制程检验培训资料

导电类型测试图示
电阻率检验
检验时需要对硅块的侧壁取3个点，由头部向 底部测量。如果出现超出电阻率范围的情况， 检测需要检测四个面，对超出范围部分划线 切除，并在随工单上注明，跟踪切片后的电 阻率检验情况。
电阻率测试图示
红外探伤检验
把硅块放在红外探伤测试台上，放置方向为 底部朝下，头部朝上，如图：
少子寿命检验
硅块测试准备：用无水乙醇将测试硅块的一 个测试面擦拭干净，再放入测试仪器平台上， 放入时，擦拭的侧面朝上，硅块的头部放在 测试员的左边，使测试仪从硅块的头部开始 测试。
头部
尾部
硅块放置图示
硅块少子寿命测试
依照《WT-2000P少子寿命测试仪操作说明》 测试该侧面的少子寿命，并将少子寿命图像 保存在电脑对应的文件夹中，测试完毕后， 将少子寿命的数值记录在《硅块检测记录表》 上。
缺陷长度测量图示
垂直度检验
抽样检测方法：大锭硅 块按照如图抽样方案进 行抽样检测硅块的垂直 度。 A1 C7 C13 C19 A25
垂直度测试
使用万能角度尺测量硅块四个侧面的垂直度， 即相邻两侧面间的垂直度，每个抽样硅块测 量任意三个角的垂直度，每个角从硅块头部 到尾部至少均匀测量三次，并将检验数据记 录于《硅块检测记录表》中。
边宽尺寸测量图示
长度检验
使用直尺（精度：0.1mm）测量所有硅块的 长度，选择硅块尾部至头部中的一棱边，使 用直尺测量此棱边的长度，测量完后在所测 量的棱边上做记号，并将检验数据记录于 《硅块检测记录表》中。
长度测量图示
长度记号图示
导电类型检验
使用半导体导电类型测果记录 于《硅块检测记录表》中，在每个硅锭开方 后的二十五块硅块中抽取5块进行检测。如果 出现不合格，则对该硅锭开方出的所有硅块 进行极性全检。
垂直度测试图示
判定垂直度方法
将万能角度尺两臂紧贴硅块相邻侧面，若臂 与硅块表面接触存在明显空隙，判定硅块为 “S”型硅块，如图:
边宽检验
使用游标卡尺（精度：0.02mm）测量硅块的 边宽尺寸，测量时用游标卡尺的量爪在硅块 的两侧进行测量，每个面必须测量三次，使 硅块的各部位边宽尺寸都能够测量到。
确认内部缺陷
依照《IR红外探伤测试仪操作说明》进行检 验，且硅块四个侧面都需要检测，主要分析 硅块内部有无杂质、阴影、裂纹、微晶等缺 陷。较黑的中部阴影大于10mm判定切除， 切除后有效长度不足80mm，判定回炉。
缺陷处做标记
确认硅块内部存在缺陷后，观察内部缺陷在 图像监控器上的位置，使用记号笔在硅块的 表面做好标识，用记号笔在黑影阴影部分的 上下边缘处画标识线，上下画线处要求离阴 影部分2-3mm（备注：内部缺陷在距硅块头 部或尾部25mm内，不需要画线）。
三、职责
品质工程师负责本作业指导书的编制及修订， 并负责检验员相应的作业指导及培训。 品质检验员严格依照本作业指导书所送多晶 硅块进行检验，并依据检验结果填写相应的 检验记录。
四、作业培训内容
IPQC检测室硅块检测流程图
硅块转入 外观检验 垂直度检验 边宽长度检验 导电类型检验 电阻率检验 红外探伤检验 少子寿命检验 硅块判定 硅块转出
硅块检验操作指导步骤 外观检验
确认所送硅块的箭头标示是否清楚，每个硅 块的随工单信息填写是否完整，且与硅块表 面标识信息（硅锭号与硅块号）是否一致， 以及确认边角料的数量。
标识
硅块编号与硅碇号后四位
标识
多晶硅碇随工单
外观检验
与硅片事业部送检人员共同确认每个硅块的 外观质量状况，如有崩边、崩块等外观问题， 使用游标卡尺测量缺陷的长度（沿硅碇的长 晶方向测量），并把这些信息准确填写在品 质记录上和对应的硅块随工单上。
少子寿命测试图示
少子寿命保存图示
少子寿命分析
测试完毕后把此锭的硅块的少子寿命图像全 部打开，综合分析此锭的少子寿命情况。 （少子值≥2ｕs）
改为2
选择平均分布点
少子寿命分析图示
硅块判定与记录填写
随工单填写后，盖上IPQC待定章，流入下一 道工序，如图：
随工单盖章区
备注
综合硅块各项检测项目的检测结果进行综合 分析，判定硅块是否流入下一道工序，具体 判定依照《多晶硅块判定标准》操作。
硅块放置图示头部尾部硅块少子寿命测试依照wt2000p少子寿命测试仪操作说明测试该侧面的少子寿命并将少子寿命图像保存在电脑对应的文件夹中测试完毕后将少子寿命的数值记录在硅块检测记录表少子寿命测试图示少子寿命保存图示少子寿命分析测试完毕后把此锭的硅块的少子寿命图像全部打开综合分析此锭的少子寿命情况
山东舜亦新能源有限公司
内部缺陷影像图示
标识图
缺陷图像保存和标明缺陷范围
将检验硅块存在的图像保存在测试仪内 完成该硅块四个侧面检验后，将硅块搬到工 作台面上，依照标识线划线标识，缺陷长度 超过25mm时，使用直尺把所有短线标识画 长，并用直尺（精度：0.1mm）量出缺陷的 长度，并填明原因，长度于硅块表面。
画标识线图示 量取缺陷长度图示 图像保存注意事项：所有硅块都必须清晰的 保存在测试仪中
IPQC制程检验作业培训指导书
品管部
一、范围
公司生产的所有156*156规格的多晶硅块。
二、定义
870*870*480mm坩埚铸出的多晶硅碇切方成156*156规格的 多晶硅块定义为大锭硅块。 870*870*420mm坩埚铸出的多晶硅碇切方成156*156规格的 多晶硅块定义为小锭硅块。 nn-型半导体（n-type semiconductor）：多数载流子为电子 n-type semiconductor 的半导体。 p-型半导体（p-type semiconductor）：多数载流子为空穴 的半导体。 少数载流子寿命（minority carrier lifetime）：晶体中非平衡 载流子由产生到复合存在的平均时间间隔，它等于非平衡少 数载流子浓度衰减到起始值的1/e（e =2.718）所需的时间。 又称少数载流子寿命，体寿命。