DS18B20温度检测程序

（1）先将数据线置高电平“1”。

（2）延时（该时间要求的不是很严格，但是尽可能的短一点）（3）数据线拉到低电平“0”。

（4）延时750微秒（该时间的时间范围可以从480到960微秒）。

（5）数据线拉到高电平“1”。

（6）延时等待（如果初始化成功则在15到60毫秒时间之内产生一个由DS18B20所返回的低电平“0”。

据该状态可以来确定它的存在，但是应注意不能无限的进行等待，不然会使程序进入死循环，所以要进行超时控制）。

（7）若CPU读到了数据线上的低电平“0”后，还要做延时，其延时的时间从发出的高电平算起（第（5）步的时间算起）最少要480微秒。

（8）将数据线再次拉高到高电平“1”后结束。

（1）数据线先置低电平“0”。

（2）延时确定的时间为15微秒。

（3）按从低位到高位的顺序发送字节（一次只发送一位）。

（4）延时时间为45微秒。

（5）将数据线拉到高电平。

（6）重复上（1）到（6）的操作直到所有的字节全部发送完为止。

（7）最后将数据线拉高。

DS18B20的写操作时序图如图DS18B20的读操作（1）将数据线拉高“1”。

（2）延时2微秒。

（3）将数据线拉低“0”。

（4）延时15微秒。

（5）将数据线拉高“1”。

（6）延时15微秒。

（7）读数据线的状态得到1个状态位，并进行数据处理。

（8）延时30微秒。

DS18B20的读操作时序图如图所示。

DS18B20的Protues仿真图源程序代码：#include "reg51.h"#include "intrins.h" // 此头文件中有空操作语句NOP 几个微秒的延时可以用NOP 语句，但本人没用NOP，直接用了I++来延时#define uchar unsigned char#define uint unsigned intuchar code table[]={0x30,0x31,0x32,0x33,0x34,0x35,0x36,0x37,0x38,0x39};sbit ds18b20_io=P2^0; //单片机与DS18B20的连接口sbit lcdrs=P2^6; //1602与单片机的接口sbit lcden=P2^7;unsigned char flag,tflag,i;unsigned int temper0,temper1,tvalue;float temperature;void delay() //6us 在KEIL中仿真出来的时间，这是调用DELAY所用的时间{i++;i++;}void Delay_50us(unsigned char t) //50us延时程序{unsigned char j;for(;t>0;t--)for(j=20;j>0;j--);}void delay1(uint z) //这个延时主要用在1602中，1602的读写时序没有//DS18B20那么严格{uint x,y;for(x=0;x<z;x++){ for(y=0;y<121;y++){;};};}uchar ds18b20_rst(){unsigned char j;ds18b20_io=1;i++; //1usds18b20_io=0;for(j=0;j<60;j++) //543us{delay();}ds18b20_io=1;for( j=0;j<7;j++) //65us{delay();}if(!ds18b20_io) //如果读到低电平，即复位成功{flag=1;}else flag=0; //如果没有读到低电平，则复位失败Delay_50us(9); //450usds18b20_io=1;return flag;}void ds18b20_writebyte(unsigned char byte){unsigned char j;for(j=0;j<8;j++){ds18b20_io=1;i++;ds18b20_io=0;delay(); //15usdelay();i++;i++;i++;ds18b20_io=byte&0x01;delay(); delay();delay();delay(); //48usdelay(); delay();delay();byte>>=1;ds18b20_io=1;delay();}ds18b20_io=1;}unsigned char ds18b20_readbyte() {unsigned char k,jj,i;jj=0;for(k=0;k<8;k++){ds18b20_io=1;i++; i++;ds18b20_io=0;delay(); //15usdelay(); i++;i++;i++;ds18b20_io=1;delay(); //15usdelay(); i++; i++;i++;if(ds18b20_io) //17us jj=(jj>>1)|0x80;elsejj>>=1;delay();delay(); delay(); //18us }return jj;}void write_com(uchar com){lcdrs=0;P1=com;delay1(5);lcden=1;delay1(5);lcden=0;}void write_data(uchar date){lcdrs=1;P1=date;delay1(5);lcden=1;delay1(5);lcden=0;}void init(){lcden=0;write_com(0x38);write_com(0x0C);write_com(0x06);write_com(0x01);}float read_temp()/*读取温度值并转换*/{if(ds18b20_rst()==1);{ds18b20_writebyte(0xcc);//*跳过读序列号*/ ds18b20_writebyte(0x44);//*启动温度转换*/ Delay_50us(30);}if(ds18b20_rst()==1);{ds18b20_writebyte(0xcc);//*跳过读序列号*/ds18b20_writebyte(0xbe);//*读取温度*/temper0 =ds18b20_readbyte();temper1 =ds18b20_readbyte();Delay_50us(20);}if(temper1&0xf8) //判断是正温度还是负温度{ //如果是高5位是0 为正温度，反则为负温度tflag=1;tvalue=(temper1<<8)|temper0;tvalue=((~tvalue)+1);temperature=tvalue*(0.0625);}else{tflag=0;tvalue=(temper1<<8)|temper0;temperature=tvalue*0.0625; //不用把tvalue进行转换，直接乘0.0625//的精度}return(temperature);}void write_xian(float date){uint bai,shi,ge,xiaozheng,xqian,xbai,xshi,xge;float k,m; //把浮点的DATA转换为整数，得到浮点娄的整数部分bai=(int)(date)/100; //把得到的整数部分拆开分别存在BAI SHI GE 中shi=((int)(date)%100)/10;ge=(int)(date)%10;if (bai!=0) //如果百不为0 则把整数部分全部显示{write_data(0x30+bai);write_data(0x30+shi);write_data(0x30+ge);}else if (shi!=0) //如果十不为0 则把十位和个位显示{write_data(0x30+shi);write_data(0x30+ge);}else write_data(0x30+ge);//如果百和十位都为0 ，则只显示个位数write_data(0x2e);k=date-(int)date; //取浮点娄的小数部分m=k*10000; //把得到的小数变为整数并显示xiaozheng=(int)m;xqian=(xiaozheng)/1000;xbai=((xiaozheng)%1000)/100;xshi=((xiaozheng)%100)/10;xge=(xiaozheng)%10;write_data(0x30+xqian);write_data(0x30+xbai);write_data(0x30+xshi);write_data(0x30+xge);}void main(){temperature=0.0;flag=0;tflag=0;tvalue=0;init();while(1){read_temp();if(tflag==0){write_xian(temperature); write_data(' '); write_data(' '); }if(tflag==1){write_data('-');write_xian(temperature); write_data(' '); write_data(' '); }write_com(0x80);}}。