一种半导体器件的制造方法[发明专利]

专利名称：一种半导体器件的制造方法专利类型：发明专利
发明人：赵猛
申请号：CN201710234762.1
申请日：20170411
公开号：CN108695144A
公开日：
20181023
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极堆叠结构；对所述半导体衬底中临近所述栅极堆叠结构的区域进行离子注入并实施第一退火工艺，以形成轻掺杂漏离子注入区；在所述栅极堆叠结构和所述半导体衬底表面沉积氮化物；在氧化环境中实施第二退火工艺，并实施快速热氧化工艺，以将所述氮化物转化为氧化物；形成位于所述栅极堆叠结构两侧的半导体衬底内的源极和漏极。

采用本发明的方法，在沉积氮化物后，增加在氧化环境中的退火和快速热氧化工艺，使氧化环境中的氧原子代替氮化物中的氢键，从而抑制离子注入区的杂质离子扩散，改善掺杂剂量损失，提高载流子迁移率，提高半导体器件良率和性能。

申请人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址：100176 北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道18号
国籍：CN
代理机构：北京市磐华律师事务所
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