薄膜材料的制备
溶液浇铸法和流延法
溶液浇铸法和流延法溶液浇铸法（Solution Casting Method）和流延法（Roll-to-Roll Method）是两种常用的薄膜制备方法，用于制备聚合物薄膜、金属薄膜和其他薄膜材料。
下面是对这两种方法的详细解释：1. 溶液浇铸法：溶液浇铸法是一种制备薄膜的方法，通过将溶解于溶剂中的聚合物或其他材料溶液浇铸在平整的基底上，然后通过蒸发或溶剂挥发使溶剂快速脱离，形成薄膜。
制备过程：-首先，将所需材料（如聚合物）加入适当的溶剂中，并进行充分的搅拌和混合，直至形成均匀的溶液。
-然后，在平整的基底（如玻璃片、金属板）上倒入溶液，使其均匀涂布在基底表面。
-接下来，通过使溶剂在常温下蒸发或通过加热快速挥发，使溶剂从溶液中脱离，形成薄膜。
-最后，得到的薄膜可以进行后续的处理，如烘干、退火、交联等。
应用领域：溶液浇铸法适用于制备聚合物薄膜，可用于电子器件、光学材料、电池等领域。
此外，它还可以用于制备金属薄膜、陶瓷薄膜等。
2. 流延法：流延法是一种将薄膜材料通过滚轴（如辊筒）连续地涂布在基底上的制备方法。
该方法通常用于制备大面积的薄膜，并可实现连续生产。
制备过程：-首先，将所需材料制备成粘度适宜的浆料或溶液。
-然后，通过滚轴系统将材料均匀地涂布在连续移动的基底上，辊筒上的刮刀或压力可调节涂层的厚度。
-接着，基底经过烘干、固化等处理，使涂层材料形成薄膜结构。
-最后，薄膜可根据需要进行后续处理，如退火、切割、表面处理等。
应用领域：流延法广泛应用于许多领域，包括但不限于以下几个方面：-聚合物薄膜：流延法可用于制备聚合物薄膜，如聚酯薄膜、聚酰亚胺薄膜、聚乙烯薄膜等。
这些薄膜可用于包装材料、光学膜、电子器件等领域。
-金属薄膜：通过流延法，可以制备金属薄膜，如铝薄膜、铜薄膜、钢薄膜等。
这些薄膜广泛应用于建筑、电子、汽车等行业。
-柔性电子器件：流延法可以制备柔性电子器件所需的薄膜材料，如有机发光二极管（OLED）薄膜、柔性太阳能电池薄膜等。
薄膜材料的制备和应用领域
薄膜材料的制备和应用领域近年来，薄膜材料在各个领域的应用越来越广泛，如电子、光学、能源等。
薄膜材料的制备技术也在不断发展，以满足不同领域对材料性能与应用需求的不断提高。
一、薄膜材料的制备技术当前，主要有以下几种薄膜制备技术被广泛应用于工业生产和科研实验中。
1. 物理气相沉积（PVD）物理气相沉积技术是将固体材料在真空环境下以蒸发、溅射等方式转化为气体，然后在衬底表面沉积成薄膜。
此技术具有较高的原子沉积速率、较小的晶粒尺寸和良好的附着力，可用于制备金属、合金和多层膜等。
2. 化学气相沉积（CVD）化学气相沉积技术是通过气相反应将气体分解并生成固态产物，从而在衬底表面沉积形成薄膜。
因其制备过程在常压下进行，能够实现批量制备大面积均匀薄膜，因此被广泛应用于硅、氮化硅、氮化铝等材料的制备。
3. 溶液法溶液法是将材料溶解于适当的溶剂中，然后利用溶液的性质，在衬底上形成膜状材料。
溶液法制备工艺简单、成本较低，适用于生物陶瓷、无机膜、有机膜等材料的制备。
4. 凝胶法凝胶法是在溶液中形成胶体颗粒，然后通过凝胶化的方式得到凝胶体系，再经由热处理、晾干等工艺制得薄膜。
凝胶法可制备出具有较高孔隙度和较大比表面积的纳米级多孔膜材料，适用于催化剂、分离膜等领域。
二、薄膜材料在电子领域的应用随着电子领域的快速发展，薄膜材料作为电子器件的关键组成部分，扮演着越来越重要的角色。
薄膜材料在半导体器件中的应用，如金属薄膜作为电极材料、氧化物薄膜作为绝缘层材料、硅薄膜作为基板等，不仅能够提高电子器件的性能，还能够实现器件的微型化和集成化。
此外，薄膜材料在光电显示技术中也有着广泛应用。
以液晶显示技术为例，通过在衬底上沉积液晶薄膜和驱动薄膜，实现了显示器的高清、高亮度、高对比度等特性。
三、薄膜材料在能源领域的应用薄膜材料在能源领域的应用主要体现在太阳能电池和燃料电池方面。
太阳能电池中的薄膜材料主要是用于吸收太阳能并进行光电转换的薄膜层。
薄膜的制备方法有哪些
薄膜的制备方法有哪些薄膜是一种非常常见的材料形式，它在许多领域都有着广泛的应用，比如电子产品、光学器件、包装材料等。
薄膜的制备方法多种多样，包括物理方法、化学方法和生物方法等。
接下来，我们将介绍一些常见的薄膜制备方法。
首先，物理方法是制备薄膜的一种重要途径。
其中，蒸发法是一种常用的物理方法。
通过加热固体材料，使其升华成气体，然后在基底表面凝结成薄膜。
这种方法制备的薄膜质量较高，适用于制备金属薄膜和部分无机物薄膜。
其次，溅射法也是一种常见的物理方法。
在溅射法中，通过向靶材表面轰击离子或中性粒子，使靶材表面的原子或分子脱落，并在基底表面沉积成薄膜。
这种方法制备的薄膜具有较好的结晶性和附着力，适用于制备金属薄膜、氧化物薄膜等。
除了物理方法，化学方法也是制备薄膜的重要手段。
溶液法是一种常用的化学方法。
在溶液法中，将溶解了所需材料的溶液涂覆在基底表面，然后通过溶剂挥发或化学反应使溶液中的物质沉积成薄膜。
这种方法制备的薄膜适用范围广，可以制备有机薄膜、无机薄膜等。
此外，化学气相沉积（CVD）也是一种常用的化学方法。
在CVD 中，将气态前体物质输送到基底表面，经过化学反应生成薄膜。
这种方法制备的薄膜质量较高，适用于制备氧化物薄膜、氮化物薄膜等。
最后，生物方法也在制备薄膜中发挥着重要作用。
生物合成法是一种常见的生物方法。
在生物合成法中，利用生物体内的生物大分子，如蛋白质、多糖等，通过生物合成过程制备薄膜。
这种方法制备的薄膜具有生物相容性和可降解性，适用于医用材料等领域。
综上所述，薄膜的制备方法多种多样，包括物理方法、化学方法和生物方法等。
不同的制备方法适用于不同类型的薄膜材料，选择合适的制备方法对于薄膜的性能和应用具有重要意义。
希望本文能够帮助您更好地了解薄膜制备方法，为您的研究和应用提供参考。
薄膜制备方法
薄膜制备方法薄膜制备方法是一种将材料制备成薄膜状的工艺过程。
薄膜是指厚度在纳米至微米级别的材料，具有特殊的物理、化学和电学性质，在许多领域具有重要的应用价值。
薄膜制备方法有多种，包括物理气相沉积法、化学气相沉积法、物理溅射法、溶液法等。
一、物理气相沉积法物理气相沉积法是一种利用高温或高能粒子束使材料原子或分子在基底表面沉积形成薄膜的方法。
常见的物理气相沉积方法有热蒸发法、电子束蒸发法和磁控溅射法等。
其中，热蒸发法是通过加热材料使其蒸发，并在基底上沉积形成薄膜；电子束蒸发法则是利用电子束的热能使材料蒸发并沉积在基底上；磁控溅射法是通过在真空室中加入惰性气体，并利用高能电子束轰击靶材使其溅射出原子或离子，从而沉积在基底上形成薄膜。
二、化学气相沉积法化学气相沉积法是一种利用气相反应在基底表面沉积材料的方法。
常见的化学气相沉积方法有化学气相沉积法、低压化学气相沉积法和气相扩散法等。
其中，化学气相沉积法是通过将反应气体在基底表面分解或氧化生成薄膜的方法；低压化学气相沉积法则是在较低的气压下进行反应，以控制薄膜的成分和结构；气相扩散法是通过将反应气体在基底表面进行扩散反应，使材料沉积在基底上。
三、物理溅射法物理溅射法是一种利用高能粒子轰击靶材使其原子或分子从靶表面溅射出来，并沉积在基底上形成薄膜的方法。
物理溅射法包括直流溅射法、射频溅射法和磁控溅射法等。
其中，直流溅射法是利用直流电源加电使靶材离子化并溅射出来；射频溅射法则是利用射频电源产生高频电场使靶材离子化并溅射出来；磁控溅射法则是在溅射区域加入磁场，利用磁控电子束使靶材离子化并溅射出来。
四、溶液法溶液法是一种利用溶液中的材料分子或离子在基底表面沉积形成薄膜的方法。
常见的溶液法包括浸渍法、旋涂法和喷雾法等。
其中，浸渍法是将基底放置在溶液中，使其吸附溶剂中的材料分子或离子，然后通过蒸发或热处理使其形成薄膜；旋涂法是将溶液倒在旋转的基底上，通过离心作用使溶液均匀涂布在基底上，然后通过蒸发或热处理使其形成薄膜；喷雾法则是将溶液喷雾到基底上，通过蒸发或热处理使其形成薄膜。
薄膜材料及其制备技术
薄膜材料及其制备技术薄膜材料是指厚度在纳米级别到微米级别的材料，具有特殊的物理、化学和力学性质。
薄膜材料广泛应用于电子、光电、光学、化学、生物医学等领域。
下面将介绍薄膜材料的分类以及常用的制备技术。
薄膜材料的分类：1.无机薄膜材料：如氧化物薄膜、金属薄膜、半导体薄膜等。
2.有机薄膜材料：如聚合物薄膜、膜面活性剂薄膜等。
3.复合薄膜材料：由两种或以上的材料组成的。
如聚合物和无机材料复合薄膜、金属和无机材料复合薄膜等。
薄膜材料的制备技术：1.物理气相沉积技术：包括物理气相沉积（PVD）和物理气相淀积（PVD）两种方法。
PVD主要包括物理气相沉积和磁控溅射，通过将固态金属或合金加热，使其升华或蒸发，然后在基底表面形成薄膜。
PVD常用于制备金属薄膜、金属氧化物薄膜等。
2.化学气相沉积技术：包括化学气相沉积（CVD）和原子层沉积（ALD）两种方法。
CVD通过化学反应在基底表面形成薄膜。
ALD则是通过一系列的单原子层回旋沉积来生长薄膜。
这些方法可以制备无机薄膜、有机薄膜和复合薄膜。
3.溶液法制备技术：包括溶胶-凝胶法、旋涂法、浸渍法等。
溶胶-凝胶法通过溶胶和凝胶阶段的转化制备薄膜。
旋涂法将溶液倒在旋转基底上，通过离心力将溶液均匀分布并形成薄膜。
浸渍法将基底浸泡在溶液中，溶液中的材料通过表面张力进入基底并形成薄膜。
这些方法主要用于制备有机薄膜和复合薄膜。
4.物理沉积法和化学反应法相结合的制备技术：如离子束沉积法、激光沉积法等。
这些方法通过物理沉积或化学反应在基底表面形成薄膜，具有较高的沉积速率和较好的薄膜质量。
综上所述，薄膜材料及其制备技术涉及多个领域，各种薄膜材料的制备方法各有特点，可以选择合适的技术来制备特定性质的薄膜材料。
随着对薄膜材料的深入研究和制备技术的不断进步，薄膜材料在各个应用领域的潜力将会得到更大的发掘。
薄膜材料制备原理、技术及应用
薄膜材料制备原理、技术及应用薄膜材料是在基材上形成的一层薄膜状的材料，通常厚度在几纳米到几十微米之间。
它具有重量轻、柔韧性好、透明度高等特点，广泛应用于电子、光学、能源、医疗等领域。
薄膜材料制备的原理主要涉及物理蒸发、溅射、化学气相沉积等方法。
其中，物理蒸发是指将所需材料制成块状或颗粒状，利用高温或电子束加热，使材料从固态直接转变为蒸汽态，并在基材上沉积形成薄膜。
溅射是将材料制成靶材，用惰性气体或者稀释气体作为工作气体，在高电压的作用下进行放电，将靶材表面的原子或分子溅射到基材上形成薄膜。
化学气相沉积是指在一定条件下，将气态前体分子引入反应室，通过化学反应沉积到基材上，形成薄膜。
薄膜材料制备技术不仅包括上述原理所述的基本制备方法，还涉及到不同材料、薄膜厚度、表面质量等方面的特定要求。
例如，为了提高薄膜的品质和厚度均匀性，可采用多台蒸发源同时蒸发的方法，或者通过旋涂、喷涂等方法使得所需薄膜材料均匀地覆盖在基材上。
此外，为了实现特定功能，还可以通过控制制备条件、改变材料组成等手段来改变薄膜的特性。
薄膜材料具有多种应用领域。
在电子领域，薄膜材料可以用于制作集成电路的介质层、金属电极与基板之间的隔离层等。
在光学领域，薄膜材料可以用于制作光学滤波器、反射镜、透明导电膜等。
在能源领域，薄膜材料在太阳能电池、锂离子电池等器件中扮演重要角色。
在医疗领域，薄膜材料可以用于制作人工器官、医用伽马射线屏蔽材料等。
此外，薄膜材料还应用于防腐蚀涂料、食品包装、气体分离等领域。
虽然薄膜材料制备技术已经相对成熟，但是其制备过程中仍然存在一些挑战。
例如，薄膜厚度均匀性、结晶性能、粘附性能等方面的要求十分严格，制备过程中需要控制温度、压力、物质流动等多个参数的影响，以确保薄膜的质量。
此外，部分薄膜材料的制备成本相对较高，制约了其在大规模应用中的推广。
总的来说，薄膜材料制备原理、技术及其应用具有重要的实际意义。
通过不断改进制备技术，提高薄膜材料的制备效率和质量，将有助于推动薄膜材料在各个领域的更广泛应用。
薄膜材料的制备和应用研究进展
薄膜材料的制备和应用研究进展薄膜材料是一种在日常生活中用途广泛的材料。
它的应用范围涉及光学、电子、生物医学，甚至涂层等很多领域。
制备和应用研究方面也有很多成果，本文将从几个方面介绍薄膜材料的制备方法以及应用研究进展。
一、制备方法1、物理气相沉积法物理气相沉积法是指利用热能或者电子束激励的方式使材料蒸发并沉积在基底上形成薄膜。
这种方法可以制备高质量、高结晶度的薄膜材料。
其中分子束蒸发技术和反蒸发方法属于物理气相沉积法的一种，依靠非常高的真空和完整的分子束，可以制备出高质量的薄膜材料，但是设备成本也非常高。
2、化学气相沉积法化学气相沉积法是指在较低的气压环境下，将材料前驱体分子通过热解、裂解或者还原等化学反应，制备出薄膜材料。
这种方法成本较低，操作简单，可以制备大面积、高质量的薄膜，因此尤其适合大规模生产。
3、物理涂敷法物理涂敷法是指利用物理过程，将材料沉积在基底上形成薄膜。
常见的物理涂敷法有磁控溅射、电子束蒸发、激光蒸发等。
这种方法可以制备出膜层均匀、结构紧密的薄膜，但是缺点是沉积速度较慢，不能用于大面积生产。
4、化学涂敷法化学涂敷法是指利用化学反应将材料前驱体分子沉积在基底上形成薄膜。
常见的化学涂敷法有溶胶凝胶法、自组装法等。
这种方法可以制备出薄膜材料的更多形式，如多孔薄膜、纳米结构薄膜等。
但是化学反应的复杂度和化学材料的不稳定性也增加了制备过程的难度。
二、应用研究进展1、光电材料在光电领域，薄膜材料的应用非常广泛。
其中，一些透明导电薄膜材料如氧化铟锡、氧化镓锌、氧化铟和氧化钙、锡等材料已成为制作 OLED 光电器件的重要材料。
此外，半导体材料如氧化物和硫化物薄膜也被广泛应用于光电器件中，如可见光光伏器件、光传感器等。
因此，随着该领域的发展，薄膜材料在光电设备中的应用前景不断向好。
2、生物医学薄膜材料在生物医学领域的应用也越来越广泛。
其中，一种叫做生物基薄膜的材料能够在各种生物医学应用中发挥重要作用。
薄膜制备工艺技术
薄膜制备工艺技术薄膜制备工艺技术是指通过化学合成、物理沉积、溶液制备等方法制备出具有一定厚度和特殊性能的薄膜材料的技术。
薄膜广泛应用于光电子、微电子、光学、传感器、显示器、纳米技术等领域。
本文将详细介绍几种常见的薄膜制备工艺技术。
第一种是物理沉积法。
物理沉积法主要包括物理气相沉积法（PVD）和物理溶剂沉积法（PSD）两种。
其中，物理气相沉积法是将固态材料加热至其熔点或升华点，然后凝华在基底表面上形成薄膜。
而物理溶剂沉积法则是通过在沉积过程中溶剂的挥发使溶剂中溶解的材料沉积在基底表面上。
物理沉积法具有较高的沉积速度和较低的工艺温度，适用于大面积均匀薄膜的制备。
第二种是化学沉积法。
化学沉积法通过在基底表面上进行化学反应，使反应物沉积形成薄膜。
常见的化学沉积法有气相沉积法（CVD）、溶液法和凝胶法等。
气相沉积法是将气体反应物输送至反应室内，通过热、冷或化学反应将气体反应物沉积在基底表面上。
而溶液法是将溶解有所需沉积材料的溶液涂覆在基底表面上，通过溶剂挥发或加热使溶液中的沉积材料沉积在基底上。
凝胶法则是通过凝胶溶胶中的凝胶控制沉积材料的沉积，形成薄膜。
化学沉积法成本低、制备工艺简单且适用于大面积均匀薄膜的制备。
第三种是离子束沉积法（IBAD）、激光沉积法和磁控溅射法。
离子束沉积法是通过加速并聚焦离子束使其撞击到基底表面形成薄膜。
激光沉积法则是将激光束照射在基底表面上，通过激光能量转化和化学反应形成薄膜。
磁控溅射法是将材料附着在靶上，通过离子轰击靶表面并溅射出材料颗粒，最终沉积在基底表面上。
这些方法制备的薄膜具有优异的结构和性能，适用于制备复杂结构和功能薄膜。
综上所述，薄膜制备工艺技术包括物理沉积法、化学沉积法、离子束沉积法、激光沉积法和磁控溅射法等多种方法。
不同的方法适用于不同的材料和薄膜要求，可以根据具体需求选择合适的工艺技术。
第三章薄膜材料的制备
(6) 特殊蒸发方法—化合物和合金材料
a.闪蒸蒸发 又称瞬间蒸发，把薄膜 材料做成细小颗粒或粉 末状，通过一定装置使 其以极小的流量逐渐进 入高温蒸发源。使每个 颗粒都在瞬间完全蒸发， 以保证薄膜的组分比例 与合金相同。
闪蒸蒸发设备示意图
b．多源蒸发 将合金薄膜所需的元素各 自置于单独的蒸发源中， 同时加热，并独立控制各 蒸发源的温度，以使薄膜 的组分比例满足合金要求。 要求各蒸发源参数能独立 控制和指示，蒸发源间分 隔开，避免相互污染。
六硼化镧薄膜的电子束蒸发法制备 基底选用玻璃和钽片, 使用的设备为南光H44500-3 型超高真空镀 膜机。基底固定在一个不锈钢底座上, e型电子枪为加工的块状 LaB6 , 用来代替原设备中的钨阴极, 试验装置的基本结构如图。 实验过程中冷阱中持续添加液氮, 真空度控制在8×105~3×10- 4Pa 之间, 电子束加速级电压控制在4500V 左右, 电 流为80mA, 蒸发时间为15min 。蒸发过程中通过控制电子束能 量来实现对多晶材料蒸发速率的控制, 通过蒸发时间来控制蒸发薄
一、薄膜和薄膜材料分类
1、薄膜材料的概念
采用一定方法，处于某种状态的一种或几种物质 (原材料)的基团（离子、原子或分子）以物理或 者化学方式附着于衬底材料表面，在衬底材料表 面形成一层新的物质，这层新物质就称为薄膜。
简而言之，薄膜是由离子、原子或分子的沉积过 程形成的二维材料。
2、薄膜的基本特征
多源蒸发装置示意图
c.反应蒸发(属化学成膜) 把活性气体导入真空室，使活性气体的原子、分子与来自 蒸发源的原子、分子在衬底表面反应，生成所需化合物。 这种方法在制作高熔点 化合物薄膜时经常被采 用。 例如：在空气或氧气中 蒸发Si来制备SiO2薄膜
薄膜材料与技术
薄膜材料与技术引言薄膜材料是一种在厚度范围内具有特定性能和结构的材料，它在多个领域中发挥着重要作用。
薄膜技术是制备、改进和应用薄膜材料的一套方法和工艺。
本文将介绍薄膜材料的定义、制备方法、常见应用以及未来的发展趋势。
薄膜材料的定义薄膜材料是在纳米尺度至微米尺度范围内的一种特殊材料，其厚度通常在0.1nm到100μm之间。
相比于传统材料，薄膜材料具有较高的比表面积和特殊的物理、化学性质，使得其在光电、能源、生物医学等领域具有广泛的应用前景。
薄膜材料的制备方法薄膜材料的制备方法多种多样，常见的制备方法包括：1.物理气相沉积（PVD）：通过热蒸发、电子束蒸发、激光蒸发等方法将材料蒸发在基底上，形成薄膜。
2.化学气相沉积（CVD）：将气相前体分子引入反应室中，经过热分解或化学反应，在基底表面生成薄膜。
3.溶液法：将溶解了材料的溶液涂覆在基底上，通过溶剂蒸发或化学反应，将材料转变为薄膜。
常见的溶液法包括旋涂法、浸渍法等。
4.声波法：利用声波的能量使材料溶解或悬浮在溶剂中，然后将溶液通过超声波定向沉积在基底上。
5.离子束辅助沉积（IBAD）：通过将离子束轰击基底表面，促使薄膜材料原子结晶或沉积在基底上。
薄膜材料的应用领域薄膜材料在多个领域中发挥着重要作用，以下是几个常见的应用领域：1.光学领域：薄膜材料在光学镀膜中广泛应用，用于改善光学元件的透射和反射特性。
例如，透明导电薄膜可用于制造触摸屏、光伏电池和显示器件。
2.电子领域：薄膜材料可用于制造半导体器件，如晶体管、薄膜电阻器和电容器。
此外，薄膜材料还可用于制造柔性电子产品和纳米电子元件。
3.能源领域：薄膜太阳能电池是一种高效能源转换设备，薄膜材料在其制备过程中起到关键作用。
此外，薄膜材料还可用于燃料电池、锂离子电池等能源存储和转换装置中。
4.生物医学领域：薄膜材料在生物医学传感器、生物芯片、医用导管等方面有广泛应用。
例如，聚合物薄膜可用于修复组织缺损，金属薄膜可用于制造仿生传感器。
薄膜的制备方法有哪些
薄膜的制备方法有哪些薄膜的制备方法是指将材料制备成薄膜的工艺方法，主要包括物理气相沉积、化学气相沉积、溶液法、激光烧结法等多种方法。
下面将对这些方法进行详细介绍。
首先，物理气相沉积是一种常用的薄膜制备方法，其主要原理是通过物理手段将原料气体转化为固态薄膜。
常见的物理气相沉积方法包括蒸发沉积、溅射沉积和激光烧结法。
其中，蒸发沉积是通过加热原料使其蒸发，然后在基底上凝结成薄膜；溅射沉积是通过离子轰击原料使其溅射到基底上形成薄膜；激光烧结法则是利用激光束将原料烧结成薄膜。
其次，化学气相沉积是另一种常用的薄膜制备方法，其原理是通过化学反应使气态原料在基底上沉积成薄膜。
常见的化学气相沉积方法包括化学气相沉积、原子层沉积和气相沉积等。
其中，化学气相沉积是通过将气态原料与化学反应气体在基底上反应生成薄膜；原子层沉积是通过将气态原料分别按照周期性的顺序吸附在基底上形成单层原子膜，然后重复多次形成薄膜；气相沉积是通过将气态原料在基底上沉积成薄膜。
此外，溶液法也是一种常用的薄膜制备方法，其原理是将材料溶解在溶剂中，然后通过溶液的挥发或化学反应在基底上形成薄膜。
常见的溶液法包括旋涂法、喷涂法和浸渍法等。
其中，旋涂法是将溶液滴在旋转基底上，通过离心作用使溶液均匀涂布在基底上形成薄膜；喷涂法是通过将溶液喷洒在基底上，然后通过干燥使溶液挥发形成薄膜；浸渍法是将基底浸入溶液中，然后通过溶液的挥发或化学反应在基底上形成薄膜。
最后，激光烧结法是一种利用激光束将材料烧结成薄膜的方法。
其原理是通过激光束的照射使材料在基底上烧结成薄膜。
这种方法适用于高能激光烧结材料，可以制备高质量的薄膜。
综上所述，薄膜的制备方法包括物理气相沉积、化学气相沉积、溶液法和激光烧结法等多种方法。
每种方法都有其特点和适用范围，可以根据具体需求选择合适的方法进行薄膜制备。
薄膜制备方法
薄膜制备方法
薄膜制备方法是指通过化学反应、物理沉积、溅射等方法将材料制备成薄膜的过程。
薄膜制备是目前晶体学、电子学、材料学等领域的重要研究方向之一，广泛应用于半导体器件、显示器、太阳能电池、照明生物医学等领域。
下面就几种常见的薄膜制备方法进行介绍：
1. 化学气相沉积法
化学气相沉积法是一种使用化学反应使沉积物沉积在载体上的制备方法。
一般来说，这个方法包括两个步骤：在气相中生成反应物和反应产物；将反应产物转化为固态物质使其沉积到载体表面。
这种方法通常可以制备高纯度、与晶体结构相近的薄膜。
但是，由于反应速率较慢，制备时间较长，使得这种方法的成本较高。
2. 磁控溅射法
磁控溅射法是一种通过在真空中使用磁场将材料溅射到基底上形成薄膜的制备方法。
通常此方法要求将材料放置于真空室中，然后在高能离子的存在下使用磁场来将材料溅射到基底上。
这种方法可以制备高质量的薄膜，但细节处理要求严格，需要在无菌的实验环境下进行操作。
3. 化学溶液法
化学溶液法是一种通过将反应物溶解在溶液中，然后将溶液施加到基底上制备薄膜的方法。
通常，这种方法可以制备多种不同成分的薄膜，可以在一定温度、压力和pH范围内进行调节。
但是，这种方法需要严格控制反应物的比例、加热等条件来保证薄膜质量。
4. 气体吸附法
气体吸附法是一种通过使气体从气相中吸附在基底表面，形成薄膜的制备方法。
有许多气体可以用作制备薄膜的吸附剂，如氢气、氧气等。
但是，这种方法通常需要较高的温度和压力来保证薄膜的质量，而且这种方法的工艺流程通常比较复杂。
薄膜材料的制备方法
薄膜材料的制备方法薄膜材料的制备方法有很多种，下面我将介绍几种常见的方法。
1. 溶液法：溶液法是最常见的薄膜制备方法之一。
该方法主要是将待制备的材料溶解在适当的溶剂中，形成溶液后，利用涂布、旋涂、印刷等技术将溶液均匀地涂覆到基底上，然后通过加热、蒸发或水解等方法使溶剂蒸发或分解，最终得到所需的薄膜。
溶液法具有设备简单、制备工艺容易控制等优点，可以制备出大面积、均匀的薄膜。
2. CVD法：CVD（化学气相沉积）法是一种在高温条件下通过化学反应直接在基底上沉积薄膜的方法。
该方法通常包括气相反应源、载气和基底三个组成部分。
首先，将反应源和载气输入反应室中，在高温下进行反应，产生的气体在基底表面发生化学反应，形成所需的薄膜。
该方法制备的薄膜具有高质量、高效率的特点，适用于制备高纯度、多晶或无晶结构的薄膜。
3. 真空蒸发法：真空蒸发法是一种在真空环境下利用材料的高温蒸发，使蒸发物质沉积在基底上形成薄膜的方法。
原料通过加热的方式进入气相状态，然后在真空室中通过各种控制手段将蒸发物质输送到基底上进行沉积。
该方法制备的薄膜具有优异的化学纯度和均匀性，可用于制备光学薄膜、金属薄膜等。
4. 溅射法：溅射法是一种利用离子轰击的方式将固体材料溅射到基底上形成薄膜的方法。
该方法通常在真空或惰性气体环境下进行。
材料通过电弧、射频等方式激发成粒子或离子状态，然后被加速并轰击到基底表面，形成均匀的薄膜。
溅射法具有制备多种材料的能力，可以得到具有各种结构和性质的薄膜。
5. 模板法：模板法是一种利用模板的孔隙结构来制备薄膜的方法。
首先，在模板表面形成薄膜前体，然后通过热处理或溶剂处理等方式，将前体转化为所需的薄膜。
模板法制备的薄膜具有具有有序的孔隙结构，可以用于制备滤膜、分离膜等。
总结起来，薄膜材料的制备方法包括溶液法、CVD法、真空蒸发法、溅射法和模板法等。
不同的制备方法适用于不同的材料和要求，选择合适的方法可以得到具有优异性能的薄膜材料。
举例说明薄膜制备的几种方式及特点
薄膜制备是一种常见的工程技术，可以用于制备各种材料的薄膜，包括聚合物、金属和无机物等。
在实际应用中，薄膜制备的方式有很多种，每种方式都有其特点和适用范围。
本文将举例说明薄膜制备的几种常见方式及其特点，以便读者更好地了解薄膜制备技术。
一、溶液旋涂法溶液旋涂法是一种常用的薄膜制备方式，其原理是将制备材料溶解于适当的溶剂中，然后将溶液滴在旋转的基板上，通过离心力将溶液甩到基板上形成薄膜。
该方法具有以下特点：1. 简单易行，无需复杂的设备。
2. 可以制备较大面积的薄膜。
3. 适用于制备柔性基板上的薄膜。
然而，溶液旋涂法的缺点也很明显，例如溶液的浓度和旋转速度对薄膜质量的影响比较大，且薄膜厚度不易控制。
二、真空蒸发法真空蒸发法是一种常见的薄膜制备方式，其原理是将制备材料加热至蒸发温度，然后在真空条件下蒸发到基板表面形成薄膜。
该方法具有以下特点：1. 可以制备高纯度的薄膜。
2. 薄膜的厚度和组分可以精确控制。
3. 适用于制备高要求的光学薄膜和导电薄膜。
但真空蒸发法也存在一些问题，例如对制备材料的纯度要求较高，设备成本较高，且只能制备较小面积的薄膜。
三、喷雾法喷雾法是一种以喷雾技术为基础的薄膜制备方式，其原理是将制备材料溶解于适当的溶剂中，通过气雾喷射技术将溶液喷洒到基板上形成薄膜。
该方法具有以下特点：1. 可以制备均匀性较好的薄膜。
2. 适用于大面积薄膜的制备。
3. 可以制备复杂结构的薄膜。
喷雾法的缺点主要在于薄膜的厚度控制较难，且溶液浓度和喷雾条件对薄膜质量有较大影响。
四、离子束溅射法离子束溅射法是一种以物理气相沉积过程为基础的薄膜制备方式，其原理是利用离子束轰击靶材，使靶材表面蒸发形成薄膜。
该方法具有以下特点：1. 薄膜的成分均匀，密度高。
2. 可以制备复杂结构的薄膜。
3. 适用于制备高温材料的薄膜。
离子束溅射法的缺点在于设备成本较高，且只能制备较小面积的薄膜。
五、激光熔化法激光熔化法是一种以激光为能量源的薄膜制备方式，其原理是利用激光对基板上的薄膜进行加热，使薄膜融化后再凝固形成新的薄膜。
薄膜材料的制备流程
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选择合适的基底材料，如硅片、玻璃、金属等。
薄膜材料的制备及其应用
薄膜材料的制备及其应用随着科学技术的发展，薄膜材料在工业、生活中应用越来越广泛。
那么，什么是薄膜材料呢？简单地说，薄膜材料就是厚度很薄的材料，通常在几纳米到几百微米之间。
它具有许多优良的性能，比如光透过性、电绝缘性、机械性强等，因此在电子、光学、医学、环保等领域有着广泛的应用。
薄膜材料的制备方法很多，下面就介绍几种常见的方法。
1. 真空蒸发法真空蒸发法是一种将材料在高真空下蒸发形成薄膜的方法。
这种方法能让材料形成单晶状态，并且薄膜的结构均匀。
但是，真空蒸发法收率低，难以控制厚度，且材料成本较高。
2. 磁控溅射法磁控溅射法是将材料置于空气不及其它气体的真空区域中，然后在材料表面上放置一排镀失控的靶材，高能电子或离子轰击靶材，使其蒸发，材料形成薄膜。
这种方法能有效控制薄膜厚度和成分，并且成本低，是大量生产薄膜材料的主要方法。
3. 溶液法溶液法又称溶液旋涂法，是在材料分子间溶解剂中制备薄膜的方法。
该方法速度快，降低了制造成本，但难以制造低缺陷率的薄膜。
薄膜材料拥有的优良性质是由于分子间相互作用力和表面效应的影响。
因此，薄膜材料在许多领域中都有着广泛的应用。
下面就以电子和生命科学为例分别介绍一下薄膜材料在这两个领域中的应用。
1. 电子方面的应用半导体电子学是薄膜材料的主要应用领域之一。
半导体薄膜可以制造出用于制作半导体器件的掩模、曝光和电子束光刻的压电材料和透镜材料。
此外，具有特殊电学性能的有机或无机高分子材料可以制造出各种电路板。
并且，一些薄膜材料可以转换为导电薄膜，例如透明导电薄膜用于制造液晶显示器和触摸屏，复合导电薄膜用于制造柔性电子纸、可擦写电子图书和柔性电子纸屏幕等。
2. 生命科学应用生命科学中的薄膜材料主要用于细胞培养、过滤纯化、药物控释等，例如，被广泛使用的细胞培养板使用薄膜材料制作。
另外，纳米孔薄膜为分离和处置废水、有色中和和固体废物处理提供了可行的环保方法。
其它的，薄膜材料还可以制造出用于医学治疗和组织工程的生物材料，如胶原薄膜、海藻酸薄膜等。
薄膜制备方法
薄膜制备方法1.物理气相沉积法PVD：真空蒸镀、离子镀、溅射镀膜2.化学气相沉积法CVD：热CVD、等离子CVD、有机金属CVD、金属CVD;一、真空蒸镀即真空蒸发镀膜,是制备薄膜最一般的方法;这种方法是把装有基片的真空室抽成真空,使气体压强达到10ˉ2Pa以下,然后加热镀料,使其原子或者分子从表面气化逸出,形成蒸汽流,入射到温度较低的基片表面,凝结形成固态薄膜;其设备主要由真空镀膜室和真空抽气系统两大部分组成;保证真空环境的原因有防止在高温下因空气分子和蒸发源发生反应,生成化合物而使蒸发源劣化;防止因蒸发物质的分子在镀膜室内与空气分子碰撞而阻碍蒸发分子直接到达基片表面,以及在途中生成化合物或由于蒸发分子间的相互碰撞而在到达基片前就凝聚等在基片上形成薄膜的过程中,防止空气分子作为杂质混入膜内或者在薄膜中形成化合物;蒸发镀根据蒸发源的类别有几种:⑴、电阻加热蒸发源;通常适用于熔点低于1500℃的镀料;对于蒸发源的要求为a、熔点高b、饱和蒸气压低c、化学性质稳定,在高温下不与蒸发材料发生化学反应d、具有良好的耐热性,功率密度变化小;⑵、电子束蒸发源;热电子由灯丝发射后,被电场加速,获得动能轰击处于阳极的蒸发材料上,使蒸发材料加热气化,而实现蒸发镀膜;特别适合制作高熔点薄膜材料和高纯薄膜材料;优点有a、电子束轰击热源的束流密度高,能获得远比电阻加热源更大的能量密度,可以使高熔点可高达3000℃以上的材料蒸发,并且有较高的蒸发速率;b、镀料置于冷水铜坩埚内,避免容器材料的蒸发,以及容器材料与镀料之间的反应,这对于提高镀膜的纯度极为重要;c、热量可直接加到蒸发材料的表面,减少热量损失;⑶、高频感应蒸发源;将装有蒸发材料的坩埚放在高频螺旋线圈的中央,使蒸发材料在高频电磁场的感应下产生强大的涡流损失和磁滞损失铁磁体,从而将镀料金属加热蒸发;常用于大量蒸发高纯度金属;分子束外延技术molecularbeamepitaxy,MBE;外延是一种制备单晶薄膜的新技术,它是在适当的衬底与合适条件下,沿衬底材料晶轴方向逐层生长新单晶薄膜的方法;外延薄膜和衬底属于同一物质的称“同质外延”,两者不同的称为“异质外延”;10—Pa的超真空条件下,将薄膜诸组分元素的分子束流,在严格监控之下,直接喷射到衬底MBE是在8表面;其中未被基片捕获的分子,及时被真空系统抽走,保证到达衬底表面的总是新分子束;这样,到达衬底的各元素分子不受环境气氛的影响,仅由蒸发系统的几何形状和蒸发源温度决定;二、离子镀是在真空条件下,利用气体放电使气体或被蒸发物质离化,在气体离子或被蒸发物质离子轰击作用的同时,把蒸发物或其反应物蒸镀在基片上;常用的几种离子镀：（1）直流放电离子镀;蒸发源：采用电阻加热或电子束加热；充入气体：充入Ar或充入少量反应气体；离化方式：被镀基体为阴极,利用高电压直流辉光放电离子加速方式：在数百伏至数千伏的电压下加速,离化和离子加速一起进行;（2）空心阴极放电离子镀HCD,hollowcathodedischarge;等离子束作为蒸发源,可充入Ar、其他惰性气体或反应气体；利用低压大电流的电子束碰撞离化,0至数百伏的加速电压;离化和离子加速独立操作;（3）射频放电离子镀;电阻加热或电子束加热,真空,Ar,其他惰性气体或反应气体；利用射频等离子体放电离化,0至数千伏的加速电压,离化和离子加速独立操作;（4）低压等离子体离子镀;电子束加热,惰性气体,反应气体;等离子体离化,DC或AC50V离子镀是一个十分复杂过程,一般来说始终包括镀料金属的蒸发,气化,电离,离子加速,离子之间的反应,中和以及在基体上成膜等过程,其兼具真空蒸镀和真空溅射的特点;三、溅射镀膜是在真空室中,利用荷能粒子轰击靶表面,使被轰击出的粒子在基片上沉积的技术;用带有几十电子伏特以上动能的粒子或粒子束照射固体表面,靠近固体表面的原子会获得入射粒子所带能量的一部分进而向真空中逸出,这种现象称为溅射;应用于现在工业生产的主要溅射镀膜方式：1射频溅射是利用射频放电等离子体中的正离子轰击靶材、溅射出靶材原子从而沉积在接地的基板表面的技术;由于交流电源的正负性发生周期交替,当溅射靶处于正半周时,电子流向靶面,中和其表面积累的正电荷,并且积累电子,使其表面呈现负偏压,导致在射频电压的负半周期时吸引正离子轰击靶材,从而实现溅射;由于离子比电子质量大,迁移率小,不像电子那样很快地向靶表面集中,所以靶表面的点位上升缓慢,由于在靶上会形成负偏压,所以射频溅射装置也可以溅射导体靶;射频溅射装置的设计中,最重要的是靶和匹配回路;靶要水冷,同时要加高频高压;2磁控溅射高速低温溅射;其沉积速率快、基片温度低,对膜层的损伤小、操作压力低;磁控溅射具备的两个条件是：磁场和电场垂直；磁场方向与阴极靶表面平行,并组成环形磁场;电子在电场E的作用下,在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞,使其电离产生出Ar和新的电子；新电子飞向基片,Ar在电场作用下加速飞向阴极靶,并以高能量轰击靶表面,使靶材发生溅射;在溅射粒子中,中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜,而产生的二次电子会受到电场和磁场作用,产生E电场×B磁场所指的方向漂移,简称E×B漂移,其运动轨迹近似于一条摆线;若为环形磁场,则电子就以近似摆线形式在靶表面做圆周运动,它们的运动路径不仅很长,而且被束缚在靠近靶表面的等离子体区域内,并且在该区域中电离出大量的Ar来轰击靶材,从而实现了高的沉积速率;随着碰撞次数的增加,二次电子的能量消耗殆尽,逐渐远离靶表面,并在电场E的作用下最终沉积在基片上;由于该电子的能量很低,传递给基片的能量很小,致使基片温升较低;（3）反应溅射;反应溅射是指在存在反应气体的情况下,时,靶材会与反应形成化合物如氮化物或氧化物,在惰性气体溅射化合物靶材时由于化学不稳定性往往导致薄膜较靶材少一个或更多组分,此时如果加上反应气体可以补偿所缺少的组分,这种溅射也可以视为反应溅射;化学气相沉积chemicalvapordepositionCVD一、热CVD指把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入反应室,在衬底表面发生化学反应生成薄膜的过程;原理：利用挥发性的金属卤化物和金属的有机化合物等,在高温下发生气相化学反应,包括热分解、氢还原可制备高纯度金属膜、氧化和置换反应等,在基板上沉积所需要的氮化物、氧化物、碳化物、硅化物、硼化物、高熔点金属、金属、半导体等薄膜;制备条件：1在沉积温度下,反应物具有足够的蒸气压,并能以适当的速度被引入反应室；2反应产物除了形成固态薄膜物质外,都必须是挥发性的；3沉积薄膜和基体材料必须具有足够低的蒸气压;二、等离子体CVD plasmachemicalvapordeposition是在高频或直流电场作用下,将原料气体电离形成等离子体,利用低温等离子体作为能量源,通入适量的反应气体,利用等离子体放电,使反应气体激活并实现化学气相沉积的技术;在保持一定压力的原料气体中,输入直流、高频或微波功率,产生气体放电,形成等离子体;在气体放电等离子体中,由于低速电子与气体原子碰撞,故除产生正、负离子外,还会产生大量的活性基激发原子、分子等,从而可大大增强反映气体的活性;这样就可以在较低的温度下,发生反应,产生薄膜;PCVD可以在更低的温度下成膜;可减少热损伤,减低膜层与衬底材料间的相互扩散及反应多用于太阳能电池及液晶显示器等;三、有机金属CVD MOCVD是将反应气体和气化的有机物通过反应室,经过热分解沉积在加热的衬底上形成薄膜;它是利用运载气携带金属有机物的蒸气进入反应室,受热分解后沉积到加热的衬底上形成薄膜;其特点是：1.较低的衬底温度；2.较高的生长速率,可生长极薄的薄膜；3.精确的组分控制可进行多元混晶的成分控制,可实现多层结构及超晶格结构；4.易获得大面积均匀薄膜；其缺陷是：1.残留杂质含量高2.反应气体及尾气一般为易燃、易爆及毒性很强的气体;。
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对薄膜制备的综述一．前言随着薄膜科学技术与薄膜物理学的发展,薄膜在微电子、光学、窗器、表面改性等方面的应用日益广泛;而薄膜产业的日趋壮大又刺激了薄膜技术和薄膜材料的蓬勃发展。
面对新技术革命提出的挑战,无机薄膜材料的制备方法也日新月异,与以往的制膜方法相比有了新的特点,方法也向着多元化的方向发展。
这篇综述主要介绍了：薄膜材料的制备、举例发光薄膜的制备以及薄膜材料的发展前景。
二．薄膜材料的制备主要内容：1.薄膜材料基础；2.薄膜的形成机理；3.物理气相沉积；4.化学气相沉积；5.化学溶液镀膜法；6.液相外延制膜法。
§1 薄膜材料基础1. 薄膜材料的概念采用一定方法，使处于某种状态的一种或几种物质（原材料)的基团以物理或化学方式附着于衬底材料表面，在衬底材料表面形成一层新的物质，这层新物质就是薄膜。
简而言之，薄膜是由离子、原子或分子的沉积过程形成的二维材料。
2. 薄膜分类（1）物态:气态、液态、固态（thin-solid-film）。
（2）结晶态：A非晶态：原子排列短程有序，长程无序。
B晶态:a单晶：外延生长，在单晶基底上同质和异质外延；b多晶：在一衬底上生长，由许多取向相异单晶集合体组成。
（3）化学角度：有机和无机薄膜。
（4）组成：金属和非金属薄膜。
（5）物性：硬质、声学、热学、金属导电、半导体、超导、介电、磁阻、光学薄膜。
薄膜的一个重要参数：a厚度，决定薄膜性能、质量；b通常，膜厚小于数十微米，一般在1微米以下。
3. 薄膜应用薄膜材料及相关薄膜器件兴起于20世纪60年代。
是新理论、高技术高度结晶的产物。
（1）主要的薄膜产品：光学薄膜、集成电路、太阳能电池、液晶显示膜、光盘、磁盘、刀具硬化膜、建筑镀膜制品、塑料金属化制品。
（2）薄膜是现代信息技术的核心要素之一：薄膜材料与器件结合，成为电子、信息、传感器、光学、太阳能等技术的核心基础。
4.薄膜的制备方法（1）代表性的制备方法按物理、化学角度来分，有：a物理成膜PVD、b化学成膜CVD（2）具体制备方法如下表流程图：§2 薄膜的形成机理1.薄膜材料在现代科学技术中应用十分广泛,制膜技术的发展也十分迅速。
制膜方法—分为物理和化学方法两大类；具体方式上—分为干式、湿式和喷涂三种，而每种方式又可分成多种方法。
2.薄膜的生长过程分为以下三种类型：(1) 核生长型（V olmer Veber型）：这种生长的特点是到达衬底上的沉积原子首先凝聚成核，后续的沉积原子不断聚集在核附近，使核在三维方向上不断长大而最终形成薄膜。
核生长型薄膜生长的四个阶段：a. 成核：在此期间形成许多小的晶核，按同济规律分布在基片表面上；b. 晶核长大并形成较大的岛：这些岛常具有小晶体的形状；c. 岛与岛之间聚接形成含有空沟道的网络；d. 沟道被填充：在薄膜的生长过程中，当晶核一旦形成并达到一定尺寸之后，另外再撞击的离子不会形成新的晶核，而是依附在已有的晶核上或已经形成的岛上。
分离的晶核或岛逐渐长大彼此结合便形成薄膜。
这种类型的生长一般在衬底晶格和沉积膜晶格不相匹配时出现。
大部分的薄膜的形成过程属于这种类型。
(2) 层生长型（Frank-Vanber Merwe型）：特点：沉积原子在衬底的表面以单原子层的形式均匀地覆盖一层，然后再在三维方向上生长第二层、第三层……。
一般在衬底原子与沉积原子之间的键能接近于沉积原子相互之间键能的情况下（共格）发生这种生长方式的生长。
以这种方式形成的薄膜，一般是单晶膜，并且和衬底有确定的取向关系。
例如在Au衬底上生长Pb单晶膜、在PbS衬底上生长PbSe单晶膜等。
(3) 层核生长型（Straski Krastanov型：特点：生长机制介于核生长型和层生长型的中间状态。
当衬底原子与沉积原子之间的键能大于沉积原子相互之间键能的情况下（准共格）多发生这种生长方式的生长。
在半导体表面形成金属膜时常呈现这种方式的生长。
例如在Ge表面上沉积Cd，在Si表面上沉积Bi、Ag等都属于这种类型。
§3物理气相沉积1、定义：物理气相沉积：（Physical Vapor Deposition，PVD ）利用某种物理过程，如物质的热蒸发或受到离子轰击时物质表面原子的溅射现象，实现物质原子从源物质到薄膜的可控转移的过程。
2、特点（相对于化学气相沉积而言）：（1）需要使用固态的或熔融态物质作为沉积过程的源物质；（2）源物质经过物理过程而进入气相；（3）需要相对较低的气体压力环境；（4）在气相中及沉底表面并不发生化学反应。
3．下面从真空蒸发法、离子镀和溅射沉积法三个方面进行说明：（1）真空蒸发法：把装有基片的真空室抽成真空，使气体压强达到10-2Pa以下，然后加热镀料，使其原子或分子从表面逸出，形成蒸汽流，入射到基片表面，凝结形成固态薄膜。
具有较高的沉积速率、相对较高的真空度，以及由此导致的较高的薄膜纯度等优点。
要实现蒸发法镀膜，需要三个最基本条件：a加热，使镀料蒸发；b处于真空环境，以便于气相镀料向基片运输；c 采用温度较低的基片，以便于气体镀料凝结成膜。
蒸发材料在真空中被加热时，其原子或分子就会从表面逸出，这种现象叫热蒸发。
蒸发度膜的三个基本过程：加热蒸发、气相原子或分子的输运（源-基距）、蒸发原子或分子在基片表面的淀积。
（2）离子镀：指镀料原子沉积与带能离子轰击同时进行的物理气相沉积技术。
原理及特点：工件为阴极，蒸发源为阳极,进入辉光放电空间的靶材原子离化后,在工件表面沉积成膜,沉积过程中离子对工件表面、膜层和界面以及对膜层本身都发生轰击作用,离子能量决定于阴极上所加的电压。
（3）溅射沉积法：物质的溅射现象：等离子体鞘层电位的建立使得到达电极的离子均要经过相应的加速而获得相应的能量。
其中，阴极鞘层电位占了电极间外加电压的大部分。
因此，轰击阴极的离子具有很高的能量，并使得阴极物质发生溅射现象。
溅射法具有自己的特点，如：a沉积原子的能量较高，因此薄膜的组织更致密、附着力也可以得到显著改善；b制备合金薄膜时，其成分的控制性能好；c溅射的靶材可以是极难熔的材料。
因此溅射法可以方便的用于高熔点物质的溅射和薄膜的制备；d可利用反应溅射技术，从金属元素靶材制备化合物薄膜；e由于被沉积的原子均携带有一定的能量，因而有助于改善薄膜对于复杂形状表面的覆盖能量，降低薄膜表面的粗糙度；f在沉积多元合金薄膜时化学成分容易控制、沉积层对沉底的附着力较好。
§4化学气相沉积（CVD）（1）定义：化学气相沉积是一种化学的气相生长法,它是指把含有构成薄膜元素的一种或几种化合物、单质气体供给基片,借助气相的作用或在基片上发生的化学反应生成所需要的膜,它具有设备简单、绕射性好、膜组成控制性好等特点,比较适合于制备陶瓷薄膜。
这类方法的实质为利用各种反应,选择适当的温度、气相组成、浓度及压强等参数,可得到不同组分及性质的薄膜,理论上可任意控制薄膜的组成,能够实现以前没有的全新的结构与组成。
（2）CVD方法中,常见的反应方式及特点：a热分解：（材料）金属氢化物、金属碳酰化合物、有机金属化合物、金属卤化物。
（反应举例以及CVD生成物）SiH4ySi+2H2——Si、W(CO)6yW+6CO——W、2Al(OR)3yAl2O3+R——Al2O3、SiI4ySi+2I2——Si；b氢还原：（原料）卤化物。
（反应举例以及CVD生成物）SiCl4+2H2ySi+4HCl——Si、SiHCl3+H2ySi+3HCl——Si、MoCl5+5/2H2yMo+5HCl——Mo；c金属还原：卤化物、单质金属BeCl2+ZnyBe+2ZnCl2——Be；d 基片材料还原：金属卤化物、硅基片WF6+3/2SiyW+3/2SiF4——W；e化学输送反应：硅化物等2SiI2ySi+SiI4——Si；f氧化：氢化物SiH4+O2ySiO2+H2——SiO2、卤化物SiCl4+O2ySiO2+Cl2——SiO2、卤氧化合物POCl3+3/4O2y1/2P2O5+3/2Cl2——P2O5、有机金属化合物AlR3+3/4O2y1/2Al2O3+3R——Al2O3；g加水分解：卤化物2AlCl2+3H2OyAl2O3+6HCl——Al2O3；h与氨分解：卤化物SiH2Cl2+4/3NH3y1/3Si3N4+2HCl+2H2——Si3O4、氢化物、SiH4+4/3NH3y1/3Si3N4+4H2——Si3O4。
近些年来,人们为了降低CVD的反应温度,提高反应物的活性及反应的速率,采用了一些物理方法来改善化学反应的性能。
如利用光子对CVD过程进行活化,通过强紫外线光源等激活反应物,产生了光子辅助CVD(photo-CVD)[1,2];采用等离子体激发气体,使气相反应物的粒子变为等离子态,从而具有很高的活性,以达到降低反应温度的目的,由此便产生了等离子体辅助化学气相沉积法)PCVD[3](Plasma CVD);有人采用电子回旋共振过程增强CVD,产生了ECR-CVD[4],从而进一步开发出了ECR-PECVD[5]装置;还有采用激光照射,使反应气体分子吸收光子能量,并分解为激发态的原子或基团,以达到提高反应活性的目的,称之为LCVD(Laser enhanced CVD)[6]。
目前,低压CVD(LPCVD)技术已经广泛应用于半导体工业,还有利用有机金属化合物的热分解进行气相外延生长来制备半导体薄膜,称为MOCVD(Meta-l Organic CVD)即OMVPE[7]。
在各种技术都已产生的条件下,又进一步交叉产生了低压OMVPE(LP-OMVPE)[8],等离子OMVPE(PE-OMVPE)[9],激光OMVPE(laser enhanced organome-tallic vapor phase epitaxy,简称LE-OMVPE)[10],在PE-OMVPE的基础上,引入ECR,便交叉产生了ECR-PEMOCVD[11]。
§5化学溶液镀膜法（1）定义：在溶液中利用化学反应或电化学原理在集体材料表面上沉积成膜的一种技术。
主要方法：化学反应沉积、阳极氧化、电镀和溶胶-凝胶法等。
（2）下面具体介绍溶胶-凝胶法：溶胶-凝胶（Sol-Gel）技术是指金属有机或无机化合物（称前驱物），经溶液、溶胶、凝胶而固化，在溶胶或凝胶状态下成型，再经热处理转化为氧化物或其他化合物固体材料的方法，是应用胶体化学原理制备无机材料的一种湿化学方法。
其优点：a合成温度低；b高集成的材料制备技术；c不需要苛刻的工艺条件和复杂的设备，可以在大面积或任意形状的基体上制得薄膜；d Sol-Gel工艺性在制备复合材料，尤其是纳米复合材料方面有其独到的优势；e设备简单，工艺灵活，制品纯度高。
（3）机理：溶液水解镀膜法：将某些IV族、III族和V族元素合成的烃氧基化合物，以及一些类如氯化物、硝酸盐和乙酸盐的无机盐作为镀膜物质，将其溶于某些有机溶液形成镀液，经水解后在镀件表面形成胶体膜，再经脱水获得该元素的氧化物薄膜。