51单片机资源扩展：扩展片外RAM

51单片机外部ram扩展c程序及硬件结构

c程序#include<reg52.h>#include<absacc.h>#define uchar unsigned char#define uint unsigned intint n,m;void main(){unsigned int i;while(1){for(i=0x0000;i<=0x7fff;i++){XBYTE[i]=n;//写入ram}for(i=0x7fff;i>0x0000;i--){m=XBYTE[i];//读外部存储器}}}62256外部ram芯片相关知识：XBYTE是一个地址指针（可当成一个数组名或数组的首地址），它在文件absacc.h中由系统定义，指向外部RAM（包括I/O口）的0000H单元，XBYTE后面的中括号[ ]0x2000H 是指数组首地址0000H的偏移地址，即用XBYTE[0x2000]可访问偏移地址为0x2000的I/O端口。

这个主要是在用C51的P0，P2口做外部扩展时使用，其中XBYTE [0x0002]，P2口对应于地址高位，P0口对应于地址低位。

一般P2口用于控制信号，P0口作为数据通道。

比如：P2.7接WR，P2.6接RD，P2.5接CS，那么就可以确定个外部RAM的一个地址，想往外部RAM的一个地址写一个字节时，地址可以定为XBYTE [0x4000]，其中WR，CS为低，RD为高，那就是高位的4，当然其余的可以根据情况自己定，然后通过XBYTE [0x4000] = 57;这赋值语句，就可以把57写到外部RAM的0x4000处了，此地址对应一个字节。

XBYTE 的作用,可以用来定义绝对地址,是P0口和P2口的,其中P2口对应的是高位,P0口对应的是低位如XBYTE[0x1234] = 0x56;则等价于mov dptr,#1234hmov @dptr,#56h谢谢大家。

51单片机的RAM区域划分以及常遇到的问题

51单片机的RAM区域划分以及常遇到的问题前几天群里有一位同学使用AT89S51这个单片机编程，遇到了一个情况：keil软件的options for Target的Target选项中，其中的Memory Model选项，同样的程序，如果选择Small模式进行编译，把程序下载到单片机内，程序就工作正常；如果选择Large模式进行编译，下载到单片机内程序就工作不正常，这个就是新手偶尔遇到，但是很难分析出原因的内存使用溢出问题。

51单片机的问题，是历史问题，比较复杂，那现在一般一些新型单片机这种问题就简单一些，但是也得注意关于RAM的溢出问题。

RAM是用来保存临时数据的，一旦我们的使用量超过了RAM的大小或者区域，那就可能造成一些不可预知的错误问题。

51单片机的RAM分为片内和片外，标准的51内核是0x00~0x7F 一共128B，而现在的大多数半导体厂商开发的51系列单片机都带了扩展片内RAM，即片内RAM区域一般是从0x00到0xFF一共256B。

随着功能需求越来越多，程序量越来越大，那片内这256B也不够用了，因此又扩展了片外RAM，片外RAM的预留比较大，最大可以从0x0000到0xFFFF一共64KB，当然了，每个具体型号有多大不一定，具体看通过芯片的手册来了解。

而现在的51单片机的片外RAM，“片外”只是一个名词而已，实际上很多也是直接做到了单片机内部，但是访问地址，还是以外部的起始地址的方式。

就是说，片内RAM的地址从0x00到0xFF，而片外是从0x0000到0xFFFF；其中最开始的256B是重复的地址，这部分通常情况下只要RAM够用就可以不理会，软件编译器会自动给我们处理好。

当选默认small模式，优先使用内部的前128B，而选Large 模式，优先使用的是片外的64K。

因此上面那个同学的问题就在这里了，因为他用的是AT89S51单片机，而这个单片机是没有片外RAM 的，如果选择了Large模式，那优先使用的是片外，因此编译完成，下载到单片机里，程序运行时用了这个单片机所没有的区域，那肯定就不行了。

哈工大51单片机存储器扩展

并行接口特点
串行接口特点
串行接口具有数据传输速度较慢、数据总线宽度较小等缺点，但电路连接简单、占用引脚少。
并行接口具有数据传输速度快、数据总线宽度大等优点，但电路连接复杂。
51单片机存储器的访问方式
01
02
03
直接寻址方式
直接寻址方式是指直接给出存储单元的地址，通过该地址访问存储器中的数据。
通过哈工大51单片机的外部存储器接口，将存储器芯片与单片机连接。
根据存储器芯片的规格书，设计相应的电路和连接方式。
根据实际需求，编写相应的程序来读写扩展的存储器。
05 扩展存储器的应用与优化
扩展存储器在系统中的应用
数据存储
01
扩展存储器用于存储大量数据，如传感器采集的数据、用户数
据等。
程序存储
02
扩展存储器用于存储应用程序的代码，以支持更复杂的功能和
更大的程序。
缓存
03
扩展存储器可以作为高速缓存，提高系统的整体性能。
扩展存储器的性能优化
读写速度
通过优化硬件设计和软件算法，提高扩展存储器的读写速度。
可靠性
采用错误检测和纠正技术，提高扩展存储器的可靠性。
兼容性
确保扩展存储器与主控制器和其他组件的兼容性，以实现无缝集成。
间接地址映射
扩展存储器的地址通过特定的寄存器映射到单片机的地址空间，可以实现更灵活的地址管理。
段地址映射
将扩展存储器分成若干段，每段独立映射到单片机的地址空间，可以实现较大的存储空间扩展。
04 哈工大51单片机存储器扩展方案
扩展方案的比较与选择
方案一：并行扩展优点：扩展速度快，适用于对速度要求较高的应用。

RAM和ROM

典型外部ROM和RAM器件的使用实例详解来源：开拓电子（）录入： autumn1 实例功能在很多应用场合，51单片机自身的存储器和I/O口资源不能满足系统设计的需要，这时就要进行系统扩展。

在本例中，将结合片外ROM和片外RAM的典型芯片的应用，说明如何扩展单片机的数据存储器和程序存储器。

本例中3个功能模块描述如下：∙单片机系统：扩展单片机的存储器，实现片外存储器的访问。

∙外围电路：分为3个内容。

首先是用地址锁存器完成单片机系统总线的扩展，其次是扩展片外ROM器件2764,第三是扩展片外RAM6264.∙C51程序：用C51完成对片外存储器的读写。

本例目的在于希望keiltop读者在读完本例后，能完成相关的电路设计。

∙器件原理本实例中将首先介绍单片机的三总线概念和形成，随后介绍单片机弦叫线的扩展。

在单片机系统扩展时，引入片外典型存储器件，最后给出典型片外ROM和RAM的电路连接和使用方法。

2.1单片机的三总线(1)什么是单片机的三总线？单片机三总线指数据线、地址线和控制线。

单片机CPU所要处理的就是这3种不同的总线信号。

数据线：数据总线用来传送指令和数据信息。

P0口兼做数据总线DB0~DB7.地址线：用来指定数据存储单元的志趣分配信号线。

在8051系列中，提供了引脚ALE,在ALE为有效高电平，在P0口上输出的是地址信息，A7-A0。

另外，P2口可以用于输出地址高8位的A15~A8,所以对外16位地址总线由P2和P0锁存器构成。

控制线：8051系列中引脚输出控制线，如读写信号线、PSEN、ALE以及输入控制信号线，如EA、TST、T0、T1等构成了外部的控制总线。

(2)如何实现外部总线的扩展？由于单片机的输入输出引脚有限，一般的，我们采用地址锁存器进行单片机系统总线的扩展。

常用的单片机地址锁存器芯片有74LS373，图1-22所示为74LS373的引脚以及它们用作地址锁存器的连接方法。

74LS373是带三态输出的8位锁存器。

实验十二 SRAM外部数据存储器扩展实验 (1)

实验十二SRAM外部数据存储器扩展实验一、实验目的1．掌握51单片机扩展外部RAM的方法。

2．掌握SRAM62256读写数据的方法。

二、实验说明MCS-51型单片机内有128B的RAM，只能存放少量数据，对一般小型系统和无需存放大量数据的系统已能满足要求。

对于大型应用系统和需要存放大量数据的系统，则需要进行片外扩展RAM。

MCS-51型单片机在片外扩展RAM的地址空间为0000H～FFFFH共64KB。

读写外RAM 时用MOVX指令，用RD选通RAM OE端，用WR选通RAM WE端。

本实验使用SRAM 62256芯片进行片外RAM扩展。

62256具有32KB（256Kbit）空间，因此它需要15位地址（A0～A14）。

62256的全部地址空间为0000H～7FFFH。

62256芯片引脚如图1.4及管脚功能介绍：D0～D7：数据线A0～A7：地址线图1.4 62256芯片引脚WE：写允许，低电平有效OE：读允许，低电平有效CS：片选端，低电平有效三、实验内容本实验示例程序向外部RAM指定地址写入数据，并读出数据验证。

四、实验电路本实验所需电路请参见系统原理图的第一部分和图14-1。

存储器扩展接口。

图1.4 62256芯片引脚五、实验程序参考框图图1.5程序流程框图六、实验步骤1）系统各跳线器处在初始设置状态（参见附录四），将MCU模块的JT12跳线器的C、D、E、F四只短路帽置位下边（2、3短接），G短路帽置位下边（2、3短接）。

J1打在左边，J3打在2，3处（CS7279处）,J2的 WE，RD接在左边。

2）在所建的Project文件中添加“62256.ASM”文件，分析、理解程序，编译、下载、运行程序。

观察数码管显示，读写正确则显示‘Good’！七、实验参考程序：见附件：实验指导参考程序。

51单片机的扩展

（a）程序存储器的扩展
.程序存储器的作用----存放程序代码或常数表格
.扩展时所用芯片----一般用只读型存储器芯片（可以是 EPROM、E2PROM、 FLASH芯片等）。 .扩展电路连接 ---- 用EPROM 2732扩展程序存储器。 .存储器地址分析----究竟单片机输出什么地址值时，可以
一、系统扩展的含义
单片机中虽然已经集成了CPU、I/O口、定时器、中断系统、存储器等计算机的基本部件（即系统资源），但是对一些较复杂应用系统来说有时感到以上资源中的一种或几种不够用，这就需要在单片机芯片外加相应的芯片、电路，使得有关功能得以扩充，我们称为系统扩展（即系统资源的扩充）。需要解决的问题是单片机与相应芯片的接口电路连接（即地址总线、数据总线、控制总线的连接）与编程。
指向存储器中的某一单元。
.扩展时所用芯片
2732----4K EPROM
A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 O0 O1 O2 GND Vcc A8 A9 A11 OE/Vpp A10 CE O7 O6 O5 O4 O3
2732引脚功能
A0-A11 CE 地址线选片输出允许/ 编程电源数据线
P0.0 P0.1 P0.2 P0.3 P0.4 P0.5 P0.6 P0.7
A8 A9 A10 A11
2732
CE OE
ALE
PSEN 图4.2 扩展电路
8031
2732
数据总线的连接： P0.0-P0.7（数据总线）----------------------------------------O0-O7 地址总线的连接：经过锁存器373 P0.0-P0.7（地址总线低8位）---------------------------------- A0-A7 P2.0-P2.3（地址总线高8位中的4位）--------------------------- A8-A11 控制总线的连接： PSEN（程序存储器允许，即读指令） -------------------------- OE ALE（地址锁存允许）-------------------------------------接373的使能端 G

四 MCS-51单片机存储器系统扩展

RD、WR为数据存储器和 I/O口的读、写控制信号。执行MOVX指令时变为有效。
74LS373引脚
1、控制位OE： OE=0时，输出导通 2、控制位G：接ALE 3、Vcc=+5V 4、GND接地
1 74LS373为8D锁存器，其主要特点在于：
控制端G为高电平时，输出Q0～Q7复现输入D0～ D7的状态；G为下跳沿时D0～D7的状态被锁存在Q0 ～Q7上。
MOV DPTR, #0BFFFH ;指向74LS373口地址
MOVX A, @DPTR ;读入
MOV @R0， A
;送数据缓冲区
INC R0
;修改R0指针
RETI
;返回
用74LS273和74LS244扩展输入输出接口
地址允许信号ALE与外部地址锁存信号G相连；
单片机端的EA与单片机的型号有关;
存储器端的CE与地址信号线有关。
P... 2.7 P2.0
ALE 8031
P... 0.7 P0.0
EA
PSEN
外部地址
G
锁存器
I...7
O... 7
I0 O0
A... 15
CE
A8
外部程序
存储器
A... 7 A0
D7. . . D0 OE
6264的扩展电路图
图中CS（CE2）和CE引脚均为6264的片选信号，由于该扩展电路中只有一片6264，故可以使它们常有效，即CS（CE2）接+5V ，CE接地。6264的一组地址为0000H～1FFFH。
存储器地址编码
SRAM6264：“64”—— 8K×8b = 8KB 6264有13根地址线。地址空间： A12 A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 最低地址： 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0000H 最高地址： 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1FFFH MCS-51单片机寻址范围：64KB 26×210 = 216即16位地址线地址空间： A15A14A13A12A11A10A9A8A7······A0 单片机

51单片机外扩RAM

单片机外部RAM扩展模块MCS-51系列单片机外部RAM为64K，在一些特殊场合下，远不能满足需要，本文就AT89C51讨论MCS-51系列单片机大容量RAM的扩首先介绍128K随机读取RAM HM628128。

HM628128是32脚双列直插式128K静态随机读取RAM，它具有容量大、功耗低、价格便宜、集成度高、速度快、设计和使用方便等特点。

如若在系统中加入掉电保护电路，保护数据有很高的可靠性，可以和EEPROM相媲美。

技术特性：（1）最大存取时间为120ns；（2）典型选通功耗75mW；典型未选通功耗10uW；（3）使用单一5V电源供电；（4）全静态存储器，不需要时钟及时序选通信号；（5）周期时间与存取时间相等；（6）采用三态输出电路，数据输入和输出端公用；图6 HM628128外部引脚（7）所有输入和输出引脚均与TTL电平直接兼容；（8）有两个片选端，适合于低功耗使用，即为了保存信息，用电池作为后备电源。

保存信息的最低电源电压Vcc=2V。

引脚安排及功能表：图6是HM628128的外部引脚排列图，各引脚名称及功用分别如下：A0～A16是17条地址线；I/O0～I/O7是8条双向数据线；CS1是片选1，低电平有效，CS2是片选2，高电平有效；WR是写控制线，当CS1为低电平，CS2为高电平时，WR的上升沿将I/O0～I/O7上的数据写到A0～A16选中的存储单元中；OE是读出允许端，低电平有效。

HM628128的功能表如表3所示。

其中，H表示高电平，L表示低电平，X表示任意状态由于AT89C51直接外部RAM容量为64K，地址线为16条，其中低8位地址和数据分时复用，因此需要外部地址锁存器和ALE锁存信号来锁存低8位地址。

又由于AT89C51的外部数据和外设地址通用，若扩展外设必然占用数据地址。

因此本系统采用P2.7（A15）口来区分数据和外设：当P2.7（A15）口为高电平时，选择外部数据；P2.7（A15）口为低电平时，则为外设。

51单片机扩展外部RAM

51单片机扩展外部RAM
今天这个是是以前做过的，没做成，扩展ROM的时候失败了~~不过今天主要的就是扩展外部的RAM，这个相对比较简单点，不想外部的ROM还要设置太多的编译器~~
单片机扩展外部RAM
一、扩展总线
1、简介（这种扩展是基于总线扩展的，所以，P0、P2口就已经不可以再做它用了）
1）数据总线宽度为8位，由P0口提供；
2）地址总线宽度为16位，可寻址范围2的16次，也就是64K。

低8位
A7~A0由P0口经地址锁存器提供，高8位A15~A8由P2口提供。

由于P0口是数据、地址分时复用，所以P0口输出的低8位必须用地址锁存器进行锁存；
3）控制总线由RD、WR、PSEN、ALE和EA等信号组成，用于读/写控制、片外RAM选通、地址锁存控制和片内、片外RAM选择。

地址锁存器一般选用带三态输出缓冲输出的8D锁存器74LS373。

2、片外RAM的操作时序
进行RAM的扩展，其扩展方法较为简单容易，这是由单片机的优良扩展性
能解决的。

单片机的地址总线为16位，扩展的片外RAM的做大容量为
64KB，地址为0000H~FFFFH。

1）由于51单片机采用不同的控制信号指令，尽管RAM和ROM地址是重
叠的，也不会发送混乱。

2）51单片机对片内和片外ROM的访问使用相同的指令，两者的选择是由。

单片机扩展外部ROM或RAM读写时序

10
19
11
18
12
17
13
16
14
15
2764 27128 27256 27512
Vcc Vcc Vcc
Vcc
PGM PGM A14
A14
NC
A13 A13
A13
A8
A8
A8
A8
A9
A9
A9
A9
A11 A11 A11
A11
OE
OE
OE
OE/Vpp
A10 A10 A10
A10
CE
CE
CE
CE
Q7
Q7
Q7
Q7
Q6
Q6
Q6
Q6
Q5
Q5
Q5
Q5
Q4
Q4
Q4
Q4
Q3
Q3
Q3
Q3
EPROM存储器扩展电路：
P2.0-P2.4
ALE
P0
80C31
EA
74LS373
G OE
D7 Q7 :: :: D0 Q0
PSEN
A8-A12
A7
: :
2764A
A0
D0～D7
CE OE
2、EEPROM存储器及扩展
常用的EEPROM芯片有2864、2817等。
由于80C51采用不同的控制信号和指令，尽管ROM 与RAM的地址是重叠的，也不会发生混乱。
80C51对片内和片外ROM的访问使用相同的指令，两者的选择是由硬件实现的。
芯片选择现在多采用线选法，地址译码法用的渐少。 ROM与RAM共享数据总线和地址总线。
访问片外ROM的时序：

51单片机外部存储器的扩展

即存储器芯片旳选择和存储器芯片内部存储单元旳选择。
一、地址线旳译码
存储器芯片旳选择有两种措施：线选法和译码法。
1、线选法。所谓线选法，就是直接以系统旳地址线作为存储器芯片旳片选信号，为此只需把用到旳地址线与存储器芯片旳片选端直接相连即可。 2、译码法。所谓译码法，就是使用地址译码器对系统旳片外地址进行译码，以其译码输出作为存储器芯片旳片选信号。译码法又分为完全译码和部分译码两种。
ALE
8051
LE OE
P0.7
8D 8Q
P0.6
7D 7Q
P0.5
6D 6Q
P0.4
5D 5Q
P0.3
4D 4Q
P0.2
3D 3Q
P0.1
2D 2Q
P0.0
1D 1Q
74HC573 地址总线扩展电路
OE：输出允许端，为0
时芯片有效。
A7
LE：锁存控制端，高电
A6 平时，锁存器旳数据输出端
A5 Q旳状态，与数据输入端D
（1）完全译码。地址译码器使用了全部地址线，地址与存储单元一一相应，也就是1个存储单元只占用1个唯一旳地址。
（2）部分译码。地址译码器仅使用了部分地址线，地址与存储单元不是一一相应，而是1个存储单元占用了几种地址。
❖ 二、扩展存储器所需芯片数目旳确定
❖
若所选存储器芯片字长与单片机字长
一致，则只需扩展容量。所需芯片数目按下式
07~00 I0~I7
× 8 ）
扩
锁存器
展
74 HC 573 D0~D7
8位数据
RD
OE
WR
GND WE
图2.2-13 8031与6264的连接

第五章_MCS-51单片机的系统扩展

8255A的控制字与工作模式
8255A有3种工作方式,即模式0、模式1和模式2,这些工作方式可用软件编程来指定，其设定格式如图5-21所示，设定指令由单片机根据表5-5所示的地址选择表实现，其中8255A芯片的三个端口在模式0下被分成两组，在模式1和模式2下PC口为读写控制信号线，只有PA能工作在模式2下。此外，PC口还具有位控制功能，可以通过工作方式控制字将其任意一位置“1” 或者清“0”，其控制方式见图5-22所示。
图5-21 8255A方式控制字设置
图5-22 PC口位操作控制字
（1）方式0(基本输入/输出方式) 这种工作方式不需要任何选通信号，A口、B口及C口的高4位和低4位都可以设定为输入或输出。作为输出口时，输出的数据均被锁存；作为输入口时，A口的数据能锁存，B口与C口的数据不能锁存。例如，欲设定PA口和PC 口高四位工作在模式0输出以及PB口和PC口低四位工作在模式0输入方式的指令为： MOV DPTR，#8003H ；控制字的地址为8003H MOV A，#83H ；工作方式控制字为83H MOVX @DPTR，A ；设定工作方式控制字在这种模式下，单片机可以对8255A的数据端口进行无条件读写，8255A 三个I/O端口数据可得到锁存和缓冲。因此，8255A的模式0属于基本输入输出模式。
（2）方式1(选通输入/输出方式) 在这种工作方式下，A口可由编程设定为输入口或输出口，C口的3位用来作为A口输入/输出操作的控制和同步信号；B口同样可由编程设定为输入口或输出口， C口的另3位用来作为B口输入/输出操作的控制和同步信号。在方式1下A口和B口的输入数据或输出数据都能被锁存。C口的6条线作为控制和状态信号线，其定义如表5-6所示。
图5-18 利用74LS164扩展并行输出口

51单片机外部存储器的扩展

即存储器芯片的选择和存储器芯片内部存储单元的选择。
一、地址线的译码
存储器芯片的选择有两种方法：线选法和译码法。
1、线选法。所谓线选法，就是直接以系统的地址线作为存储器芯片的片选信号，为此只需把用到的地址线与存储器芯片的片选端直接相连即可。 2、译码法。所谓译码法，就是使用地址译码器对系统的片外地址进行译码，以其译码输出作为存储器芯片的片选信号。译码法又分为完全译码和部分译码两种。
MCS-51系列单片机片内外程序存储器的空间可达64KB，而片内程序存储器的空间只有 4KB。如果片内的程序存储器不够用时，则需进行程序存储器的扩展。
MCS-51存储器的扩展
存储器扩展的核心问题是存储器的编址问题。所谓编址就是给存储单元分配地址。
由于存储器通常由多个芯片组成，为此存储器的编址分为两个层次：
扩展数据存储器常用静态RAM 芯片： 6264（8K×8位）、62256（32K×8位）、 628128（128K×8位）等。
MCS-51存储器的扩展
P2.7～P2.0
ALE P0.0～P0.7 8031
EA PSEN
A15～A8 高8位地址
CLK Q7～Q0 A7～A0 I0～I7 地址锁存器
D0～D 7
二、以P2口作为高8位的地址总线
P0口的低8位地址加上P2的高8位地址就可以形成16位的地址总线，达到64KB的寻址能力。
实际应用中，往往不需要扩展那么多地址，扩展多少用多少口线，剩余的口线仍可作一般I/O口来使用。
三、控制信号线 ALE：地址锁存信号，用以实现对低8位地址的锁存。 PSEN：片外程序存储器读选通信号。 EA：程序存储器选择信号。为低电平时，访问外部程序存储器；为高电平时，访问内部程序存储器。

MCS-51系列单片机一

START :
MOV R0, #40H
; CPU片内RAM 40H单元地址指针送R0
MOV DPTR, #7E00H ; 数据指针指向8155内部RAM单元
LP: MOV A, @R0
; 数据送累加器A
MOVX @DPTR, A ; 数据从累加器A送8155内部RAM单元
INC DPTR INC R0
的方式字为 82H （ 10000010B ）， C 口置位 / 复位字为 0FH （ 00001111B ）， 8255A的方式字及置位/复位控制字地址为7FFFH。
程序如下：
ORG 0000H LJMP START ORG 0030H
DSP8255: MOV DPTR, #7FFFH ; 数据指针指向8255A控制口
MOV DPTR, #7FFCH ; 数据指针指向8255A 的A口
MOV A, 70H
MOVX @DPTR, A ; 70H单元内容A口指示灯显示
SJMP $
END
8255A采用方式0,由PC0模拟产生STB信号。因PC7输入,PC0 输出,则方式选择命令字为 :10001110B=8EH。自内部RAM
MOV A, #82H
MOVX @DPTR, A ; 工作方式字送8255A控制口
MOV A, #0FH
MOVX @DPTR, A ; C口置位/复位字送8255A控制口
MOV DPTR, #7FFDH ; 数据指针指向8255A 的B口
MOVX A, @DPTR
MOV 60H, A
; 将B口开关状态送入60H单元
[例题] 在上页图中，将单片机片内RAM 40H～4FH单元的内容，
送8155芯片内的00H～0FH单元，并设定8155芯片的工作方式为：

51单片机片外扩展RAM

51 单片机片外扩展RAM
一.概述
普通51 单片机可以片外扩展ROM 和RAM 各64K 字节的空间，在实际应用中很少扩展外部ROM，一般都是扩展RAM，因为普通51 单片机的内部RAM 实在太少，只有128-256 字节，处理数据量较大时往往不
够用。

而片外扩展RAM 需要占用P0 口、P2 口和P3.6、P3.7，消耗了18 个IO 口，导致IO 口又不够用。

为了解决以上矛盾，大容量的51 单片机（增强型51 单片机）应运而生，这种单片机一般内置1K-16K 的RAM 和16K-64K 的ROM，价格也相对昂贵。

在某些情况下，用普通51 单片机通过片外扩展RAM 要比直接使用增强型51 单片机更能节约成本。

所以，学习51 单片机片外扩展RAM 是很有必要的。

二.电路设计
在WSF-51DB 开发板上，扩展了32K RAM（HM62256B），地址锁存芯片用74HC573。

如果片外扩展RAM，P0 口作为数据和地址低字节的复用端口，不需要加上拉排阻，当然，加上拉排阻也没有影响。

需要注。

51单片机RAM区域的划分

我们的 STC89C52 共有 512 字节的 RAM，分为 256 字节的片内 RAM 和 256 字节的片外RAM。一般情况下，我们是使用 data 区域，data 不够用了，我们就用 xdata，如果希望程序执行效率尽量高一点，就使用 pdata 关键字来定义。其它型号有更大的 RAM 的 51 系列单片机，如果要使用更大的 RAM，就必须得用 xdata 来访问了。
51 单片机的 RAM 分为两个部分，一块是片内 RAM，一块是片外 RAM。标准 51 的片内 RAM 地址从 0x00H～0x7F 共 128 个字节，而现在我们用的 51 系列的单片机都是带扩展片内 RAM 的，即 RAM 是从 0x00～0xFF 共 256 个字节。片外 RAM 最大可以扩展到 0x0000～0xFFFF 共 64K 字节。这里有一点大家要明白，片内 RAM 和片外 RAM 的地址不是连起来的，片内是从 0x00 开始，片外也是从 0x0000 开始的。还有一点，片内和片外这两个名词来自于早期的 51 单片机，分别指在芯片内部和芯片外部，但现在几乎所有的 51 单片机芯片内部都是集成了片外 RAM 的，而真正的芯片外扩展则很少用到了，虽然芯片内部的，我们的 STC89C52 就是这样。以下是几个 Keil C51 语言中的关键字，代表了 RAM 不同区域的划分，大家先记一下。
前边介绍单片机资源的时候，我们提到过 STC89C52 共有 512 字节的 RAM，是用来保存数据的，比如我们定义的变量都是直接存在 RAM 里边的。但是单片机的这 512 字节的 RAM在地位上并不都是平等的，而是分块的，块与块之间在物理结构和用法上都是有区别的，因此我们在使用的时候，也要注意一些问题。
对于外部 RAM 来说，使用 pdata 定义的变量存到了外部 RAM 的 0x00~0xFF 的地址范围内，这块地址的访问和 idata 类似，都是用通用寄存器间接寻址，而如果你定义成 xdata，可以访问的范围更广泛，从 0 到 64K 的地址都可以访问到，但是它需要使用 2 个字节寄存器DPTRH 和 DPTRL 来进行间接寻址，速度是最慢的。

第六章MCS-51单片机存储器的扩展

这些SRAM的引脚功能描述如下： A0~An：地址输入线;对6116，n=10;对6264,n=12;其他的类推。 D0~D7：双向数据线； CE：是片选输入线，低电平有效；6264的CS1为高电平，且CE为低电平时才选中该芯片。 WE：写允许信号输入线，低电平有效； OE：读选通信号输入线，低电平有效； VCC：工作电源+5V。 GND：电源地。
程序存储器 E P R O M 的扩展
CPU读取的指令有两种情况：一是不访问数据存储器的指令；二是访问数据存储器的指令。因此，外部程序存储器就有两种操作时序。
外部程序存储器的操作时序
程序存储器 E P R O M 的扩展
外部程序存储器的操作时序
程序存储器 E P R O M 的扩展
程序存储器 E P R O M 的扩展
3.扩展多片EPROM的扩展电路与单片EPROM扩展电路相比，多片EPROM的扩展除片选线CE外，其它均与单片扩展电路相同。图中给出了利用27128扩展64k字节 EPROM程序存储器的方法。片选信号由译码选通法产生。
程序存储器 E P R O M 的扩展
所谓总线，就是连接系统中各扩展部件的一组公共信号线。按其功能通常把系统总线分为三组：即地址总线、数据总线和控制总线。
1. 地址总线（Address Bus）地址总线用于传送单片机送出的地址信号，以便进行存储单元和I/O端口的选择。地址总线的数目决定着可直接访问的存储单元的数目。例如n位地址，可产生2n 个连续地址编码，因此可访问2n个存储单元，即通常所说的寻址范围为2n地址单元。MCS51单片机存储器扩展最多可达64kB，即216地址单元，因此，最多可需16位地址线。这16根地址线是由P0口和P2口构建的，其中P0