二次电池[发明专利]

专利名称：二次电池
专利类型：发明专利
发明人：吕光洙
申请号：CN200910132634.1申请日：20090330
公开号：CN101604759A
公开日：
20091216
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明公开一种二次电池，当电池被竖直施压时，该电池通过下部设置有凹槽的罐，使电极组件从下方排出从而防止电极之间的短路。

所述二次电池包括：电极组件；罐，其具有用于容纳所述电极组件的上开口以及位于所述罐的下部的凹槽部；以及用于密封所述罐的盖组件。

申请人：三星SDI株式会社
地址：韩国京畿道
国籍：KR
代理机构：北京德琦知识产权代理有限公司
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