第三届美国电化学学会国际半导体技术研讨会征文通知

第三届美国电化学学会国际半导体技术研讨会
征文通知
（ISTC2004）
2004年9月15日—9月17日
中国•上海。

由美国电气与电子工程师学会 (IEEE)，日本应用物理学会 (JAP) 国际半导体设备与材料协会 (SEMI)，上海集成电路行业协会 (SICA)
上海市集成电路研发中心 (ICRD)
联合协办。

由美国电化学学会主办，美国电气与电子工程师学会(IEEE)，日本应用物理学会(JAP)，国际半导体设备与材料协会(SEMI)，上海集成电路行业协会(SICA)和上海集成电路研发中心(ICRD) 联合协办第三届电化会学会国际半导体技术研讨会，旨在为大家提供一个展示和讨论最新的硅半导体技术以及相关领域发展的论坛。

研讨各个方向的制造工艺，材料，器件物理学，特性以及应用的文章现在还在征集。

下面列出了其中一部分的论题。

超大规模集成电路工艺和集成：隔离，掺杂（扩散，离子注入等），氧化，薄栅，介质，高k介质，金属栅，硅化物，欧姆接触，激光束处理，快速退火，界面修复，应力控制，化学汽相沉积，光刻，刻蚀，多层互连，低k介质，高级金属化及障碍，化学机械抛光（CMP）等离子损伤，工艺清洗（干法和湿法）技术，工艺集成和其他一些工艺技术。

器件物理学，特性，可靠性和失效分析：二极管，电容，物理特性，器件与互连的可靠性，测试结构晶片级的可靠性，器件和材料的特性，新器件的失效机理和工艺（包括损伤）。

新器件的结构，器件物理和模型：纳米结构和新器件体系机构，量子器件，单电子器件，超导体器件，包括模型和模拟。

薄膜材料和器件：无定型硅，薄膜晶体管，平面显示器，有机半导体薄膜材料和器件。

工艺设备和制造技术：设备的新概念，大面积问题，高产量，低维护，所有权的费用，制造业造型和高级工艺控制等。

方法学和产量提升：高级设备控制(AEC)/ 高级过程控制(APC), 对于过程状态和晶片级感测在测量设备上的相关进展，设备级数据的传送和主机交换，其中反馈和前馈控制是主要问题，工艺产量提升等。

封装技术：片上系统的体系结构和集成，3D封装技术例如倒装晶片焊接，晶片层封装和CSP，极高频率封装设计，散热控制，噪音控制，电磁干扰，电磁兼容，细距多层电子电路，光电子混和电路，超级联接，高级多功能插入式选样和新的有源和无源混合板，微电路模块和微波电路模块，晶片级焊接和测试，光连接器和金属环，光波导向器，新型陶瓷，有机混合电路材料，细距封装工艺，装配和设备，新型封装黏合剂，焊接材料和新工艺及设备，测试以及焊接设备，KGD。

此次会议为那些工作在半导体的研发，生产和设备领域的人们提供了内部合作与交流的论坛。

还给那些有兴趣于当前最先进的加工技术和生产局限的人们提供了学习机会。

大会刊物已经计划出版。

会议期间公开的论文同时可以投稿给ECS杂志社，但是投稿时间必须在研讨会发布文章结束之日起以后的6个月之内。

新的摘要模板能在ISTC网站上查阅到（ ）。

文章摘要可通过ISTC网站投送，截止时间为2004年3月15日，ISTC 电子信箱为********************。

如果文章予以采纳，请于2004年7月1日之前将全文发送至ISTC网站。