最大稳定工作电流IZmax和最小稳定工作电流IZmin
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S
iD/mA
20
反向特性 15
正向特性
VBR
40
10 Vth
5
30 20 10 0 0.2 0.4 0.6 0.8 10 死区 20
D/V
30 开启电压:0.5V
40
反向击穿特iD性/ A
导通电压:0.7
iD/mA
20
15
①
10
5 60 40 20 0
U(VBRB) R
0.2 0.4 0.6
–0.02
二极管的特性对温度很敏感。
1.2.3 二极管的参数
(1) 最大整流电流IF
(2) 反向击穿电压U(BR)和最高反向工作电压URM
(3) 反向电流IR (4) 最高工作频率fM
(5) 极间电容Cj
在实际应用中,应根据管子 所用的场合,按其所承受的 最高反向电压、最大正向平 均电流、工作频率、环境温 度等条件,选择满足要求的 二极管。
P N P 型支持衬底
(c)平面型
PN结面积大,用 于工频大电流整流电路。
往往用于集成电路制造 工艺中。PN 结面积可大可小, 用于高频整流和开关电路中。
4 二极管的代表符号
阳极 a
k 阴极
D
(d) 代表符号
1.2.2二极管的伏安特性
一、伏安特性
R
iD
+
二极管的伏安特性曲线可用下式表示
vD
u
-
i I (e UT 1)
1.2.5 稳压二极管
一、稳压管的伏安特性
利用二极管反向击穿特性实现稳压。稳压二极管稳 压时工作在反向电击穿状态,反向电压应大于稳压电压。
DZ
(a)符号
(b)2CW17 伏安特性
二、稳压管的主要参数 (1) 稳定电压UZ
在规定的稳压管反向 工作电流IZ下,所对应的 反向工作电压。
(2) 动态电阻rZ rZ =VZ /IZ
1. 符号和特性
符号
工作条件:正向偏置
一般工作电流几十 mA, 导通电压 (1 2) V
特性 i /mA
O 2 u /V
发光类型: 可见光:红、黄、绿 不可见光:红外光
显示类型: 普通 LED ,七段 LED , 点阵 LED
二、光电二极管
i
符号和特性
O
E = 200 lx
u
符号
特性 E = 400 lx
(3)最大耗散功率 PZM
(4)最大稳定工作电流 IZmax 和最小稳定工作电流 IZmin
(5)温度系数——VZ
稳压电路
正常稳压时 UO =UZ
R
+
IR
IO
IZ
+
UVII
DZ
UVOO
RL
-
-
如电路参数变化?
(1)设电源电压波动(负载不变)
UI ↑→UO↑→UZ↑→ IZ↑ ↓
UO↓←UR ↑ ← IR ↑
负载变化,但iZ仍在12mA和2mA之间,所以稳压管仍能起稳压作用
例2:稳压二极管的应用(P67习题1.11)
(UZ=3V)
解: ui和uo的波形如图所示
ui DZ
R uO
u I /V
3
t
0
R ui
DZ uO
u O2 /V
3
t
0
(b)
1.2.6其它类型的二极管
一、发光二极管 LED (Light Emitting Diode)
# 不加R可以吗?
稳压电路
正常稳压时 UO =UZ
R
+
IR
IO
IZ
+
UVII
DZ
UVOO
RL
-
-
如电路参数变化? (2)设负载变化(电源不变)
# 上述电路UI为正弦波,且幅 值大于UZ , UO的波形是怎 样的?
RL↓→UO↓→UZ↓→ IZ↓→ IR↓→ Δ IZ=- Δ IL→IR 基本不变
IL ↑→ IR ↑
工作原理: 无光照时,与普通二极管一样。
有光照时,分布在第三、四象限。
三、变容二极管 四、隧道二极管(请同学们上网查找有关资料,写在作业本上) 五、肖特基二极管(请同学们上网查找有关资料,写在作业本上)
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1.2 半导体二极管
二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型
图1.2.1二极管的几种外形
1.2.1半导体二极管的几种常见结构
1 点接触型二极管
PN结面积小,结 电容小,用于检波和变 频等高频电路。
二极管的结构示意图
(a)点接触型
2 面接触型二极管
(b)面接触型
3 平面型二极管
阳极 阴极 引线 引线
②
10
20
UVothn
D/V
30 开启电压:0.1V
③
40
iD/ A 导通电压:0.2V
硅二极管2CP10的伏安特性
锗二极管2AP15的伏安特性
二、温度对二极管伏安特性的影响
在环境温度升高时,二极管的正向特性将左移,反
向特性将下移。
I / mA
15
温度增加
10
5
– 50 – 25
–0.01 0 0.2 0.4 U / V
例1:稳压二极管的应用
稳压二极管技术数据为:稳压值UZ=10V,Izmax=12mA, Izmin=2mA,负载电阻RL=2k,输入电压ui=12V,限流电阻 R=200 ,求iZ。 若负载电阻变化范围为1.5 k -- 4 k ,是否还能稳压?
i
R ui DZ
iL
iz UZ RL uO
i
R
ui DZ
iL
iz UZ RL
UZ=10V ui=12V R=200
uO Izmax=12mA Izmin=2mA
RL=2k (1.5 k ~4 k) iL=uo/RL=UZ/RL=10/2=5(mA) i= (ui - UZ)/R=(12-10)/0.2=10 (mA) iZ = i - iL=10-5=5 (mA) RL=1.5 k , iL=10/1.5=6.7(mA), iZ =10-6.7=3.3(mA) RL=4 k , iL=10/4=2.5(mA), iZ =10-2.5=7.5(mA)