一种无片外电容高瞬态响应LDO设计
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一种无片外电容高瞬态响应LDO设计
甘泽标;曹超;郭海君
【期刊名称】《中国集成电路》
【年(卷),期】2024(33)4
【摘要】基于UMC55nm工艺,本文设计了一种可应用于SoC中供电的LDO低压差线性稳压器。
由于Capless-LDO在输出端没有μF级别的电容,环路的稳定性与瞬态响应将受到影响。
本文基于这两点提出了采用电流微分器以及电容倍乘技术来提高环路的稳定性以及瞬态响应,最后通过Cadence Spectre仿真验证了设计的可行性。
仿真结果表明,设计的LDO在电源电压1.2V下,能够稳定输出1.1V。
在切换轻重载情况下,电路输出过冲电压24.2mV,下冲电压21mV,恢复时间均小于
3μs。
【总页数】6页(P34-38)
【作者】甘泽标;曹超;郭海君
【作者单位】山东大学集成电路学院;济南大学信息科学与工程学院
【正文语种】中文
【中图分类】TM4
【相关文献】
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