晶体管参数大全

晶体管参数大全
晶体管是一种能够对电流进行控制的电子器件，广泛应用于电子电路中。

根据其工作原理的不同，可以分为三极管和场效应管两种类型。

一、三极管参数
1.最大允许电压（VCEO）：三极管的集电极-发射极间最大允许电压。

在正常工作中，电压不得超过该值，否则可能会损坏器件。

2.最大允许集电极电流（IC）：三极管的集电极电流的最大值。

在正
常工作中，电流不得超过该值，否则可能会损坏器件。

3.最大功耗（Pd）：三极管透过的功率最大值。

在正常工作中，功率
不得超过该值，否则可能会导致器件过热。

4.直流电流倍数（hFE）：表示三极管输入电流和输出电流之间的比
例关系。

它决定了三极管的放大能力，一般越大越好，常见的值为几十到
几百。

5. 饱和压降（VCEsat）：当三极管处于饱和区时，集电极与发射极
之间的电压降。

6. 输入电阻（Rin）：三极管的输入电阻，表示输入信号导致的输入
电压变化与输入电流变化之间的比例关系。

一般来说，输入电阻越大，对
输入信号的影响越小。

7. 输出电阻（Rout）：三极管的输出电阻，表示输出电压变化与输
出电流变化之间的比例关系。

一般来说，输出电阻越小，输出信号的失真
越小。

8.动态电阻（rπ）：三极管的动态电阻，与输入电阻类似，表示输
入信号导致的输入电压变化与输入电流变化之间的比例关系。

一般来说，
动态电阻越小，对输入信号的影响越小。

9.最小输入电流（IB）：三极管正常工作所需要的最小基极电流。

二、场效应管参数
1.最大允许栅源电压（VGS）：场效应管的栅源电压的最大值。

在正
常工作中，电压不得超过该值，否则可能会损坏器件。

2.最大允许漏极电流（ID）：场效应管的漏极电流的最大值。

在正常
工作中，电流不得超过该值，否则可能会损坏器件。

3.最大功耗（Pd）：场效应管透过的功率最大值。

在正常工作中，功
率不得超过该值，否则可能会导致器件过热。

4. 转导（gm）：表示输入电压变化时输出电流变化的比例关系。

转
导越大，场效应管的放大能力越强。

5. 开启电压（Vth）：当场效应管工作时，控制电压必须超过开启电
压才能使漏电流开始流动。

6. 射极电阻（rds）：场效应管导通时漏电流与栅源电压之间的关系。

一般来说，射极电阻越小，输出信号的失真越小。

7. 输入电阻（Rin）：场效应管的输入电阻，表示输入信号导致的输
入电压变化与输入电流变化之间的比例关系。

一般来说，输入电阻越大，
对输入信号的影响越小。

8. 输出电阻（Rout）：场效应管的输出电阻，表示输出电压变化与输出电流变化之间的比例关系。

一般来说，输出电阻越小，输出信号的失真越小。

9. 饱和电压（VDSsat）：当场效应管处于饱和区时，漏源极间的电压降。

以上是部分晶体管参数的介绍，不同型号的晶体管参数可能会有所差异，具体应根据具体型号的数据手册进行查询和参考。