常用场效应管参数
场效应管参数大全
场效应管参数大全场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种重要的半导体器件，在现代电子技术中应用广泛。
场效应管是由金属氧化物半导体场效应管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，简称MOSFET）和绝缘栅场效应管（Insulated Gate Field Effect Transistor，简称IGFET）两种类型组成，它们具有不同的结构和工作原理，但共同具备一些重要的参数。
下面将对这些参数进行详细介绍。
1. 阈值电压（Threshold Voltage）：阈值电压是指场效应管在栅电压达到一定值时，源极-漏极之间形成导通的电压。
它决定了场效应管是否开启。
2. 饱和电流（Saturation Current）：饱和电流是指场效应管在工作时，当栅电压接近阈值电压时，漏极-源极电压达到最小值的电流。
饱和电流对于场效应管的工作状态和性能都具有重要影响。
3. 最大漏极电流（Maximum Drain Current）：最大漏极电流是指场效应管能够承受的最大漏极电流，超过该值可能会导致管子损坏。
4. 最大漏极-源极电压（Maximum Drain-Source Voltage）：最大漏极-源极电压是指场效应管能够承受的最大漏极-源极电压，超过该值可能会导致管子损坏。
5. 输入电容（Input Capacitance）：输入电容是指场效应管输入端与接地之间的电容，它对应着场效应管的输入阻抗，越小表示输入阻抗越大。
6. 输出电容（Output Capacitance）：输出电容是指场效应管输出端与接地之间的电容，它对应着场效应管的输出阻抗，越小表示输出阻抗越小。
7. 漏极电流增益（Transconductance）：漏极电流增益是指场效应管输出电流对输入电压变化的响应程度，它表示了场效应管的放大能力。
8. 寄生二极管（Parasitic Diode）：寄生二极管是指场效应管结构中由于材料和工艺的限制而产生的额外二极管。
常用场效应管参数大全
常用场效应管参数大全场效应管（MOSFET）是一种常用的电子器件，广泛应用于各种电路中。
了解场效应管的参数对于正确选用和应用场效应管非常重要。
下面是一些常用的场效应管参数的介绍：1.电荷参数：- 输入电容（Ciss）：指在恒定的源极电压下，栅源电压从0V变化到开启电压时，输入的电荷。
一般情况下，输入电容越小，开关速度越快。
- 输出电容（Coss）：指在恒定的栅源电压下，漏源电压从0V变化到开启电压时，可以作用在漏极电容上的输出电荷。
输出电容越小，开关性能越好。
2.静态电流参数：-偏置电流（IDSS）：指在恒定的栅源电压下，漏源电压为零时，漏极的电流。
偏置电流越大，MOSFET的放大能力越强。
- 截止电流（ID(off)）：指在恒定的栅极电压下，当漏极开路时，导通电流的下限。
3.动态电流参数：- 开关时间（ton和toff）：指从栅源电压达到开启电压到漏源电压达到截止电压的时间。
开关时间越短，场效应管的开关速度越快。
- 开关过渡时间（tr和tf）：指从栅源电压从10%到90%或90%到10%的转换时间。
开关过渡时间越短，场效应管的切换速度越快。
4.饱和区电流参数：- 饱和漏源电流（ID(on)）：指在恒定的栅极电压下，当漏极电压达到饱和时，漏极的电流。
- 饱和压降（VDSat）：指在饱和状态下，漏极电压和源极电压之间的电压降。
5.开关特性参数：- 截止电压（VGS(off)）：指在恒定的源极电压下，栅源电压为零时，漏源电压的电压降。
- 开启电压（VGS(th)）：指在恒定的源极电压下，漏源电压达到截止电压时的栅源电压。
6.热特性参数：-热阻（θJA）：指导热回路中的芯片与环境之间的热阻，表示芯片散热的能力。
- 最大结温（TJmax）：指芯片能够承受的最高结温。
超过最大结温可能会损坏场效应管。
以上是一些常用的场效应管参数的介绍。
了解这些参数可以帮助我们选择和应用场效应管。
在实际应用中，我们通常根据具体的需求和电路要求来选择合适的场效应管，以保证电路性能的稳定和高效。
场效应管参数大全
场效应管参数大全百度空间无限的未知真心真诚理解真情永恒K2645: 600V,1.2Ω,9A,50WK2141: 600V,1.1Ω,6A,35WK3326: 500V,0.85Ω,10A,40WK1388: 30V,0.022Ω,35A,60WK1101: 450V,0.5Ω,10A,50WK1507: 9A 600V2SK1537 N-FET 900V 5A 100WK2045 600V, 6A , 35W 。
代K1404, K2101, 2SK2118。
K1118,K2645,K2564,K2545,K1507,K2761,K1117,K2333代k214107N03L 30V 80A 150W N10N20 10A 200V N 沟道MOS管10N60 10A 600V11N80 11A 800V 156W11P06 60V 9.4A P沟道直插13N60 13A 600V N 沟道15N03L 30V 42A 83W N2N7000 60V 0.2A 0.35W N2N7000 60V 0.2A 0.35W N40N03H 30V 40A N4232 内含P沟道,N沟道MOS管各一,4532M 内含P沟道,N沟道MOS管各一,50N03L(SD 30V 47A 50W N 沟道小贴片MOS55N03 25V 55A 103W5N90 5A 900V5P25 250V 5A6030LX 30V 52A 42W N603AL 30V 25A 60W N 沟道小贴片MOS6A60 600V 6A N6N70 700V 6A N6P25 250V 6A70L0270N06 70A 60V 125W7N60 600V 7A N,铁7N70 7A 700V85L028N25 250V ,8A ,同IRF63495N03 25V 75A 125W9916H 18V 35A 58W 小贴片，全新9N60 9A 600V9N70 9A 700VAF4502CS 内含P沟道，N沟道MOS管各一A04403 30V 6.1A 单P沟道 8脚贴片A04404 30V 8.5A 单N沟道 8脚贴片A04405 30V 6A 3W 单P沟道8脚贴片A04406 30V,11.5A,单N沟道,8脚贴A04407 30V 12A 3W 单P沟道,8脚贴片A04407 30V 12A 3W 单P沟道,8脚贴片A04408 30V 12A 单N沟道,8脚贴片A04409 30V 15A P沟道场效应,8脚A04410 30V 18A 单N沟道8脚贴片A04411 30V 8A 3W P沟道场效应,8脚A04413 30V 15A 3W 单P沟道,8脚贴片A04413 30V 15A 3W 单P沟道,8脚贴片A04414 30V,8.5A,3WM 单N沟道，8脚A04418 30V 11.5A N沟道8脚贴片A04422 30V 11A N 沟道 8脚贴片A04423 30V 15A 3.1W 单P沟道,8脚贴A04600 内含P沟道，N沟道MOS管各一A0D405 30V，18A，P高压板MOS管贴A0D408 30V，18A，P高压板MOS管贴A0D409 60V 26/18A P 高压板MOS 管贴A0D409 60V 26/18A P 高压板MOS 管贴A0D420 30V,10A,N高压板MOS管贴A0D442 60V，38/27A，N 高压板MOS管贴A0D442 60V38/27A,N高压板MOS管贴A0D444 60V,12A,N 高压板MOS管贴A0P600 内含P,N沟道各1,30V 7.5AA0P605 内含P,N沟道各1,30V 7.5AA0P607 内含P、N沟道各1，60V 4。
常用场效应管和晶体管全参数大全
常用场效应管和晶体管全参数大全1.常用场效应管参数：(1)静态参数：a.离子阱截止电压（Vp）：指在栅极-源极电压为零时，漏极电流为零的栅极-源极电压。
b. 饱和漏极电流（Idss）：指在栅极-源极电压为零时，漏极电流的最大值。
c. 调整电压（Vto）：指在栅极与源极间电压为零时，栅极与源极间的电流。
d. 输入电容（Ciss）：指当栅极-源极电压为零时，栅极之间的电容。
e. 输出电容（Coss）：指当栅极-源极电压为零时，漏极之间的电容。
f. 反馈电容（Crss）：指当栅极-源极电压为零时，栅极与漏极之间的电容。
(2)动态参数：a.输入电导（Gm）：指在栅极-源极电压为零时，漏极电流与栅极-源极电压之比。
b. 输入电阻（Rin）：指在栅极-源极电压为零时，输入电阻的值。
c. 输出电导（Gds）：指在栅极-源极电压为零时，漏极电流与漏极电压之比。
d. 输出电阻（Rout）：指在栅极-源极电压为零时，输出电阻的值。
e. 转封闭电压（Breakdown Voltage）：指在栅极-源极电压为零时，输出特性曲线开始变弯的电压。
2.晶体管参数：(1)静态参数：a. 饱和电压（Vce）：指在负载线上工作时，集电极与发射极之间的电压。
b.饱和电流（Ic）：指在负载线上工作时，通过集电极的电流。
c. 漏电流（Iceo）：指在基极与集电极之间断开时，通过集电极的漏电流。
d. 输入电容（Cib）：指输入电容的值。
e. 输出电容（Cob）：指输出电容的值。
(2)动态参数：a. 横向混频增益（hfe）：指输入电流与输出电流之比。
b. 纵向封闭电流放大因数（hie）：指基极-发射极之间的电阻。
c.输出电流（Ib）：指基极电流。
d. 纵向式封闭输出电阻（hre）：指输出电流与输入电流之比。
值得一提的是，晶体管比场效应管多一种参数：工作频率。
此参数指示了晶体管在给定频率下的性能。
这些是常见的场效应管和晶体管的主要参数。
不同的型号和规格的场效应管和晶体管可能会有其他额外的参数依赖于具体应用和要求。
最实用的场效应管参数
最实用的场效应管参数场效应管是一种重要的半导体器件，广泛应用于电子电路中，具有许多实用的参数。
本文将详细介绍场效应管的一些最实用的参数。
1. 阈值电压（Vth）：阈值电压是指在场效应管工作时，控制栅极电压与源极电压之间的差值，当栅极电压超过阈值电压时，场效应管开始导通。
阈值电压是评估场效应管导通特性的重要指标，对于电路设计和选型具有重要意义。
2. 最大漏源电压（VDSmax）：最大漏源电压是指场效应管可以承受的最高电压，超过该电压会导致场效应管击穿，失去正常工作状态。
在实际应用中，需要确保电路中的电压不会超过场效应管的最大漏源电压。
3. 最大漏极电流（IDmax）：最大漏极电流是指场效应管可以承受的最高电流，超过该电流会导致场效应管过载，失去正常工作状态。
在电路设计中需要确保电路中的电流不会超过场效应管的最大漏极电流。
4.开关速度：场效应管的开关速度是指场效应管从关断到导通或从导通到关断的时间，开关速度影响着场效应管在高频电路中的应用。
开关速度较快的场效应管适用于高频电路，而开关速度较慢的场效应管适用于低频电路。
5. 输出电导（gm）：输出电导是指场效应管输出特性曲线上的斜率，表示场效应管的放大效果。
输出电导越大，说明场效应管具有更好的放大效果，适用于放大电路。
6. 输入电容（Ciss）：输入电容是指场效应管输入端电容的总和，包括栅极到源极电容和栅极到漏极电容。
输入电容影响着场效应管对输入信号的响应速度，输入电容越大，响应速度越慢。
7. 输出电容（Coss）：输出电容是指场效应管输出端电容，包括漏极到源极电容和漏极到栅极电容。
输出电容影响着场效应管的输出特性，输出电容越大，输出特性越不稳定。
8. 开启电压（VGSth）：开启电压是指场效应管开始导通时，栅极电压与源极电压之间的差值。
开启电压越小，场效应管的导通能力越强。
9. 内部电阻（Ron）：内部电阻是指场效应管导通时，漏源之间的电阻。
内部电阻越小，场效应管导通时的功耗越小。
常用场效应管参数大全
常用场效应管参数大全型号材料管脚用途参数3DJ 6NJ 低频放大20V0.35MA0.1W4405/R95242E3C NMOS GDS 开关600V11A150W0.362SJ117 PMOS GDS 音频功放开关400V2A40W2SJ118 PMOS GDS 高速功放开关140V8A100W50/70nS0.52SJ122 PMOS GDS 高速功放开关60V10A50W60/100nS0.152SJ136 PMOS GDS 高速功放开关60V12A40W 70/165nS0.32SJ143 PMOS GDS 功放开关60V16A35W90/180nS0.0352SJ172 PMOS GDS 激励60V10A40W73/275nS0.182SJ175 PMOS GDS 激励60V10A25W73/275nS0.182SJ177 PMOS GDS 激励60V20A35W140/580nS0.0852SJ201 PMOS n2SJ306 PMOS GDS 激励60V14A40W30/120nS0.122SJ312 PMOS GDS 激励60V14A40W30/120nS0.122SK30 NJ SDG 低放音频50V0.5mA0.1W0.5dB2SK30A NJ SDG 低放低噪音频50V0.3-6.5mA0.1W0.5dB2SK108 NJ SGD 音频激励开关50V1-12mA0.3W70 1DB2SK118 NJ SGD 音频话筒放大50V0.01A0.1W0.5dB2SK168 NJ GSD 高频放大30V0.01A0.2W100MHz1.7dB2SK192 NJ DSG 高频低噪放大18V12-24mA0.2W100MHz1.8dB 2SK193 NJ GSD 高频低噪放大20V0.5-8mA0.25W100MHz3dB2SK214 NMOS GSD 高频高速开关160V0.5A30W2SK241 NMOS DSG 高频放大20V0.03A0.2W100MHz1.7dB2SK304 NJ GSD 音频功放30V0.6-12mA0.15W2SK385 NMOS GDS 高速开关400V10A120W100/140nS0.62SK386 NMOS GDS 高速开关450V10A120W100/140nS0.72SK413 NMOS GDS 高速功放开关140V8A100W0.5 (2SJ118) 2SK423 NMOS SDG 高速开关100V0.5A0.9W4.52SK428 NMOS GDS 高速开关60V10A50W45/65NS0.152SK447 NMOS SDG 高速低噪开关250V15A150W0.24可驱电机2SK511 NMOS SDG 高速功放开关250V0.3A8W5.02SK534 NMOS GDS 高速开关800V5A100W4.02SK539 NMOS GDS 开关900V5A150W2.52SK560 NMOS GDS 高速开关500V15A100W0.42SK623 NMOS GDS 高速开关250V20A120W0.152SK727 NMOS GDS 电源开关900V5A125W110/420nS2.52SK734 NMOS GDS 电源开关450V15A150W160/250nS0.522SK785 NMOS GDS 电源开关500V20A150W105/240nS0.42SK787 NMOS GDS 高速开关900V8A150W95/240nS1.62SK790 NMOS GDS 高速功放开关500V15A150W0.4 可驱电机2SK791 NMOS GDS 电源功放开关850V3A100W4.5 可驱电机2SK794 NMOS GDS 电源开关900V5A150W2.5 可驱电机2SK817 NMOS GDS 电源开关60V26A35W40/230nS0.0552SK832 NMOS GDS 高速开关900V4A85W55/100nS4.02SK899 NMOS GDS 功放开关500V18A125W130/440nS0.33 2SK962 NMOS GDS 电源开关900V8A150W280/460nS2.02SK940 NMOS SDG 激励.驱动60V0.8A0.9W0.55螺线管驱动2SK1007 NMOS GDS 功放开关450V5A60W60/130nS1.62SK1010 NMOS GDS 高速开关500V6A80W70/130nS1.62SK1011 NMOS GDS 高速开关450V10A100W110/240nS0.65 2SK1012 NMOS GDS 高速开关500V10A100W110/240nS0.9 2SK1015 NMOS GDS 功放开关450V18A125W170/230nS0.45 2SK1016 NMOS GDS 电源开关500V15A125W170/230nS0.55 2SK1017 NMOS GDS 电源开关500V20A150W250/490nS0.35 2SK1019 NMOS GDS 电源开关450V35A300W360/900nS0.2 2SK1020 NMOS GDS 电源开关500V30A300W360/900nS0.25 2SK1060 NMOS GDS 功放开关100V5A20W50/140nS0.272SK1081 NMOS GDS 激励,驱动800V7A125W 145/250nS2.2 2SK1082 NMOS GDS 激励,驱动900V8A125W 145/250nS2.8 2SK1094 NMOS GDS 激励,驱动60V15A25W80/300nS0.065 2SK1101 NMOS GDS 功放开关450V10A50W165/360nS0.65 2SK1117 NMOS GDS 电源开关600V6A100W1.252SK1118 NMOS GDS 电源开关600V6A45W65/105nSD1.25 2SK1119 NMOS GDS 电源开关1000V4A100W3.82SK1120 NMOS GDS 电源开关1000V8A150W1.82SK1161 NMOS GDS 电源开关450V10A100W75/135nS0.82SK1170 NMOS GDS 电源开关500V20A120W147/290nS0.27 2SK1180 NMOS GDS 投影机用500V10A85W60/40nS0.62SK1195 NMOS GDS 电梯用230V1.5A10W37/100nS2SK1198 NMOS GDS 高速开关700V2A35W20/80nS3.22SK1217 NMOS GDS 电源开关90V8A100W280/460nS2.02SK1221 NMOS GDS 电源开关250V10A80W60/150nS0.42SK1247 NMOS GDS 电源开关500V5A30W50/90nS1.42SK1250 NMOS GDS 开关-感性500V20A150W130/260nS0.35 2SK1254 NMOS GDS 低噪放大120V3A20W25/195nS0.42SK1271 NMOS GDS 功放开关1400V5A240W55/260nS4.02SK1272 NMOS GDS 高速开关60V1A0.75W50/500nS0.652SK1329 NMOS GDS 电源开关500V12A60W90/180nS0.62SK1358 NMOS GDS 电源开关900V9A150W65/120nS1.42SK1374 NMOS 贴片50V50mA0.15W0.2US/0.2US502SK1379 NMOS GDS 激励, 开关60V50A150W78/640nS0.017 2SK1387 NMOS GDS 激励, 开关60V35A40W66/500nS0.035 2SK1388 NMOS GDS 激励, 开关30V35A60W125/480nS0.022 2SK1419 NMOS GDS 高速开关60V15A25W55/150nS0.082SK1445 NMOS GDS 高速开关450V5A30W45/175nS1.42SK1459 NMOS GDS 高速开关900V2.5A30W40/160nS6.02SK1460 NMOS GDS 高速开关900V3.5A40W50/265nS3.62SK1463 NMOS GDS 高速开关900V4.5A60W50/265nS3.62SK1482 NMOS GDS 开关功放低噪30V1.5A0.75W65/660nS4.5 2SK1507 NMOS GDS 高速开关600V9A50W110/240nS1.02SK1535 NMOS GDS 通用900V3A30W45/110nS5.02SK1537 NMOS GDS 通用900V5A100W65/145nS3.02SK1540 NMOS GDS 变频开关功放450V7A60W70/135nS0.82SK1544 NMOS GDS 变频开关功放500V25A200W240/590S0.2 2SK1547 NMOS GDS 开关800V4A40W95/170nS4.52SK1567 NMOS GDS 电源开关500V7A35W70/135nS0.92SK1611 NMOS GDS 电源开关800V3A50W40/135nS4.02SK1681 NMOS GDS 电源开关500V30A300W180/320nS0.352SK1745 NMOS GDS 激励, 开关500V18A150W120/210nS0.36 2SK1794 NMOS GDS 电源激励开关900V6A100W50/105nS2.8 2SK1796 NMOS GDS 功放开关900V10A150W90/230nS1.22SK1850 NMOS GDS 开关电机驱动60V10A1.8W110/360nS0.07 2SK1916 NMOS GDS 开关电源用450V18A80W170/33nS0.452SK1937 NMOS GDS 开关UPS用500V15A125W100/230nS0.48 2SK1985 NMOS GDS 开关UPS用900V5A50W35/105nS2.82SK2039 NMOS GDS 电源开关900V5A150W 70/210nS2.52SK2040 NMOS GDS 电源开关600V2A20W 11/45nS52SK2082 NMOS GDS 开关UPS用900V9A150W 85/210nS1.40 2SK2101 NMOS GDS 电源开关800V6A50W 50/130nS2.12SK2141 NMOS GDS 传动驱动600V6A35W 30/880nS1.12SK2147 NMOS GDS 开关UPS用900V6A80W 145/250nS2.8 2SK2161 NMOS SDG 高速开关200V9A25W 27/255nS0.452SK2189 NMOS GDS 高速开关500V10A70W 70/400nS1.02SK2485 NMOS GDS 监视器用电源900V6A100W 30/85 nS 2.80 2SK2487 NMOS GDS 监视器用电源900V8A140W 50/153nS1.1 2SK2611 NMOS GDS 监视器用电源900V9A150W2SK2645 NMOS GDS 监视器用电源500V15A125W2SK4847 NMOS GDS 电源开关100V36125W0.083SK103 NMOS gGDS 高频放大15V0.02A0.2W900MHz3SK122 NMOS gGDS 高频放大20V7-25mA0.2W200MHz1.2dB BS170 NMOS 60V0.3A0.63W12/12nS5.0BUZ11A NMOS GDS 开关50V25A75W60/110nS0.055BUZ20 NMOS GDS 功放开关100V12A75W75/80nSFS3KM NMOS GDS 高速开关500V3A30W23/60nS4.4FS5KM NMOS GDS 高速开关900V3A53W50/190nS4.FS7KM NMOS GDS 高速开关900V5A50W35/105nS2.8FS10KM NMOS GDS 高速开关FS12KM NMOS GDS 高速开关250V12A35W53/120nS0.40FS7SM-16 NMOS GDS 高速开关800V7A150W1.6H120N60 NMOS GDS 开关600V120AIRF130(铁)NMOS GDS 功放开关100V14A79W75/45nS0.16IRF250(铁)NMOS GDS 功放开关200V9A75W50/40nS0.4 IRF440(铁)NMOS GDS 功放开关500V8A125W35/30nS0.85 IRF450(铁)NMOS GDS 功放开关500V13A125W66/60nS0.4 IRF460(铁)NMOS GDS 功放开关500V13A125W66/60nS0.4 IRF530 NMOS GDS 功放开关100V14A79W51/36nS0.18 IRF540 NMOS GDS 功放开关100V28A150W110/75nS0.077 IRF541 NMOS GDS 功放开关80V28A150W110/75nS0.077 IRF610 NMOS GDS 功放开关200V3.3A43W26/13nS1.5 IRF630 NMOS GDS 功放开关200V9A75W50/40nS0.4IRF640 NMOS GDS 功放开关200V18A125W77/54nS0.18 IRF720 NMOS GDS 功放开关400V3.3A50W21/20nS1.8 IRF730 NMOS GDS 功放开关400V5.5A75W29/24nS1.0 IRF740 NMOS GDS 功放开关400V10A125W41/36nS0.55 IRF830 NMOS GDS 功放开关500V4.5A75W23/23nS1.5 IRF840 NMOS GDS 功放开关500V8A125W35/33nS0.85 IRF9530 PMOS GDS 功放开关100V12A75W140/140nS0.4 IRF9531 PMOS GDS 功放开关60V12A75W140/140S0.3 IRF9541 PMOS GDS 功放开关60V19A125W140/141nS0.2 IRF9610 PMOS GDS 功放开关200V1A20W25/15nS2.3IRF9630 PMOS GDS 功放开关200V6.5A75W100/80nS0.8 IRFS9630 PMOS GDS 功放开关200V6.5A75W100/80nS0.8IRFBC30 NMOS GDS 功放开关600V3.6A74W20/21nS2.2 IRFBC40 NMOS GDS 功放开关600V6.2A125W27/30nS1.2 IRFBE30 NMOS GDS 功放开关800V2.8A75W15/30nS3.5 IRFD120 NMOS 功放开关100V1.3A1W70/70nS0.3IRFD123 NMOS 功放开关80V1.1A1W70/70nS0.3IRFI730 NMOS GDS 功放开关400V4A32W1.0IRFI744 NMOS GDS 功放开关400V4A32W1.0IRFP054 NMOS GDS 功放开关60V65A180W0.022IRFP140 NMOS GDS 功放开关100V29150W0.85IRFP150 NMOS GDS 功放开关100V40A180W210/140nS0.55 IRFP240 NMOS GDS 功放开关200V19A150W0.18IRFP250 NMOS GDS 功放开关200V33A180W180/120nS0.08 IRFP340 NMOS GDS 功放开关400V10A150W0.55IRFP350 NMOS GDS 功放开关400V16A180W77/71nS0.3 IRFP353 NMOS GDS 功放开关350V14A180W77/71XnS0.4 IRFP360 NMOS GDS 功放开关400V23A250W140/99nS0.2 IRFP440 NMOS GDS 功放开关500V8.1A150W0.85IRFP450 NMOS GDS 功放开关500V14A180W66/60nS0.4 IRFP460 NMOS GDS 功放开关500V20A250W120/98nS0.27 IRFP9140 PMOS GDS 功放开关100V19A150W100/70nS0.2 IRFP9150 PMOS GDS 功放开关100V25A150W160/70nS0.2IRFPF40 NMOS GDS 功放开关900V4.7A150W2.5IRFPG42 NMOS GDS 功放开关1000V3.9A150W4.2IRFPZ44 NMOS GDS 功放开关1000V3.9A150W4.2 ******* IRFU020 NMOS GDS 功放开关50V15A42W83/39nS0.1IXGH20N60ANMOS GDS 600V20A150WIXGFH26N50NMOS GDS 500V26A300W0.3IXGH30N60ANMOS GDS 600V30A200WIXGH60N60ANMOS GDS 600V60A250WIXTP2P50 PMOS GDS 功放开关500V2A75W5.5 代J117J177 PMOS SDG 开关30V1.5mA0.35WM75N06 NMOS GDS 音频功放开关60V75A120WMTH8N100 NMOS GDS 功放开关1000V8A180W175/180nS1.8 MTH10N80 NMOS GDS 功放开关800V10A150WMTM30N50 NMOS 功放开关(铁)500V30A250WMTM55N10 NMOS GDS 功放开关(铁)100V55A250W350/400nS0.04MTP27N10 NMOS GDS 功放开关100V27A125W0.05MTP2955 PMOS GDS 功放开关60V12A75W75/50nS0.3MTP3055 NMOS GDS 功放开关60V12A75W75/50nS0.3MTP40N06 NMOS GDS 功放开关(双)60V40A150W/70nS0.3 MTW20N50 NMOS GDS 功放开关500V20A250W0.27RFP50N02 NMOS GDS 功放开关50V20ARFP50N05 NMOS GDS 功放开关50V50A132W55/15nS0.022 RFP50N06 NMOS GDS 功放开关60V50A145W55/15nS0.022 RFP6N60 NMOS GDS 功放开关600V6A75W80/100nS1.50RFP60N06 NMOS GDS 功放开关60V60A120W50/15nS0.03 RFP70N06 NMOS GDS 功放开关60V70A150WSMP50N06 NMOS GDS 功放开关50V60A125W50nS0.026SMP60N06NMOSG功放开关60V60A125W50nS0.023RFP50N05 NMOS GDS 功放开关50V50A132W55/15nS0.022SMP50N06 NMOS GDS 功放开关50V60A125W50nS0.026SMP60N06 NMOS GDS 功放开关60V60A125W50nS0.02SMW11N20 NMOS GDS 功放开关200V11A150WSMW11P20 PMOS GDS 功放开关200V11A150WSMW20N10 NMOS GDS 功放开关100V20A150WSMW20N10 PMOS GDS 功放开关100V20A150WSSH7N90 NMOS GDS 高速电源开关900V7A150WSSP6N60 NMOS GDS 高速电源开关600V6A150WSSP5N90 NMOS GDS 高速电源开关900V5A125WSSP7N80 NMOS GDS 高速电源开关800V7A75WSUP75N06 NMOS GDS 功放开关60V75A125W0.05W12NA50W NMOS GDS 功放开关50V12A150W300/600nSGT15Q101 NMOS GDS IGBT 1400V15A150WGT25J101 NMOS GDS IGBT 800V25A150WGT25Q101 NMOS GDS IGBT 1400V25A180WGT40T101 NMOS GDS IGBT 1500V40A300WGT60M103 NMOS GDS IGBT 900V60A300WGT60M301 NMOS GDS IGBT 900V60A300WIMBH60 NMOS GDS-100 IGBT 1000V60A300WIMBH60D NMOS GDS-100 IGBT 1000V60A300W(带阻) SDT3055 NMOS GDSTSD45N50V NMOS 场效应模块500V45A400WTN2460L35N120 1200V35A250WEXB841 IGBT驱动BUZ111S NMOS GDS 55V 80A。
场效应管的主要参数
场效应管的主要参数场效应管是一种晶体管，也称为FET（Field Effect Transistor）。
与双极晶体管（BJT）相比，场效应管具有许多优点，例如高输入阻抗，低噪声，以及高分辨率输入电压等。
主要参数：1. 阈值电压（Vth）：阈值电压是场效应管工作的一个关键参数。
它表示当输入电压小于该值时，场效应管处于截止区，不导电。
当输入电压大于阈值电压时，场效应管进入饱和区或线性区，开始导通。
2. 饱和电流（Idsat）：饱和电流是指当场效应管工作在饱和区时，通过漏极-源极的电流。
饱和电流取决于场效应管的尺寸和工作电压。
3. 负漏极导纳（Yfs）：负漏极导纳是指场效应管的输入导纳，也称为转导。
它表示单位漏极-源极电压变化时，漏极-源极电流的变化量。
负漏极导纳可以决定输出电流与输入电压的比例关系。
4. 输入电阻（Rin）：输入电阻是指场效应管的输入端电压与输入端电流之间的比值。
由于场效应管的输入电流很小，因此输入电阻较高，可以使得场效应管适用于高阻抗输入的电路。
5. 输出电导（Gds）：输出电导是指场效应管的输出导纳，也称为转导。
它表示单位漏极-源极电压变化时，漏极-源极电流的变化量。
输出电导可以决定输出电流与漏极-源极电压的比例关系。
6.噪声系数（NF）：噪声系数表示场效应管引入的噪声对输入信号的影响程度。
一般来说，噪声系数越低，性能越好。
7. 压控电阻（rDS(on)）：压控电阻表示当场效应管处于线性区时，漏极-源极电阻的大小。
压控电阻越小，漏极-源极电压对漏极-源极电流的影响就越小。
压控电阻与输入电压有关，可以在一定范围内调节。
8.带宽（BW）：带宽是指场效应管工作的频率范围。
带宽可以决定场效应管在不同频率下工作的能力。
9.温度稳定性：温度稳定性是指场效应管在不同温度下的性能变化。
温度稳定性越好，场效应管在不同温度下的性能变化越小。
总结：。
常用部分场效应管型号用途参数
常用部分场效应管型号用途参数场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种利用电子场的作用控制电流的半导体元件。
常用的场效应管型号有MOSFET和JFET，它们在电子电路中广泛应用。
下面将介绍几种常用的场效应管型号及其用途和参数。
1.N沟道MOS场效应管（NMOS）NMOS是最早出现的一种场效应管，通过在P型衬底上形成N型沟道来控制电流。
NMOS在低电压和低功率电子电路中广泛应用。
它具有低开关损耗、高通道导电度等特点。
常用的NMOS型号有2N7000、IRF540等。
这些型号的参数一般包括最大漏源电压（VDS）、最大漏极电流（ID）、演化速度等。
2.P沟道MOS场效应管（PMOS）PMOS是通过在N型衬底上形成P型沟道来控制电流的。
PMOS比NMOS具有更高的开关损耗和较低的通道导电度。
它主要应用于部分数值逻辑电路和模拟信号放大电路。
常用的PMOS型号有IRF9520、IRF630等。
这些型号的参数包括最大漏源电压（VDS）、最大漏极电流（ID）、演化速度等。
3.绝缘栅双极MOS场效应管（IGBT）IGBT是一种高压、大功率开关器件，适用于需要控制高电流和高电压的电路。
它结合了MOS场效应管和双极晶体管的优点，具有低漏电流、低导通压降等特点。
常用的IGBT型号有IRFP4668、IRFP460等。
这些型号的参数包括最大漏源电压（VDS）、最大漏极电流（ID）、演化速度等。
4.JFET场效应管JFET是一种通过调节源漏电流，改变沟道导电性的场效应管。
它具有低噪声、高输入电阻等特点，适用于放大和开关电路。
常用的N型JFET型号有2N3819、J113等，P型JFET型号有J310、BF245等。
这些型号的参数包括最大漏极电流（IDSS）、截止电压（VGS(off)）等。
全系列常用场效应管参数大全
全系列常用场效应管参数大全场效应管是一种主要用于放大和开关电路的电子元器件，具有众多的参数。
以下是常用的场效应管参数：1.静态特性参数：(1) 阈值电压（Vth）：场效应管的控制电压，使得其导通或截止的电压值。
(2) 静态漏源电流（Idss）：当栅极电压为零时，漏极电流的最大值。
(3)鼓励因子（μ）：增强型场效应管的漏源电流与栅极电流之比。
2.动态特性参数：(1) 输入电容（Ciss）：输入端的电容值，是栅极与源极之间的电容。
(2) 输出电容（Coss）：输出端的电容值，是漏极与源极之间的电容。
(3) 反馈电容（Crss）：栅极与漏极之间的电容。
(4) 压摆率（Slew Rate）：指场效应管的输出电压在单位时间内的变化速率。
(5) 开关时间（Turn-on/off Time）：指将场效应管从导通状态切换到截止状态或从截止状态切换到导通状态所需的时间。
(6) 最大工作频率（fmax）：指场效应管的最大可靠工作频率。
(7) 功耗（Power Dissipation）：指场效应管在单位时间内消耗的电功率。
3.温度特性参数：(1) 热阻（Thermal Resistance）：指场效应管的散热能力。
(2) 温度系数（Temperature Coefficient）：指场效应管的电性能随温度变化的程度。
(3)工作温度范围：指场效应管能够正常工作的温度范围。
4.包装特性参数：(1)封装类型：常见的封装类型有TO-92、TO-220、SOT-23等。
(2)引脚布局：指场效应管引脚的排列方式。
5.其他特性参数：(1) 最大电压（Maximum Voltage）：指场效应管能够承受的最大电压。
(2) 最大电流（Maximum Current）：指场效应管能够承受的最大电流。
(3) 开关能力（Switching Capability）：指场效应管切换时的能力，包括开关速度和能量转移等方面。
以上是常用的场效应管参数，不同型号的场效应管具有不同的参数范围和性能，使用时需要根据实际需求选择合适的型号。
常用功率场效应管参数大全
常用功率场效应管参数大全1. 正向漏源电流（IDss）：指在栅源电压(VGS=0)时，漏源间的电流。
单位为毫安（mA）。
正值表示N型场效应管存在正向导通，负值表示P型场效应管存在正向导通。
2.静态漏源电流（ID）：指在给定的栅源电压和漏源电压下，漏源间的电流。
单位为毫安（mA）。
3.静态栅源电压（VGS）：指在漏源电流为静态电流时，栅极与源极之间的电压。
单位为伏特（V）。
4.漏源电阻（RD）：指在给定的栅源电压和漏源电流下，漏源电阻的大小。
单位为欧姆（Ω）。
5.输出电导（GOUT）：指场效应管的输出电导，即输出电流与输出电压之比。
单位为毫秒（mS）。
6.压降（VDS）：指在漏源电流为给定值时，漏源电压与源极电压之间的差值。
单位为伏特（V）。
7. 阻抗（Zin）：指场效应管的输入阻抗。
单位为欧姆（Ω）。
8.增益（Av）：指场效应管的电压增益，即输出电压与输入电压之比。
9. 开关时间（ts, td）：指场效应管的开关时间，即从输入信号出现到场效应管从导通到截止（或反之）所经历的时间。
单位为纳秒（ns）。
10. 阈值电压（Vth）：指当栅极电压与源极电压之差等于阈值电压时，场效应管开始导通。
单位为伏特（V）。
11.温度系数（TC）：指场效应管的温度特性，即在不同温度下，场效应管的电性能随温度变化的程度。
12.最大耗散功率（PD）：指场效应管能够承受的最大功耗。
单位为瓦特（W）。
13.工作温度（TJ）：指场效应管的工作温度范围，即场效应管能够正常工作的温度区间。
14. 漏源电容（Cgd, Cgs, Cds）：指场效应管的漏源电容。
Cgd为栅极与漏极之间的电容，Cgs为栅极与源极之间的电容，Cds为漏极与源极之间的电容。
15. 存储时间（tsd）：指场效应管在导通状态下，当输入信号消失后，场效应管从导通到截止所经历的时间。
单位为纳秒（ns）。
5000种场效应管参数查询
5000种场效应管参数查询场效应管（Field-effect transistor，简称FET）是一种重要的电子元器件，常用于放大和开关电路中。
根据不同的结构和特性，场效应管有很多不同的类型和型号。
在本文中，我将介绍一些常见的场效应管型号及其参数。
1.MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应管）MOSFET是目前最常见的一种场效应管。
它有三个重要参数：漏极-源极间饱和电压（Vds），漏极电流（Id）和栅极电压（Vgs）。
不同的型号有不同的额定值，比如常见的IRF510型号的Vds为100V，Id为5.6A，Vgs为-20V。
2.JFET（结型场效应管）JFET是另一种常见的场效应管类型。
它也有三个重要参数：漏极-源极间饱和电压（Vds）、漏极电流（Id）和栅极电压（Vgs）。
与MOSFET 不同，JFET的工作原理是根据PN结的导电特性来实现的。
常见的2N3819型号的Vds为25V，Id为10mA，Vgs为-5V。
3.IGBT（绝缘栅双极结型场效应管）IGBT是一种结合了双极晶体管和MOSFET的特点的高功率场效应管。
它的主要参数包括最大漏极-源极间饱和电压（Vce(sat)）、最大漏极电流（Ic）和最大栅极电压（Vge）。
常见的IRG4PC40W型号的Vce(sat)为1.8V，Ic为50A，Vge为20V。
S（沟道型超级结框场效应管）5.MESFET（金属半导体场效应管）以上仅是几种常见的场效应管型号及其参数的简要介绍。
实际上，市面上有成千上万种不同型号的场效应管，每种型号都有其自身的特性和应用领域。
因此，在选择和使用场效应管时，需要根据具体的应用需求和电路设计要求来确定合适的型号和参数。
同时还需要查阅相关的器件手册和数据表，以获取更详细的参数信息。
场效应管的参数
场效应管的参数场效应管（也称为MOSFET）是一种常用的半导体元件，具有高速开关和放大功能。
它是现代电子设备中最重要的元件之一，被广泛应用于各种应用领域，如数字电路、放大器、功率控制器等。
场效应管的参数描述了其性能特点和工作状态，对于设计和选择电路具有重要意义。
以下是常见的场效应管参数的详细介绍。
1. 漏极-源极饱和电压（Vds）：漏极-源极饱和电压是指场效应管工作时，漏极电压和源极电压之间的最大允许值。
超过这个电压将导致场效应管处于饱和状态并损坏。
2. 阈值电压（Vth）：阈值电压是指当栅极电压超过一定值时，场效应管开始导通的电压。
它决定了场效应管的开关特性和工作状态。
3. 输出电导（gds）：输出电导是指场效应管的漏极-源极电流与漏极-源极电压之间的关系。
它反映了场效应管的开关速度和驱动能力，输出电导越大表示场效应管能够提供更大的输出电流。
4. 输入电容（Ciss）：输入电容是指场效应管的栅极-源极电容。
它表示了场效应管输入端的电荷存储和响应能力。
输入电容越大，场效应管对输入信号的响应速度越慢。
5. 输出电容（Coss）：输出电容是指场效应管的漏极-源极电容。
它表示了场效应管输出端的电荷存储和响应能力。
输出电容越大，场效应管的开关速度越慢。
6. 反馈电容（Crss）：反馈电容是指场效应管的栅极-漏极电容。
它表示了场效应管内部反馈电荷的存储和响应能力。
反馈电容越大，场效应管的增益稳定性越好。
7. 直流电流增益（ID）：直流电流增益是指场效应管在工作点处的漏极电流与栅极电流之间的比值。
它反映了场效应管的放大能力和驱动能力。
8. 开通电压（Vgs）：开通电压是指当栅极电压超过一定值时，场效应管完全导通的电压。
它与阈值电压的差值决定了场效应管的工作状态和开关特性。
以上是场效应管常见的重要参数，它们对于电路设计和选择具有重要意义。
了解和熟悉这些参数将有助于合理应用场效应管，实现电路的高性能和稳定工作。
场效应管的主要参数
场效应管的主要参数Idss —饱和漏源电流.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压UGS=0时的漏源电流.Up —夹断电压.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压.Ut —开启电压.是指增强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压.gM —跨导.是表示栅源电压UGS —对漏极电流ID的控制能力,即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值.gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数.BVDS —漏源击穿电压.是指栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压.这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于BVDS.PDSM —最大耗散功率,也是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率.使用时,场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量.IDSM —最大漏源电流.是一项极限参数,是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流.场效应管的工作电流不应超过IDSMCds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-漏电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比（占空系数，外电路参数）di/dt---电流上升率（外电路参数）dv/dt---电压上升率（外电路参数）ID---漏极电流（直流）IDM---漏极脉冲电流ID(on)---通态漏极电流IDQ---静态漏极电流（射频功率管）IDS---漏源电流IDSM---最大漏源电流IDSS---栅-源短路时，漏极电流IDS(sat)---沟道饱和电流（漏源饱和电流）IG---栅极电流（直流）IGF---正向栅电流IGR---反向栅电流IGDO---源极开路时，截止栅电流IGSO---漏极开路时，截止栅电流IGM---栅极脉冲电流IGP---栅极峰值电流IF---二极管正向电流IGSS---漏极短路时截止栅电流IDSS1---对管第一管漏源饱和电流IDSS2---对管第二管漏源饱和电流Iu---衬底电流Ipr---电流脉冲峰值（外电路参数）gfs---正向跨导Gp---功率增益Gps---共源极中和高频功率增益GpG---共栅极中和高频功率增益GPD---共漏极中和高频功率增益ggd---栅漏电导gds---漏源电导K---失调电压温度系数Ku---传输系数L---负载电感（外电路参数）LD---漏极电感Ls---源极电感rDS---漏源电阻rDS(on)---漏源通态电阻rDS(of)---漏源断态电阻rGD---栅漏电阻rGS---栅源电阻Rg---栅极外接电阻（外电路参数）RL---负载电阻（外电路参数）R(th)jc---结壳热阻R(th)ja---结环热阻PD---漏极耗散功率PDM---漏极最大允许耗散功率PIN--输入功率POUT---输出功率PPK---脉冲功率峰值（外电路参数）to(on)---开通延迟时间td(off)---关断延迟时间ti---上升时间ton---开通时间toff---关断时间tf---下降时间trr---反向恢复时间Tj---结温Tjm---最大允许结温Ta---环境温度Tc---管壳温度Tstg---贮成温度VDS---漏源电压（直流）VGS---栅源电压（直流）VGSF--正向栅源电压（直流）VGSR---反向栅源电压（直流）VDD---漏极（直流）电源电压（外电路参数）VGG---栅极（直流）电源电压（外电路参数）Vss---源极（直流）电源电压（外电路参数）VGS(th)---开启电压或阀电压V（BR）DSS---漏源击穿电压V（BR）GSS---漏源短路时栅源击穿电压VDS(on)---漏源通态电压VDS(sat)---漏源饱和电压VGD---栅漏电压（直流）Vsu---源衬底电压（直流）VDu---漏衬底电压（直流）VGu---栅衬底电压（直流）Zo---驱动源内阻η---漏极效率（射频功率管）Vn---噪声电压aID---漏极电流温度系数ards---漏源电阻温度系数[编辑本段]4.结型场效应管的管脚识别:判定栅极G:将万用表拨至R×1k档,用万用表的负极任意接一电极,另一只表笔依次去接触其余的两个极,测其电阻.若两次测得的电阻值近似相等,则负表笔所接触的为栅极,另外两电极为漏极和源极.漏极和源极互换,若两次测出的电阻都很大,则为N沟道;若两次测得的阻值都很小,则为P沟道.判定源极S、漏极D:在源-漏之间有一个PN结,因此根据PN结正、反向电阻存在差异,可识别S 极与D极.用交换表笔法测两次电阻,其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻,此时黑表笔的是S极,红表笔接D极.。
场效应管的主要参数
场效应管的主要参数Idss —饱和漏源电流.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压UGS=0时的漏源电流.Up —夹断电压.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压.Ut —开启电压.是指增强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压.gM —跨导.是表示栅源电压UGS —对漏极电流ID的控制能力,即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值.gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数.BVDS —漏源击穿电压.是指栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压.这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于BVDS.PDSM —最大耗散功率,也是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率.使用时,场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量.IDSM —最大漏源电流.是一项极限参数,是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流.场效应管的工作电流不应超过IDSMCds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-漏电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比（占空系数，外电路参数）di/dt---电流上升率（外电路参数）dv/dt---电压上升率（外电路参数）ID---漏极电流（直流）IDM---漏极脉冲电流ID(on)---通态漏极电流IDQ---静态漏极电流（射频功率管）IDS---漏源电流IDSM---最大漏源电流IDSS---栅-源短路时，漏极电流IDS(sat)---沟道饱和电流（漏源饱和电流）IG---栅极电流（直流）IGF---正向栅电流IGR---反向栅电流IGDO---源极开路时，截止栅电流IGSO---漏极开路时，截止栅电流IGM---栅极脉冲电流IGP---栅极峰值电流IF---二极管正向电流IGSS---漏极短路时截止栅电流IDSS1---对管第一管漏源饱和电流IDSS2---对管第二管漏源饱和电流Iu---衬底电流Ipr---电流脉冲峰值（外电路参数）gfs---正向跨导Gp---功率增益Gps---共源极中和高频功率增益GpG---共栅极中和高频功率增益GPD---共漏极中和高频功率增益ggd---栅漏电导gds---漏源电导K---失调电压温度系数Ku---传输系数L---负载电感（外电路参数）LD---漏极电感Ls---源极电感rDS---漏源电阻rDS(on)---漏源通态电阻rDS(of)---漏源断态电阻rGD---栅漏电阻rGS---栅源电阻Rg---栅极外接电阻（外电路参数）RL---负载电阻（外电路参数）R(th)jc---结壳热阻R(th)ja---结环热阻PD---漏极耗散功率PDM---漏极最大允许耗散功率PIN--输入功率POUT---输出功率PPK---脉冲功率峰值（外电路参数）to(on)---开通延迟时间td(off)---关断延迟时间ti---上升时间ton---开通时间toff---关断时间tf---下降时间trr---反向恢复时间Tj---结温Tjm---最大允许结温T a---环境温度Tc---管壳温度Tstg---贮成温度VDS---漏源电压（直流）VGS---栅源电压（直流）VGSF--正向栅源电压（直流）VGSR---反向栅源电压（直流）VDD---漏极（直流）电源电压（外电路参数）VGG---栅极（直流）电源电压（外电路参数）Vss---源极（直流）电源电压（外电路参数）VGS(th)---开启电压或阀电压V（BR）DSS---漏源击穿电压V（BR）GSS---漏源短路时栅源击穿电压VDS(on)---漏源通态电压VDS(sat)---漏源饱和电压VGD---栅漏电压（直流）Vsu---源衬底电压（直流）VDu---漏衬底电压（直流）VGu---栅衬底电压（直流）Zo---驱动源内阻η---漏极效率（射频功率管）Vn---噪声电压aID---漏极电流温度系数ards---漏源电阻温度系数结型场效应管的管脚识别:判定栅极G:将万用表拨至R×1k档,用万用表的负极任意接一电极,另一只表笔依次去接触其余的两个极,测其电阻.若两次测得的电阻值近似相等,则负表笔所接触的为栅极,另外两电极为漏极和源极.漏极和源极互换,若两次测出的电阻都很大,则为N沟道;若两次测得的阻值都很小,则为P沟道.判定源极S、漏极D:在源-漏之间有一个PN结,因此根据PN结正、反向电阻存在差异,可识别S极与D极.用交换表笔法测两次电阻,其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻,此时黑表笔的是S极,红表笔接D极.。
场效应管的主要参数
时，已把S极和衬底连在一起，这时D、S就不能互 换。
模拟电子技术
• 极间电容
rd
uDS iD
UGS 常数
场效应管三个电极之间也有电容效应，极间电容包括CGS、 CGD和CDS等。极间电容的大小一般为几个pF，在低频小信号 时可以忽略其影响。
1.3 极限参数
• 漏极最大允许耗散功率PDM 该功率转化为热能, 使管子的温度升高，PDM决定于场效应管允许的最
高温度限制。该参数相当于晶体管的PCM 。 • 漏源击穿电压 U(BR)DS
模拟电子技术
场效应管的主要参数
1.1 直流参数 • 开启电压UGS(th):是uDS当一定时（如uDS =10V）, 漏极电流ID
达到某一数值(如10μA)时，所需加的栅源电压uGS值。 • 夹断电压 UGS(off):当uDS一定时（如uDS =10V）,使漏极电流I
D减小到某一个微小电流(如1μA)时,所需的栅源电压uGS值。 • 饱和漏极电流 IDSS: 栅源之间的电压uGS等于零, 而漏、源
之间的电压大于夹断电压UGS(off)时对应的漏极电流。 • 直流输入电阻 RGS: 在漏极和源极短路时，栅源之间的电
阻就是RGS 。由于栅极几乎不索取电流, 因此输入电阻很 高。结型为107 Ω左右，MOS管可达1015Ω以上。
1.2 交流参数
• 低频跨导gm:
gm
iD uGS
uDS 常数
gm的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。
当uDS过大使漏极产生雪崩击穿，从而使电流iD急剧上升时的uDS ，称 为漏源击穿电压。 • 栅源击穿电压 U(BR)GS
全系列场效应管参数
全系列场效应管参数场效应管（Field Effect Transistor，FET）是一种电子器件，广泛应用于电子电路中的放大、开关和调节等功能。
场效应管有三种主要类型：结型场效应管（JFET）、金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）和绝缘体门极场效应管（IGFET）。
（一）结型场效应管（JFET）结型场效应管是最早出现的一种场效应管。
它可以分为N沟道型（N-channel）和P沟道型（P-channel）两种。
1.N沟道型JFET的主要参数：（1）漏极电流（IDSS）：即在栅极与源极之间施加零偏压时，漏级电流的最大值。
它是JFET工作时的参考电流。
（2）增益参数（gm）：漏极电流对栅极-源极电压变化的响应速度，也是电流放大系数。
（3）转导电导（gm）：指沟道中的电流与栅极电压之间的关系。
（4）金属-半导体界面反向电容（Cgd）：栅极-漏极间的电容。
（5）漏极电流温度系数（IDSS/°C）：指漏极电流随温度变化的百分比。
2.P沟道型JFET的主要参数与N沟道型类似。
（二）金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）金属氧化物半导体场效应管是目前最常用的场效应管。
它也可以分为N沟道型和P沟道型两种。
1.N沟道型MOSFET的主要参数：（1）漏极电流（ID）：漏极电流的大小。
（2）增益参数（gm）：漏极电流对栅极电压变化的响应速度，类似于JFET中的增益参数。
（3）沟道电阻（RDSon）：沟道中的电阻。
（4）栅极电压范围（VGS）：栅极电压的最大允许范围。
（5）漏极-源极电流温度系数（ID/°C）：指漏极-源极电流随温度变化的百分比。
2.P沟道型MOSFET的主要参数与N沟道型类似。
（三）绝缘体门极场效应管（IGFET）绝缘体门极场效应管是一种特殊的MOSFET，其中绝缘层用于隔离栅极和沟道。
1.二极管结型（D-MOSFET）的主要参数：（1）漏极电流（ID）：漏级电流的大小。
（2）增益参数（gm）：漏级电流对栅极电压变化的响应速度。
全系列场效应管参数
全系列场效应管参数K2843 600V 10A 45W N07N03L 30V 80A 150W N10N20 10A 200V N 沟道MOS管10N60 10A 600V11N80 11A 800V 156W11P06 60V 9.4A P沟道直插13N60 13A 600V N 沟道15N03L 30V 42A 83W N2N7000 60V 0.2A 0.35W N2N7000 60V 0.2A 0.35W N40N03H 30V 40A N4232 内含P沟道,N沟道MOS管各一,4532M 内含P沟道,N沟道MOS管各一,50N03L(SD 30V 47A 50W N 沟道小贴片MOS 55N03 25V 55A 103W5N90 5A 900V5P25 250V 5A6030LX 30V 52A 42W N603AL 30V 25A 60W N 沟道小贴片MOS6A60 600V 6A N6N70 700V 6A N6P25 250V 6A70L0270N06 70A 60V 125W7N60 600V 7A N,铁7N70 7A 700V85L028N25 250V ,8A ,同IRF63495N03 25V 75A 125W9916H 18V 35A 58W 小贴片，全新9N60 9A 600V9N70 9A 700VAF4502CS 内含P沟道，N沟道MOS管各一A04403 30V 6.1A 单P沟道8脚贴片A04404 30V 8.5A 单N沟道8脚贴片A04405 30V 6A 3W 单P沟道8脚贴片A04406 30V,11.5A,单N沟道,8脚贴A04407 30V 12A 3W 单P沟道,8脚贴片A04407 30V 12A 3W 单P沟道,8脚贴片A04408 30V 12A 单N沟道,8脚贴片A04409 30V 15A P沟道场效应,8脚A04410 30V 18A 单N沟道8脚贴片A04411 30V 8A 3W P沟道场效应,8脚A04413 30V 15A 3W 单P沟道,8脚贴片A04413 30V 15A 3W 单P沟道,8脚贴片A04414 30V,8.5A,3WM 单N沟道，8脚A04418 30V 11.5A N沟道8脚贴片A04422 30V 11A N 沟道8脚贴片A04423 30V 15A 3.1W 单P沟道,8脚贴A04600 内含P沟道，N沟道MOS管各一A0D405 30V，18A，P高压板MOS管贴A0D408 30V，18A，P高压板MOS管贴A0D409 60V 26/18A P 高压板MOS 管贴A0D409 60V 26/18A P 高压板MOS 管贴A0D420 30V,10A,N高压板MOS管贴A0D442 60V，38/27A，N 高压板MOS管贴A0D442 60V38/27A,N高压板MOS管贴A0D444 60V,12A,N 高压板MOS管贴A0P600 内含P,N沟道各1,30V 7.5AA0P605 内含P,N沟道各1,30V 7.5AA0P607 内含P、N沟道各1，60V 4。
场效应管参数大全
场效应管参数⼤全场效应管参数⼤全百度空间⽆限的未知真⼼真诚理解真情永恒K2645: 600V,1.2Ω,9A,50W K2141: 600V,1.1Ω,6A,35WK3326: 500V,0.85Ω,10A,40WK1388: 30V,0.022Ω,35A,60WK1101: 450V,0.5Ω,10A,50WK1507: 9A 600V2SK1537 N-FET 900V 5A 100WK2045 600V, 6A , 35W 。
代K1404, K2101, 2SK2118。
K1118,K2645,K2564,K2545,K1507,K2761,K1117,K2333代k214107N03L 30V 80A 150W N10N20 10A 200V N 沟道MOS管10N60 10A 600V11N80 11A 800V 156W11P06 60V 9.4A P沟道直插13N60 13A 600V N 沟道15N03L 30V 42A 83W N2N7000 60V 0.2A 0.35W N2N7000 60V 0.2A 0.35W N40N03H 30V 40A N4232 内含P沟道,N沟道MOS管各⼀,4532M 内含P沟道,N沟道MOS管各⼀,50N03L(SD 30V 47A 50W N 沟道⼩贴⽚MOS55N03 25V 55A 103W5N90 5A 900V5P25 250V 5A6030LX 30V 52A 42W N603AL 30V 25A 60W N 沟道⼩贴⽚MOS6A60 600V 6A N6N70 700V 6A N6P25 250V 6A70L027N70 7A 700V85L028N25 250V ,8A ,同IRF63495N03 25V 75A 125W9916H 18V 35A 58W ⼩贴⽚，全新9N60 9A 600V9N70 9A 700VAF4502CS 内含P沟道，N沟道MOS管各⼀A04403 30V 6.1A 单P沟道 8脚贴⽚A04404 30V 8.5A 单N沟道 8脚贴⽚A04405 30V 6A 3W 单P沟道8脚贴⽚A04406 30V,11.5A,单N沟道,8脚贴A04407 30V 12A 3W 单P沟道,8脚贴⽚A04407 30V 12A 3W 单P沟道,8脚贴⽚A04408 30V 12A 单N沟道,8脚贴⽚A04409 30V 15A P沟道场效应,8脚A04410 30V 18A 单N沟道8脚贴⽚A04411 30V 8A 3W P沟道场效应,8脚A04413 30V 15A 3W 单P沟道,8脚贴⽚A04413 30V 15A 3W 单P沟道,8脚贴⽚A04414 30V,8.5A,3WM 单N沟道，8脚A04418 30V 11.5A N沟道8脚贴⽚A04422 30V 11A N 沟道 8脚贴⽚A04423 30V 15A 3.1W 单P沟道,8脚贴A04600 内含P沟道，N沟道MOS管各⼀A0D405 30V，18A，P⾼压板MOS管贴A0D408 30V，18A，P⾼压板MOS管贴A0D409 60V 26/18A P ⾼压板MOS 管贴A0D409 60V 26/18A P ⾼压板MOS 管贴A0D420 30V,10A,N⾼压板MOS管贴A0D442 60V，38/27A，N ⾼压板MOS管贴A0D442 60V38/27A,N⾼压板MOS管贴A0D444 60V,12A,N ⾼压板MOS管贴A0P607 内含P、N沟道各1，60V 4。