PECVD颜色均匀性研究
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PECVD颜色均匀性研究
摘要:根据多晶硅PECVD的制程原理,分别验证温度、流量、功率等工艺参数对镀膜质量的影响,寻求最佳参数,从而达到优化工艺,改善镀膜颜色质量,保证颜色均匀性的目的。
01引言
太阳能电池工艺中,镀减反射膜是关键的工艺段。
减反射膜可以减少光的反射率,增加电池片的少子寿命,从而提高电池转换效率。
减反射膜的制作有多种方法,等离子体增强化学气相沉积法(PlasmaEnhancedChemicalVapourDeposition,简称PECVD)制备的氮化硅薄膜具有良好的绝缘性、致密性、稳定性,并能有效地阻止B、P、Na、As、Sb、Ge、A1、Zn等杂质的扩散[1]。
本文通过调节相关工艺设备参数,使氮化硅膜的均匀性得到有效控制,颜色的一致性大大改观,在实际生产中取得良好的效果。
02PECVD原理
图1为管式PECVD的原理图。
工艺气体通过流量控制器进入炉管,真空泵用来调节气压,化学气体在加热器及等离子体的作用下于硅片表面形成SIN层。
图2为等离子原理图。
等离子体发生器的两电极分别与石墨舟舟片相连,通过舟片给电池片通电,从而在硅片表面产生等离子体。
03实验方案
沉积装置使用CT管式PECVD,样片使用制绒后p型多晶硅片,等离子体的频率为40kHz,化学气体为硅烷、氨气、氮气。
实验中保持第一层膜工艺参数不变,调节第二层膜气压、温度、等离子体功率等工艺参数,利用椭偏仪、GPsolar相机测试膜厚,衡量其镀膜的均匀性;调整PECVD装载端设备参数,观察调整后电池片边缘颜色情况。
04实验结果分析讨论
3.1实验结果
3.1.1工艺参数调整
实验时选取国电硅片,分9组,每组400片,按正常工艺流程送至PECVD工艺段。
(1)保持NH3与SiH4比例不变的情况下,不同的气体总流量下,观察氮化硅膜的颜色均匀性,如表1、图3所示。
(2)保持NH3与SiH4比例与气体总流量不变的情况下,调高各温区温度,观察氮化硅膜的颜色均匀性,如表2、图4所示。
(3)保持NH3与SiH4比例与气体总流量、温度不变的情况下,调高等离子体功率,观察氮化硅膜的颜色均匀性,如图5所示。
3.1.2设备参数调整
实验时选取国电硅片,分4组,每组400片,按正常工艺流程送
至PECVD工艺段。
(1)更换石墨舟卡点,由原来间距0.35cm调整为0.25cm,跟踪查看调整前后颜色均匀性的变化,如表3所示。
(2)修改加载端机械手位置,使硅片位置更贴近卡点处,如表4所示。
3.2实验分析与讨论
由图2、图3可以看出,颜色偏差随温度、流量的升高而降低,颜色均匀性得到改善。
温度升高、流量增大,气体分子的扩散速度增大,炉管内各处气体的浓度一致性变好,有利于整舟颜色均匀性,同时衬底温度的升高,提高了原子的活性,硅片表面原子的迁移率增大,有利于单片镀膜的均匀性。
由图5可以看出,功率增大,颜色的均匀性变好,功率变大,舟片之间的电场随之变强,等离子体的运动速率增大,硅片表面的离子、中性分子、原子相互撞击频率变大,有利于镀膜的均匀性。
由表3看出,卡点直径的调整能够在很大程度上减少边缘色差,其主要原因为卡点直径变小后,硅片与舟之间的贴合更紧,不会影响舟边缘的导电性;机械手位置的调整对颜色影响不大,可能机械手位置调整范围有限,无法达到理想效果。
05结论
通过以上实验分析,可以看出,气体流量、温度、等离子功率都
对颜色均匀性有影响,但是在实际生产中,参数之间存在相互影响,综合优化各个参数,可以使电池片性能达到最好。
参考文献:
[1]赵慧,徐征.氮化硅薄膜的性能研究以及在多晶硅太阳电池上的应用[J].太阳能学报,2004,25(2):142-143.[2]李中华.晶硅太阳电池双层减反膜的研究[D].北京:北京交通大学,2011:14-15.·
贾彦科,杨飞飞
山西潞安太阳能科技有限责任公司
通信电源技术
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2018年3月29日(星期四上午)
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主题发言:IEC TS 60904-13 EL测试标准最新草案解析
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下半场主持人:光伏材料与技术国家重点实验室主任宋登元博士
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主题发言:共挤型光伏封装材料技术与应用
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对话
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对话嘉宾:
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阿特斯阳光电力集团组件研发高级总监
隆基乐叶光伏科技有限公司产品总监王梦松
陕西众森电能科技有限公司研发部经理张鹤仙博士
对话主题:
1、对不同类型的组件测试功率比较结果的看法?
2、双面双玻组件及双面+跟踪发电能力探讨
3、太阳电池组件光致衰减的评价
4、组件未来发展趋势探讨
12:10-13:30
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