一种层状锗量子点材料及其制备方法[发明专利]

专利名称：一种层状锗量子点材料及其制备方法
专利类型：发明专利
发明人：许应瑛,李振军,刘明举,王小伟,戴庆,程志海,裘晓辉申请号：CN201310385209.X
申请日：20130829
公开号：CN104419906A
公开日：
20150318
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明提供一种层状锗量子点材料及其制备方法，该方法包括：在基片上交替沉积SiO层和Ge层，并且进行退火。

采用本发明的方法能够制备层状分布的Ge量子点材料。

本发明提供的锗量子点材料的Ge量子点大小不均匀，并具有成分和结构可控、带隙可调等优点。

申请人：国家纳米科学中心
地址：100190 北京市海淀区中关村北一条11号
国籍：CN
代理机构：北京润平知识产权代理有限公司
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