模拟电子技术 A答案沈钺
模拟电子技术基础课后答案(共10篇)
模拟电子技术根底课后答案(共10篇)模拟电子技术根底课后答案〔一〕: 模拟电子技术根底第三版课后习题答案网上有很多课后题答案网站,我知道一个天天learn网站,我之前在上面找过英语的答案,没找过模电的,因为我模电买的参考书,上网找太费力了,你还不如去买本参考书了,理科的东西只看是不行的模拟电子技术根底课后答案〔二〕: 求模拟电子技术作业答案,单项选择题:1.差分式放大电路由双端输入变为单端输入时,其空载差模电压增益〔〕A.增加一倍B.不变C.减少一半D.减少一倍2.表征场效应管放大能力的重要参数是( ).A.夹断电压VpB.开启电压ViC.低频互(跨)导gmD.饱和漏电流IDss3.桥式RC正弦波振荡器中的RC串并联网络的作用为〔〕.A.选频正反应B.选频负反应C.放大负反应D.稳幅正反应4.某传感器产生的是电压信号〔几乎不提供电流〕,经过放大后希望输出电压与信号成正比,放大电路应是〔〕电路.A.电流串联负反应B.电压串联负反应C.电流并联负反应D.电压并联负反应5.BJT的两个PN结均正偏或均反偏时,所对应的状态是〔〕A.截止或放大B.截止或饱和C.饱和或截止D.已损坏多项选择题:1.放大电路的三种组态中,只能放大电压或放大电流的是〔〕.A.共射组态B.共集组态C.共基组态D.02.直流稳压电源包括以下哪些电路〔〕A.起振电路B.选频网络C.稳压电路D.滤波电路3.在信号的运算中,往往把运算放大器视为理想的放大器,在运算过程中,利用其两个重要的特性,它们是〔〕A.抑制共模信号B.放大差模信号C.虚短D.虚断4.差动放大电路〔〕A.能抑制零漂B.提高输入电阻C.减小输出电阻D.增益与输出方式有关5.在根本放大电路中,三极管通常不处于〔〕工作状态.A.甲类B.乙类C.甲乙类D.丙类判断题:1.在功率放大电路中,输出功率最大时,功放管的功耗也最大.〔〕A.错误B.正确2.双极型三极管的发射极和集电极不能互换使用,结型场效应管的源极和漏极是由同一种杂质半导体中引出,可以互换使用.〔〕A.错误B.正确3.两个单极放大电路空载的放大倍数均为—50,将他们构成两级阻容耦合放大器后,总的放大倍数为2500.〔〕A.错误B.正确4.直流负反应是指直流通路中的负反应.〔〕A.错误B.正确5.正弦振荡电路是一个没有输入信号的带选频网络的负反应放大电路.〔〕A.错误B.正确6.反相比例运算电路引入的是负反应,同相比例运算电路引入的是正反应.〔〕A.错误B.正确7.电流负反应可以稳定输出电流,电压反应可以稳定输出电压.( )A.错误B.正确2.直流稳压电源包括以下哪些电路〔BCD 〕A.起振电路B.选频网络C.稳压电路D.滤波电路5.在根本放大电路中,三极管通常不处于〔ABD 〕工作状态.A.甲类B.乙类C.甲乙类D.丙类3.在信号的运算中,往往把运算放大器视为理想的放大器,在运算过程中,利用其两个重要的特性,它们是〔CD 〕A.抑制共模信号B.放大差模信号C.虚短D.虚断4.差动放大电路〔AD 〕A.能抑制零漂B.提高输入电阻C.减小输出电阻D.增益与输出方式有关判断题:1.在功率放大电路中,输出功率最大时,功放管的功耗也最大.〔A 〕A.错误B.正确2.双极型三极管的发射极和集电极不能互换使用,结型场效应管的源极和漏极是由同一种杂质半导体中引出,可以互换使用.〔B 〕A.错误B.正确3.两个单极放大电路空载的放大倍数均为—50,将他们构成两级阻容耦合放大器后,总的放大倍数为2500.〔A 〕A.错误B.正确4.直流负反应是指直流通路中的负反应.〔A 〕A.错误B.正确模拟电子技术根底课后答案〔三〕: 有没有《电工与电子技术根底》主编毕淑娥的课后练习答案我有不齐全的模拟电子技术根底课后答案〔四〕: 模拟电子技术根底题,1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在〔〕状态,但其两端电压必须〔〕,它的稳压值才有导通电流,否那么处于〔〕状态.A、正偏B、反偏C、大于D、小于E、导通F、截止2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V,那么三个电极分别是〔〕,该管是〔〕型.A、〔B、C、E〕 B、〔C、B、E〕 C、〔E、C、B〕D、〔NPN〕E、〔PNP〕3、对功率放大器的要求主要是〔〕、〔〕.A、Uo高B、Po大C、功率大D、Ri大E、波形不失真4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为〔〕,此时应该〔〕偏置电阻.A、饱和失真B、截止失真C、交越失真D、增大E、减小5、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为〔〕,此时应该〔〕偏置电阻.A、饱和失真B、截止失真C、交越失真D、增大E、减小很简单.1、B；C；F；2、C；D；3、B、E4、B、E；5、B、E〔重复了〕模拟电子技术根底课后答案〔五〕: 模拟电子技术晶体管放大电路问题来自课本,《模拟电子技术根底》第四版华成英童诗白主编1.第96页中图2.3.13〔d〕中1/h22〔即rce〕的电流方向如何请看97页式〔2.3.7b〕是不是可以判断.2.再看第103页图2.2.5〔a〕,如果图中考虑rce的影响,请求出电压放大倍数Au,看是不是和1问的电流方向有点矛盾3.再看第194页图4.2.10〔b〕中rce1和rce2的电流方向,和上面的1/h22是一样吗如果一样,能推出第195页式(4.2.15)的结果吗1/h22 和rce1和rce2应该都是ce之间动态电阻.请问rce中的电流方向到底如何谢谢requis能答复得这么详细,不过对你的答复我有些疑问,以下为疑问和我的理解：1.首先1/h22e是个电阻量,它本身没有符号,流过它的电流方向要看它两端的电压方向,如果图中Uce真实方向如图中所示,电流确实向下.但是你注意第97页式2.3.6b和前一页图2.3.13〔c〕中的负载线,可以知道dic(即Ic)和duce(即Uce)这两者变化关系是相反的,即当Ic增加时Uce就会减小,也就是说Ic为正时Uce就为负,也就是说1/h22电流方向与Ic相反了.实际你可以从图2.3.13〔c〕中的负载线上直观的看到ic增大〔相当于dic为正〕,Q点上移,Uce减小,由ic-Uce曲线可知ic随Uce减小而减小.说明：Ic与rce电流相反.2.我2问中的图是103页图2.3.18,正常如果图中假设考虑rce的影响,放大倍数会出现形如Au=-(βrce//Rc//Rl)/rbe,试问：如果rce电流方向真的由上向下,Au式中的负号会出现吗同理3问中Au表达式中也有负号,用你说的电流方向是矛盾的.1问其实2．3．13d这个图是等效电路模型,电流方向怎样取都没有问题的,公式都能成立.因为等效模型中的参量是可以有负值的,所以我们应该定义这里讨论的,是真实方向.在文中下一页的对h参数方程2．3．7a／b的解释.我们可以知道1／h22为晶体管ce结动态电阻,或称交流内阻.形象的说,如果ib＝0,那么模型中的h12ib为零,等效去掉受控恒流源的时候,ce结就成为一个大电阻,在UBE的作用下产生一个微小的ic值.所以我们可以知道了,1／h22中真实的电流方向是与ic一致的,即图中为向下.因为它本身就是ic的一局部.这点在97页的h参数方程中,ic＝h21eib+h22eUbe,下文中也有说到“第二项由UBE产生一个电流,因而h22e为电导〞.2问：没搞明白,你说的页码跟图号都不对头,“如果图中考虑rce的影响,请求出电压放大倍数Au,〞也没找到,略过.3问：rce1与1／h22e是一样的,所以电流方向自然一样.而rce2,从图4．2．10b中,或公式4．2．15中,都可以看出,rce1/rce2/RL是并联关系,所以其真实方向也是一致的.不要被图4．2．10a迷惑,那是直流电路,标的也都是直流态的方向.4.2.15公式,表示在RL大到不可忽略rce1/rce2的情况下的Au,这个时候实际上镜流源的意义已经失去.镜流源是为了在实用电路的交流模型中剔除掉Rc 电阻,使实用电路的交流模型能够与图2．3．13d一致〔2．3．13d并非实用电路的交流模型,这点要搞清楚〕.所以实际上4．2．15公式的Au,是不具有实用价值的,因为rce在实际中是不可控参量.所以实际电路,都把RL【模拟电子技术根底课后答案】模拟电子技术根底课后答案〔六〕: 关于PN结的问题《模拟电子技术根底》中说PN结中的内建电场是由于P区带有不能自由移动的负电荷,而N区带有不能自由移动的正电荷,所以PN结之间就会产生一个由N 指向P的内建电场,但是我想问为什么P区会带不能移动的负电荷,N区会带不能移动的正电荷,因为按我的理解,P区也就是P型半导体,它又叫空穴型半导体,所以它内部有可以移动的带正电的空穴,没有不能移动的负电荷,反之,N型半导体中也只有可以移动的自由电子,但到是有不能移动的正电荷,如果按照网上的一些解释,当P区和N区一接触的时候,那么P区的多子——空穴跑到N区,而N区的多子——自由电子跑到P区,效果应该就是一个复合的结果,也就是说,P区的空穴消失,共用电子对形成,共价键变得完整,而这时P区应该是显正电性,因为P型半导体中掺入的硼元素为最外层电子数3的五价元素,所以它应该显正电,N区也是显正电性.你说的pn结导电的意思就是通了外电压吧,没通外电压时p区的多子是空穴、通电后空穴会向n区运动,当然这个过程中存在离子复合、但并不是所有空穴都会复合模拟电子技术根底课后答案〔七〕: 某放大器要求其输出电流几乎不随负载电阻的变化而变化,且信号源的内阻很大,应选用以下哪种负反应某放大器要求其输出电流几乎不随负载电阻的变化而变化,且信号源的内阻很大,应选用以下哪种负反应A．(A) 电压串联B．(B) 电压并联C．(C) 电流串联D．(D) 电流并联这是注册电气工程师考试的一道真题,按照一本参考书的理论解释所选答案绝非网上流传的答案,请高手帮助看看哪个才是正确答案,劳烦说明理由.1、要稳定电流,必须用电流反应.2、信号源内阻很大,可以把它视作一个恒流源,可以通过减小放大电路的输入电阻,以使得电路获得更大输入电流,应该使用并联反应.所以D是正确答案.这个题目你可以参考,童诗白的《模拟电子技术根底》第四版,P292页,写得非常清楚.前面的朋友答复的结果不准确.【模拟电子技术根底课后答案】模拟电子技术根底课后答案〔八〕: 电路与模拟电子的简单问题求解判断〔1〕半导体三极管的集电极电流仅由多数载流子的扩散运动形成。
模拟电子技术_沈阳工业大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年
模拟电子技术_沈阳工业大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年1.当OCL电路的最大输出功率为1W时，功放管的集电极最大耗散功率应大于1W。
（）答案:错误2.当温度升高时，二极管的正向导通压降将增大。
（）答案:错误3.直流稳压电源中滤波电路的目的是。
答案:将交、直流混合量中的交流成分滤掉4.集成运放工作在线性区的条件是。
答案:引入负反馈5.电容滤波电路适用于小负载电流，而电感滤波电路适用于大负载电流。
（）答案:正确6.场效管放大电路的放大能力没有晶体管放大电路的强。
( )答案:正确7.多级放大电路的输入电阻是（）。
答案:第一级的输入电阻8.为了使结型N沟道场效应管工作在恒流区，应使uGS（）答案:<09.场效管放大电路的输入电阻比晶体管放大电路的大。
( ）答案:正确10.场效应管是电压控制电流型器件。
（）答案:正确11.放大电路在低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是。
答案:耦合电容和旁路电容的存在12.为了使滤波电路的输出电阻足够小，保证负载电阻变化时滤波特性不变，应选无源滤波电路。
答案:错误13.整流的目的是。
答案:将交流变为直流14.直流电源是一种将正弦信号转换为直流信号的波形变换电路。
（）答案:错误15.在单相桥式整流电容滤波电路中，若有一只整流管断开，输出电压平均值变为原来的一半。
（）答案:错误16.任何放大电路都有功率放大作用。
（）答案:正确17.集成运放的末级采用互补输出级是为了（）。
答案:以上都正确18.改善差分放大电路性能的措施有（）。
答案:以上都正确19.为了增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用（）。
答案:共射放大电路20.判断串联、并联反馈的方法是（）答案:反馈节点短路法21.欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应在放大电路中引入答案:电流串联负反馈22.欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入。
答案:电流并联负反馈23.为了稳定放大电路的输出电压，应引入负反馈。
《模拟电子技术基础》习题参考答案
《模拟电子技术基础》习题及参考答案一、填空题：1.半导体中有自由电子和空穴两种载流子参与导电。
2.半导体中由漂移形成的电流是反向电流，它由少数载流子形成，其大小决定于温度，而与外电场无关。
3.PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位称为正向偏置（正偏），反之称为反向偏置（反偏）。
4.PN结最重要的特性是单向导电性，它是一切半导体器件的基础。
在NPN型三极管中，掺杂浓度最大的是发射区。
5.晶体三极管因偏置条件不同，有放大、截止、饱和三种工作状态。
6.晶体三极管的集电极电流Ic=βI B所以它是电流控制元件。
7.工作在放大区的晶体管，当IB 从10μA增大到20μA，IC从1mA增大到2mA，它的β为100，α为1。
8.通常晶体管静态工作点选得偏高或偏低时，就有可能使放大器的工作状态进入饱和区或截止区，而使输出信号的波形产生失真。
9.测得某正常线性放大电路中晶体管三个管脚x、y、z对地的静态电压分别为6.7伏、2.4伏、1.7伏，则可判断出x、y、z分别为三极管的集电（C）极、基（B）极、发射(E)极。
10.一只晶体管在放大电路中，用万用表测出管脚对地电压分别是：A脚为12伏，B脚为11.7伏，C脚为6伏，则该管为PNP型锗管，A为发射(E)极，B为基（B）极，C为集电（C）极。
11.稳压二极管工作在反向击穿区，主要用途是稳压。
12.稳压二极管稳压时是处于反向偏置状态，而二极管导通时是处于正向偏置状态。
13.晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而下降。
共基极电路比共射极电路高频特性好。
14.场效应管的输出特性曲线可分为三个区：分别是可变电阻区、恒流区、击穿区。
15.电子线路中常用的耦合方式有直接耦合和电容耦合。
16.通常把与信号源相连接的第一级放大电路称为输入级，与负载相连接的末级放大电路称为输出级，它们之间的放大电路称为中间级。
17.某放大电路空载输出电压为4V，接入3KΩ负载后，输出电压变为3V，该放大电路的输出电阻为1KΩ。
模拟电子技术第三版详细答案
第三章
自测题
一、（1）×（2）√√（3）√×（4）×（5）√
二、（1）A A（2）D A（3）B A（4）D B（5）C B
三、（1）B D（2）C（3）A（4）A C（5）B（6）C
四、（1）IC3＝（UZ－UBEQ3）/Re3＝0.3mAIE1＝IE2＝0.15mA
4.16T1－共射电流的放大管，T2和T3－互补输出级，T4、T5、R2－消除交越失失真。
4.17（1）u11为反相输入端，u12为同相输入端。
（2）为T1和T2管的有源负载，将T1管集电极电路变化量转换到输出，使单端输出的放大倍数近似等于双端输出时的放大倍数。
（3）为T6设置静态电流，且为T6的集电极有源负载。
5.12
5.13（1）
（2）
图略。
5.14
5.15
图略。
5.16
（3）折线画法，低频段有两个拐点，f＜4Hz时幅频特性的斜率为40dB/十倍频，4Hz＜f＜50Hz时幅频特性的斜率为20dB/十倍频；高频段有一个拐点，f＞105Hz时幅频特性的斜率为－40dB/十倍频。图略。
5.17（1）Ce
（2） 所在回路的τ大于 所在回路的τ，第二级的上限频率低。
（4）消除交越失真。
4.18（1）由T10、T11、T9、T8、T12、T13、R5构成。
（2）三级放大电路：
T1～T4－共集-共基差分放大电路，T14～T16－共集-共射-共集电路，T23、T24－互补输出级。
（3）消除交越失真。UBE23＋UBE24＝UBE20＋UBE19
第五章
自测题
一、（1）A（2）B A（3）B A（4）C C
(2020年7月整理)模拟电子试卷A及答案参考.doc
《模拟电子技术》考试试卷（A卷）试题总分： 100 分考试时限：120 分钟题号一二三四五六七八九十十一十二总得分一．填空题（共20分，每空1分）1．对数频率特性又称为。
多级放大电路总的对数增益（电压放大倍数）等于各级对数增益的，总的相位移等于各级相位移的。
2．在三极管共射基本放大电路中，影响其高频响应特性的主要是电容；影响其低频响应特性的主要是电容；3．产生正弦波振荡的条件是，其相应的幅值条件为，相位条件为。
而建立振荡时要求幅值条件满足。
4．使某一频率范围内的信号能通过，而此频率范围外的信号不能通过的滤波器被称为____________________，它可通过将低通滤波器和高通滤波器组合而成。
5．晶体三极管是依靠基极电流控制集电极电流的，而场效应晶体管则是以控制的，所以场效应晶体管的输入阻抗。
6．当推挽功率放大器两只晶体三极管的基极电流为零时，因晶体三极管的输入特性，故在两管交替工作时将产生。
7．稳压电路使直流输出电压在一定范围内不受、和温度的影响。
8．在功率放大电路中，输出功率愈大，功放管的功耗愈大。
（）(错/对)9.在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。
（）(错/对)二．选择题（共20分，每空2分）1．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（），而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。
A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷2．如图所示电路中，当电源V1=5V时，测得I=1mA 。
若把电源电压调整到V1=10V,则电流的大小将是（）；设电路中V1=5V保持不变，当温度为20℃时测得二极管的电压为VD=0.7V,当温度上升到40℃时，则VD大小为（）。
A.I=2mAB.I<2mAC.I>2mAD.VD=0.7VE.VD >0.7F.VD<0.7V3、不可以采用自给偏置方式的场效应管有（）。
A.结型场效应管B.增强型MOS场效应管C.耗尽型MOS场效应管4、测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是（）。
模拟电子技术习题集参考答案
第一章参考答案一、判断题1、√2、×3、√4、√5、×6、×二、单项选择1、(a)2、(c)3、(c)4、(a)5、(c)6、(c)7、(c)8、(b)9、(b) 10、(b)11、(c) 12、(a) 13、(a) 14、(b) 15、(a) 16、(c) 17、(b) 8、(a) 19、(a) 20、(b)21、(c)三、解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。
四、解：U O1＝6V，U O2＝5V。
五、解：u i和u o的波形如题5解图所示。
题6解图题5解图六、解：u i和u o的波形如题6解图所示。
题6解图七、解：1、当U I＝10V时，若U O＝U Z＝6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故V 33.3I LLO ≈⋅+=U R R R U当U I ＝15V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V同理，当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝6V 。
2、 =-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。
八、解：波形如题8解图所示。
题8解图第二章 参考答案一、判断1、√2、×3、×4、√5、×6、√7、×8、×9、√ 10、× 11、√二、单项选择题1、(c)2、(a)3、(b)4、(b)5、(c)6、(a)7、(a)8、(a)9、(b) 10、(c) 11、(b) 12、(a) 13、(c) 14、(b) 15、(c) 16、(b) 17、(b) 18、(c) 19、(b) 20、(a) 21、(c) 22、(a) 23、(c) 24、(c) 25、(a) 26、(c) 27、(c) 28、(c) 29、(a) 30、(b) 31、(c) 32、(b) 33、(b) 34、(a) (a) (a) 35、(c) 36、(a) 37、(c) 38、(c) 39、(b) 40、(c) 41、(c) 42、(b) 43、(b) 44、(c) 45、(c) 46、(b) 47、(b) 48、(b) 49、(a) 50、(a) 51、(c) 52、(c) 53、(c) (c) 54、(c) (a)二、填空题1、NPN,PNP ；硅，锗；电子和空穴。
模拟电子技术基础 试题(A)附答案
第1页 共5页一、填空（共20空，每空 1 分，共 20 分，所有答案均填写在答题纸上）1、晶体管三极管被称为双极型晶体管是因为 。
2、晶体三极管的输出特性可分三个区域，只有当三极管工作在 区时，关系式b I Ic β=才成立。
3、场效应管可分为结型场效应管和 型场效应管两种类型。
4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中，共 基本放大电路既能放大电流又能放大电压。
5、在绘制放大电路的交流通路时， 视为短路， 视为短路，但若有内阻则应保留其内阻。
6、多级放大电路级间的耦合方式有 、 、变压器耦合和光电耦合等。
7、场效应管是利用 极和 极之间的电场效应来控制漏极电流从而实现放大的半导体器件。
8、放大电路的直流通路用于研究 。
9、理想运放的两个输入端虚短是指 。
10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈，通常令输出电压为零，看反馈是否依然存在。
若输出电压置零后反馈仍然存在则为 。
11、仅存在于放大电路的直流通路中的反馈称为 。
12、通用集成运放电路由输入级、中间级、 和 四部分组成。
13、集成运放的同相输入端和反相输入端中的“同相”和“反相”是指运放的 和 的相位关系。
14、在学习晶体三极管和场效应管的特性曲线时可以用类比法理解，三极管的放大工作区可与场效应管的 区相类比，而场效应管的可变电阻区则可以和三极管的 相类比。
二、单项选择题（共10题，每题 2 分，共 20分；将正确选项的标号填在答题纸上）min z I 时，稳压二极管 。
A ：稳压效果变差B ：仍能较好稳压，但稳定电压变大C ：反向截止D ：仍能较好稳压，但稳定电压变小2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结反向偏置，则此管的工作状态为 。
A ：饱和状态B ：截止状态C ：放大状态D ：不能确定3、已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图1所示。
《模拟电子技术》模拟题及答案
《模拟电子技术》模拟题及答案（本题共5小题, 每小题4分, 共 20 分）一、填空题1.在本征硅中掺入三价杂质元素, 可获得 型半导体, 其多子是 载流子, 少子是 载流子, 不能移动的定域离子带 电。
2.稳压二极管正常工作......区；光电二极管正常工作...... 区；变容二极管正常工作......区；发光二极管正常工作......区, 其导通压降至少应... V 以上。
3.双极型晶体管是以基极小电流控制集电极大电流的器件, 所以称....控制型器件；单极型场效应管则是以栅源间小电压控制漏极大电流的器件, 因之称... 控制型器件。
4.放大电路静态分析的目的是找出合适......., 以消除非线性失真；动态分析的目的是寻求放大电路......., 根据动态分析结果来确定放大电路的适用场合。
5.文氏桥正弦波振荡器主要......网络和集成运放构成..... 构成的。
电路中的正反馈环节起.....作用；电路中的负反馈环节则起.....作用。
6.小功率并联型直流稳压电源的输出电压是.......调整的；串联型直流稳压电源中的调整管正常工作.....状态；开关型直流稳压电源中的调整管正常工作.....状态。
（本题共11小题, 每小题1分, 共11分）二、 判断正、误题 1.雪崩击穿和齐纳击穿都是场效应式的电击穿, 不会损坏二极管。
2.双极型三极管各种组态的放大电路, 输入、输出均为反相关系。
3.本征半导体中掺入五价杂质元素后, 生成N 型半导体, 其多子是自由电子载流子。
..）4.OCL 甲乙类功放采用了单电源供电方式, 其输出大电容起负电源的作用。
..）5.功率放大器中, 甲乙类功放的性能最优良, 高保真较甲类强, 效率较乙类高。
..）6.NPN 型三极管工作在放大状态时, 其发射极电位最低, 集电极电位最高。
..）7.“虚短”和“虚断”两个重要概念, 无论是分析运放的线性电路还是非线性电路均适用。
东大19秋模拟电子技术基础A赵丽红离线作业参考答案
东 北 大 学 继 续 教 育 学 院模拟电子技术基础 试 卷（作业考核 线下） A 卷（共 5 页）注：请您单面打印，使用黑色或蓝色笔，手写完成作业。
杜绝打印，抄袭作业。
一、(10分) 单项选择题。
（选一个正确答案填入括号里，每空1分）⒈ N 型半导体是在本征半导体中加入下面物质后形成的。
答（ D ）A 、电子B 、空穴C 、三价元素D 、五价元素2．其它条件不变，若放大器输入端电阻减小应引入 答（ D ）A 、电压负反馈B 、电流负反馈C 、串联负反馈D 、并联负反馈 3．正弦波振荡电路利用正反馈产生振荡的条件是 答（ B ）A 、B 、C 、4．在OCL 功率放大电路中输入信号为正弦电压，输出波形如图1所示，说明电路中出现的是答（ C ）A 、饱和B 、截止C 、交越5．在放大电路中，为了稳定静态工作点，可以引入 答（ A ） A 、直流负反馈 B 、交流负反馈 C 、交流正反馈 D 、直流正反馈 6．当PN 结加正向电压时，其空间电荷区 答（ B ）1-=F A &&1=FA &&1|1|>>+F A &&0A 、变宽B 、变窄C 、基本不变 7．对于基本共射放大电路的特点，其错误的结论是 答（ A ）A 、输出电压与输入电压相位相同B 、输入电阻，输出电阻适中C 、电压放大倍数大于1D 、电流放大倍数大于1 8．在放大电路中测得一只三极管三个电极的电位分别为2.8V 、3.5V 、6V ，则这只三极管属于A 、硅PNP 型B 、硅NPN 型C 、锗PNP 型D 、锗NPN 型 答（ B ）9．场效应管与双极型晶体管相比，具有 答（ A ）A 、更大的输入电阻B 、更小的输入电阻C 、相同的输入电阻 10．二极管电路如图2所示，设二极管均为理想的，则电压U o 为 答（ B ）A 、-10VB 、-5VC 、0VD 、+5V图2o二、(共10分) 填空题（每空2分）1．图3所示反馈电路的反馈是属于（2．功率放大电路如图4所示，输出电阻R L =8Ω，输入u i为正弦波。
模拟电子技术试题(附答案)
《模拟电子技术》考试试卷班级 姓名 学号 注意：第五题解答写在试卷上，其余解答均写在答题纸上。
一、填空题（每空1分 共10分）1．由PN 结构成的半导体二极管具有的主要特性是 性。
2．根据某只晶体管的各极对地电压分别是V B = -6.3v ，V E = -7v ，V C = -4v ，可以判定此晶体管是 管（NPN 还是PNP ），工作于 区 。
3．某只硅稳压管的稳定电压Vz = 4v ，其两端施加的电压分别为+5v （正向偏置）和－5v （反向偏置）时，稳压管两端的最终电压分别为 v 和 v 。
4．直流稳压电源主要组成部分是 、 、 、 。
5．欲将三角波电压转换成方波电压，应选用 运算电路实现。
二、判断题（每空1分，共10分）1． 因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( )2． 放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；( )3． 直接耦合多级放大电路各级的Q 点相互影响，它只能放大直流信号。
( )4. 运放的共模抑制比c d CMR A A K( )5. 运算电路中一般均引入负反馈。
( )6. 凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。
( )7. 只要电路引入了正反馈，就一定会产生正弦波振荡。
( )8. 在变压器副边电压和负载电阻相同的情况下，桥式整流电路的输出电流是半波整流电路输出电流的2倍。
( ) 因此，它们的整流管的平均电流比值为2:1。
( ) 9. 直流电源是一种能量转换电路，它将交流能量转换为直流能量。
（ ）三、单项选择题（每题1分，共10分）1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将。
A 增大B 减小C 不变D 等于零2．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的。
A 恒流区B 可变电阻区C 夹断区D 击穿区3．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是。
A 电阻阻值有误差B 晶体管参数的分散性C 晶体管参数受温度影响D 受输入信号变化的影响4．差动放大电路的主要特点是。
模拟电子技术考试试卷答案
《模拟电子技术》考试试卷答案使用班级： 命题教师：考核方式：闭卷考试 考试时间：100分钟1. N 型半导体中多数载流子是﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍，P 型半导体中多数载流子是﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍，PN 结具有﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍特性。
2. 发射结﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍偏置，集电结﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍偏置，则三极管处于饱和状态。
3. 当Ucs=0时，漏源之间存在导电沟道的称为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍型场效应管，漏源之间不存在导电沟道的称为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍型场效应管。
4. 两级放大电路的第一级电压放大倍数为100，即电压增益为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍dB ，第二级电压增益为26dB ，则两级总电压增益为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍dB 。
5. 差分电路的两个输入端电压分别为Ui1=2.00V ，Ui2=1.98V ，则该电路的差模输入电压Uid 为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍V ，共模输入电压Uic 为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍V 。
6. 集成运算放大器在比例运算电路中工作在﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍区，在比较器中工作在﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍区。
7. 在放大电路中为了提高输入电阻应引入﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍负反馈，为了降2分，共40分）1、一个平衡PN 结，用导线将P 区和N 区连起来，而导线中（ ）。
A 、有微弱电流B 、无电流C 、有瞬间微弱电流 2、晶体管在大电流工作时，随Ic 的增加β值将（ ）。
A 、增加 B 、下降 C 、不变 3、三极管的反向电流I CBO 是由（ ）组成的。
A 、多数载流子B 、少数载流子C 、多数载流子和少数载流子 4、放大器的输入电阻高，表明其放大微弱信号能力（ ）。
Ａ、强 Ｂ、弱 Ｃ、一般 ５、射极跟随器具有（ ）特点。
Ａ、电流放大倍数高 Ｂ、电压放大倍数高 Ｃ、电压放大倍数近似于１且小于１输入电阻高，输出电阻低６、引入并联负反馈，可使放大器的（ ）。
Ａ、输出电压稳定 Ｂ、反馈环内输入电阻增加 Ｃ、反馈环内输入电阻减小７、直接耦合放大器的低频特性比阻容耦合放大器的（ ）。
Ａ、好 Ｂ、差 Ｃ、相同８、工作在线性区的运算放大器应置于（ ）状态。
06年中国海洋大学期末试题模拟电子技术 A答案沈钺
2006学年第 1学期试题名称：模拟电子技术 A答案一．选择填空题：（每题3分）1. 杂质浓度、温度；2. 正向、反向、正向；3. 10、60、0︒；4. 直接、变压器；5. 25；6. 选频网络、正反馈网络、稳幅环节；7. T=2RCln(1+2R2)R1；8. Au(s)=-RR1+sC 2=-sRC 、高通滤波器； 1+sR1C9. Pom(V-UCES)=CC2RL=18W、η=πVCC-UCES4VCC=62.8%；10. 整流电路、滤波电路、稳压电路二．简答题（每题5分）1. 1）Uom≈2.12＝V（2分）; 2）减小RW，输出电压的幅值将增大（3分）2. (b)图对中频段相位超前，属低频段对应1 khz （2分）; (c)图为中频段，对应100 khz （3分）三．计算题 (每题12分)''1. 解：（1）根据起振条件 Rf+RW（6分）＞2R，RW＞2kΩ。
故RW的下限值为2kΩ。
f0max=（2）振荡频率的最大值和最小值分别为1≈1.6kHz2 πR1C1≈145Hz2 π(R1+R2)C （6分） f0min=2. 交流等效电路图如下（6分）=[-g(R∥R∥R∥r)]⋅(-β2R8)Aum467be2rbe2Ri=R3+R1∥R2Ro=R83. 答案：S置于b，为电压串联负反馈（6分），Auf=51 （6分）（6分）4. 解：1）A2同相输入端电位 uP2=uN2=Rf(uI2-uI1)=10 (uI2-uI1) （6分） R输出电压uO=(1+RR2R)⋅uP2=10(1+2)(uI2-uI1) 或 uO=10⋅W⋅(uI2-uI1) （6分） R1R1R15. A1组成反相加法器，u01=-10uI+5V，（6分）A2组成反相滞回比较器，uo1与uo进行比较，电压传输特性见下图（6分）。
模拟电子技术A答案
《模拟电子技术》A答案一、 选择题（在题末的备选答案中选出一个正确答案。
每空1分，共14分）题号 1 2 3 4 5 6 7 答案BDADBAD二、 填空题（共8题，每空1分，共16分）1. 0.7V ；6V2. NPN ；发射极(e) ； 基极(b) ； 集电极(c) .3. 共集； 共基4. -2V ； 1mA5. -2.5； R g =1MΩ6. 变小（下降）；变宽7. 带通；带阻8. 6；70/3=23.33.9. 三、分析计算题（共70分） 16.（10分）解：（1）BEQ (1)CC CQ b eV U I R R ββ-=⋅++，onDQ V U I R-=（2分）（2）电路的微变等效电路如下，其中，d r 是二极管的交流等效电阻 ， TDQd U r I =be e d //[(1)()]i b R R r R r R β=++∥∥，c L be e d ()(1)()u R R A r R r R ββ=-++∥∥∥，o c R R =（6分）（3）||u A 增大，这是因为c L e d DQ d be d()(1)u u R R R R r A V I r A r r ββ≈-↑→↑→↓→↑++∥∥＞＞，，（2分）17．（12分）解：（1）BEQ 44445545125||10(10)0.6117 2.42.4121.2112CC EE E R C E e C E E e C C C V V U I I mAR R R I I I mA R I I I mA -----≈===++≈==⨯=∴=≈=（3分）22BEQ 23233BEQ 32322BEQ 3323()(1),,(1)1100.61002(1)10(1100) 4.6C c C B c B e B c e C c C B c e I R U I I R I R U I R R I R U I I mAR R k kβββββ--=++∴=++-⨯-∴===⨯≈++++⨯ (2分)或者：∵依题意，静态时0o u =，∴33/10/52C EE c I V R V k mA ==Ω= （2）12126200100 2.81T be be bb C U r r r k I β'==+=+⨯=Ω （1分）3326200100 1.52T be bb C U r r k I β'=+=+⨯=Ω（1分）12 5.6i be R r k ==Ω， （1分）； o c35k R R ==Ω， （1分）1223312111132'212'(1) 1.5101 4.6466.110466.1'//9.7910466.111100'9.79174.8222 2.810051.073466.1174.8( 1.073)187.5 L i i be e L c L u L be c u i u u u R R R r R k R R R k A R r R A R A A A βββ===++=+⨯=Ω⨯===Ω+=⋅=⨯⨯≈⨯=-=-≈-==⨯-=- (3分)18．（8分）解:该共源放大电路在全频段的微变等效电路如下:+-R 2k sU U U g U U（1） 3.3//10 2.481LR k '=≈Ω，()12.4g usm m Lg siR A g R R R '=⨯-⨯≈-+（1分）（2）g s -间等效电容：'(1')5(15 2.481)572gs gs m L gd C C g R C pF k pF pF=++=++⨯Ω⨯≈ （1分）上限频率 Zgs g s H H C R R f 69101.11072221')//(21⨯≈⨯⨯⨯≈=-ππ （2分）（3）由s C 决定的下限频率：11//0.166716s ss s m m s R R R k k g g R ===Ω≈Ω+，31195.5220.16671010L ss f Hz R Cs ππ-==≈⋅⨯⨯⨯（2分）（4）所以 612.495.5(1)(1)(1)(1) 1.110usmus L HA A f ff jj jj f f f -==-+-+⨯（2分）19．（10分）解：（1）D1、D2是用来克服交越失真。
模拟电子技术习题及答案完整版本
习题88.1判断下列说法是否正确，用“√”或“×”表示判断结果填入括号内。
（1）与分立元件比较，集成电路的主要优势是低成本和优良的性能。
（）（2）集成放大器采用直接耦合的主要原因是集成电路技术很难制造大容量的耦合电容。
（3）直接耦合的主要缺点是零点漂移。
（）（4）晶体管的参数受温度的影响，但不影响零点漂移。
（）（5）零点漂移受电源电压变化、器件参数老化和温度变化的影响。
（）（6）在集成电路中元件的对称性差。
（）（1）集成放大器主要有由输入级、中间放大级、输出级和偏置电路组成。
（）答：（1）√（2）√（3）√（4）×（5）√（6）×（7）√8.2选择合适答案填入空内。
（1）集成运放电路采用直接耦合方式是因为。
A．可获得很大的放大倍数 B. 可使温漂小C．集成工艺难于制造大容量电容（2）通用型集成运放适用于放大。
A．高频信号 B. 低频信号C. 任何频率信号（3）集成运放制造工艺使得同类半导体管的。
A. 指标参数准确B. 参数不受温度影响C．参数一致性好（4）集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以。
A．减小温漂 B. 增大放大倍数C. 提高输入电阻（5）为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用。
A．共射放大电路 B. 共集放大电路C．共基放大电路答：（1）C （2）B （3）C （4）A （5）A8.3 电路如题图8.3所示，已知β1=β2=β3=100。
各管的V B E均为0.7V，试求I C2的值。
题图8.3解：分析估算如下： 100BE1BE2CC =--=RU U V I R μAC2E2C11C1C0C2C0C22C2222(2)111111()2210022B R R I I I I I I I I I I I I A ββββββββββββββμββ++==+===+++++=+=+++==++8.4 多路电流源电路题图8.4所示，已知所有晶体管的特性均相同，V B E 均为0.7V ，β0=β1=β2=β3=100。
模拟电子技术基础课后答案-沈任元
模拟电子技术基础机械工业出版物社主编沈任元部分习题参考答案第二章半导体二极管及其基本应用电路思考题与习题解答2-1填空题1. _半导体、绝缘体_2. _杂敏、光敏__ 、 _热敏__。
3. _导通_ 、 _截止、单向导电性_。
4. __高于_。
5. _正向_ 、 _反向击穿_6.单向导电性_、__最大整流电流__、_最高反向工作电压。
7. _单向导电__ 8. _面接触型、点接触型_。
_点接触型的、平面型的_。
9. _零__、_无穷大_， _理想的开关_。
10. _反向特性区_、 _几乎不变_。
11. _左移__ 、 _下移_。
12. _减小_ 、 _减小_， _增加_。
13. __将交流电压转变成直流电压__、 __二极管_。
14. _脉动的直流电压变成平滑的直流电压_ 、 _储能_。
15. _单相半波整流_、_单相桥式整流_。
16. _电路烧毁_， _变成单相半波整流_。
2-2 选择题1. C2. B3. C4.B5. A6. B7.A 8. A 9.B 10.A 11. B 12.C2-3 判断题1.√2.√3.×4. ×5.√6.×2-4 解：，，，，，。
2-5 解：VD截止，，VD导通，，VD1、VD4导通，VD2、VD3截止，。
2-6 解：2-8 解：1) ，，。
2），。
2-11解：1）2）；3）；4）；5），相当于半波整流滤波（有电容）。
或，相当于半波整流滤波（无电容）。
2-12 解：第三章双极型晶体管及其放大电路思考题与习题3-1填空题1. ___PNP___和___NPN__。
2. __两__ __双极__3.发射_，___集电__。
4.__100___，___120___。
5. ___0.98mA___， ___49___。
6. ___放大__ 。
7.__饱和___。
___正向__， ___正向___。
8. __集电__， __发射__，__基极__， __发射___， __0.7V __。
模拟电子技术基础(国防科技大学出版社第四章习题答案(大题)
习题4.1选择填空1、选用差分放大电路的原因是 A 。
A 、克服温漂B 、 提高输入电阻C 、稳定放入倍数2、用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re ，将使电路的 B 。
A 、差模放大倍数数值增大 B 、抑制共模信号能力增强 C 、差模输入电阻增大3、差动放大器中的差模输入是指两输入端各加大小___相等_____、相位___相反____的信号。
4、设差放电路的两个输入端对地的电压分别为v i1和v i2，差模输入电压为v id ，共模输入电压为v ic ，则当v i1=50mV ，v i2=50mV 时，v id =_0mV __，v ic =_50mV __；当v i1=50mV ，v i2=-50mV 时，v id =_100mA __，v ic =_0mA__；当v i1=50mV ，v i2=0V 时，v id =_50mV __，v ic =_25mA __。
5、电流源常用于放大电路，作为_A ___（A.有源负载，B.电源，C.信号源），使得放大倍数__A __（A.提高，B.稳定）。
6、电压放大电路主要研究的指标是 a 、 b 、 c ；功率放大电路主要研究的指标是 d 、 e 、 f 、 g 、（a 电压放大倍数 b 输入电阻 c 输出电阻 d 输出功率 e 电源提供的功率 f 效率 g 管耗）7、功率放大电路中，___甲类____功率放大电路导通角最大；_____乙类___功率放大电路效率较高。
（甲类、乙类、甲乙类） 8、甲类功放效率低是因为 B 。
A 、只有一个功放管B 、 静态电流过大C 、管压降过大4.1对称差动放大电路如题图 4.1所示。
已知晶体管1T 和2T 的50=β，并设U BE (on )=0.7V,r bb ’=0,r ce =∞。
(1)求V 1和V 2的静态集电极电流I CQ 、U CQ 和晶体管的输入电阻r b’e 。
(2)求双端输出时的差模电压增益A ud ，差模输入电阻R id 和差模输出电阻R od 。
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2006学年第 1学期 试题名称 ： 模拟电子技术 A 答案
一． 选择填空题：（每题3分）
1. 杂质浓度、温度；
2. 正向、反向、正向；
3. 10、60、0︒；
4. 直接、变压器；
5. 25；
6. 选频网络、正反馈网络、稳幅环节；
7. 2122ln(1)R T RC R =+；
8. 11
)( 1212
C
sR C sR sC
R R s A u +-=+-= 、 高通滤波器； 9. ()2182CC
CES om L V U P W R -==、 62.8%4CC CES CC V U V πη-==；
10. 整流电路、滤波电路、稳压电路
二．简答题（每题5分）
1. 1）U o m ≈
2.12
＝V （2分）; 2）减小R W ，输出电压的幅值将增大（3分）
2. (b)图对中频段相位超前，属低频段对应1 khz （2分）; (c)图为中频段，对应100 khz （3分）
三． 计算题 (每题12分)
1. 解：（1）根据起振条件 22'W 'W f ＞，＞R R R R +k Ω。
故R W 的下限值为2k Ω。
（6分） （2）振荡频率的最大值和最小值分别为 Hz 145)(π 21kHz 6.1π 2121min 01max 0≈+=
≈=
C R R f C
R f （6分） 2. 交流等效电路图如下 （6分）
8
o 2
13i 2
be 82be2764m )()]([R R R R R R r R r R R R g A u =+=-⋅-=∥∥∥∥β （6分）
3. 答案：S 置于b ，为电压串联负反馈（6分），A u f =51 （6分）
4. 解：1）A 2同相输入端电位 )( 10)(I1I2I1I2f N2P2u u u u R R u u -=-== （6分） 输出电压))(1(10)1(I1I212P212O u u R R u R R u -+=⋅+
= 或 )(10I1I21
W O u u R R u -⋅⋅= （6分） 5. A1组成反相加法器，01105I u u V =-+，（6分）A2组成反相滞回比较器，u o 1与u o 进行比较，电压传输特性见下图
（6分）。