用于增强光的外耦合和封装效率的纳米锥阵列[发明专利]

专利名称：用于增强光的外耦合和封装效率的纳米锥阵列专利类型：发明专利
发明人：A·阿巴斯,T·洛佩兹,I·维尔德森
申请号：CN202080060369.5
申请日：20200629
公开号：CN114270543A
公开日：
20220401
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：一种LED结构包括生长在衬底上的epi层和位于epi层内的多个介电纳米天线。

介电纳米天线可以被周期性地布置，以减少光的再吸收并且重定向倾斜入射光，以改善整体光耦合效率。

例如，每个介电纳米天线可以具有顶部、底部、小于或等于1000nm且大于或等于200nm的高度、以及小于或等于2000nm且大于或等于300nm的直径。

申请人：亮锐有限责任公司
地址：美国加利福尼亚州
国籍：US
代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
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