CBB、CL电容介绍
CBB与CL在概念与参数上的不同
CBB 与CL 在概念与参数上的不同
主要有两种结构；箔式CL11、CBB11 和金属化CL21、CBB21、CBB22 等。
这样我们就能很容易从型号上看出它们的材料和结构。
例如：CL21 则表示这个电容器的材料是涤纶，结构是金属化。
CL11 型是数量最大的一种低价产品。
箔式结构是指电容器用塑料薄膜和铝箔叠在一起
卷绕而成，导电电极为铝箔。
金属化结构是预先用真空蒸发的方法在薄膜上
蒸发了一层极薄的金属膜，然后用这个薄膜卷绕成的电容器，导电电极为蒸
发的金属膜（大多仍为铝膜）。
在同样规格情况下，金属化电容器的体积要比箔式的小。
金属化薄膜电容器有自愈特性，即电容器中塑料薄膜某一点若存
在缺陷，加电压时会击穿，则此处的金属膜会蒸发掉，而不会产生短路现
象，从而使电容器仍能正常工作。
金属化电容器还有一个优点就是引出线是
从喷了金属的端面引出，从而使电流通路很短，所以也称为无感电容器。
电容的功能分类和主要特性参数
电容功能分类介绍名称：聚酯（涤纶）电容（CL）符号：电容量：40p--4μ额定电压：63--630V主要特点：小体积，大容量，耐热耐湿，稳定性差应用：对稳定性和损耗要求不高的低频电路名称：聚苯乙烯电容（CB）符号：电容量：10p--1μ额定电压：100V--30KV主要特点：稳定，低损耗，体积较大应用：对稳定性和损耗要求较高的电路名称：聚丙烯电容（CBB）符号：电容量：1000p--10μ额定电压：63--2000V主要特点：性能与聚苯相似但体积小，稳定性略差应用：代替大部分聚苯或云母电容，用于要求较高的电路名称：云母电容（CY）符号：电容量：10p--0.1μ额定电压：100V--7kV主要特点：高稳定性，高可靠性，温度系数小应用：高频振荡，脉冲等要求较高的电路名称：高频瓷介电容（CC）符号：电容量：1--6800p额定电压：63--500V主要特点：高频损耗小，稳定性好应用：高频电路名称：低频瓷介电容（CT）符号：电容量：10p--4.7μ额定电压：50V--100V主要特点：体积小，价廉，损耗大，稳定性差应用：要求不高的低频电路名称：玻璃釉电容（CI）符号：电容量：10p--0.1μ额定电压：63--400V主要特点：稳定性较好，损耗小，耐高温（200度）应用：脉冲、耦合、旁路等电路名称：铝电解电容(CD)符号：电容量：0.47--10000μ额定电压：6.3--450V主要特点：体积小，容量大，损耗大，漏电大应用：电源滤波，低频耦合，去耦，旁路等名称：钽电解电容（CA）铌电解电容（CN）符号：电容量：0.1--1000μ额定电压：6.3--125V主要特点：损耗、漏电小于铝电解电容应用：在要求高的电路中代替铝电解电容名称：空气介质可变电容器符号：可变电容量：100--1500p主要特点：损耗小，效率高；可根据要求制成直线式、直线波长式、直线频率式及对数式等应用：电子仪器，广播电视设备等名称：薄膜介质可变电容器符号：可变电容量：15--550p主要特点：体积小，重量轻；损耗比空气介质的大应用：通讯，广播接收机等名称：薄膜介质微调电容器符号：可变电容量：1--29p主要特点：损耗较大，体积小应用：收录机，电子仪器等电路作电路补偿名称：陶瓷介质微调电容器符号：可变电容量：0.3--22p主要特点：损耗较小，体积较小应用：精密调谐的高频振荡回路名称：独石电容容量范围：0.5PF--1ΜF耐压：二倍额定电压。
CL21电容和CBB电容的区别
CL21电容和CBB电容的区别
电容的种类繁多，细分安规电容、陶瓷电容、薄膜电容等之后种类看得眼花缭乱，不少客户有问⼩编，CL21电容和CBB电容有什么区别呀，其实它们都是薄膜电容，但还是有区别的，下⾯⼩编就为给为⼤家分析下他们的区别。
1、在⾼频条件下，CBB电容的稳定性⾼于CL电容。
2、在相同的温变条件下，CBB电容容量随着温度变化的范围⽐CL电容⼩。
3、CBB电容的损耗⽐CL电容⼩，在频率为1kHz的条件下，⼀般CBB电容损耗⾓正切值⼩于0.001，⽽CL电容的损耗⾓正切值⼩于0.01。
4、CBB电容与CL电容的绝缘性能都特别好，优于另外⼀些电容器，但CBB电容的绝缘性能则⽐CL电容更佳。
5、和CBB电容⽐起来CL电容的优势在于体积⼩，相同电压，相同容量的情况下，CL电容的体积可以做得⽐CBB电容⼩，这⼀点对于有体积安装要求的还是很实⽤的。
由于CBB电容性能更好，单价更贵，所以⽬前市场上有许多⽤CL电容冒充CBB电容的⽆良商家，因此推荐⽅法给⼤家辨别两种电容：测损耗值，若是⼩于0.001则为CBB电容，反之则为CL电容。
电容的分类、作用及图解
电容的分类、作用及图解————————————————————————————————作者：————————————————————————————————日期：1.瓷介电容器（CC ）结构：用陶瓷材料作介质，在陶瓷表面涂覆一层金属（银）薄膜，再经高温烧结后作为电极而成。
瓷介电容器又分 1 类电介质（NPO 、CCG ） ）；2 类电介质（X7R 、2X1）和 3 类电介质（Y5V 、2F4）瓷介电容器。
用途：主要应用于高频电路中。
2.涤纶电容器（CL ）结构：涤纶电容器，是用有极性聚脂薄膜为介质制成的具有正温度系数（即温度升高时，电容量变大）的无极性电容。
用途： 一般应用于中、低频电路中。
常用的型号有CL11、CL21等系列。
3.聚苯乙烯电容器（CB ）结构：有箔式和金属化式两种类型。
用途： 一般应用于中、高频电路中。
常用的型号有CB10、CB11（非密封箔式）、CB14~16（精密型）、CB24、CB25（非密封型金属化）、CB80（高压型）、 CB40 （密封型金属化）等系列。
4.聚丙烯电容器（CBB ）结构：用无极性聚丙烯薄膜为介质制成的一种负温度系数无极性电容。
有非密封式（常用有色树脂漆封装）和密封式（用金属或塑料外壳封装）两种类型。
用途： 一般应用于中、低频电子电路或作为电动机的启动电容。
常用的箔式聚丙烯电容：CBB10、CBB11、CBB60、 CBB61 等；金属化式聚丙烯电容： CBB20、CBB21、CBB401 等系列。
5.独石电容器结构：独石电容器是用钛酸钡为主的陶瓷材料烧结制成的多层叠片状超小型电容器。
用途：广泛应用于谐振、旁路、耦合、滤波等。
常用的有CT4 （低频） 、CT42（低频）；CC4（高频）、CC42（高频）等系列。
6.云母电容器（CY ）结构：云母电容器是采用云母作为介质，在云母表面喷一层金属膜（银）作为电极，按需要的容量叠片后经浸渍压塑在胶木壳（或陶瓷、塑料外壳）内构成。
电容的分类、作用及图解
结构：云母微调电容器由定片和动片构成，定片为固定金属片，其表面贴有一层云母薄片作为介质，动片为具有弹性的铜片或铝片，通过调节动片上的螺钉调节动片与定片之间的距离，来改变电容量。 云母微调电容器有单微调和双微调之分。
用途：应用于晶体管收音机、电子仪器、电子设备中。
12.瓷介微调电容器（CC）
8.金属化纸介电容器（CJ）
结构：金属化纸介电容器采用真空蒸发技术，在涂有漆膜的
纸上再蒸镀一层金属膜作为电极而成。
优点：与普通纸介电容相比，体积小，容量大，击穿后能自愈能力强。
常见有CJ10、CJ11等系列。
9.铝电解电容器（CD）
结构：有极性铝电解电容器是将附有氧化膜的铝箔（正极）和浸有电解液的衬垫纸，与阴极（负极）箔叠片一起卷绕而成。外型封装有管式、立式。并在铝壳外有蓝色或黑色塑料套。
用途： 一般应用于中、低频电路中。
常用的型号有CL11、CL21等系列。
3.聚苯乙烯电容器（CB）
结构：有箔式和金属化式两种类型。
用途： 一般应用于中、高频电路中。
常用的型号有CB10、CB11（非密封箔式）、CB14~16（精密型）、CB24、CB25（非密封型金属化）、CB80（高压型）、 CB40 （密封型金属化）等系列。
4.聚丙烯电容器（CBB）
结构：用无极性聚丙烯薄膜为介质制成的一种负温度系数无极性电容。有非密封式（常用有色树脂漆封装）和密封式（用金属或塑料外壳封装）两种类型。
用途： 一般应用于中、低频电子电路或作为电动机的启动电容。常用的箔式聚丙烯电容：CBB10、CBB11、CBB60、 CBB61 等；金属化式聚丙烯电容： CBB20、CBB21、CBB401 等系列。
14.空气可变电容器（CB）
CBB、CL系列薄膜电容的分类与特点（中）
CBB、CL系列薄膜电容的分类与特点（中）7.CBB20型金属化聚丙烯薄膜D向电容（MPT/MPA ）CBB20型电容以金属化聚丙烯膜作为介质，电极采用无感卷绕，外层用聚醋胶带包封，两端灌注环氧树脂，外形如图8所示。
主要特点：非感应式结构，高频损耗小，过电流能力强，绝缘电阻高，自愈性好、寿命长，温度特性稳定，可用于大电流电路中，广泛用于变频与分频大脉冲电路中，尤其是高保真音响分频器电路中。
主要参数：使用温度为－40℃～＋8590，额定电压为160V、250V、400V、630V、1000V、1200V，电容量范围是0.01μF～30μF，电容量偏差是±5%（J）、±10%（K）、±20%（M），损耗角正切值不大于0.001（1 kHz、20℃）。
8.CBB21型金属化聚丙烯膜电容CBB21型电容为无感结构，用金属化聚丙烯薄膜作为电介质和电极，导线采用镀锡铜包钢线，用阻燃环氧树脂包封，外形如图9所示。
主要特点：高频损耗小，可靠性高，自愈性好，广泛用于滤波、降噪、脉冲、谐振、降压电路中。
主要参数：使用温度为－40℃～＋85℃，额定电压为100V、160V、250V、400V、630V，电容量范围是0.0033μF-6.8μF，电容量偏差是15%（J）、±10%（K）、±20%（M），损耗角正切值不大于0.001（1 kHz ，20℃）。
9.CBB22型金属化聚丙烯膜电容CBB22型电容内部采用金属化聚丙烯膜，外用环氧树脂包封，外形如图10所示。
主要特点：高频损耗小，绝缘性能好，自愈效果好，应用于高频率、大电流、高稳定性的电路中。
主要参数：使用温度为－40℃～＋85℃，额定电压为250V、400V、630V，电容量范围是0.0047μF3.3 μF，电容量偏差是±5%（J）、±10%（K）、±20%（M），损耗角正切值不大于0.001（1kHz，20℃）。
各种电容的特点、应用及优缺点
各种电容的特点、应用及优缺点一、各种电容的特点和应用1、聚酯（涤纶）电容（CL）电容量：40p--4u额定电压：63--630V主要特点：小体积，大容量，耐热耐湿，稳定性差应用：对稳定性和损耗要求不高的低频电路2、聚苯乙烯电容（CB）电容量：10p--1u额定电压：100V--30KV主要特点：稳定，低损耗，体积较大应用：对稳定性和损耗要求较高的电路3、聚丙烯电容（CBB）电容量：1000p--10u额定电压：63--2000V主要特点：性能与聚苯相似但体积小，稳定性略差应用：代替大部分聚苯或云母电容，用于要求较高的电路4、云母电容（CY）电容量：10p--0。
1u额定电压：100V--7kV主要特点：高稳定性，高可靠性，温度系数小应用：高频振荡，脉冲等要求较高的电路5、高频瓷介电容（CC）电容量：1--6800p额定电压：63--500V主要特点：高频损耗小，稳定性好应用：高频电路6、低频瓷介电容（CT）电容量：10p--4.7u额定电压：50V--100V主要特点：体积小，价廉，损耗大，稳定性差应用：要求不高的低频电路7、玻璃釉电容（CI）电容量：10p--0.1u额定电压：63--400V主要特点：稳定性较好，损耗小，耐高温（200度）应用：脉冲、耦合、旁路等电路8、空气介质可变电容器可变电容量：100--1500p主要特点：损耗小，效率高；可根据要求制成直线式、直线波长式、直线频率式及对数式等应用：电子仪器，广播电视设备等9、薄膜介质可变电容器可变电容量：15--550p主要特点：体积小，重量轻；损耗比空气介质的大应用：通讯，广播接收机等10、薄膜介质微调电容器可变电容量：1--29p主要特点：损耗较大，体积小应用：收录机，电子仪器等电路作电路补偿11、陶瓷介质微调电容器可变电容量：0。
3--22p主要特点：损耗较小，体积较小应用：精密调谐的高频振荡回路12、独石电容容量范围：0.5PF--1UF耐压：二倍额定电压主要特点：电容量大、体积小、可靠性高、电容量稳定，耐高温耐湿性好,温度系数很高应用范围：广泛应用于电子精密仪器,各种小型电子设备作谐振、耦合、滤波、旁路。
各种电容的区别
1、聚酯（涤纶）电容（CL）电容量：40p--4u额定电压：63--630V主要特点：小体积，大容量，耐热耐湿，稳定性差应用：对稳定性和损耗要求不高的低频电路2、聚苯乙烯电容（CB）电容量：10p--1u额定电压：100V--30KV主要特点：稳定，低损耗，体积较大应用：对稳定性和损耗要求较高的电路3、聚丙烯电容（CBB）电容量：1000p--10u额定电压：63--2000V主要特点：性能与聚苯相似但体积小，稳定性略差应用：代替大部分聚苯或云母电容，用于要求较高的电路4、云母电容（CY）电容量：10p--0。
1u额定电压：100V--7kV主要特点：高稳定性，高可靠性，温度系数小应用：高频振荡，脉冲等要求较高的电路5、高频瓷介电容（CC）电容量：1--6800p额定电压：63--500V主要特点：高频损耗小，稳定性好应用：高频电路6、低频瓷介电容（CT）电容量：额定电压：50V--100V主要特点：体积小，价廉，损耗大，稳定性差应用：要求不高的低频电路7、玻璃釉电容（CI）电容量：额定电压：63--400V主要特点：稳定性较好，损耗小，耐高温（200度）应用：脉冲、耦合、旁路等电路8、空气介质可变电容器可变电容量：100--1500p主要特点：损耗小，效率高；可根据要求制成直线式、直线波长式、直线频率式及对数式等应用：电子仪器，广播电视设备等9、薄膜介质可变电容器可变电容量：15--550p主要特点：体积小，重量轻；损耗比空气介质的大应用：通讯，广播接收机等10、薄膜介质微调电容器可变电容量：1--29p主要特点：损耗较大，体积小应用：收录机，电子仪器等电路作电路补偿11、陶瓷介质微调电容器可变电容量：0。
3--22p主要特点：损耗较小，体积较小应用：精密调谐的高频振荡回路12、独石电容容量范围：耐压：二倍额定电压主要特点：电容量大、体积小、可靠性高、电容量稳定，耐高温耐湿性好,温度系数很高应用范围：广泛应用于电子精密仪器,各种小型电子设备作谐振、耦合、滤波、旁路。
CBB电容和CL电容 的区别
CBB电容和CL电容的区别CL，涤纶电容器，又称聚酯薄膜电容器。
tanδ（3～7）×10^（-3）。
电容量可从100pf 到几百μf；工作电压从几十伏到上万伏。
绝缘电阻高，耐热性好。
具有自愈性和无感特性。
缺点是损耗tanδ大，电参数稳定性差。
CCB，聚丙烯电容器。
tanδ（1～10）×10^（-4）（比CL低一个数量级）。
具有优良的高频绝缘性能，电容量与损耗tanδ在很大频率范围内与频率无关，随温度变化很小，而介电强度随温度升高而有所增加，这是其他介质材料难以具备的。
耐温高，吸收系数小。
塑料薄膜电容器是近一、二十年发展起来的电容器,现已成为主流产品(淘汰了以往的纸介电容器).薄膜电容器的容量上限可以很大,如电动机启动用CBB60、CBB61型电容器,容量可达几十微法.薄膜电容器主要有两种材料,聚酯(涤纶)CL 型和聚丙烯CBB型.每种材料主要有两种结构;箔式CL11、CBB11和金属化CL21、CBB21、CBB22等.这样我们就能很容易从型号上看出它们的材料和结构.例如:CL21则表示这个电容器的材料是涤纶,结构是金属化.CL11型是数量最大的一种低价产品.箔式结构是指电容器用塑料薄膜和铝箔叠在一起卷绕而成,导电电极为铝箔.金属化结构是预先用真空蒸发的方法在薄膜上蒸发了一层极薄的金属膜,然后用这个薄膜卷绕成的电容器,导电电极为蒸发的金属膜(大多仍为铝膜).在同样规格情况下,金属化电容器的体积要比箔式的小.金属化薄膜电容器有自愈特性,即电容器中塑料薄膜某一点若存在缺陷,加电压时会击穿,则此处的金属膜会蒸发掉,而不会产生短路现象,从而使电容器仍能正常工作.金属化电容器还有一个优点就是引出线是从喷了金属的端面引出,从而使电流通路很短,所以也称为无感电容器. 损耗:CL型和CBB型电容器在外形上差别不大,但在损耗这一电性能上差别较大.涤纶电容器的损耗较大,在1kHz时典型值约为50×10-4,与纸介电容器相当.聚丙烯电容器的损耗(1kHz),指标大约是10×10-4,实际上一般小于5×10-4,约为涤纶电容器的十分之一. 绝缘:CL型和CBB型绝缘性能都特别好,优于其它电容器.例如,一只CBB22型100nF电容器,其绝缘电阻可超过五万兆欧.温度系数:CL型与CBB型电容器的温度系数大体上都为300PPM/℃左右,但是CL型为正温度系数,CBB型为负温度系数.前面介绍过CBB型电容器在温度升高40℃时,容量要下降1 2%左右.所以这两种电容器都不能制成精密电容器,最高精度只有±5%(J).有时候,电容器上的标记不清,若要辨别真假CBB电容器,可以利用CL型和CBB型温度系数方向不同的原理来辨别,可以用手掌型数字电容表和电吹风来进行试验.先把电容器接到电容表上读出冷态时的电容值,然后用电吹风加热电容器,注意温度要调低一点,如果电容器的容量变大,说明是CL型电容器,反之则是CBB型电容器.顺便提一下,所有的非极性薄膜电容器均为负温度系数,例如聚苯乙烯电容器。
(整理)电容的功能分类和主要特性参数
电容功能分类介绍名称：聚酯（涤纶）电容（CL）符号：电容量：40p--4μ额定电压：63--630V主要特点：小体积，大容量，耐热耐湿，稳定性差应用：对稳定性和损耗要求不高的低频电路名称：聚苯乙烯电容（CB）符号：电容量：10p--1μ额定电压：100V--30KV主要特点：稳定，低损耗，体积较大应用：对稳定性和损耗要求较高的电路名称：聚丙烯电容（CBB）符号：电容量：1000p--10μ额定电压：63--2000V主要特点：性能与聚苯相似但体积小，稳定性略差应用：代替大部分聚苯或云母电容，用于要求较高的电路名称：云母电容（CY）符号：电容量：10p--0.1μ额定电压：100V--7kV主要特点：高稳定性，高可靠性，温度系数小应用：高频振荡，脉冲等要求较高的电路名称：高频瓷介电容（CC）符号：电容量：1--6800p额定电压：63--500V主要特点：高频损耗小，稳定性好应用：高频电路名称：低频瓷介电容（CT）符号：电容量：10p--4.7μ额定电压：50V--100V主要特点：体积小，价廉，损耗大，稳定性差应用：要求不高的低频电路名称：玻璃釉电容（CI）符号：电容量：10p--0.1μ额定电压：63--400V主要特点：稳定性较好，损耗小，耐高温（200度）应用：脉冲、耦合、旁路等电路名称：铝电解电容(CD)符号：电容量：0.47--10000μ额定电压：6.3--450V主要特点：体积小，容量大，损耗大，漏电大应用：电源滤波，低频耦合，去耦，旁路等名称：钽电解电容（CA）铌电解电容（CN）符号：电容量：0.1--1000μ额定电压：6.3--125V主要特点：损耗、漏电小于铝电解电容应用：在要求高的电路中代替铝电解电容名称：空气介质可变电容器符号：可变电容量：100--1500p主要特点：损耗小，效率高；可根据要求制成直线式、直线波长式、直线频率式及对数式等应用：电子仪器，广播电视设备等名称：薄膜介质可变电容器符号：可变电容量：15--550p主要特点：体积小，重量轻；损耗比空气介质的大应用：通讯，广播接收机等名称：薄膜介质微调电容器符号：可变电容量：1--29p主要特点：损耗较大，体积小应用：收录机，电子仪器等电路作电路补偿名称：陶瓷介质微调电容器符号：可变电容量：0.3--22p主要特点：损耗较小，体积较小应用：精密调谐的高频振荡回路名称：独石电容容量范围：0.5PF--1ΜF耐压：二倍额定电压。
电容的分类作用及图解
1、瓷介电容器(CC)结构:用陶瓷材料作介质,在陶瓷表面涂覆一层金属(银)薄膜,再经高温烧结后作为电极而成。
瓷介电容器又分 1 类电介质(NPO、CCG));2 类电介质(X7R、2X1)与3 类电介质(Y5V、2F4)瓷介电容器。
用途:主要应用于高频电路中。
2、涤纶电容器(CL)结构:涤纶电容器,就是用有极性聚脂薄膜为介质制成的具有正温度系数(即温度升高时,电容量变大)的无极性电容。
用途: 一般应用于中、低频电路中。
常用的型号有CL11、CL21等系列。
3、聚苯乙烯电容器(CB)结构:有箔式与金属化式两种类型。
用途: 一般应用于中、高频电路中。
常用的型号有CB10、CB11(非密封箔式)、CB14~16(精密型)、CB24、CB25(非密封型金属化)、CB80(高压型)、CB40 (密封型金属化)等系列。
4、聚丙烯电容器(CBB)结构:用无极性聚丙烯薄膜为介质制成的一种负温度系数无极性电容。
有非密封式(常用有色树脂漆封装)与密封式(用金属或塑料外壳封装)两种类型。
用途: 一般应用于中、低频电子电路或作为电动机的启动电容。
常用的箔式聚丙烯电容:CBB10、CBB11、CBB60、CBB61 等;金属化式聚丙烯电容: CBB20、CBB21、CBB401 等系列。
5、独石电容器结构:独石电容器就是用钛酸钡为主的陶瓷材料烧结制成的多层叠片状超小型电容器。
用途:广泛应用于谐振、旁路、耦合、滤波等。
常用的有CT4 (低频) 、CT42(低频);CC4(高频)、CC42(高频)等系列。
6、云母电容器(CY)结构:云母电容器就是采用云母作为介质,在云母表面喷一层金属膜(银)作为电极,按需要的容量叠片后经浸渍压塑在胶木壳(或陶瓷、塑料外壳)内构成。
用途:一般在高频电路中作信号耦合、旁路、调谐等使用。
常用的有CY、CYZ、CYRX等系列。
7、纸介电容器(CZ)结构:纸介电容器就是用较薄的电容器专用纸作为介质,用铝箔或铅箔作为电极,经卷饶成型、浸渍后封装而成。
电容选型指导书
电容选型指导书1、聚酯（涤纶）电容（CL）电容量：40p--4u额定电压：63--630V主要特点：小体积，大容量，耐热耐湿，稳定性差应用：对稳定性和损耗要求不高的低频电路2、聚苯乙烯电容（CB）电容量：10p--1u额定电压：100V--30KV主要特点：稳定，低损耗，体积较大应用：对稳定性和损耗要求较高的电路3、聚丙烯电容（CBB）电容量：1000p--10u额定电压：63--2000V主要特点：性能与聚苯相似但体积小，稳定性略差应用：代替大部分聚苯或云母电容，用于要求较高的电路4、云母电容（CY）电容量：10p--0。
1u额定电压：100V--7kV主要特点：高稳定性，高可靠性，温度系数小应用：高频振荡，脉冲等要求较高的电路5、高频瓷介电容（CC）电容量：1--6800p额定电压：63--500V主要特点：高频损耗小，稳定性好应用：高频电路6、低频瓷介电容（CT）电容量：10p--4.7u额定电压：50V--100V主要特点：体积小，价廉，损耗大，稳定性差应用：要求不高的低频电路7、玻璃釉电容（CI）电容量：10p--0.1u额定电压：63--400V主要特点：稳定性较好，损耗小，耐高温（200度）应用：脉冲、耦合、旁路等电路8、空气介质可变电容器可变电容量：100--1500p主要特点：损耗小，效率高；可根据要求制成直线式、直线波长式、直线频率式及对数式等应用：电子仪器，广播电视设备等9、薄膜介质可变电容器可变电容量：15--550p主要特点：体积小，重量轻；损耗比空气介质的大应用：通讯，广播接收机等10、薄膜介质微调电容器可变电容量：1--29p主要特点：损耗较大，体积小应用：收录机，电子仪器等电路作电路补偿11、陶瓷介质微调电容器可变电容量：0。
3--22p主要特点：损耗较小，体积较小应用：精密调谐的高频振荡回路12、独石电容容量范围：0.5PF--1UF耐压：二倍额定电压主要特点：电容量大、体积小、可靠性高、电容量稳定，耐高温耐湿性好,温度系数很高应用范围：广泛应用于电子精密仪器,各种小型电子设备作谐振、耦合、滤波、旁路。
新手必看 CBB与CL电容损耗与温度上的异同
新手必看CBB与CL电容损耗与温度上的异同说到CBB电容和CL电容的区别，相信很多电源高手已经烂熟于胸，不需要小编再进行过多的介绍。
但对于一些新手来说，这两种电容的区别还是非常容易混淆的。
针对于此，小编特意在网络上收集了这两款电容的区别，并有针对性的进行总结。
下面就随小编来一起看一看吧。
塑料薄膜电容器是近一、二十年发展起来的电容器，现已成为主流产品（淘汰了以往的纸介电容器）。
薄膜电容器的容量上限可以很大，如电动机启动用CBB60、CBB61型电容器，容量可达几十微法。
薄膜电容器主要有两种材料，聚酯（涤纶）CL型和聚丙烯量与损耗tanδ在很大频率范围内与频率无关，随温度变化很小，而介电强度随温度升高而有所增加，这是其他介质材料难以具备的。
耐温高，吸收系数小。
例如CL21表示这个电容器的材料是涤纶，结构是金属化。
CL11型是数量最大的一种低价产品。
箔式结构是指电容器用塑料薄膜和铝箔叠在一起卷绕而成，导电电极为铝箔。
金属化结构是预先用真空蒸发的方法在薄膜上蒸发了一层极薄的金属膜，然后用这个薄膜卷绕成的电容器，导电电极为蒸发的金属膜（大多仍为铝膜）。
在同样规格情况下，金属化电容器的体积要比箔式的小。
金属化薄膜电容器有自愈特性，即电容器中塑料薄膜某一点若存在缺陷，加电压时会击穿，则此处的金属膜会蒸发掉，而不会产生短路现象，从而使电容器仍能正常工作。
金属化电容器还有一个优点就是引出线是从喷了金属的端面引出，从而使电流通路很短，所以也称为无感电容器。
损耗上的区别 CL型和CBB型电容器在外形上差别不大，但在损耗这一电性能上差别较大。
涤纶电容器的损耗较大，在1kHz时典型值约为50×10-4，与纸介电容器。
CBB、CL电容介绍大全(原版)
CBB、CL交流薄膜电容器大全一、交流薄膜电容器分类主要是特性和用途不同,例如:产品名称型号常见电容容量常见工作电压特性及用途金属化聚乙酯膜电容器MEF0.01uF-10uF100VDC,250VDC,400VDC,630VDCMEF是非感应式,用镀金属聚酯薄膜作为电介质/电极,镀锡铜包钢线,具有环氧树酯包封.本品适合于耦合,滤波,整流和计时电路中,在远程通讯,数据处理,工业仪表和自动控制系统的设备中得到运用.金属化聚丙烯电容器MPF0.001uF-10uF100VDC,250VDC,400VDC,630VDCMPF是非感应式,用镀金属聚丙烯电介质/电极,绕制而成,镀锡铜包钢线,用环氧树酯包封,本品应用于要求高频率下高电流,高稳定性的电路中,尤其用于CRT电路的S-校正中.聚酯薄膜电容器PEN 0.001-0.47uF50VDC,100VDC,200VDCPEN是非感应式,用聚酯薄膜作为介质和铝箔为电极绕制成,镀锡铜包钢线,具有环氧树酯包封.本品用ZYL于需要降躁音的小信号电路的工商业设备中十分理想. 聚丙烯薄膜电容器PPN 0.001-0.47uF250VDC,400VDC,630VDCPPN为非感应式,用聚丙烯薄膜电介质和铝箔为电极绕制成,镀锡铜包钢线,具有环氧树酯包封.本品用于无程通讯,数据处理,工业仪表和自动化控制的系统的设备.金属化聚丙烯薄膜电容器(高压 PPS 0.001-0.33uF1000VDC,1200VDC,1600VDC,2000VDCPPS为非感应式,用聚丙烯电介质和镀金属聚丙烯薄膜串联以铝箔为电极绕制而成,镀锡铜包钢线,环氧树酯包封.本品用于高频率,高脉冲上升时间电路十分理想,在缓冲器,转接开关和高压电源器以及电子照明镇流器中得到广泛的应用.聚乙酯膜电容器PEI 0.001-0.47uF50VDC,100VDCPEI是感应式,用聚酯薄膜电介和铝箔为电极绕制成,镀锡铜包钢线,具有环氧树酯包封.本品适合于计时电路和滤波,耦合的用途,用于电视机,收音机,磁带录音机,音响和其它消费性电子设备十分理想. MKT82 圆轴向金属化聚酯膜电容器MKT83扁轴向0.001-33uF50,63V,100V,160V,250V,400V,630V(DCMKT82、MKT83以金属化聚脂膜作介质和电极,用阻燃胶带外包和环氧树酯密封,具有电性能优良,可靠性好,耐温高,体积小,容量大和良好自愈性能.本品适用于仪器,仪表,家用电器的交/直流电路,广泛应用于音响系统分频线路中.安規濾波電容器MPX ——MPX 是非感应式聚丙烯膜介质,真空蒸金属电极, 径向镀锡导线点焊于电容器两端面金属层,装于加强阻燃型盒子并用环氧树脂灌封,阻燃要求达到UL94V-0。
各种电容的区别
1、聚酯（涤纶）电容（CL）电容量：40p--4u额定电压：63--630V主要特点：小体积，大容量，耐热耐湿，稳定性差应用：对稳定性和损耗要求不高的低频电路2、聚苯乙烯电容（CB）电容量：10p--1u额定电压：100V--30KV主要特点：稳定，低损耗，体积较大应用：对稳定性和损耗要求较高的电路3、聚丙烯电容（CBB）电容量：1000p--10u额定电压：63--2000V主要特点：性能与聚苯相似但体积小，稳定性略差应用：代替大部分聚苯或云母电容，用于要求较高的电路4、云母电容（CY）电容量：10p--0。
1u额定电压：100V--7kV主要特点：高稳定性，高可靠性，温度系数小应用：高频振荡，脉冲等要求较高的电路5、高频瓷介电容（CC）电容量：1--6800p额定电压：63--500V主要特点：高频损耗小，稳定性好应用：高频电路6、低频瓷介电容（CT）电容量：10p--4.7u额定电压：50V--100V主要特点：体积小，价廉，损耗大，稳定性差应用：要求不高的低频电路7、玻璃釉电容（CI）电容量：10p--0.1u额定电压：63--400V主要特点：稳定性较好，损耗小，耐高温（200度）应用：脉冲、耦合、旁路等电路8、空气介质可变电容器可变电容量：100--1500p主要特点：损耗小，效率高；可根据要求制成直线式、直线波长式、直线频率式及对数式等应用：电子仪器，广播电视设备等9、薄膜介质可变电容器可变电容量：15--550p主要特点：体积小，重量轻；损耗比空气介质的大应用：通讯，广播接收机等10、薄膜介质微调电容器可变电容量：1--29p主要特点：损耗较大，体积小应用：收录机，电子仪器等电路作电路补偿11、陶瓷介质微调电容器可变电容量：0。
3--22p主要特点：损耗较小，体积较小应用：精密调谐的高频振荡回路12、独石电容容量范围：0.5PF--1UF耐压：二倍额定电压主要特点：电容量大、体积小、可靠性高、电容量稳定，耐高温耐湿性好,温度系数很高应用范围：广泛应用于电子精密仪器,各种小型电子设备作谐振、耦合、滤波、旁路。
电容知识
电容基础知识-------------------------------1）名称：聚酯（涤纶）电容（CL）符号：电容量：40p--4u额定电压：63--630V主要特点：小体积，大容量，耐热耐湿，稳定性差应用：对稳定性和损耗要求不高的低频电路2）名称：聚苯乙烯电容（CB）符号：电容量：10p--1u额定电压：100V--30KV主要特点：稳定，低损耗，体积较大应用：对稳定性和损耗要求较高的电路3）名称：聚丙烯电容（CBB）符号：电容量：1000p--10u额定电压：63--2000V主要特点：性能与聚苯相似但体积小，稳定性略差应用：代替大部分聚苯或云母电容，用于要求较高的电路4）名称：云母电容（CY）符号：电容量：10p--0。
1u额定电压：100V--7kV主要特点：高稳定性，高可靠性，温度系数小应用：高频振荡，脉冲等要求较高的电路5）名称：高频瓷介电容（CC）符号：电容量：1--6800p额定电压：63--500V主要特点：高频损耗小，稳定性好应用：高频电路6）名称：低频瓷介电容（CT）符号：电容量：10p--4。
7u额定电压：50V--100V主要特点：体积小，价廉，损耗大，稳定性差应用：要求不高的低频电路7）名称：玻璃釉电容（CI）符号：电容量：10p--0。
1u额定电压：63--400V主要特点：稳定性较好，损耗小，耐高温（200度）应用：脉冲、耦合、旁路等电路8）名称：铝电解电容符号：电容量：0。
47--10000u额定电压：6。
3--450V主要特点：体积小，容量大，损耗大，漏电大应用：电源滤波，低频耦合，去耦，旁路等9）名称：钽电解电容（CA）铌电解电容（CN）符号：电容量：0。
1--1000u额定电压：6。
3--125V主要特点：损耗、漏电小于铝电解电容应用：在要求高的电路中代替铝电解电容10）名称：空气介质可变电容器符号：可变电容量：100--1500p主要特点：损耗小，效率高；可根据要求制成直线式、直线波长式、直线频率式及对数式等应用：电子仪器，广播电视设备等11）名称：薄膜介质可变电容器符号：可变电容量：15--550p主要特点：体积小，重量轻；损耗比空气介质的大应用：通讯，广播接收机等12）名称：薄膜介质微调电容器符号：可变电容量：1--29p主要特点：损耗较大，体积小应用：收录机，电子仪器等电路作电路补偿13）名称：陶瓷介质微调电容器符号：可变电容量：0。
cbb电容和涤纶电容的区别
二者是有区别的：涤纶电容又叫聚酯电容符号为CL，电容量一般40p--4μ，额定电压63--630V，主要特点体积小容量大耐热耐湿但稳定性差一般应用在对稳定性和损耗要求不高的低频电路。
聚丙烯电容即CBB电容，电容量一般1000p--10μ，额定电压：63--2000V主要特点体积小，稳定较上者性好，能代替大部分聚苯或云母电容，ห้องสมุดไป่ตู้于要求较高的电路。