半导体wire bond工艺流程
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半导体引线键合工艺流程。
1. 表面处理。
利用酸性溶剂去除金属表面的油污和氧化物。
将金属表面预镀一层镍金合金,增强后续键合的强度。
2. 施加凸点。
在半导体晶片上涂覆光阻。
通过光刻工艺形成凸点图案,作为引线键合的着陆点。
3. 凸点电镀。
在凸点上电镀一层金或铝,增加键合强度和导电性。
4. 丝焊引线。
将载有金或铝丝的引线框架放置在晶片上。
利用超声波或热压的方式,将引线丝焊接到凸点上。
5. 抗焊层覆盖。
在键合好的引线和晶片表面涂覆抗焊层,隔离和保护电路。
6. 热压键合。
通过热压工艺将引线压接到封装基板上。
7. 键合检验。
进行拉力和剪切测试,确保键合质量满足规格要求。
注意事项:
确保工艺过程中各步骤的精确性,避免污染或缺陷。
正确选择键合材料和工艺参数,以获得最佳的键合强度和可靠性。
对操作人员进行充分培训,以确保工艺质量的一致性。
定期维护设备并进行工艺验证,以保证生产效率和产品品质。