手机用砷化镓双刀双掷单片射频开关成品率分析
通信中的射频开关技术分析
通信中的射频开关技术分析在如今的通信领域中，射频开关技术因其高密度、高带宽和低功耗等优良特性而被广泛应用。
该技术的发展不仅极大地提高了通信系统的性能，还在一定程度上改善了设备的可靠性和热管理。
本文将对射频开关技术的原理、分类以及应用做详细分析。
一、原理分析射频开关技术的基础是微波传输线和微波场效应晶体管（FET）的共同作用。
微波传输线在工作时会产生电磁场，而微波场效应晶体管则可以受到电磁场的控制，从而实现射频信号的开关。
在射频开关技术中，微波传输线一般分为微带线、同轴线和矩形波导等几种形式。
而微波场效应晶体管则分为金属半导体场效应晶体管（MESFET）和高电子迁移率晶体管（HEMT）两种类型。
其中，MESFET是绝缘层上用金属形成的栅极控制的，而HEMT则是绝缘层上用掺杂剂形成的栅极控制的。
二、分类分析根据用途和结构，射频开关技术可以分为多种类型。
以下是常见的几种类型：1.机械式射频开关机械式射频开关是一种通过机械开关实现射频信号的连接和断开的方式。
该技术主要用于低频率的射频信号开关，其优点是成本低廉、结构简洁，但开关速度较慢。
2.固态射频开关固态射频开关是一种利用微波场效应晶体管控制射频信号开关的方式。
这种技术具有开关速度快、体积小、功耗低的优势，因此被广泛应用于高频率信号的开关。
3.混合式射频开关混合式射频开关结合了机械式和固态射频开关的优点。
其基本原理是利用机械开关的机械结构将微波场效应晶体管组成一个矩阵，并通过控制电路对其进行控制。
混合式射频开关具有高开关速度、低功耗和高密度等优点，是一种值得推广的技术。
三、应用分析射频开关技术广泛应用于如今的通信和无线电领域，例如天线、射频前置放大器、混频器和滤波器等。
在这些应用中，射频开关可以实现不同通道之间的无缝切换，从而提高整个通信系统的性能。
射频开关技术还被广泛应用于军事领域。
比如，在一些依赖于通信的军事行动中，射频开关技术可以实现通信信道的切换和脱敏，从而保障通信的可靠性和保密性。
手机用砷化镓双刀双掷单片射频开关成品率分析
度、 较小 的发射 功率 损失 、 低信 号失真 以及 和其 它 较
射 频电路 及功放 电路 良好 的 匹配功 能口 ． ］同时 ， 了 为 降低成 本 ， 提高 市场竞 争 力 ， 必须从 设计 上 缩小芯 片 面积 ， 稳定 工 艺 ， 提高工 艺 成 品率 ． 响 单 片开 关 直 影 流及 射 频参 数成 品率 的 主要 因素 包 括 ： 料 几 何参 材 数、 注入退 火 、 光刻 成 品率 、 挖槽成 品率 、 电阻、 互连 、 背 面工艺及 圆片沾 污等 ］分 析影 响成 品率 的主 要 ． 因素有利 于进一 步改 进工艺 ．
时
成 品率 的统计 ， 主要 考 虑饱 和 电流 Ｊ 夹断 电压 Ｖ 、
和栅 泄漏 电流 Ｊ。 图 ２ 某 ７ ｍｍ 圆片上 全部 单片 Ｇ． 为 ５ 开 关 管 芯 的 直 流 成 品 率 分 析 结 果 ， 成 品 率 为 总 ９ ． ， 中 由于 单个 Ｆ Ｔ饱 和 电流 不合 格 引起 ４ １ 其 ５ Ｅ 的 失效 占 ３ ９ ， 只 开 关 中 ４只 Ｆ Ｔ 饱 和 电流 ．３ 每 Ｅ
关 键 词 ：砷 化镓 单 片 射频开关 ；成品率分析
３ ０Ｈ ＥＥＡＣＣ ： ０１７ Ｅ ｛ ２５６ １ ５ ０ ０
中 圈分 类 号 ：ＴＮ４ ３
文献 标 识 码 ：Ａ
文章 编 号 ：０ ５ １７ ２０ ）４０ ０— ５ ２ ３４ ７ （０ ２ ０ —４ ３０
Ａｕ Ｎ ／ Ｇｅ ｉＡｕ欧 姆 接 触 ； Ｃ４ ０ ＣＶ ５ ０蒸 发 ＴｉＰ ／ ｕ ／ ｔＡ
引言
Ｇａ Ｄ 单 片 射频 开 关 作 为 手 机 接 收 ／ ＡｓＤＰ Ｔ 发 射切换 的集成 电路 ， 必须 具 有低 插 损 、 高隔 离 度 、 较 高线性 和较好 的驻 渡系数 以保证 其优 良的接 收灵 敏
射频性能分析报告
射频性能分析报告简介射频性能分析报告旨在评估和分析射频设备的性能，包括信号质量、信号覆盖范围、传输速率等方面的指标。
该报告旨在为射频设备的设计、部署和优化提供有价值的参考和指导。
背景随着射频技术的不断发展和应用的广泛应用，对射频设备的性能要求也越来越高。
射频设备的性能直接影响着通信质量和用户体验。
因此，对射频设备进行性能分析和评估，可以帮助提供有针对性的优化方案，提高设备的性能和服务质量。
方法实验设备本次射频性能分析所使用的设备如下：•射频信号发生器•射频功率计•频谱分析仪•射频天线•信号接收设备实验流程本次射频性能分析的实验流程如下：1.设置实验环境和测试场景。
2.通过射频信号发生器设置发射信号的频率、功率、调制方式等参数。
3.使用射频功率计测量发送信号的功率水平。
4.利用频谱分析仪分析信号的频谱特性，包括频谱带宽、频谱分布等。
5.利用射频天线进行信号发射和接收。
6.使用信号接收设备接收并测量接收信号的强度、质量等性能指标。
数据分析通过上述实验流程，我们获得了大量的测试数据。
根据这些数据，我们进行了如下的数据分析：1.信号质量分析：通过测量接收信号的强度、信噪比、误码率等指标，评估信号的质量。
分析不同信号参数对信号质量的影响。
2.信号覆盖范围分析：通过测量信号的传播距离和覆盖区域，评估信号的覆盖范围。
分析不同频率和功率对信号覆盖范围的影响。
3.传输速率分析：通过测量信号的传输速率，评估传输速率的性能。
分析不同调制方式和传输距离对传输速率的影响。
结果与讨论根据数据分析得出的结果和讨论如下：1.信号质量与信号参数的关系：信号的强度、信噪比和误码率与信号的频率、功率、调制方式等参数密切相关。
这些参数的合理选取可以显著改善信号质量。
2.信号覆盖范围与频率功率的关系：高频率和高功率的信号具有更大的传播距离和覆盖范围。
适当调整信号的频率和功率可以优化信号的覆盖范围。
3.传输速率与调制方式距离的关系：不同的调制方式和传输距离对传输速率有显著影响。
某型射频开关质量问题分析及其启示
２ ０ １ ３年 ８月
机
电
元
件
Ｖ０ Ｉ ． ３ ３ Ｎｏ ． ４ Ａｕ ｇ ． ２ ０１ ３
ＥＬＥＣＴＲ０Ｍ ＥＣＨＡＮＩ ＣＡＬ ＣＯＭ ＰＯＮＩ ／ ， ＇ ＮＴＳ
某型 射 频 开关 质 量 问题 分 析 及 其启 示
王 燕
（ 中国电子科 技 集 团公 司第 四十研 究所 ，安徽 蚌埠 ２ ３ ３ ０ １ ０ ）
收 稿 日期 ： ２ ０ １ ３—０ ７— ２ ｏ
该 产 品 的结 构 设 计 自下 而 上 ， 由 高频 接 口、 腔 体 组件 、 调 节簧 片组 件 、 铁 芯组 件 、 弹 簧 及 最 上端 的
连接器 等： 郎分组 成 ， 如图 １ 所 示 。其 工 作 原 理是 当
高频 接 口： 有信号 输 入 时 ， 通 过 腔 体组 件 使 电信号 转 换 为 动作 力 ， 簧 片 和 铁 芯组 件进 行 相应 动 作 ， 同时
１ 引 言
目前 ， 军 工 承研承 制 单 位 科研 、 生 产 任务 繁重 ， 在军 、 民 品高 度 并 行 的情 况 下 ， 面 临如 何 加 强 质 量 体 系运 行有 效性 监 督 ， 配合 整 机 单位 落实 对 产 品 研
法 闭合 ， 处 于两 路都不 导 通 的状态 （ 中 间状 态 ） 。接 到用 户通 知后 ， 单位 立 即 派设 计 人员 赶 往 现 场 和用 户一 起对 产 品的异 常进行 了初 步分 析 。
Ｄ ｏ ｉ ：１ ０ ．３ ９ ６ ９ ／ ｊ ．ｉ ｓ ｓ ｎ ．１ ０ ０ ０— ６ １ ３ ３ ．２ ０ １ ３ ．０ ４ ．０ １ １
中图分类号 ：Ｔ Ｎ ７ ８ ４
文献标识码 ：Ａ
砷化镓功率器件-概述说明以及解释
砷化镓功率器件-概述说明以及解释1.引言1.1 概述砷化镓功率器件是一种基于砷化镓材料制造的高性能电力设备。
砷化镓材料具有优秀的电子特性和热特性，使得砷化镓功率器件在高频率、高功率和高温环境下具有出色的性能表现。
砷化镓功率器件已成为电子领域的重要组成部分，广泛应用于通信、能源、军事和工业等领域。
砷化镓功率器件的主要特点之一是其高功率密度。
相较于传统的硅功率器件，砷化镓功率器件可以在更小的体积内实现更高的功率输出，从而提高了设备的效率和性能。
此外，砷化镓功率器件具有较低的导通和开关损耗，使得其能够有效地减少能量的浪费，提高能源利用效率。
另外，砷化镓功率器件还具备较高的耐高温特性。
砷化镓材料的热导率和热稳定性优异，使得器件能够在高温环境下长时间稳定运行，不易受到热量的影响。
这在一些特殊的应用领域，如航空航天和军事设备中尤为重要。
总体而言，砷化镓功率器件凭借其高功率密度、低能量损耗和耐高温特性，在电力领域中具有重要的地位和广阔的应用前景。
未来随着制备技术的不断进步和创新，砷化镓功率器件有望在更多领域发挥重要作用，推动电子技术的发展与进步。
文章结构部分的内容如下：1.2 文章结构本文将按照以下结构进行阐述和探讨砷化镓功率器件的相关内容：第一部分是引言部分，主要包括对砷化镓功率器件的概述、文章结构以及本文的目的。
在这一部分中，我们将对砷化镓功率器件进行简要介绍，并提供文章的整体结构和写作目的，以便读者能够清晰地了解本文的组织结构和阅读指南。
第二部分是正文部分，将详细探讨砷化镓功率器件的原理和特点、应用领域以及制备技术。
在2.1节中，我们将介绍砷化镓功率器件的工作原理和其特点，包括其高效能、高性能等方面。
在2.2节中，我们将探讨砷化镓功率器件在不同的应用领域中的广泛应用，包括通信、雷达、太阳能等。
在2.3节中，我们将详细介绍砷化镓功率器件的制备技术，包括材料选择、工艺流程等。
第三部分是结论部分，主要总结了砷化镓功率器件的优势和前景，挑战和发展方向以及文章的总结。
射频半导体工艺介绍
射频半导体工艺介绍虽然过去几年了，但是感觉到目前的射频半导体工艺还是这几种，只不过工艺更加进步了，所以以下的文章还是适合的。
1. GaAs半导体材料可以分为元素半导体和化合物半导体两大类，元素半导体指硅、锗单一元素形成的半导体，化合物指砷化镓、磷化铟等化合物形成的半导体。
砷化镓的电子迁移速率比硅高5.7 倍，非常适合用于高频电路。
砷化镓组件在高频、高功率、高效率、低噪声指数的电气特性均远超过硅组件，空乏型砷化镓场效应晶体管(MESFET)或高电子迁移率晶体管(HEMT/PHEMT)，在3 V 电压操作下可以有80%的功率附加效率(PAE: Power Added Efficiency)，非常适用于高层(high tier)的无线通讯中长距离、长通信时间的需求。
砷化镓元件因电子迁移率比硅高很多，因此采用特殊的工艺，早期为MESFE金属半导体场效应晶体管，后演变为HEMT ( 高速电子迁移率晶体管)，pHEMT( 介面应变式高电子迁移电晶体)目前则为HBT ( 异质结双极晶体管)。
异质双极晶体管(HBT)是无需负电源的砷化镓组件，其功率密度(power density)、电流推动能力(current drive capability)与线性度(linearity)均超过FET，适合设计高功率、高效率、高线性度的微波放大器，HBT为最佳组件的选择。
而HBT组件在相位噪声，高Gm、高功率密度、崩溃电压与线性度上占优势，另外它可以单电源操作，因而简化电路设计及次系统实现的难度，十分适合于射频及中频收发模块的研制，特别是微波信号源与高线性放大器等电路。
砷化镓生产方式和传统的硅晶圆生产方式大不相同，砷化镓需要采用磊晶技术制造，这种磊晶圆的直径通常为4-6 英寸，比硅晶圆的12英寸要小得多。
磊晶圆需要特殊的机台，同时砷化镓原材料成本高出硅很多，最终导致砷化镓成品IC成本比较高。
磊晶目前有两种，一种是化学的MOCVD，一种是物理的MBE。
用于手机砷化镓MMIC射频开关的研制
动 通 信 的砷 化 镓 ＭＭＩ Ｃ射 频 开关更 是 空缺 。
数字 无线 电通 信 系统 。
维普资讯
自从 ８ Ｏ年 代 初 国外 研 制 出 ｘ 波 段 单 刀 双 掷 砷 化镓 单 片 开关 以来 ， 经过 近二 十 年 的发 展 ， 关 开 产 品 已完 全 实用 化 ， 品 的 品种 齐 全 ， 产 既有 大 量 芯
片 电路 ， 有许 多气 密封 装 的产 品 。开关 的功 率处 也 理 能 力 由前期 数 百毫 瓦提 高 到数 十 瓦 。 这归 功 于新
（ ａｉｉｇ Ｅｌｃｒ ｎｃＤｅＪ ｅ ｖｔｔｔ ．２ ０ Ｎ ￣ ｎ ｅｔｏ ｉ ｚｃｓＩ ｓｉｕｅ ０ １ ｒ ｒ ｐｏ ｔ ａ ｎ ｗｌ ｖ ｌ ｅ Ａｓ Ｍ Ｍ Ｉ ＲＦ ｗｉｃ ｔａ ｔ ｓ ｐａ ｅ ｅ ｒ ｓ ｅ ｙ ｄｅ ｅ ｏｐ ｄ Ｇａ Ｃ ｓ ｔ ｈ ｗｈｉｈ ｅ ｔ ｅ ｃ ｆ ａ ｕｒ ｓ ｈｉ ｐ ｇｈ ｏｗｅ ｎｄ ｏ ｒ ａ ｌ ｗ ｉ ｅ ｔｏ ｏｓ ． Ｉ ｈ ｆｅ ｅ ｃ ａ ｇｅ ｒ ｍ ０ Ｍ Ｈｚ ｔ ９ ０ Ｍ ＨＺ，ｔ ｅ ｎｓ ｒ ｉ ｎ ｌ ｓ ｎ ｔ ｅ ｒ ｑｕ ｎ ｙ ｒ ｎ ｆ ｏ ８７ ｏ ７ ｈ ｐ ｗｅ ｎ ｉ ｓ ｍｏｒ ｈａ ３ ｄ ｏ ｒ ｈａ ｄｌｎｇ ｉ ｅ ｔ ｎ ３ Ｂｍ ，ｉ ｓ ｒ ｉ ｎ ｌ Ｓ（ ） ｉ ｅ ｓ ｔ ｎ ０ ｎ ｅ ｔｏ ＯＳ Ｓ ｌｓ ｈａ ．６ ｄＢ，ｉｏ ａ ｉ 。 ｓ ｓ ｌ ｔｏｎ（ ）ｉ ｅ ａ ｏ ｏ ｑｕ ｌｔ ｒ ｍｏｒ ｈａ ７ ｄＢ，ｒ ｖｅ ｓ ｈｉｄ ｏ ｄ ｒ ｉ ｅ ｃ ｐｔｐｏ ｎｔ（ ｏ）ｉ ｑｕ ｌｔ ｏ ｅ ｔ ｎ ｅｔ ｎ １ ｅ ｒ ｅ ｔ ｒ ｒ ｅ ｎｔ ｒ ｅ ｉ ＰＴ １ ｓｅ ａ ｏ ｏｒｍ ｒ ｈａ ７ ０ ｄＢｍ ｎ ｏｎ ｒ ｏｌａ ｅ ｉ （ 一 ａ ｄ ｃ ｔ ｏｌｖ ｔ ｇ Ｓ ０， ４）Ｖ．
手机射频性能测试报告材料
技术文件技术文件名称：ZTEA300GSM双频数字移动电话机射频性能测试报告技术文件编号：版本：共 11 页(包括封面)拟制张惠德2002/11/12审核会签标准化批准深圳市中兴通讯股份有限公司目录1 测试任务名称及内容 (2)1.1 任务名称 (2)1.2 测试任务版本情况 (2)1.2.1 主板版本和测试状态 (2)1.2.2 上次测试任务版本及遗留问题 (2)1.3 测试目的 (2)1.4 测试依据 (2)1.5 测试内容和要求 (3)2 测试环境与测试样机 (4)2.1 测试环境 (4)2.2 测试样机概况 (4)2.3 测试样机版本验证 (4)3 测试仪表和连接框图 (4)4 测试结果及分析 (5)4.1 测试结果 (5)4.1.1 常温射频测试结果 (5)4.1.2 高温+电源拉高射频测试结果 (6)4.1.3 高温+电源拉低射频测试结果 (7)4.1.4 低温+电源拉高射频测试结果................... 错误！未定义书签。
4.1.5 低温+电源拉低射频测试结果................... 错误！未定义书签。
4.1.6 天线耦合测试结果 (7)4.1.7 人体感应测试结果............................ 错误！未定义书签。
4.1.8 校准数据分布测试............................ 错误！未定义书签。
4.2 结果分析 (8)4.2.1 测试问题汇总 (8)4.2.2 与上次测试对比 (8)5 测试结论 (8)5.1 测试对象评价 (8)5.2 测试结论 (8)5.3 测试结论评审 (9)附录A (10)1测试任务名称及内容1.1任务名称ZTEA300GSM双频数字移动电话机射频性能测试。
1.2测试任务版本情况1.2.1主板版本和测试状态本次测试用主板属表1中第 2 项版本。
表 1本次射频测试属表2中第 2 项测试。
砷化镓光导开关中流注自发辐射实验的理论分析
砷化镓光导开关中流注自发辐射实验的理论分析刘鸿;郑理;杨洪军;杨维;郑勇林【摘要】The spontaneous radiative phenomenon of different wavelength of radiation at one end of a stre- amer (i. e. current filament) in high gain GaAs photoconductive semiconductor switches (PCSS) was ana- lyzed. The relationship among radiative recombination coefficients of different radiative wavelengths was in- duced. And the mathematical model of spontaneous radiation of current filament with the change of current filament was expanded. The results show that the other intensity peaks of spontaneous radiation of the stre- amer are slightly less than the spontaneous radiation intensity of 890nm when the filament currents are the same .%分析了高增益砷化镓光导开关中流注（即电流丝）一端不同辐射波长的自发辐射实验现象，导出了不同辐射波长的辐射复合系数之间的关系，拓展了电流丝的自发辐射随电流丝电流变化的数学模型．计算结果表明，丝电流相同时流注自发辐射的其他峰值强度略小于890nm自发辐射强度．【期刊名称】《成都大学学报（自然科学版）》【年(卷),期】2012(031)004【总页数】3页(P324-326)【关键词】砷化镓光导开关;电流丝;辐射复合系数;辐射强度【作者】刘鸿;郑理;杨洪军;杨维;郑勇林【作者单位】成都大学电子信息工程学院,四川成都610106;成都工业学院机电工程系,四川成都611730;成都大学电子信息工程学院,四川成都610106;成都大学电子信息工程学院,四川成都610106;成都大学电子信息工程学院,四川成都610106【正文语种】中文【中图分类】TN365光导开关(Photoconductive Semiconductor Switch，PCSS)较之常规的脉冲产生器件具有独特的优势，高增益砷化镓光导开关的物理机理对于光导器件的性能设计和工程应用具有重要意义[1-15]，研究高增益砷化镓光导开关的物理机理，必须研究流注，即电流丝，在其顶部的辐射效应.在前期工作中，本课题组已经导出了砷化镓光导开关流注顶部的单色光(890 nm)自发辐射公式[16].但砷化镓材料对890 nm辐射波长的吸收系数较小，吸收长度≥50 μ m，此意味着890 nm辐射波长的光致电离效应有限.由于砷化镓材料对辐射波长较小的自发辐射的吸收系数较大，因此有必要进一步研究辐射波长λ＜890 nm的自发辐射强度.本研究导出了不同辐射波长的辐射复合系数之间的关系，拓展了流注自发辐射随丝电流变化的数学模型，计算了辐射波长λ＜890 nm的另外3个自发辐射峰值强度以及典型的辐射波长λ=875 nm的自发辐射强度.研究发现，辐射波长λ＜890nm的自发辐射强度在光致电离效应中具有重要的意义.高增益砷化镓光导开关中流注自发辐射的实验研究表明[5]:在半绝缘砷化镓光导开关中，流注顶部的自发辐射的相对发光强度Iλ(任意单位)随辐射波长λ的不同而变化，大约从辐射波长876 nm至890 nm的15 nm波长间隔之间存在4个相对发光强度峰值，并随波长增加依序一个比一个较高，辐射波长大约为890 nm的辐射强度峰值最大，另外3个辐射强度峰值对应的辐射波长分别大约为，λ=885 nm，λ=881 nm和λ=876 nm.上述4个辐射强度峰值以及辐射波长λ=875 nm的辐射强度之间的比值[5]大约为，由图1可知，对于同一丝电流I，5条辐射强度图线从上往下分别对应λ=890 nm、λ=885 nm、λ=881 nm、λ=876 nm和λ=875 nm；辐射波长λ=885 nm的辐射强度图线紧靠着λ=890 nm的辐射强度图线，难以分辨；辐射波长λ=875 nm 的辐射强度图线在最下面，偏离λ=890 nm的辐射强度图线的距离随丝电流增加而增大.高增益砷化镓光导开关中电流丝的自发辐射具有重要理论意义.分析高增益砷化镓光导开关的物理机理，必须研究流注的自发辐射规律.本工作进一步研究了辐射波长λ＜890 nm、特别是典型的辐射波长λ=875 nm的自发辐射强度问题，此为进一步研究光导开关的自激励源(电流丝)的光致电离效应奠定了坚实的基础.[1]Mazzola M S，Schoenbach K H，Lakdawala V K，et al.Infrared Quenching ofConductivity at High Electric Fieldsin a Bulk，Copper-compensated，Optically Activated GaAs Wwitch[J].IEEE，Transactions on Electron Devices，1990 ，37(12):2499-2505.[2]Schoenbach K H ，Kenney J S，Peterkin F E ，et al.Temporal Development of Electric Field Structures in Photoconductive GaAs Wwitches[J].Applied Physics Letters，1993，63(15):2100-2102.[3]Loubriel G M，Zutavern F J，HjalmarsonH P，et al.Measurement of the Velocity of Current Filaments in Optically Triggered，High Gain GaAs Wwitches[J].Journal Applied Physics Letters，1994 ，64(24):3323-3325. [4]Stout P J，Kushner M J.Modeling of High Power Semiconductor Switches Operated in the Nonlinear Mode[J].Applied Physics，1996，79(4):2084-2090.[5]Zutavern F J，Baca A G ，Chow W W ，et al.SemiconductorLasers from Photoconductive Wwitch Filaments[C]//IEEE Pulsed Power Plasma Science s Vegas:IEEE Press，2001:170-173.[6]Kayasit P，Joshi R P，Islam N，et al.Transient and Steady State Simulationsof Internal Temperature Profiles in High-power Semiinsulating GaAs Photoconductive Switches[J].Journal Applied Physics，2001，89(2):1411-1417.[7]Zutavern F J，Glover S F，ReedK W ，et al.Fiber-optically Controlled Pulsed Power Switches[J].IEEE Transactions on Plasma Science，2008 ，36(5):2533-2540.[8]刘鸿，阮成礼.本征砷化镓光导开关中的流注模型[J].科学通报，2008，53(18):2181-2185.[9]刘鸿，阮成礼，郑理.砷化镓光导开关的畴电子崩理论分析[J].科学通报，2011，56(9):679-684.[10]Yang H C ，Cui H J，Sun Y Q，et al.High Power，Longevity Gallium Arsenide Photoconductive Semiconductor Switches[J].Chinese Science Bull，2010 ，55(13):1331-1337.[11]刘鸿.非线性光导开关中的高场畴机制[J].成都大学学报(自科版)，2007，26(3)，228-231.[12]Liu Hong，Ruan Chengli.“S-shaped” Negative Differential Conductivity of High GainGaAs Photoconductive Switches[C]//IEEELasers&ElectroOptics&ThePacific Rim Conference on Lasers and Electro-Optics，2009.CLEO/PACIFIC RIM apos；09.Shanghai，China:IEEE Press，2009:1-2.[13]Liu Hong，Ruan Chengli.Streamer in High Gain GaAs Photoconductive SemiconductorSwitches[C]//17th IEEE International Pulsed Power Conference(PPC2009).Washington，USA:IEEE Press，2010:663-668. [14]刘鸿，阮成礼.高增益砷化镓光导开关中的光致电离效应[J].光学学报，2009，29(2):496-499.[15]刘鸿，阮成礼.高增益砷化镓光导开关中的的特征量分析[J].中国激光，2010，37(2):394-397.[16]刘鸿，郑理，程浩，等.砷化镓光导开关中流注辐射实验理论分析[J].成都大学学报(自科版)，2012，31(2):133-135.【相关文献】式中，Δ NλT为流注顶部发出的波长为λ的光子在单位时间内进入紧邻流注顶部区域内的光子数，Stip为圆柱形流注顶部的面积，R为半绝缘砷化镓材料的反射率，ST为流注的表面积，ηλ为辐射波长λ的复合辐射系数，n为流注内的平均载流子密度，τh为空穴的复合时间，VT为流注的体积，Δ Nλ为流注区域单位时间辐射复合产生的波长为λ的光子数.设辐射波长λ的辐射强度为Iλ，则由以光子数计算的光强度的基本公式写为，式中，h为普朗克常数，c为光速.设辐射波长λl的辐射强度为Iλ1、光子数为Δ Nλ1，辐射波长λ2 的辐射强度为Iλ2，光子数为Δ Nλ2，则由式(3)得，考虑辐射波长λ的光子的辐射复合系数ηλ为流柱区域单位时间辐射复合产生的波长为λ的光子数Δ Nλ与单位时间电子—空穴对复合总数Δ NR的比率[16]，则式(4)右边分子分母同除以Δ NR变为，由此得到不同辐射波长的辐射复合系数之间的关系，目前，通过实验已能够测量某一辐射波长及其相应的辐射强度.已知辐射波长λ=890 nm的辐射复合系数η890≈0.13[16]，则由式(1)和(7)可以分别算得另外4个辐射波长对应的复合辐射系数:η885≈0.1269，η881≈0.1217，η876≈0.1163，η875≈0.1054.由此，可将参考文献[16]的公式(7)改写为，式中，PλT是在紧邻流注顶部区域内测量的辐射波长为λ的辐射功率，e为电子的电量，u为载流子漂移速度，Strans为圆柱形流注的横切面积，I为电流丝电流，Ith为流注顶部产生辐射的丝电流阈值，Pλ0是对应于丝电流阈值Ith时流注顶部辐射波长为λ的辐射功率，一般情况Pλ 0=0.在式(8)中分别代入不同波长及其相应的辐射复合系数，就可以计算出各辐射波长的辐射强度随丝电流的变化规律.为了便于与报道的计算结果进行比较[16]，式(8)中各参数取值分别为:R=0.3，τh=100 ps，h=6.625×10-34J◦s，c=3×108m◦s-1，e=1.6×10-19C，u=ud=107cm/s(取 u等于GaAs中电子的高场饱和漂移速度ud)，StipT=Stip=Strans，VT=628 000 μ m3(考虑流注为圆柱体，取2r0=40 μ m ，L=0.5 mm)，ST=65 312 μ m2，Ith=5A ，P0=0.计算结果如图1所示.。
射频开关指标-解释说明
射频开关指标-概述说明以及解释1.引言1.1 概述射频开关是一种在射频电路中用于切换信号路径的重要组件，其在无线通信、雷达、射频识别等领域都有着广泛的应用。
射频开关的性能指标直接影响着整个系统的性能和稳定性，因此掌握和理解射频开关的关键指标是非常重要的。
本文将围绕射频开关的关键指标展开介绍，分析其影响因素，总结其重要性，并对未来的发展趋势进行展望。
希望通过本文的阐述，读者能够更加深入地了解射频开关，为相关领域的研究和应用提供一定的参考价值。
1.2 文章结构本文分为引言、正文和结论三个部分。
在引言部分，首先对射频开关进行概述，介绍射频开关的定义和作用，并阐述本文的目的。
接下来，正文部分将详细讨论射频开关的关键指标，包括其特点、分类和应用领域，并分析各指标的影响因素。
最后，在结论部分，将总结射频开关指标的重要性，展望未来射频开关指标的发展趋势，并提出结论和展望。
通过这样的结构安排，读者将能够全面了解射频开关指标的相关知识和发展趋势，对该领域有更深入的了解和认识。
1.3 目的本文的目的是通过对射频开关指标的深入研究和分析，帮助读者了解射频开关在无线通信和射频设备中的重要作用，以及各项指标在射频开关设计中的意义和影响。
通过对射频开关指标的探讨，读者可以更好地理解射频开关的功能特点和优势，为未来射频开关的研发和应用提供参考和指导。
同时，本文还旨在推动射频开关技术的进步与发展，促进相关领域的学术交流和创新合作。
希望本文的研究能够为射频开关领域的研究者、工程师和相关从业人员提供有益的参考和借鉴，促进射频开关技术的发展和进步。
2.正文2.1 射频开关的定义与作用射频开关是一种用于控制射频信号通路的器件，能够实现在射频电路中进行开关操作。
射频开关的作用主要是在信号传输过程中实现信号的切换和路由控制，保证信号的正常传输和有效连接。
射频开关可以在无线通信、雷达、卫星通信、射频识别等领域广泛应用，是射频系统中不可或缺的关键组件之一。
新型移动通用GaAs-MMIC-SPDT开关
新型移动通信用ＧａＡｓ ＭＭＩＣ ＳＰＤＴ开关 许正荣 陈新宇 蒋幼泉 张斌 李拂晓 邵凯 ２１００１６基于成熟的ＧａＡｓ集成电路的设计和工艺技术开发移动通讯用的ＧａＡｓ ＭＭＩＣ 单刀双掷开关芯片电路在０．９ＧＨｚ隔离度典型值为５０ｄＢＧａＡｓ开关电路采用３英寸ＧａＡｓ圆片标准成熟工艺加工 关键词单刀双掷Ｎａｎｊｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｄｅｖｉｃｅｓ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ Ａｂｓｔｒａｃｔ： ＧａＡｓ ＭＭＩＣ ＳＰＤＴ ｓｗｉｔｃｈ ｆｏｒ ｍｏｂｉｌｅ ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ ｉｓ ｄｅｓｃｒｉｂｅｄ ｗｉｔｈ ｉｓｏｌａｔｉｏｎ ５０ｄＢ＠０．９ＧＨｚ ａｎｄ ｌｏｗ ｉｎｓｅｒｔｉｏｎ ｌｏｓｓ ０．９ｄＢ＠０．９ＧＨｚ ｕｓｉｎｇ ３ ｉｎｃｈｅｓ ＧａＡｓ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ． Ｔｈｅ ｓｗｉｔｃｈ ｃｉｒｃｕｉｔｓ ａｄｏｐｔｅｄ ｓｅｒｉｅｓ－ｐａｒａｌｌｅｌ ｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ ｔｏｐｉｃ． Ｔｈｉｓ ｐｒｏｄｕｃｔ＇ｓ ｃｈａｒａｃｔｅｒ ｉｓ ｃｏｒｒｅｓｐｏｎｄ ｗｉｔｈ ｔｈｅ ｐｒｏｄｕｃｔ ｏｆ ａｌｉｅｎ ｃｏｍｐａｎｙ ． Ｋｅｙ ｗｏｒｄ： ＧａＡｓ ＭＭＩＣ １砷化镓单片集成电路越来越广泛的得到了运用衰减器由于我国在这方面的起步较晚都２通常用于系统的接收发射部分的转换高的隔离度对开关的控制电压我们根据用户的需求此种开关具有高隔离该产品采用正电压控制开关集成电路采用ＳＯＩＣ－１４塑料封装便于大批量生产工艺舷返嗓艺水窘电陆巴聊Ｄ肼段銎牢Ｖ１＝０ＶＤＴ Ｊ ＤＴ巍剖提钙骷迪汛典塑ζ开关ＧａＡｓ ＳＰＤＴ电路采用串并电路设计和筛选技术工艺中还针对开关产品的封装可靠性ＧａＡｓ ＳＰＤＴ开关塑封产品的微波性能见图３和图４和国外同类器件的性能比较见表１其性能和国外同类产品水平基本一致 表１ 开关和国外同类产品的比较 Table 1. The compare of switch character 插损最大值 隔离度 驻波比 频率 0.5-1.0GHz1.0-2.0GHz2.0-2.5GHz0.5-2.0GHz2.0-2.5GHz0.5-2.0GHz2.0-2.5GHzK1080.9 1.1 1.3 50 42 1.3:1 1.4:1 AS-1480.9 1.1 1.4 50 42 1.3:1 1.5:1 ４开发了移动通讯用ＧａＡｓ ＳＰＤＴ开关集成电路适用于多种通信系统ＧＳＭ同时开发ＧａＡｓ集成电路的实用化技术替代国外的进口产品致谢 对南京电子器件研究所设计中心和工艺中心的全体人员表示衷心的感谢１９９８ 。
射频dpdt工作原理
射频dpdt工作原理
射频DPDT器件也称为双刀双掷开关，它是用于射频应用的开关，可同时将一个或多个信号从一个端口切换到另一个端口。
在射频电路中，DPDT开关通常用于选择天线，调节信号强度或将信号从一个电路分配到多个电路中。
射频DPDT器件的工作原理与普通的DPDT开关相似，但它们是专门设计用于射频领域的。
它们使用巨磁电势（Gallium Arsenide）或硅和铝基材料制成，可以在高频范围内工作，具有低失真和低插入损耗的特点。
射频DPDT开关的关键部件是开关芯片，它通常由多个PIN二极管组成，并使用铜线进行封装。
这些PIN二极管组成一个以上下两个切换状态之间的桥，当电流流过时，它们会改变开关状态。
在DPDT开关中，有两个这样的桥，可控制两个输入信号的路由。
射频DPDT开关的控制信号是一个小幅电压，它可以控制开关芯片中的PIN二极管。
当控制信号施加到开关芯片时，它会改变GPIO的状
态，从而将输入信号路由到不同的输出端口。
通常，这些控制信号在许多系统和应用中都是由微控制器发送的。
射频DPDT开关还具有一些其他重要特性，例如对隔离性和互联搭配性要求高、插入损耗低、绝缘强度高、稳健性好且能防止频率漂移等。
因此，在选择DPDT开关时，必须考虑到这些特征，并确保选择的开关适合特定的应用。
总之，射频DPDT开关是一个非常重要的设备，可应用于广泛的射频应用。
它们在无线通信、天线选择、信号放大和电源管理等领域中都得到了广泛应用。
无论是在消费品还是工业产品中，DPDT开关都扮演着至关重要的角色。
通过不断地改善和提高，它们将继续在射频应用中发挥重要作用。
射频开关分类及RF开关市场发展趋势分析
射频开关分类及RF开关市场发展趋势分析射频开关的作用是将多路射频信号中的任一路或几路通过控制逻辑连通, 以实现不同信号路径的切换, 包括接收与发射的切换、不同频段间的切换等, 以达到共用天线、节省终端产品成本的目的. 射频开关的主要产品种类有移动通信传导开关、Wi-Fi开关、天线开关等, 广泛应用于智能手机等移动智能终端. 智能手机可能包含10多个RF开关设备.射频开关的的工作原理当射频开关的控制端口加上不同电压时, 射频开关各端口将呈现不同的连通性. 以单刀双掷射频开关为例, 当控制端口加上正电压时, 连接端口1与端口3的电路导通, 同时连接端口2与端口3的电路断开；当控制端口加上零电压时, 连接端口1与端口3的电路断开, 同时连接端口2与端口3的电路导通.射频开关工作原理示意图射频开关的分类场效应晶体管FET是构成RF开关的重要元素, 因此FET的非理想特性会严重影响开关性能. 在低阻抗状态下, FET源级漏级之间的导通电阻不为零, 所以信号通过FET时会产生能量损失, 反映在指标上就是插入损耗. FET开关的插入损耗可重复性强, 可以建立有效模型, 在需要高精度的应用中, 可以进行适当校准和补偿. 除此之外, 开关在关断状态下, 信号还会通过FET寄生电容漏电, 可以用隔离度指标进行量化. FET的非线性, 也产生互调和谐波失真. 输入1dB压缩点是表征线性度的指标, 当插入损耗相比于低输入功率情况下下降1dB 是的输入能量水平就是IP1dB. P1dB越高, 线性度越好. FET开关可以处理的功率或者能量是有限的, 因此也有最高能量指标. 开关的速度可以用转换时间和建立时间来表示, 也就是表示开关转换信号路径的速度.开关的转换时间TSW和建立时间TS开关场效应晶体管（FET）用作三端口器件, 其中源极和漏极端口形成用于RF信号的传导路径或通道, 栅极端口被施加直流电压来控制通道开闭. 大多数开关FET使用耗尽型模式, 也就是说没有施加电压时, 沟道通常处于其低电阻状态, 而漏极和源极施加负电压时, 沟道处于高电阻状态.单刀双掷开关结构随着单片RF开关技术的发展, 设计的复杂度从简单的单刀单掷、串联、窄带宽结构过渡到了多刀多掷、宽带、多串联、多分流的复杂构造开关. 同时, 最大入射RF功率也增加到30dBm至33dBm的范围. 在过去几年中, GaAspHEMT, SOIMOSFET和PIN二极管技术得以采用, 来解决原有的材料散热问题, 并且可以处理20瓦范围内的入射功率水平的高频开关. 射频和微波频率下的100瓦连续波能量.随着频率增加到毫米波的范围, AlGaAs/GaAs异质结PIN二极管集成开关可以将功率处理提高到40瓦, 在极高频率下的性能卓越. 基于GaNHEMT技术利用碳化硅, 蓝宝石或高电阻率硅衬底的控制部件也被采用, 来替代传统的硅和GaAs工艺, 用于高功率处理.GaN工艺相比于GaAs和SiC有其独有的优势, 例如击穿电场强度是硅和GaAs的十倍, 在高功率上应用优势明显；介电常数和硅、GaAs以及SiC相比降低了50%, 并且能量密度大幅度提升, 因此在高频高功率具有显著优势.GaNHEMT器件在高功率控制上, 尤其是射频、微波毫米波领域的优势是非常明显的. 但是GaNHEMT的导通电阻典型值为6.25ohmxmm, 相对较大, 会限制其在高频高摆幅时的应用, 高功率输出时有线性度限制.GaNHEMT器件电流电压关系图基于CMOS工艺的SOIMOSFET也是适合于高功率高频率开关的有源器件, 导通电阻可以达到1.0ohm*mm和2.0ohm*mm, 关断时的电容可以达到250fF/mm 和30fF/mm. 综合各方面性能, SOI与GaAspHEMT开关性能接近, 可以用在RF 微波频率. 即使和GaNHEMT相比, SOIMOSFET的导通电阻也很低, 在RF上优势明显.二、RF开关市场分析5G智能手机需要接收更多频段的射频信号, 根据调查数据总结, 2011年及之前智能手机支持的频段数不超过10个, 而随着4G通讯技术的普及, 至2016年智能手机支持的频段数已经接近40个；因此, 移动智能终端中需要不断增加射频开关的数量以满足对不同频段信号接收、发射的需求. 与此同时, 智能手机外壳现多采用手感、外观更好的金属外壳, 一定程度上会造成对射频信号的屏蔽, 需要天线调谐开关提高天线对不同频段信号的接收能力.根据调查数据统计, 2010年以来全球射频开关市场经历了持续的快速增长, 2017年全球市场规模达到14.47亿美元, 2017年及之后增速放缓, 但预计到2020年期间仍保有9.5%的年化增长率, 预计到2020年达到19.01亿美元.2010-2020年全球射频开关销售收入及预测目前RF开关的主要市场被海外公司占领, 主要包括Skyworks、Qorvo、博通、恩智浦、英飞凌、Murata等. 这些主要玩家仍在不断进行生产技术创新来提高企业效率. 国内的公司则有锐迪科、卓胜微、唯捷创芯、韦尔股份等. 卓胜微公司的射频前端芯片应用于三星、小米、华为、vivo、OP射频开关分类及RF开关市场发展趋势分析[图]2019年06月13日 13:41:26字号:T|T射频开关的作用是将多路射频信号中的任一路或几路通过控制逻辑连通, 以实现不同信号路径的切换, 包括接收与发射的切换、不同频段间的切换等, 以达到共用天线、节省终端产品成本的目的. 射频开关的主要产品种类有移动通信传导开关、Wi-Fi开关、天线开关等, 广泛应用于智能手机等移动智能终端. 智能手机可能包含10多个RF开关设备.射频开关的的工作原理当射频开关的控制端口加上不同电压时, 射频开关各端口将呈现不同的连通性. 以单刀双掷射频开关为例, 当控制端口加上正电压时, 连接端口1与端口3的电路导通, 同时连接端口2与端口3的电路断开；当控制端口加上零电压时, 连接端口1与端口3的电路断开, 同时连接端口2与端口3的电路导通.射频开关工作原理示意图射频开关的分类场效应晶体管FET是构成RF开关的重要元素, 因此FET的非理想特性会严重影响开关性能. 在低阻抗状态下, FET源级漏级之间的导通电阻不为零, 所以信号通过FET时会产生能量损失, 反映在指标上就是插入损耗. FET开关的插入损耗可重复性强, 可以建立有效模型, 在需要高精度的应用中, 可以进行适当校准和补偿. 除此之外, 开关在关断状态下, 信号还会通过FET寄生电容漏电, 可以用隔离度指标进行量化. FET的非线性, 也产生互调和谐波失真. 输入1dB压缩点是表征线性度的指标, 当插入损耗相比于低输入功率情况下下降1dB 是的输入能量水平就是IP1dB. P1dB越高, 线性度越好. FET开关可以处理的功率或者能量是有限的, 因此也有最高能量指标. 开关的速度可以用转换时间和建立时间来表示, 也就是表示开关转换信号路径的速度.开关的转换时间TSW和建立时间TS开关场效应晶体管（FET）用作三端口器件, 其中源极和漏极端口形成用于RF信号的传导路径或通道, 栅极端口被施加直流电压来控制通道开闭. 大多数开关FET使用耗尽型模式, 也就是说没有施加电压时, 沟道通常处于其低电阻状态, 而漏极和源极施加负电压时, 沟道处于高电阻状态.单刀双掷开关结构随着单片RF开关技术的发展, 设计的复杂度从简单的单刀单掷、串联、窄带宽结构过渡到了多刀多掷、宽带、多串联、多分流的复杂构造开关. 同时, 最大入射RF功率也增加到30dBm至33dBm的范围. 在过去几年中, GaAspHEMT, SOIMOSFET和PIN二极管技术得以采用, 来解决原有的材料散热问题, 并且可以处理20瓦范围内的入射功率水平的高频开关. 射频和微波频率下的100瓦连续波能量.随着频率增加到毫米波的范围, AlGaAs/GaAs异质结PIN二极管集成开关可以将功率处理提高到40瓦, 在极高频率下的性能卓越. 基于GaNHEMT技术利用碳化硅, 蓝宝石或高电阻率硅衬底的控制部件也被采用, 来替代传统的硅和GaAs工艺, 用于高功率处理.GaN工艺相比于GaAs和SiC有其独有的优势, 例如击穿电场强度是硅和GaAs的十倍, 在高功率上应用优势明显；介电常数和硅、GaAs以及SiC相比降低了50%, 并且能量密度大幅度提升, 因此在高频高功率具有显著优势.GaNHEMT器件在高功率控制上, 尤其是射频、微波毫米波领域的优势是非常明显的. 但是GaNHEMT的导通电阻典型值为6.25ohmxmm, 相对较大, 会限制其在高频高摆幅时的应用, 高功率输出时有线性度限制.GaNHEMT器件电流电压关系图基于CMOS工艺的SOIMOSFET也是适合于高功率高频率开关的有源器件, 导通电阻可以达到1.0ohm*mm和2.0ohm*mm, 关断时的电容可以达到250fF/mm 和30fF/mm. 综合各方面性能, SOI与GaAspHEMT开关性能接近, 可以用在RF 微波频率. 即使和GaNHEMT相比, SOIMOSFET的导通电阻也很低, 在RF上优势明显.二、RF开关市场分析5G智能手机需要接收更多频段的射频信号, 根据调查数据总结, 2011年及之前智能手机支持的频段数不超过10个, 而随着4G通讯技术的普及, 至2016年智能手机支持的频段数已经接近40个；因此, 移动智能终端中需要不断增加射频开关的数量以满足对不同频段信号接收、发射的需求. 与此同时, 智能手机外壳现多采用手感、外观更好的金属外壳, 一定程度上会造成对射频信号的屏蔽, 需要天线调谐开关提高天线对不同频段信号的接收能力.根据调查数据统计, 2010年以来全球射频开关市场经历了持续的快速增长, 2017年全球市场规模达到14.47亿美元, 2017年及之后增速放缓, 但预计到2020年期间仍保有9.5%的年化增长率, 预计到2020年达到19.01亿美元.2010-2020年全球射频开关销售收入及预测目前RF开关的主要市场被海外公司占领, 主要包括Skyworks、Qorvo、博通、恩智浦、英飞凌、Murata等. 这些主要玩家仍在不断进行生产技术创新来提高企业效率. 国内的公司则有锐迪科、卓胜微、唯捷创芯、韦尔股份等. 卓胜微公司的射频前端芯片应用于三星、小米、华为、vivo、OP。
射频前端所处位置重要性分析及成本占比
1.1 射频前端为手机无线通信模块重要部分
射频是半导体集成电路中模拟 IC 的重要组成。半导体分为分立器件与集成电路。按处理 信号的特点，集成电路分为模拟 IC 与数字 IC，数字 IC 用于处理数字信号（例如 CPU、逻辑 电路），模拟 IC 用于收集现实世界中的信号（包括光、声音、温度、湿度、压力、电流、浓度 等），并进行包括放大、过滤等处理，可按照处理信号的类型继续划分为电源 IC、信号链、射 频等。而射频器件主要包括功率放大器、射频开关、低噪声放大器。此外，射频前端中的滤波 器是无源器件（被动元器件），半导体属于有源器件。
实现射 GaAs, GaN
由接收端滤波器和发射端滤波器组成，实现 SAW, TC-SAW, BAW-FBAR,
射频收发通道的隔离
BAW-SMR
图 3、PA 功能示意图
输入功率 (W)
输入功率 (W)
图 4、滤波器功能示意图
非线性 失真
PA
PA、滤波器价值量占比达 34%、54%。手机主要成本包括显示器（约 20%）、相机（约 10%）、及主板，其中主板主要包括三大芯片，即主芯片（约 15%）、储存芯片（约 10%）、射 频前端（约 8%）。射频前端中，PA和滤波器为价值量最高的两大器件，价值量占比分别为 34% 、
图 1、射频归属于半导体模拟 IC
射频前端为手机无线通信模块重要部分。手机的无线通信模块包含四部分，即天线、射频 前端（RFFE，Radio Frequency Front-end）、射频收发（RF Transceiver）、及基带（BB，Base Band），共同组成接收通路/下行链路（即 Receive，Rx）和发射通路/上行链路（即 Transmit，Tx）。简单来说，基带信号是指需要的处理信号，如麦克风接收到的音频，但其频 率较低，不适合距离传输（一是天线长度与波长成正比、二是低频段频谱资源有限），因此需 要把低频的基带信号加载到更高频的电磁波上，即用射频电流作为载波。以上过程被称作基带 的调制（反向过程为解调），而射频前端则是对射频信号进行过滤和放大。
超宽带双刀双掷氮化镓功率开关芯片
超宽带双刀双掷氮化镓功率开关芯片作者：戴剑张忠山来源：《现代信息科技》2021年第06期摘要：文章提出了一种超宽带射频开关拓扑结构，利用该拓扑结构，设计了一款基于氮化镓单片工艺的超宽带（17～35 GHz）双刀双掷功率开关芯片，同一芯片上集成了射频收发切换开关和极化开关。
在片测试结果显示，该芯片在整个频段内的插入损耗典型值为2.5 dB，隔离度典型值为27 dB。
装配测试表明该芯片的输入P0.1 dB为40 dBm，具有较高的耐功率能力。
芯片尺寸仅为3×2.5 mm2。
该功率开关芯片可广泛应用于多功能雷达射频组件中，用于发射/接收的切换和极化方向的选择。
关键词：超宽带;射频开关;双刀双掷;插损;耐功率能力中图分类号：TM564 文献标识码：A 文章编号：2096-4706（2021）06-0048-04Ultra Wideband DPDT GaN Power Switch ChipDAI Jian，ZHANG Zhongshan（The 13th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation，Shijiazhuang 050000，China）Abstract：This paper presents a ultra wideband topology for RF switch. Using this topology，a ultra wideband（17～35 GHz）DPDT power switch chip is designed based on GaN monolithic process，RF transceiver switch and polarization switch are integrated on the same chip. On-wafer measurement results show a typical insertion loss and isolation of 2.5 dB and 27 dB over the entire frequency band. The assembly test shows that the input P0.1 dB of the chip is 40 dBm，and it has high power endurance. The chip size is only 3×2.5 mm2. The power switch chip can be widely used in multi-function radar RF module for transmitting/receiving switching and polarization direction selection.Keywords：ultra wideband;RF switch;DPDT;insertion loss;power endurance0 引言隨着多功能有源相控阵雷达系统的发展，其核心部件单片微波集成电路（MMIC）得到了广泛和深入的研究[1]。
商用砷化镓射频集成电路的生产测试
商用砷化镓射频集成电路的生产测试
刘明亮
【期刊名称】《国外电子测量技术》
【年(卷),期】1996(0)2
【摘要】本文叙述了商用射频集成电路的生产测试的特殊要求。
由于产品成本对市场销售的影响最为敏感,所以本文将讨论那些使测试费用在产品成本中占有量尽量少的技术。
并向大家推荐测试硬件、测试软件、器件的自动化处理方法和测试方案最佳化技术。
为了进一步说明这些技术的效果,本文还介绍了一种塑封单刀双掷开关的生产测试方法。
【总页数】3页(P24-26)
【关键词】砷化镓;射频集成电路;测试;商用集成电路
【作者】刘明亮
【作者单位】
【正文语种】中文
【中图分类】TN453.07;F716
【相关文献】
1.中国移动通信产业的发展和砷化镓射频集成电路产业的机遇 [J], 邵凯
2.中国移动通信产业的发展和砷化镓射频集成电路产业的机遇 [J], 邵凯
3.深圳将合资建设4英寸、6英寸砷化镓集成电路生产线 [J], 盛柏桢;
4.1991—1996年世界砷化镓集成电路商用市场 [J], 马琳
5.海威华芯砷化镓生产线投产高端射频芯片 [J],
因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。