流区中iD只受
第13页/共66页
A B&
Y
12
二、二极管或门
A
1 Y
B
VA VB VY
0
0
0
D1,D2截止
ABY 000
0
3 2.3 D1截止,D2导通
3
0 2.3 D1导通,D2截止
3
3 2.3 D1,D2导通
011 101 111
13
第14页/共66页
三、三极管非门(反相器)
VCC=5V, VEE= − 8V,R1=3.3K ,R2=10K,
第二种
一
种
0.5V
VON 0.7V
+
-
第三 种
1
第2页/共66页
3.动态特性 输入信号快变化时的特性。
当外加电压突然由正向变为反向时， 二极管会短时间导通。
这段时间用tre表示，称为 反向恢复时间。
它是由于二极管正向导通时
PN结两侧的多数载流子扩散到
对方形成电荷存储引起的。
t
i
t
D
i
tre
RL
静态电流： ICCL=iB1+iC2
=(5-2.1)/4+(5-1)/1.6=3.2mA ICCH =iB1
=(5-0.9)/4=1mA
在动态情况下，会出现T4和T5同时导通 的情况，，特别是输出由低电平跳变为高电 平时。使电源电流出现尖峰脉冲。
此电流最大可达30多mA.
电源尖峰电流的不利影响：
1.使电源平均电流增加；
iB=2.9v/4k=0.72mA
=20
所以，T2饱和。
推拉式（push-pull）、 图腾柱（totem-pole）输出电路
T4截止，因此T5饱和。
=0.2V O
第18页/共66页
18
二、TTL反相器的静态特性 （一） 电压传输特性
AB段
输出高电平
B点： I=0.6V，
AB段称为截止区；
BC段
RON
第9页/共66页
回下页
8
4.MOS管的开关特性及等效电路
•静态特性—三个工作区。
可变电阻区：
GD ,GS VGS(th)
截止区：
GS ,GD VGS (th)
恒流区：
I
GS VGS(th) ,GD VGS(th)
i 等效电路如图，其中CI为栅极输入电容。约为几皮法D。 D
•动态特性—延迟作用。
受功耗限制，74系列门输出高 电平时最大负载电流不超过0.4mA。
2.低电平输出特性 rce
T5饱和，c-e间等效电阻不超过 10欧姆，因此直线斜率很小。
23
第24页/共66页
例：计算G1能驱动的同类门的个数。
设
解：
G
1
满
足
：
V
O
H
=
3
.
2
V,
VOL=0.2V。
•G1输出低电平
N1=16/1 =16
条件
特点
BE结 BC结
截
止
< BE
VON
(0.7V)
ic=ICEO(=0) , iB=0
反反
导 放 大 Ib < IBS
ic =
iB
正反
通 饱 和 Ib IBS=ICS /
CE =VCE(sat)=0.3V 0V 正
正
4
第5页/共66页
2.动态特性
I
•等效电路
iC
I
iC O O
截止时
饱和时
控G制S，其关系式为：
4V和3V时的夹断点。
GS
相应曲线称为转移特性。
•第输8入页特/共性66可页不讨论。
3.MOS管的基本开关电路
当 I=0V时，MOS 管截止，
=VDD；
O
当
=IVDD时，MOS管导通。
O
RON RON RD
VVDCDC
若 RD RO，N则
o 0,
MOS管工作在可变电阻区。
由于是单极型器件，无电荷存储效应。动态情况下， O
主要是输入电容和负载电容起作用，使漏极电流和漏源 电压都滞后于输入电压的变化。其延迟时间比双极型三 极管还要长。
第10页/共66页
电路图
9
5.MOS管的四种类型
(1)N沟道增强型 (2)P沟道增强型
开启电压
(3)N沟道耗尽型 (4)P沟道耗尽型
夹断电压
低电平噪声容限：
VNL VIL(max) VOL(max)
对于74系列门电路，VNH、VNL都不小于0.4V。
设定VOH(min)求出 VIL(max)
VOH(min)
2.4V
VOL(max)
0.4V
第20页/共66页
设定VOL(max)求出 VIH(min)
VIL(max)
0.8V
VIH(min)
返回OC
第21页/共66页
IIH IIL
20
（三）输入端负载特性
当 小I 于0.6V时
当RP较小时，这是直 线方程
当极电位=I被1.钳4V在时2，.1TV2而、T不5均再已随导RP通增，加T，1基因
此 也不再随RP增加。 I
返回25
21
第22页/共66页
例：计算图中电阻RP取值范围。已知：VOH=3.4V,VOL=0.2V, VIH(min)=2.0V, VIL(max)=0.8V，IIH＝0.04mA。
•G1输出高电平
G1输出高电平时，最大 允许输出电流为0.4mA；
每个负载门电流
每个负载门输入电流为IIH, 不超过0.04mA;故：
N2= 0.4/0.04 =10 综合N1,N2,应取N=10
N称为门的扇出系数。
0.2V
第25页/共66页
G1门 电流
16
24
25
三、TTL反相器的动态特性
1.传输延迟时间
源极 Source
栅极 Gate
(M导e电tal沟-O道xide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 称(反为型：层金)属—氧化物—半导体场效应管或绝缘栅场效应管
漏极
Drain
S
D
B
当 G大S 于VGS(th)时，将出现导电沟道。 VGS(th)称为开启电压，与管子构造有关。
2.0V
19
（二） 输入特性
•输入为0.2V时
IIL称为输入低电平电流。
IIS
IIS称为输入短路电流— =0V的输I 入电流。
•输入为3.4V时 IIH称为输入漏电流。
•输入为其他电压时
输入电压小于0.6V时，计算IIL的公式 仍然成立(把VIL换为 ），是一直线方
程。 I
ii
输入电压为负时，基本是保护二极 管的伏安特性。
导电沟道将源区和漏区连成一体。此时在D,S间加电压 ，将形成漏极电D流S iD。 称为N沟道增强型场效应管
显然，导电沟道的厚度与栅源电压大小有关。而沟道越厚，管子的导通电阻
RON越小。因而，若 压控制器件。
不变，
就可控制漏极电流iD。因此把MOS管称为电
DS
GS
第7页/共66页
7
2.输入输出特性
从而使T5截止，输出为高电平。
延迟作用是由晶体管的延迟时间，电 阻以及寄生电容等因素引起的。
tPLH往往比tPHL大。 经常用平均传输延迟时间tPD来表示：
tPD =(tPLH +tPHL)/2 2.交流噪声容限
干扰信号作用时间短 到与tPD相近时的噪声容限。
此时，tW越小，允许的干扰信号幅值越 大。
第26页/共66页
3.电源动态尖峰电流
T2通、T5=未通
C点： 线性区；
I=1.3V，BC段称为
CD段 T5通，且逐渐饱和
D点： =1I.4V，CD段称
为转折区；
CD段中点的输入电压称为阈值电压， 用VTH 表示。
DE段 输出低电平 DE段称为饱和区；
第19页/共66页
•输入端噪声容限
高电平噪声容限：
VNH VOH (min) VIH (min)
R1
R2
5 0.7 0.7 8 0.4mA
iB
3.3
10
i1
i2
I BS
VCC
VCE (sat)
RC
5 0.1 0.25mA 20 1
iB>iBS,三极管深饱和，
o =VCE(sat)
0V。
15
第16页/共66页
16
第四节 TTL门电路
1961年美国德克萨斯仪器公司首先制成集成电路。英文Integrated Circuit,简称IC。
当输入信号使三极管在截止和饱和两种状态之间迅速转换时，三极管内部电荷 的建立和消散都需要时间，因而集电极电流的变化将滞后于输入电压的变化。从而 导致输出电压滞后于输入电压的变化。
也可以理解为三极管的结电容起作用。
注意：三极管饱和越深，由饱和到截止的延迟时间越长。
5
第6页/共66页
6
（二）MOS管的开关特性 1.MOS管的工作原理
2
第3页/共66页
3
二、半导体三极管的开关特性
i （一）双极型三极管的开关特性 B
1.静态特性
基本开关电路如图：
iB
BE
可用输入输出特性来描述。 可用图解法分析电路：
iC
BE
输入特性
iB
iCCE
I iB
iC O
第4页/共66页
CE
输出特性
CE=VCC-iCRC
开关特性可归纳为下表：
也是“特点”的一部分
对于74系列，当RP=2K 时， 就达到1.4IV。
牢记：RP大于2K欧姆时，输入等效为高电平；小于0.7K欧姆时，输入等效为 低电平。
22
第23页/共66页
（四）输出特性
1.高电平输出特性
T4饱和前，VOH基本不随iL 变，T4饱和后，VOH将随负载电 流增加线性下降，其斜率基本 由R4决定。
设A端输入0.2V，则TI基极电位为 0.9V,此时无论B端状态如何，都不会影
响T1基极电位。因此输出为高电平。
如果输入全悬空，输出为低电平。 因此输入悬空等效为输入高电平。
第28页返/共回6364页
2.或非门
或非门的原理可从两方面分析：
(1)输入全低，输出为高 A端为低电平，使T2截止；
B端为低电平，使 截止T；2
集成电路的优点：体积小、重量轻、可靠性高，功耗低。目前单个集成电路上已能作 出数千万个三极管，而其面积只有数十平方毫米。
按集成度分类：
小规模集成电路SSI: Small Scale Integration; 中规模集成电路MSI: Medium Scale Integration; 大规模集成电路LSI: Large Scale Integration; 超大规模集成电路VLSI: Very Large Scale Integration,
=20, VCE(sat) =0.1V,VIH=5V,VIL=0V
解： 方法1:求基极回路戴维南等效电路。
方法2:直接求解。
1.
=I0V
BE〈 0V
T截止，
RC=1K
o =VCC=5V
2. =5V I
可判断T导通
第15页/共66页
14
iB =i1 − i2
I VBE VBE VEE
I =VIL:
T1导通，深饱和
T2,T5截止。因为T5有漏电流，可等 效为大电阻。
1.0
2.1 3.4 0.2
0.9
0.3 1.4
T4导通，忽略R2压降，可求出
O =3.6V=VOH
I =VIH:
T1的BE结截止、BC结导通；T2、T5导通。
输入级
0.7 中间级 输出级
T2: ICS=4V/1.6K=2.5mA;
D1,D2导通，VY=3.7V
VA=3V,VB=0V
D2导通，D1截止，VY=0.7V
++ __
VA=0V,VB=3V
D1导通，D2截止，VY=0.7V
VA VB VY 0 0 0.7
ABY 000
缺点：1.电平偏移； 2.负载能力差。
0 3 0.7
010
3 0 0.7 3 3 3.7
100 111
按制造工艺分类：
双极型集成电路； 单极型集成电路；
我们介绍TTL电路。 我们介绍MOS电路。
一、TTL反相器的电路结构和工作原理
TTL (Transistor-Transistor Logic):三极第管17—页三/共极66管页逻辑电路。
17
1.电路结构
2.工作原理
（
以
7
4
系
列
非
门
为
例4）.1?
VCC=5V,VIH=3.4V,VIL=0.2V
2.通过电源线和地线产生内部噪声。
26
第27页/共66页
27
四（ 一、）其其他他类逻型辑的功T能T的L 门门 电电路路
1.与非门 T1为多发射极管。可等效为两个三
极管。
其工作原理可从两方面分析：
0.2V
0.9V
(1) 输入全高时，输出低电平。
此时A,B两端并联，T1成为一个三极管， 结论成立。
(2) 输入有低时，输出高电平。
P沟道增强型：
iD
DS
I
iDO
10
第11页/共66页
11
第12页/共66页
第三节 最简单的与、或、非门电路
由于这些电路有严重的缺点，在集成电路中并不使用，但可 帮助理解集成门的工作原理。
一、二极管与门
设：VCC=5V, VIH=3V, VIL=0V
VA=VB=0V
D1,D2导通，VY=0.7V
VA=VB=3V
解： 当 O=1VOH时，要求
VIIH2(min)
VOH-IIHRP
VIH(min)
RP 35K
当 O1=VOL时，要求
VIIL(m2ax)
I 2 =VOL+ RP(VCC - VBE – VOL)/(R1+RP)
RP 0.69K
VIL(max)
式2.4.6
综合两种情况RP应按此式选取
空间电荷区 夹断 可变电阻区
夹断点
•输出特性
恒
流
区
固定电阻
截 止 区
VGS(th)=2V
设 G＝S 5V
它也有三个工作区
VDS=0V出现沟道。
i VDS增加，则沟道“倾斜”（阻值增加）。D
VGD=VGS(th)时，沟道“夹断”。
VDS再增加时，夹断点向源区移动，但iD不
变。
同理可求出栅源电压为
恒流区中iD只受
第13页/共66页
A B&
Y
12
二、二极管或门
A
1 Y
B
VA VB VY
0
0
0
D1,D2截止
ABY 000
0
3 2.3 D1截止,D2导通
3
0 2.3 D1导通,D2截止
3
3 2.3 D1,D2导通
011 101 111
13
第14页/共66页
三、三极管非门(反相器)
VCC=5V, VEE= − 8V,R1=3.3K ,R2=10K,