一种镍-氧化镍超薄纳米片材料及其电沉积制备方法和应用[发明专利]

专利名称：一种镍-氧化镍超薄纳米片材料及其电沉积制备方法和应用
专利类型：发明专利
发明人：韩晓鹏,李肖鹏,王杨,胡文彬,邓意达,钟澄
申请号：CN201910990239.0
申请日：20191017
公开号：CN111118564A
公开日：
20200508
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明涉及一种镍‑氧化镍超薄纳米片材料及其电沉积制备方法和应用，将碳布表面活化得到预处理好的碳布；将表面活化的碳布作为工作电极，碳棒作为对电极，置于配好的镍盐电解质溶液中，用工作站恒压沉积；沉积后用无水乙醇冲洗，烘箱内干燥得到镍‑氧化镍超薄纳米片。

镍‑氧化镍超薄纳米片材料是由氧化镍、单质镍物相组成，镍‑氧化镍纳米片在碳布上均匀分布。

本发明提出的制备方法所需设备较简单、操作方便、条件可控、可重复性高，制备成本低，适合于工厂化大规模生产。

申请人：天津大学
地址：300072 天津市南开区卫津路92号
国籍：CN
代理机构：天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：王秀奎
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