ZnO一维纳米结构的p型掺杂及同质结发光二极管的制备和物性(精)
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ZnO一维纳米结构的p型掺杂及同质结发光二极管的
制备和物性
半导体一维纳米材料由于存在着显著的量子效应、尺寸效应、表面效应、特殊的电子传导效应等,因此它们的制备及物理和化学性质引起了人们的广泛关注。
ZnO是一种宽带隙的半导体材料,室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能高达60meV,具有优良的物理和化学性质。
因此一维ZnO纳米材料的研究成为目前半导体一维纳米材料研究领域的热点。
本文主要围绕本文针对ZnO研究领域的热点问题,利用水热技术进行了ZnO一维纳米结构的制备,p型ZnO一维纳米结构掺杂,并在此基础上进行了ZnO同质结的制备及光电性质研究。
具体研究内容如下:(1)利用水热技术制备了高质量ZnO一维纳米结构,并通过SEM,XRD对其结构进行表征,通过PL测试表明其具有良好的光学性质(2)首次利用水热技术及后退火工艺制备P掺杂p型ZnO一维纳米结构。
测试结果表明磷进入ZnO晶格后以P_(Zn)-2V_(Zn)的复合受主形式存在,并在低温PL谱中观测到了来自于受主(P_(Zn)-2V_(Zn))的FA(3.316eV)及DAP(3.241eV)发光。
(3)在p型ZnO工作的基础上,首次通过表面修饰的方式制备了ZnO纳米线核壳结构同质p-n结型二极管器件,并在350K观测到了蓝紫色电致发光。
【关键词相关文档搜索】：凝聚态物理; 水热技术; ZnO; 一维纳米结构; P 掺杂; 核壳结构; 同质p-n结; 发光二极管
【作者相关信息搜索】：长春理工大学;凝聚态物理;李金华;方铉;。