COMS图解
CMOS芯片N阱剖面图
剖面图：
1、初始氧化
为阱区的选择性刻蚀和随后的阱区深度注入做工艺准备。
阱区掩蔽氧化介质层的厚度取决于注入和退火的掩蔽需要。
2.阱区光刻。
是该款n阱硅栅CMOS集成电路制造工艺流程序列的第一次光刻。
若采用典型的常规湿法光刻工艺，应该包括：涂胶，前烘，压板，曝光，显影，定影，坚膜，腐蚀。
3.n阱注入。
是该n阱硅栅COMS集成电路制造工艺流程序列中的第一次注入参杂。
P阱注入工艺环节的工艺要求是形成n阱区。
4.剥离阱区氧化层。
5.热生长二氧化硅缓冲层：
消除Si-Si3N4界面间的应力，第二次氧化。
6.LPCVD制备Si3N4介质。
7.有源区光刻：即第二次光刻
8.局部氧化：
第三次氧化，生长场区氧化层。
9.剥离Si3N4层及SiO2缓冲层。
10.热氧化生长栅氧化层：
第四次氧化。
11.生长多晶硅
12.刻蚀多晶硅栅：
形成N沟MOS管和P沟MOS管的多晶硅栅欧姆接触层及电路中所需要的多晶硅电阻区。
13.涂覆光刻胶，刻蚀n沟MOS管区域的胶膜，形成CMOS管的源区和漏区
14.涂覆光刻胶，刻蚀p沟MOS管区域的胶膜，形成CMOS管的源区和漏区
15.去光刻胶
16.生长磷硅玻璃PSG。
17.刻蚀引线口
18.真空蒸铝，铝电极反刻。
cmos绝对值电路
cmos绝对值电路
CMOS（互补金属氧化物半导体）绝对值电路用于生成输入信号的绝对值。
这种电路通常通过将正负输入信号进行适当的放大和处理，以产生输出信号的绝对值。
以下是一个简单的CMOS绝对值电路的基本示意图：
Vdd
|
|
R
|
Vin ----|---- M1 ----- OUT
|
|
|
M2
|
|
Gnd
其中，Vin是输入信号，OUT是输出信号。
M1和M2是CMOS 传输门（传输门由PMOS和NMOS晶体管组成）。
R是连接M1的电
阻。
工作原理：
当Vin为正时，NMOS晶体管M1导通，PMOS晶体管M2截断。
电流通过R和M1，从而形成一个电压降，产生正的输出电压。
当Vin为负时，PMOS晶体管M2导通，NMOS晶体管M1截断。
电流同样通过R和M2，但是电压极性导致输出电压为正。
通过这种方式，该电路能够在输出端产生输入信号的绝对值。
需要注意的是，这只是一个简化的示意图，实际设计中需要更复杂的电路来确保稳定性、性能和适应不同输入幅度的要求。
此外，CMOS绝对值电路的精度和带宽通常取决于具体的应用需求。
cmos设置图解
cmos设置图解一、了解CMOS设置怎么进入CMOS设置呢？在开机时，屏幕上常有这样的提示，它是说“按DEL键进入CMOS设置”我们在这时候按键盘上的DEL键。
现在看到的就是CMOS设置的界面了。
不同的电脑可能有不同界面，但常见的也就是AWARD、AMI、Phoenix等几种。
界面形式虽然不同，但功能基本一样，所要设置的项目也差不多。
这是AWARD的CMOS设置画面，是最常见的一种。
其实你只要明白了一种CMOS的设置方法，其它的就可以触类旁通了。
在主界面的下面有很多个参数需要设置，大部分项目本来就已经设置了正确的参数值，或者说许多选项对电脑的运行影响不太大，所以一般我们只要注意几个关键项就可以了。
通常，我在设置CMOS时，只简单地做以下几步：1、设置出厂设定值2、检测硬盘参数3、设置软驱4、设置启动顺序5、如果有必要可以设置密码二、设置出厂设定值第一步：设置出厂设定值。
你看，这一项“LOAD SETUP DEFAULTS”是“调入出厂设定值”的意思，实际上就是推荐设置，即在一般情况下的优化设置。
将光标用上下箭头移到这一项，然后回车，屏幕提示“是否载入默认值”。
我们输入“Y”表示“Yes，是”的意思，这样，以上几十项设置都是默认值了。
如果在这种设置下，你的电脑出现异常现象，可以用另外这项“Load BIOS Setup” 用来恢复 BIOS 默认值，它是最基本的也是最安全的设置，这种设置下不会出现设置问题，但有可能电脑性能就不能得到最充分的发挥。
三、自动检测硬盘第二步：自动检测硬盘。
将光标移到这一项，回车，电脑自动检测硬盘。
这是电脑检测到的硬盘参数。
这是电脑检测到了主硬盘，它可以以三种方式设置：如果你的硬盘是6.4G的话，选NORMAL模式你只能用到528M；选LARGE模式，只能用到2.1GB；而实际使用中我们都选LBA 模式。
选“Y”这是电脑的推荐选项。
你看，主硬盘参数设置好了。
因为这台电脑只有一个硬盘，所以下面我们就按ESC 键，取消检测。
集成电路原理课件-cmos
1
微电子学
• 微电子技术是电子计算机和通信的核心技术 • 微电子技术的核心是集成电路（Integrated Circuit, IC） 技术 • 微电子学是电子学的一门分支，主要研究电子或离 子在固体材料中的运动规律及其应用 • 微电子学是以实现电路和系统的集成为目的，研究 如何利用半导体的微观特性以及一些特殊工艺，在 一块半导体芯片上制作大量的器件，从而在一个微 小面积中制造出复杂的电子系统。
I
D
dx
V 0
WC
ox
n [VGS V ( x) VTH ]dV
I/V特性的推导（3）
W 1 2 I D = nCox [(VGS - VTH )VDS - VDS ] （2.8） L 2 W VGS - VTH 称为过驱动电压； 称为宽长比 L 三极管区(线性区)
每条曲线在VDS＝VGS－VTH时取最 大值，且大小为：
CGD CGS
WLCOX WCOv 2
CGB可以忽略不计
CSB = CDB =
WE源极Cj (1 VSB /B ) WE漏极Cj (1 VDB /B )
mj mj
源极周长 C jsw (1 VSB /B )
m jsw
漏极周长 C jsw (1 VDB/B )
MOS器件电容
栅源、栅漏、栅衬电容与VGS关系
1) VGS < VTH截止区
CGD CGS WCOv
CGB W 2 L2 COX q si N sub / 4 F WLCOX Cd = 其中Cd＝WL q si N sub / 4 F WLCOX Cd WLCOX WL q si N sub / 4 F
数字电子技术基础第三章
二、交流噪声容限
反相器对窄脉冲 的噪声容限—交 流噪声容限远高 于直流噪声容限。
交流噪声容限受 电源电压和负载 电容的影响。
图3.3.23 CMOS反相器的交流噪声容限
三、动态功耗
动态功耗：当CMOS 反相器从一种稳定工 作状态突然转变到另 一种稳定的过程中， 将产生附加的功耗。
PD=PC+PT PD为总动态功耗 PC为对负载电容充放
图3.3.xx CMOS三态门电路结构之三 可连接成总线结构。还能实现数据的双向传输。
3.3.6 CMOS电路的正确使用
一、输入电路的静电防护
1、在存储和运输CMOS器件时最好采用金属屏蔽层 作包装材料，避免产生静电。
2、组装、调试时，应使电烙铁和其他工具、仪表、 工作台面等良好接地。操作人员的服装、手套等选用 无静电的原料制作。
图3.5.34 OC门输出并联的接法及逻辑图
2.1 概述
常用的门电路在逻 辑功能上有: 与门、 或门、非门、与非 门、或非门、与或 非门、异或门等几 种。
单开关电路 互补开关电路
图3.1.1 获得高、低电平的基本原理
图3.1.2 正逻辑与负逻辑
一些概念
1、片上系统（SoC） 2、双极型TTL电路 3、CMOS
1961年美国TI公司,第一片数字集成电路 （Integrated Circuits, IC）。
C=1时 Vo=RL*Vi/(RL+RTG) RTG越小越好，并且希望不 受输入电压变化。
图3.3.39 CMOS模拟开关接 负载电阻的情况
四、三态输出的CMOS门电路
高阻态。 此电路结构 总是接在集 成电路的输 出端。
图3.3.40 CMOS三态门电路结构之一
CMOS放电全程图解
主板的英文名称叫做Motherboard，也可以译做母板。
从“母”字可以看出主板在电脑各个配件中的重要性。
主板不但是整个电脑系统平台的载体，还负担着系统中各种信息的交流。
好的主板可以让电脑更稳定地发挥系统性能，反之，系统则会变得不稳定。
因此，我们每个人都应该对主板有所了解。
下面就以采用i845D 芯片组的微星845 Ultra－ARU主板为例，与朋友们一起看图闲话聊主板。
主板的构成主板的平面是一块PCB印刷电路板，分为四层板和六层板。
为了节约成本，现在的主板多为四层板：主信号层、接地层、电源层、次信号层。
而六层板增加了辅助电源层和中信号层。
六层PCB的主板抗电磁干扰能力更强，主板也更加稳定。
在电路板上面，是错落有致的电路布线；再上面，则为棱角分明的各个部件：插槽、芯片、电阻、电容等。
当主机加电时，电流会在瞬间通过CPU、南北桥芯片、内存插槽、AGP 插槽、PCI插槽、IDE接口以及主板边缘的串口、并口、PS/2接口等。
随后，主板会根据BIOS（基本输入输出系统）来识别硬件，并进入操作系统发挥出支撑系统平台工作的功能。
图1主板各部件示意图芯片部分BIOS芯片：是一块方块状的存储器，里面存有与该主板搭配的基本输入输出系统程序。
能够让主板识别各种硬件，还可以设置引导系统的设备，调整CPU外频等。
BIOS芯片是可以写入的，这一方面会让主板遭受诸如CIH病毒的袭击。
另一方面也方便用户们不断从Internet上更新BIOS的版本，来获取更好的性能及对电脑最新硬件的支持。
南北桥芯片：横跨AGP插槽左右两边的两块芯片就是南北桥芯片。
南桥多位于PCI插槽的上面；而CPU插槽旁边，被散热片盖住的就是北桥芯片。
北桥芯片主要负责处理CPU、内存、显卡三者间的“交通”，由于发热量较大，因而需要散热片散热。
南桥芯片则负责硬盘等存储设备和PCI之间的数据流通。
南桥和北桥合称芯片组。
芯片组在很大程度上决定了主板的功能和性能。
RAID控制芯片：相当于一块RAID卡的作用，可支持多个硬盘组成各种RAID模式。
CMOS介绍
1.允许的电源电压范围宽，方便电源电路的设计
2.逻辑摆幅大，使电路抗干扰能力强
3.静态功耗低
4.隔离栅结构使CMOS期间的输入电阻极大，从而使CMOS期间驱动同类逻辑门的能力比其他系列强得多
CMOS(本意是指互补金属氧化物半导体存储器，是一种大规模应用于集成电路芯片制造的原料）是微机主板上的一块可读写的RAM芯片，主要用来保存当前系统的硬件配置和操作人员对某些参数的设定。CMOSRAM芯片由系统通过一块后备电池供电，因此无论是在关机状态中，还是遇到系统掉电情况，CMOS信息都不会丢失。
在今日，CMOS制造工艺也被应用于制作数码影像器材的感光元件，尤其是片幅规格较大的单眼数码相机。虽然在用途上与过去CMOS电路主要作为固件或计算工具的用途非常不同，但基本上它仍然是采取CMOS的工艺，只是将纯粹逻辑运算的功能转变成接收外界光线后转化为电能，再透过芯片上的模数转换器(ADC)将获得的影像讯号转变为数码讯号输出。
早期分离式CMOS逻辑元件只有“4000系列”一种（RCA 'COS/MOS'制程），到了后来的“7400系列”时，很多逻辑芯片已经可以利用CMOS、NMOS，甚至是BiCMOS（双载子互补式金氧半）制程实现。
早期的CMOS元件和主要的竞争对手BJT相比，很容易受到静电放电（ElectroStatic Discharge,ESD）的破坏。而新一代的CMOS芯片多半在输出入接脚（I/O pin）和电源及接地端具备ESD保护电路，以避免内部电路元件的闸极或是元件中的PN接面（PN-Junction）被ESD引起的大量电流烧毁。不过大多数芯片制造商仍然会特别警告使用者尽量使用防静电的措施来避免超过ESD保护电路能处理的能量破坏半导体元件，例如安装内存模组到个人电脑上时，通常会建议使用者配戴防静电手环之类的设备。
CMOS版图设计技巧之一解读
集成电路版图设计
西南科技大学
实现源漏共用设计：晶体管有两 个端点A和V+，将它们在左边第一个栅的两边分 别标注。
NMOS版图
集成电路版图设计 西南科技大学
为了找到源漏共用的晶体管，建议把扩散区拆成 几段
集成电路版图设计
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改进：设法减小版图的面积。利用源漏共用，除去一些断 开点，试着连接V+端。 将第二个晶体管左右翻转。能达到的最好的结果：
集成电路版图设计
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二、棒状图（棍棒图）
如何才能容易的从电路图得到最有效的源漏共用版图
呢？——— 棒状图
棒状图的作用：
1、告诉器件的布局和连线关系，之后的工作是用实
际的器件和连线替代棒状图。
2、层之间的连接由“×”决定。表示对氧化层进行刻
蚀
集成电路版图设计 西南科技大学
倒相器
以倒相器为例 在设计中，P型器件通常放在一个共用的N阱 中，N型器件也被放置在一个共用的P阱中。
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集成电路版图设计
主讲 李斌
E_mail:bin_lichina@
信息类专业课程
集成电路版图设计 西南科技大学
内容
一、紧凑型版图 二、棒状图 三、CMOS主从触发器棍棒图的画法
集成电路版图设计
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一、紧凑型版图
经验法则：通过小的、易于理解的功能模块构造大 的设计。 设计目标是使版图紧凑，在设计器件时应尽可能利 用矩形。
集成电路版图设计
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MOS晶体管
1、用一条水平的棒状图形来表示P型扩散区并使其位于图的顶部， 以另一条水平的棒状图形表示N型扩散区并使其位于图的底部。 2、在棒状图中，多晶硅、扩散区以及连线都可以用一条简单的线 来表示 3、多晶硅与扩散区交叉的时候表示一个晶体管。通常棒状图中， 将p型器件放置在顶部，n型器件放置在底部。以“x”表示器 件接触点连接的位置。一两条平行的竖线表示扩散区断开点 的位置。
CMOS设置及图解
CMOS设置及图解BIOS（basic input output system 即基本输入输出系统）设置程序是被固化到计算机主板上的ROM芯片中的一组程序，其主要功能是为计算机提供最底层的、最直接的硬件设置和控制。
BIOS设置程序是储存在BIOS芯片中的，只有在开机时才可以进行设置。
CMOS主要用于存储BIOS设置程序所设置的参数与数据，而BIOS设置程序主要对技巧的基本输入输出系统进行管理和设置，是系统运行在最好状态下，使用BIOS设置程序还可以排除系统故障或者诊断系统问题。
在我们计算机上使用的BIOS程序根据制造厂商的不同分为：AWARD BIOS程序、AMI BIOS程序、PHOENIX BIOS程序以及其它的免跳线BIOS程序和品牌机特有的BIOS程序，如IBM等等。
目前主板BIOS有三大类型，即AWARD AMI和PHOENIX三种。
不过，PHOENIX已经合并了AWARD，因此在台式机主板方面，其虽然标有AWARD-PHOENIX，其实际还是AWARD的BIOS的. Phoenix BIOS 多用于高档的586原装品牌机和笔记本电脑上，其画面简洁，便于操作。
AWARD BIOS程序图解教程一、进入AWARD BIOS设置和基本选项开启计算机或重新启动计算机后，在屏幕显示“Waiting……”时，按下“Del”键就可以进入CMOS的设置界面（图1）。
要注意的是，如果按得太晚，计算机将会启动系统，这时只有重新启动计算机了。
大家可在开机后立刻按住Delete键直到进入CMOS。
进入后，你可以用方向键移动光标选择CMOS设置界面上的选项，然后按Enter进入副选单，用ESC键来返回父菜单，用PAGE UP和PAGE DOWN键来选择具体选项，F10键保留并退出BIOS 设置。
图1STANDARD CMOS SETUP（标准CMOS设定）用来设定日期、时间、软硬盘规格、工作类型以及显示器类型BIOS FEATURES SETUP(BIOS功能设定)用来设定BIOS的特殊功能例如病毒警告、开机磁盘优先程序等等CHIPSET FEATURES SETUP（芯片组特性设定）用来设定CPU工作相关参数POWER MANAGEMENT SETUP（省电功能设定）用来设定CPU、硬盘、显示器等等设备的省电功能PNP/PCI CONFIGURATION（即插即用设备与PCI组态设定）用来设置ISA以及其它即插即用设备的中断以及其它差数LOAD BIOS DEFAULTS（载入BIOS预设值）此选项用来载入BIOS初始设置值LOAD OPRIMUM SETTINGS（载入主板BIOS出厂设置）这是BIOS的最基本设置，用来确定故障范围INTEGRATED PERIPHERALS（内建整合设备周边设定）主板整合设备设定SUPERVISOR PASSWORD（管理者密码）计算机管理员设置进入BIOS修改设置密码USER PASSWORD（用户密码）设置开机密码IDE HDD AUTO DETECTION（自动检测IDE硬盘类型）用来自动检测硬盘容量、类型SAVE&EXIT SETUP（储存并退出设置）保存已经更改的设置并退出BIOS设置EXIT WITHOUT SAVE（沿用原有设置并退出BIOS设置）不保存已经修改的设置，并退出设置图2STANDARD CMOS SETUP（标准CMOS设定）图2标准CMOS设定中包括了DATE和TIME设定，您可以在这里设定自己计算机上的时间和日期。
CMOS器件进阶版讲解（转）
CMOS器件进阶版讲解（转）本文转自芯苑， （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）上一篇介绍了简单的MOS的历史和原理结构介绍，应该能够建立起比较基础的认识了，下面我们继续讲讲MOS的特性以及半导体人该关注的制程要点。
先简单回顾下MOS的重要参数开启电压，也叫阈值电压，英文叫做Threshold Voltage (Vth)。
就是在栅极加电压，通过栅极氧化层的电场耦合效应在下面的沟道表面感应出与衬底/Well反型的掺杂，使得Source/Drain能够连接起来，我们称之为反型，而这个时候的栅极电压叫做开启电压(Vth)。
所以很容易理解Vth跟GOX厚度/质量，以及衬底浓度有很大关系。
(GOX越薄自然容易感应，所以Vt越低。
而且衬底浓度越低，表面越容易反型，所以Vt也越低)。
当然Vt还跟GOX 的质量有关，也就是介电常数，所以GOX quality很重要。
随着制程越来越advance，除了尺寸要缩小，工作电压也要越来越小(shrink/scanable: 物理尺寸都等比例缩小，工作电压也要等比例缩小)。
而我们的电流密度不希望减小，所以我们要求Vt越来越低，沟道长度越来越小，这两个都是让MOS导通电流增大的原因，所以Vt 和Leff是process两个最challenge的factor。
当然缩小的一个原因是电流密度以及降低电压和功耗提高速度，另外一个原因当然是cost (我也不知道moore's law当年看重的是哪个？)当然尺寸缩小带动电压缩小，这些的好处很多比如工作频率提高了(因为节深减小了，结电容就小了，GATE与S/D的OVL减小了，所以OVL电容也小了)，电压降低自然功耗降低了。
但是我们也有不好的东西，因为电压低了，所以gate delay就不得不考虑了，所以必须要降低gate电阻。
(这个可以打个比方记忆，我们的国家电网传输一定要用高压/超高压传输以减少线损，就是这个道理。
)所以，在MOS不断缩小的演进中，发展出很多一个又一个让我们这些半导体人挑战的难题，其实就是WAT参数window太小，必须enlarge window的技术革新。
CMOS设置图解
CMOS设置图解2007-10-16 20:52CMOS设置图解分类:电脑知识Award Bios和AMI Bios里面有很多东西是相同的，可以说基本上是一样的，虽然有些名字叫法不同，但是实际作用是一样的。
在前文中已经了解了一些Bios 的基本知识，和设置，那么在这篇文章里面我就会更详细的介绍一下Bios的超频设置，希望对那些想超频但是又没有接错过超频的玩家能有一些帮助。
和AMI Bios一样，再开机画面时按下“Del”键进入Bios设置菜单（有些是按F1键），如图：进入后大家会看到以下菜单，也有可能会有一些差别，但是基本上是差不多的，及算名字不同，但是基本上作用是一样的！大家可以用方向键移动光标，回车键确认，ESC键返回，用PageUp，PageDown 和数字键键调整设置，在任何设置菜单中可以按下F10键退出并保存设置，这些都和AMI Bios设置差不多！那么就正是进入设置！一．SoftMenu Setup（软超频设置）其实这个Soft Menu Setup，是升技主板独有的技术，这里提供了丰富的CPU外频、倍频调节（需要CPU支持）、AGP/PCI总线频率以及CPU/内存/AGP的电压调节频率等等。
这个项目相当于一些主板中的“Frequency/Voltage Control”前面是CPU的一些基本信息显示，下面的选项就是CPU超频的主要选项了！1. CPU Operating Speed（CPU外频设置）：这个项目根据你所使用的处理器型式以及速度来显示该处理器的运作速度，您可以选择[User Define]（使用者设定）的选项来手动输入其运作速度。
如图：好了，到了这里我就先放下Bios的设置引导了，在教大家超频之前先向大家解释一下什么叫超频以及超频的原理吧，这样才能让你能更好的进入下一步Bios设置超频！CPU超频，它的主要目的是为了提高CPU的工作频率，也就是CPU的主频。
而CPU的主频又是外频（FSB）和倍频（Multiplier Factor）的乘积。
如何进行CMOS设置(图解)
完全CMOS设置图解教程CMOS设置直接关系到电脑的性能，甚至影响到您的设备能否正常使用。
或许您已经会使用一些简单CMOS设置，比如设置启动驱动器，改变倍频等等，但这些是远远不够的，想要让你的电脑发挥出最优性能，首先我们就要彻底的了解CMOS设置的基础知识。
那么下面这篇CMOS 设置图解教程就可以让您轻松的掌握这些知识。
一.进入CMOS Setup设置在打开计算机电源后的几秒钟的时间内，电脑首先进行POST(Power On Self Test，开机自检)，在这个时候按下“Del”键后，就可以看到下图所示的CMOS Setup主菜单。
在主菜单中你可以选择不同的设置选项，按上下左右方向键来选择，按“Enter”键进入子菜单。
1.功能键说明(向上键)移到上一个选项(向下键)移到下一个选项(向左键)移到左边的选项(向右键)移到右边的选项Enter键选择当前项目Esc键回到主画面，或从主画面中结束Setup程序Page Up或+键改变设置状态，或增加栏位中的数值内容Page Down或-键改变设置状态，或减少栏位中的数值内容F1功能键显示目前设置项目的相关说明F5功能键装载上一次设置的值F6功能键装载最安全的值F7功能键装载最优化的值F10功能键储存设置值并离开CMOS Setup程序2.子菜单说明请注意设置菜单中各项内容.如果菜单项左边有一个三角形的指示符号，表示若选择了该项子菜单，将会有一个子菜单弹出来.3.辅助说明当你在Setup主画面时，随着选项的移动，下面显示相应选项的主要设置内容。
当你在设置各个栏位的内容时，只要按下“F1”，便可得到该栏位的设置预设值及所有可以的设置值，如BIOS缺省值或CMOS Setup缺省值。
如果想离开辅助说明窗口，只须按“Esc”键即可。
二.Standard CMOS Features(标准CMOS功能设置)在Standard CMOS Features中，主要是为了设置IDE硬盘的种类，以顺利开机，除此之外，还要设置日期、时间、软驱规格及显示卡的种类。
CMOS图像传感器的基本结构
CMOS图像传感器的基本结构2.1.1CMOS图像传感器的框图一个典型的CMOS图像传感器结构如图2.1所示。
这个结构包括由有源像素传感器（APS）构成的像素阵列、垂直扫描电路、每一列像素共享的列读出通道和列选择开关、模拟图像信号放大器、模数转换器和图像数据输出等。
控制器控制各个图像信息获取部件，进行所需要的曝光-读出同步操作。
控制数据由外部通过串行数据输入端口输入，并存储在控制数据存储器中。
图2.1CMOS图像传感器结构框图CMOS图像传感器的像素为有源像素传感器APS，每个像素中有一个光电二极管作为基本的光电转换元件，如图2.1左上角的方框所示。
在每个像素中还包括由若干个MOS晶体管有源器件组成的电路，把光子在光电二极管PN结上激发的载流子电荷信号转换成电压信号，并由模拟开关控制光电二极管的曝光操作和信号输出。
在大多数阵列设计中，像素几何形状采取正方形，像素在阵列中正交排列。
像素阵列示意在图 2.1框图的中央，水平排列的像素构成行（Row），每行由M个像素组成，垂直方向的像素构成列（Column），整个阵列由M列和N行像素构成，阵列的总像素数为M×N。
像素阵列的主要操作就是曝光和读出，因为阵列中一般的曝光和读出是按行进行的，所以垂直扫描实际上就是实现按行操作阵列的曝光和读出。
水平扫描操作实际上是当某一行执行读出时，顺序扫描读出这一行中的每个像素的信号，水平扫描是由列模拟开关依次开启来执行的。
垂直和水平扫描系统就是用于按行和列顺序，控制和操作整个阵列的曝光和读出。
阵列中每一列的像素共享一个列读出通道，在有M列像素的阵列中有M个完全相同的通道电路，对信号进行放大和模拟处理，以获取和改善一列像素的图像信号。
经过列选择的图像信号通过可变增益的宽带模拟放大器，然后输入到高速模拟数字转换电路。
模拟图像信号在模数转换电路上变换成数字图像数据，以串行或并行格式输出到集成电路芯片的引脚上。
整个像素阵列的曝光和读出过程，由一个控制器按事先设计的时序和输入的指令同步操作，操作时序由像素阵列的曝光和读出的方式和速率所决定。
完全CMOS设置图解教程
完全CMOS设置图解教程(1)完全CMOS设置图解教程(1)CMOS设置直接关系到电脑的性能，甚至影响到您的设备能否正常使用。
或许您已经会使用一些简单CMOS设置，比如设置启动驱动器，改变倍频等等，但这些是远远不够的，想要让你的电脑发挥出最优性能，首先我们就要彻底的了解CMOS设置的基础知识。
那么下面这篇CMOS设置图解教程就可以让您轻松的掌握这些知识。
一.进入CMOS Setup设置在打开计算机电源后的几秒钟的时间内，电脑首先进行POST(Power On Self Test，开机自检)，在这个时候按下“Del”键后，就可以看到下图所示的CMOS Setup主菜单。
在主菜单中你可以选择不同的设置选项，按上下左右方向键来选择，按“Enter”键进入子菜单。
1.功能键说明(向上键)移到上一个选项(向下键)移到下一个选项(向左键)移到左边的选项(向右键)移到右边的选项Enter键选择当前项目Esc键回到主画面，或从主画面中结束Setup程序Page Up或+键改变设置状态，或增加栏位中的数值内容Page Down或-键改变设置状态，或减少栏位中的数值内容F1功能键显示目前设置项目的相关说明F5功能键装载上一次设置的值F6功能键装载最安全的值F7功能键装载最优化的值F10功能键储存设置值并离开CMOS Setup程序2.子菜单说明请注意设置菜单中各项内容.如果菜单项左边有一个三角形的指示符号，表示若选择了该项子菜单，将会有一个子菜单弹出来.3.辅助说明当你在Setup主画面时，随着选项的移动，下面显示相应选项的主要设置内容。
当你在设置各个栏位的内容时，只要按下“F1”，便可得到该栏位的设置预设值及所有可以的设置值，如BIOS缺省值或CMOS Setup缺省值。
如果想离开辅助说明窗口，只须按“Esc”键即可。
二.Standard CMOS Features(标准CMOS功能设置)在Standard CMOS Features中，主要是为了设置IDE硬盘的种类，以顺利开机，除此之外，还要设置日期、时间、软驱规格及显示卡的种类。
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COMS图解2007年11月19日星期一 23:26进入后大家会看到以下菜单，也有可能会有一些差别，但是基本上是差不多的，及算名字不同，但是基本上作用是一样的!大家可以用方向键移动光标，回车键确认，ESC键返回，用PageUp，PageDown和数字键键调整设置，在任何设置菜单中可以按下F10键退出并保存设置，这些都和AMI Bios设置差不多！那么就正是进入设置！一．SoftMenu Setup（软超频设置）其实这个Soft Menu Setup，是升技主板独有的技术，这里提供了丰富的CPU外频、倍频调节（需要CPU支持）、AGP/PCI总线频率以及CPU/内存/AGP的电压调节频率等等。
这个项目相当于一些主板中的“Frequency/Voltage Control”前面是CPU的一些基本信息显示，下面的选项就是CPU超频的主要选项了！1. CPU Operating Speed（CPU外频设置）：这个项目根据你所使用的处理器型式以及速度来显示该处理器的运作速度，您可以选择[User Define]（使用者设定）的选项来手动输入其运作速度。
如图：好了，到了这里我就先放下Bios的设置引导了，在教大家超频之前先向大家解释一下什么叫超频以及超频的原理吧，这样才能让你能更好的进入下一步Bios设置超频！CPU超频，它的主要目的是为了提高CPU的工作频率，也就是CPU的主频。
而CPU的主频又是外频（FSB）和倍频（Multiplier Factor） 的乘积。
例如一块CPU的外频为200MHz,倍频为10,可以计算得到它的主频＝外频×倍频＝200MHz×10 = 2000MHz，即2.0GHz。
提升CPU的主频可以通过改变CPU的倍频或者外频来实现。
但如果使用的是Intel CPU，你尽可以忽略倍频，但是有一部分Intel的工程样品是没有锁定倍频额，AMD的CPU可以修改倍频。
虽然提升CPU的外频或者倍频都可以使CPU达到同样的频率，比如一颗2.0GHz的CPU，它用200*10＝2.0，我们可以把倍频提升到20，而把FSB降到100MHz，或者可以把FSB提升到250，而把倍频降低到8。
这两个方法都可以使主频达到2.0G，但是他们所得到的性能是不一样的。
因为外频（FSB）是系统用来与处理器通信的通道，应该让它尽可能的提高。
所以如果把FSB降到100MHz而把倍频提高到20的话，依然会有2.0GHz的时钟频率，但是系统的其余部分与处理器通信将会比以前慢得多，导致系统性能的损失，因此，如果用户的CPU可以降低倍频，不妨试一试！外频的速度通常与前端总线、内存的速度紧密关联。
因此当你提升了CPU外频之后，CPU、系统和内存的性能也同时提升，这就是为什么DIYer喜欢超频的原因了。
好了，言归正传，继续Bios设置，在你选择“CPU Operating Speed”中的“Use Defined”选项后，你会看到以前不可以选的CPU选项现在已经可以进行设置了！1.Ext.Clock（CPU/AGP/PCI）这就是外频调节设置选项，手动输入想设置成的CPU外频数值，在此允许输入数值范围在100-412之间，可以以每1MHz的频率提高进行线性超频，最大限度的挖掘CPU的潜能。
一般上CPU的外频在100至250左右较为正常，一般不会超过300MHz，所以用户千万不要一次性把外频调到最高，原则上来讲，第一次超频CPU因为不清楚CPU究竟可以在多高的外频下工作，因此设置外频的数值可以以三至五兆赫兹为台阶提高来慢慢试验，在此为了示范，直接将外频设置成了133MHz这个标准外频，设置了正确的外频数字以后再按回车键确定。
如果CPU的倍频没有被锁定的话，拉么在Ext.Clock（CPU/AGP/PCI）菜单下会显示有一个Multiplier Factor（倍频设置）选项这个项目选择CPU的倍频数。
2.Estimated New CPU clock：这个项目显示前两项 [Ext. Clock] 与 [Multiplier Factor] 的频率总和。
3. N/B Strap CPU As：这个部份可以设定指定给MCH (内存控制器)的前端总线。
选项有：[PSB400]、[PSB533]、[PSB800]、以及 [By CPU]。
默认值是 [By CPU].若要手动设定这个部份：若CPU的频率为100MHz FSB，则可选择 [PSB400]。
若CPU的频率为133MHz FSB，则可选择 [PSB533]。
若CPU的频率为200MHz FSB，则可选择 [PSB800]。
4.DRAM Ratio (CPU:DRAM):这个部份可以决定CPU和DRAM之间的频率比。
说到这里，又得跟大家解释一下CPU与内存的关系了，内存的工作频率是由外频（FSB）决定的，因此我们在对CPU超频的同时就给内存也增加了运行频率，设置外频与内存总线频率的比值。
如果你使用的是DDR35. Fixed AGP/PCI Frequency：此项目可用来决定AGP/PCI总线的频率，此选项允许你维持您的AGP/PCI频率在一些固定的频率上，以增进系统的稳定性。
6. CPU Power Supply：此选项允许用户在处理器预设电压数值和使用者定义电压数值之间做切换，请不要随意去变动此预设电压数值，除非你有一定的调节经验，选择「User Define」选项后“CPU Core Voltage ”就可以选择CPU核心所使用的电压可让您以手动的方式来选择处理器的核心电压数值。
如图：这里介绍一下CPU核心电压，P4 CPU的额定核心工作电压为1.5V，通常不超过1.65V的电压都是安全的，当然超频提高电压是要在保证稳定工作的前提下，尽可能的少加电压，这是从散热方面考虑为了将CPU的温度尽可能的控制在低水平下。
电压也可以一点一点儿的逐渐尝试提高，不必急于一步到位，在此我们先选择1.55V尝试一下。
请注意超过1.70V的电压对于北木核心的P4来说都是危险的，有可能会烧坏CPU，因此电压不宜加的过高！7.DDR SDRAM Voltage:这个部份可以选择DRAM插槽工作电压。
就是来提高给DDR内存供电的电压，DIMM模组的默认电压为2.5V，如果内存品质不好，或是超频了内存，那最后，在这里面还可以看到给AGP显示卡提高工作电压的选项，如果你超频是为标准外频，也让显示卡超频好了，说了这么多的超频的Bios设置后，继续说明其他选项的Bios设置，当然，一下内容中同样也有关于优二.Standard CMOS Features（标准CMOS参数设定）这里就不用多讲了！想必大家都能看懂！下面是“IDE设备设置”里面的选项解释，一般不用用户设置，保三．Advanced BIOS Features（BIOS进阶功能设定）1.Quick Power On Self Test（快速启动选择）:当设定为[Enabled]（启动）时，这个项目在系统电源开启之后，可加速POST（Power On Self Test）的程2.Hard Disk Boot Priority（硬盘引导顺序）:此项目可选择硬盘开机的优先级，按下<Enter>的按键，你可以进入它的子选单，它会显示出已侦测到可以 3. HDD Change Message:当设定为[Enabled]（启动）时，如果你的系统中所安装的硬盘有更动，在POST的开机过程中，屏幕会出现 4. First Boot Device / Second Boot Device / Third Boot Device / Boot Other Device:在[First Boot Device]、[Second Boot Device]以及[Third Boot Device]的项目当中选择要做为第一、第三.Advanced Chipset Features（芯片组设定）芯片组设定也是Bios设置里面的一个重点设置，这里就详细说明一下！1.DRAM Timing Selectable（内存参数设置选项）：这个项目会视内存模块的不同，为接下来四个项目设定最佳的计时方式。
默认值为「By SPD」。
这个默认值储存有关模块的重要参数信息，例如内存类型、大小、速度、电压接口及模块储存区域。
2.CAS Latency Time：这个项目可控制DRAM读取指令与数据成为真正可用的时间之间的延迟时间。
较低的CAS周期能减少内存的潜稳定性。
3. Act to Precharge Delay：这个项目控制了给DRAM参数使用之DRAM频率的数值。
同理，数值小性能高，但是对内存的质量也要求严格！4.DRAM RAS# to CAS# Delay：这个项目可控制DRAM作用指令与读取/写入指令之间的延迟时间，有2，3，4几种选择。
数值越小，性能越好5. DRAM RAS# Precharge：这个项目是用来控制当预充电（precharge）指令送到DRAM之后，频率等待启动的等待时间。
预充电参数越以上的内存参数设置一般可以不动！让默认的就可以了，但是超频玩者是肯定不会放过任何可以提高性能的6.Video BIOS Cacheable（影像快取）:如同系统BIOS的快取功能，启用影像BIOS的快取功能将允许存取影像BIOS自C0000H到C7FFFH具有快取功能， 7.Memory Hole At 15M-16M（扩展卡内存分配）:当设定为[Enabled]（启动）时，将会有15M-16M的内存空间预留给特别需要此设定的ISA扩充卡。
这会使得 8.Delay Prior to Thermal（激活延时设置）:此项目可用来选在择温探（Thermal）装置动作之前的延迟时间。
9.AGP Aperture Size（AGP卡槽内存分配设置）:这个项目可指定让AGP装置来使用的系统内存大小，这取用大小是PCI内存地址范围的一部份，可分配给图形 10.Init Display First:这个项目可选择当系统开机时先行对AGP或是PCI插槽来做初始化的动作。
[AGP]：当系统开机时，它将会先对AGP插槽来做初始化的动作。
[PCI Slot]：当系统开机时，它将会先对PCI插槽来做初始化的动作。
11.AGP Data Transfer Rate（AGP速度设置）:这个项目允许你选择AGP装置的数据传输速率，更高的数据传输速率可对您的系统提供更快以及更佳的图形四.Integrated Peripherals（集成设备设定）这个是管理计算机的主板集成设备和端口的选项，具体项目因为主板不同，所以其中的设置会有所不同，这里就不1.OnChip IDE Device:2.OnChip PCI Device1.OnChip USB Controller:这个选项开启或关闭USB端口。