降低非自对准LDMOS功率管RDSon离散性的途径
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降低非自对准LDMOS功率管RDSon离散性的途径MikeGao;KirkKamberg;ShriRamaswami
【期刊名称】《中国集成电路》
【年(卷),期】2003(000)049
【摘要】LDMOS功率管工作在线性区时，RDSon取决于沟道区及漂移区的图形尺寸与掺杂浓度。
非自对准LDMOS功率管漂移区的一端与栅极没有自对准关系，因此一些工艺偏差(诸如光刻CD、重叠、刻蚀CD等)均可影响器件的沟道长度。
Motoro1a公司在SMOS7LVTM工艺开发过程中，曾发现非自对准LDMOS功率管RDSon离散比规范值大8％(1σ）。
有关RDSon的离散的分析表明，主要是因重叠性不良而引起。
优化对准方案之后，RDSon离散可由原先的-12％降至＜3％。
【总页数】5页(P72-76)
【作者】MikeGao;KirkKamberg;ShriRamaswami
【作者单位】摩托罗拉公司
【正文语种】中文
【中图分类】TN386.1
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