BSM100GB120DN2中文资料

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IGBT型号

IGBT型号英飞凌IGBT模块是西门子旗下infineon 公司产品，原EUPEC IGBT模块英文名：infineon IGBT模块/英飞凌IGBT模块/别名优派克IGBT模块，欧派克IGBT模块，工业自动化设备维修常用元器件，中国IGBT 代理商！一:infineon(英飞凌)IGBT单管.MOS系列,TO-247封装(电流均为100度高温条件下测试标定)IKW20N60T 20A/600V 30KHZ SKW30N60HS 30A/600V 150KHZIKW50N60T 50A/600V 30KHZ IKW75N60T 75A/600V 30KHZ SKW25N120 25A/1200V 50KHZ IKW08T120 8A/1200V 30KHZIKW15T120 15A/1200V 30KHZ IKW25T120 25A/1200V 30KHZIKW40T120 40A/1200V 30KHZ IKW15N120T2 24A/1200V 50KHZIKW25N120T2 37.5A/1200V 50KHZ IKW40N120T2 56A/1200V 50KHZ SPD07N60C3 SPD04N60C3 SPA11N60C3 SPA20N60C3 SPA07N60C3 SPP03N60C3 SPP04N60C3 SPP07N60C3 SPP11N60C3 SPP20N60C3 IPP60R385CP SPW20N60C3 SPW47N60C3 SPA11N80C3 SPA17N80C3 SPP11N80C3 SPP17N80C3 SPW11N80C3 SPW17N80C3 二:英飞凌IGBT模块/IGBT模块(电流均为80度高温条件下测试标定)IGBT 600V系列(30KHZ高频)BSM50GB60DLC 50A/600V/2U Vcesat=2.1V BSM75GB60DLC 75A/600V/2U BSM100GB60DLC 100A/600V/2U BSM150GB60DLC 150A/600V/2UBSM200GB60DLC 200A/600V/2U BSM300GB60DLC300A/600V/2UFF200R06KE3 FF300R06KE3 FF400R06KE3 400A/600V/2U英飞凌IGBT模块IGBT 1200V系列BSM50GB120DN2/DLC BSM75GB120DN2/DLCBSM100GB120DN2K/DLCK BSM100GB120DN2/DLCBSM150GB120DN2 BSM200GB120DN2FF100R12KS4 FF150R12KS4 FF200R12KS4 FF300R12KS4FF150R12KE3G FF200R12KE3 FF300R12KE3 FF400R12KE3IGBT 1700V系列BSM75GB170DN2 BSM100GB170DLC BSM150GB170DLCFF200R17KE3 FF300R17KE3英飞凌IGBT模块PIM (三相桥+七单元+温度传感器)FP10R12YT3 FP15R12YT3 BSM10GP120 FP15R12KE3GFP25R12KE3/ K T 3 FP40R12KE3/ K T 3 FP40R12KE3G/KT3G FP50R12KE3/ K T 3 FP75R12KE3/ K T 3英飞凌IGBT模块IGBT 600V/1200系列(H桥40KHZ高频)F4―50R12KS4 50A/1200V/4U+温度检测电阻NTCF4—75R12KS4 F4—100R12 KS4 F4—150R12 KS4F4—100R06KL4 F4—150R06KL4F4—200R06KL4 200A/600V/4U+温度检测电阻NTC英飞凌IGBT模块IGBT 1200V/1700V系列BSM200GA120DN2 BSM300GA120DN2 BSM400GA120DN2 FZ400R12KS4/KE3 FZ600R12KS4/KE3 FZ800R12KE3BSM300GA170DLS BSM400GA170DLS FZ400R17KE3FZ600R17KE3FS50R12KT3 FS75R12KT3 FS75R12KT3G FS100R12KT3 FS150R12KT3瑞士ABB驱动板+IGBT模块，型号如：FS225R12KE3/AGDR-71C、FS225R12KE3/AGDR-61C、FS225R12KE3/AGDR-62C、FS225R12KE3/AGDR-72C、FS225R17KE3/AGDR-71C、FS300R12KE3/AGDR-61C、FS300R12KE3/AGDR-71C、FS300R12KE3/AGDR-62C、FS300R12KE3/AGDR-72C、FS450R12KE3/AGDR-61C、FS450R12KE3/AGDR-62C、FS450R12KE3/AGDR-71C、FS450R12KE3/AGDR-72C、FS300R17KE3/AGDR-61C、FS300R17KE3/AGDR-62C、FS300R17KE3/AGDR-71C、FS300R17KE3/AGDR-72C、FS450R17KE3/AGDR-61C、FS450R17KE3/AGDR-62C、FS450R17KE3/AGDR-71C、FS450R17KE3/AGDR-72C。

BSM200GB120DLC中文资料

TC=25°C, Transistor
Ptot
1,3
kW
VGES
+/- 20V
V
IF
200
A
IFRM
400
A
VR = 0V, t p = 10ms, T Vj = 125°C
2 I t
-
kA2s
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
VISOL
2,5
kV
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage Gateladung gate charge Eingangskapazität input capacitance Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current IC = 200A, V GE = 15V, Tvj = 25°C IC = 200A, V GE = 15V, Tvj = 125°C IC = 8mA, V CE = VGE, Tvj = 25°C VGE(th) VCE sat
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

注意选用英飞凌IGBT条件

选用英飞凌IGBT时，经常看到有不同的几个系列KE3，KT3，KT4，KS4。

不太清楚他们的应用场合，看PDF文档也没有直观的了解。

下面给大家分了几大类给大家介绍下，希望能帮到大家！英飞凌IGBT模块技术选型资料英飞凌(Infineon)，优派克(eupec)-600V系列IGBT模块1200V系列IGBT模块1600V系列IGBT模块1700V系列IGBT模块3300V系列IGBT模块6500V系列IGBT模块DN2系列：频率范围10KHZ-20KHZ，饱和压降：2.5V-3.1VDN2系列：频率范围4KHZ-8KHZ，饱和压降：2.1V-2.4VKS4系列：频率范围15KHZ-30KHZ，饱和压降：3.2V-3.85VKE3系列：频率范围4KHZ-10KHZ，饱和压降：1.7V-2.0VKT3系列：频率范围8KHZ-15KHZ，饱和压降：1.7V-1.9V600V系列IGBT模块两单元 BSM-DLC (Low Loss / IGBT2): BSM50GB60DLC BSM75GB60DLC BSM100GB60DLC BSM150GB60DLC BSM200GB60DLCBSM300GB60DLCFF-KE3 (IGBT3): FF200R06KE3 FF300R06KE3 FF400R06KE3四单元 F4-KL4 (Low Loss / IGBT2): F4-100R06KL4 F4-150R06KL4 F4-200R06KL4六单元 FS-L4 (Low Loss / IGBT2): FS10R06XL4 FS15R06XL4 FS20R06XL4 FS30R06XL4 FS50R06YL4 FS75R06KL4FS100R06KL4 FS150R06KL4 FS200R06KL4BSM-DLC (Low Loss / IGBT2): BSM30GD60DLC BSM50GD60DLC BSM75GD60DLC BSM100GD60DLC BSM150GD60DLCBSM200GD60DLCFS-VE3 (IGBT3): FS10R06VE3 FS15R06VE3 FS20R06VE3_B2 FS30R06VE3FS-KE3 (IGBT3): FS50R06KE3 FS75R06KE3 FS100R06KE3 FS150R06KE3 FS200R06KE3功率集成模块PIM FP-KL4: FP10R06KL4 FP15R06KL4 FP20R06KL4BSM-GP: BSM10GP60 BSM15GP60 BSM20GP60 BSM30GP60 BSM50GP60 BSM50GP60G BSM75GP60 BSM100GP60FP-YE3: FP10R06YE3 FP20R06YE3 FP30R06YE3EUPEC 1200V IGBT模块有五种类型供用户选择(按开关频率，从后缀区分)类型 DN2系列 DLC系列 KS4系列 KE3系列 KT3系列最佳开关频率范围fs 10KHZ-20KHZ 4KHZ-8KHZ 15KHZ-30KHZ 4KHZ-10KHZ 8KHZ-15KHZ饱和压降Vce(sat) Tc=25℃ 2.5V 2.1V 3.2V 1.7V 1.7VTc=125℃ 3.1V 2.4V 3.85V 2.0V 1.9V1200V系列IGBT模块一单元 GA -DN2 (Standard): BSM200GA120DN2 BSM300GA120DN2 BSM400GA120DN2FZ -KF4 (Standard): FZ800R12KF4 FZ1200R12KF4 FZ1600R12KF4 FZ1800R12KF4 FZ2400R12KF4GA -DLC (Low Loss): BSM200GA120DLCS BSM300GA120DLC BSM400GA120DLC BSM600GA120DLCFZ -KL4C (Low Loss): FZ800R12KL4C FZ1200R12KL4C FZ1600R12KL4C FZ1800R12KL4C FZ2400R12KL4CFZ -KS4 (Fast): FZ400R12KS4 FZ600R12KS4 FZ800R12KS4_B2FZ -KE3 (IGBT3): FZ300R12KE3G FZ400R12KE3 FZ600R12KE3 FZ800R12KE3 FZ1200R12KE3 FZ1600R12KE3FZ2400R12KE3 FZ3600R12KE3二单元 GB -DN2 (Standard): BSM50GB120DN2 BSM75GB120DN2 BSM100GB120DN2K BSM100GB120DN2 BSM150GB120DN2 BSM200GB120DN2FF -KF4 (Standard): FF400R12KF4 FF600R12KF4 FF800R12KF4GB –DLC (Low Loss): BSM50GB120DLC BSM75GB120DLC BSM100GB120DLCK BSM100GB120DLC BSM150GB120DLCBSM200GB120DLC BSM300GB120DLCFF -KL4C (Low Loss): FF400R12KL4C FF600R12KL4C FF800R12KL4CFF -KE3 (IGBT3): FF150R12KE3G FF200R12KE3 FF300R12KE3 FF400R12KE3 FF600R12KE3 FF800R12KE3FF1200R12KE3FF -KT3 (Fast IGBT3): FF150R12KT3G FF200R12KT3 FF300R12KT3 FF400R12KT3四单元 F4 -KS4 (Fast): F4-50R12KS4 F4-75R12KS4 F4-100R12KS4 F4-150R12KS4 F4-400R12KS4_B2六单元 GD -DN2(Standard): BSM15GD120DN2 BSM25GD120DN2 BSM35GD120DN2 BSM50GD120DN2 BSM75GD120DN2 BSM100GD120DN2 BSM25GD120DN2E3224 BSM35GD120DN2E3224 BSM50GD120DN2E3226FS -KF4(Standard): FS300R12KF4 FS400R12KF4GD -DLC(Low Loss): BSM15GD120DLCE3224 BSM25GD120DLCE3224 BSM35GD120DLCE3224 BSM50GD120DLCBSM75GD120DLC BSM100GD120DLCFS -KS4(Fast): FS75R12KS4 FS100R12KS4FS -KE3(IGBT3): FS25R12KE3G FS35R12KE3G FS50R12KE3 FS75R12KE3 FS100R12KE3 FS150R12KE3 FS225R12KE3 FS300R12KE3 FS450R12KE3FS -KT3(Fast IGBT3): FS10R12YT3 FS15R12YT3 FS25R12KT3 FS35R12KT3 FS50R12KT3 FS75R12KT3 FS75R12KT3G FS100R12KT3 FS150R12KT3功率集成模块PIM BSM -GP(Low Loss): BSM10GP120 BSM15GP120 BSM25GP120 BSM35GP120 BSM35GP120G BSM50GP120FP –KS(Fast): FP15R12KS4C FP25R12KS4C FP35R12KS4CG FP50R12KS4CFP –KE3(IGBT3): FP10R12KE3 FP15R12KE3 FP25R12KE3 FP40R12KE3 FP40R12KE3G FP50R12KE3 FP75R12KE3FP –YT3(Fast IGBT3): FP10R12YT3 FP15R12YT3 FP15R12KT3 FP25R12KT3 FP40R12KT3 FP50R12KT3 FP75R12KT3 斩波模块choppermodules GAR: BSM75GAR120DN2 BSM300GAR120DLCGAL: BSM75GAL120DN2 BSM100GAL120DN2 BSM300GAL120DLCFD: FD200R12KE3 FD300R12KE31600V、1700V系列IGBT模块一单元 GA -DN2 (Standard): BSM200GA170DN2 BSM300GA170DN2 BSM300GA170DN2SFZ -KF4 (Standard): FZ800R16KF4 FZ1200R16KF4 FZ1800R16KF4GA –DLC (Low Loss with Emcon Diode): BSM200GA170DLC BSM300GA170DLC BSM400GA170DLCFZ -KF6C_B2 (Low Loss with Emcon Diode):FZ800R17KF6C_B2 FZ1200R17KF6C_B2 FZ1600R17KF6C_B2FZ1800R17KF6C_B2 FZ2400R17KF6C_B2FZ -KE3 (IGBT3): FZ400R17KE3 FZ600R17KE3 FZ1200R17KE3 FZ1600R17KE3 FZ2400R17KE3 FZ3600R17KE3二单元 GB -DN2 (Standard): BSM50GB170DN2 BSM75GB170DN2 BSM100GB170DN2 C# BSM150GB170DN2FF -KF4 (Standard): FF400R16KF4 FF600R16KF4GB -DLC (Low Loss with Emcon Diode): BSM100GB170DLC BSM150GB170DLC BSM200GB170DLCFF -KF6C_B2 (Low Loss with Emcon Diode): FF400R17KF6C_B2 FF600R17KF6C_B2 FF800R17KF6C_B2FZ -KE3 (IGBT3): FF200R17KE3 FF300R17KE3 FF600R17KE3 FF800R17KE3 FF1200R17KE3六单元 FS -KF4 (Standard): FS300R16KF4GD -DL (Low Loss): BSM50GD170DL BSM75GD170DLFS -KE3 (IGBT3): FS75R17KE3 FS100R17KE3 FS150R17KE3 FS225R17KE3 FS300R17KE3 FS450R17KE3斩波模块 FD -KF4 (Standard): FD400R16KF4 FD600R16KF4FD -KF6C_B2 (Low Loss with Emcon Diode): FD401R17KF6C_B2 FD600R17KF6C_B2 FD800R17KF6C_B23300V系列IGBT模块一单元 FZ - KF2C (Standard): FZ800R33KF2C FZ1200R33KF2CFZ - KL2C (Low Loss): FZ800R33KL2C FZ1200R33KL2C二单元 FF - KF2C (Standard): FF200R33KF2C FF400R33KF2C斩波模块 FD - KF2C (Standard): FD400R33KF2C FD400R33KF2C-K FD800R33KF2C FD800R33KF2C-K FD - KL2C-K_B5 (Low Loss with 10.2 kV Insulation Voltage): FD800R33KL2C-K_B56500V系列IGBT模块一单元 FZ - KF1 (Standard): FZ200R65KF1 FZ400R65KF1 FZ600R65KF1斩波模块 FD - KF1-K (Standard): FD200R65KF1-K FD400R65KF1-K。

英飞凌IGBT模块型号参数大全

EasyPACK 750 EasyPACK 750 EasyPACK 750 EasyPACK 1B EasyPACK 1B EasyPACK 1B EasyPACK 750 EasyPACK 750 EasyPACK 750 EconoPACK 2B EasyPACK 1B EasyPACK 1B EasyPACK 1B EasyPACK 1B EasyPACK 750 EconoPACK 2B EconoPACK 2B EasyPACK 1B EasyPACK 1B EconoPACK 2B EconoPACK 2B EconoPACK 2B EconoPACK 2B EconoPACK 2B EconoPACK 2B EconoPACK 2B EconoPACK 3B EconoPACK 3B EconoPACK 3B
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FS150R06KE3 FS150R06KE3_B4 BSM200GD60DLC FS200R06KE3 FS400R06A1E3 FS400R07A1E3 FS800R06A2E3 FS800R07A2E3 FS200R07N3E4R FS200R07N3E4R_B1 1 FP50R06W2E3 BSM10GP60 BSM15GP60 BSM20GP60 BSM30GP60 BSM50GP60 BSM50GP60G BSM75GP60 BSM100GP60 FP10R06KL4 FB10R06KL4G FB15R06KL4 FB15R06KL4B1 FB20R06KL4 FB20R06KL4_B1 FP10R06KL4_B3 FP10R06W1E3 FP10R06YE3 FP10R06YE3_B4

BSM75GB120DN2中文资料

Typ. switching time I = f (IC) , inductive load , Tj = 125°C par.: VCE = 600 V, VGE = ± 15V, RG = 15 Ω
10 4
ns t
10 3
tdoff
tr 10 2
tf tdon
Typ. switching time t = f (RG) , inductive load , Tj = 125°C par.: VCE = 600V, IC = 75 A
10 1
1 ms
10 0
10 ms
DC
10 -11Βιβλιοθήκη 010 110 2
10 3
V
VCE
Transient thermal impedance
Zth JC = ƒ(tp) parameter: D = tp / T
IGBT
10 0
K/W Z
thJC 10 -1
10 -2
10 -3
single pulse
D = 0.50 0.20 0.10 0.05 0.02 0.01
10 -4 10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1 tp
s 10 0
4
Oct-21-1997
元器件交易网 BSM 75 GB 120 DN2
Typ. output characteristics IC = f (VCE) parameter: tp = 80 µs, Tj = 25 °C
Thermal resistance, chip case Diode thermal resistance, chip case Insulation test voltage, t = 1min. Creepage distance Clearance DIN humidity category, DIN 40 040 IEC climatic category, DIN IEC 68-1

富士和英飞凌IGBT模块型号互换对照表

高速两单元IGBT模块;150A;1200V;软开通20~50KHz 62mm
2MBI200HH-120-50
FF200R12KS4
高速两单元IGBT模块;200A;1200V;软开通20~50KHz 62mm
2MBI300HH-120-50
FF300R12KS4
高速两单元IGBT模块;300A;1200V;软开通20~50KHz 62mm
IGBT功率集成模块(PIM);50A;1200V EconoPIM 3
7MBR75VB120-50
FP75R12KT4_B15
IGBT功率集成模块(PIM);75A;1200V EconoPIM 3
7MBR75VN120-50
FP75R12KT4
IGBT功率集成模块(PIM);75A;1200V EconoPIM 3
6MBI150VB-120
FS150R12KT4
六单元IGBT模块;150A;1200V EconoPACK 3
6MBI300V-120
FS300R12KE3/E4
六单元IGBT模块;300A;1200V EconoPACK +
6MBI450V-120
FS450R12KE3/E4
六单元IGBT模块;450A;1200V EconoPACK +
7MBR100VN120-50
FP100R12KT4
IGBT功率集成模块(PIM);100A;1200V EconoPIM 3
7MBR150VN120-50
FP150R12KT4
IGBT功率集成模块(PIM);150A;1200V EconoPIM 3
1单元模块
1MBI2400VC-120
FZ2400R12KE3

BSM200GB120DN2英飞凌

BSM200GB120DN2英飞凌BSM200GB120DN2英飞凌英飞凌BSM200GB120DN2产品性能和作用英飞凌BSM200GB120DN2 IGBT功率模块是英飞凌公司专为高频工业焊接、UPS、SMPS、太阳能转换器及电动机驱动应用中的隔离与非隔离转换器、开关、逆变器及斩波器而在前代IGBT模块上进行了优化设计的。

对于输出逆变器 TIG 焊机应用，BSM200GB120DN2在额定电流时提供了当前市场上同系列模块中最低的Vce(on)。

BSM200GB120DN2采用EUPEC经典的绝缘金属基板封装，内含多个快速二极管。

英飞凌BSM200GB120DN2基本参数：IGBT功率模块，290A/1200V英飞凌BSM200GB120DN2 外形封装尺寸和结构图mm英飞凌BSM200GB120DN2 产品参数由于电源逆变器一般采用全桥拓扑，因此这个太阳能逆变器设计采用了4个高压IGBT。

晶体管Q1和Q2用作高压端IGBT，Q3和Q4用作低压端功率器件。

为保持低的总功率损耗低和高的电源转换效率，这个DC/DC逆变器解决方案利用低压端和高压端IGBT产生频率为60Hz的单相交流纯正弦波形。

实质上，为保持谐波分量低和功率损耗最小，逆变器的高压端IGBT采用脉宽调制(PWM)，低压端IGBT则以60Hz频率变换电流方向。

通过让高压端IGBT使用20kHz或20kHz以上的PWM频率和50/60Hz调制方案，输出电感L1和L2在实例中可以做得很小，并且照样能对谐波分量进行高效滤波。

此外，来自逆变器的可闻噪声也很小，因为开关频率高于人耳听觉频率。

比较各种开关技术和IGBT的发现，获得最低功率损耗和最高逆变器性能的最佳组合是高压端晶体管使用超快速沟道型IGBT，低压端晶体管使用标准速度的平面工艺IGBT。

英飞凌各代IGBT模块技术详解

英飞凌各代IGBT模块技术详解IGBT 是绝缘门极双极型晶体管（Isolated Gate Bipolar Transistor）的英文缩写。

它是八十年代末，九十年代初迅速发展起来的新型复合器件。

由于它将 MOSFET 和 GTR 的优点集于一身，既有输入阻抗高，速度快，热稳定性好，电压驱动（MOSFET 的优点，克服 GTR 缺点）；又具有通态压降低，可以向高电压、大电流方向发展（GTR 的优点，克服 MOSFET 的缺点）等综合优点，因此 IGBT 发展很快，在开关频率大于 1KHz，功率大于 5KW 的应用场合具有优势。

随着以 MOSFET、IGBT 为代表的电压控制型器件的出现，电力电子技术便从低频迅速迈入了高频电力电子阶段，并使电力电子技术发展得更加丰富，同时为高效节能、省材、新能源、自动化及智能化提供了新的机遇。

英飞凌／EUPEC IGBT 芯片发展经历了三代，下面将具体介绍。

一、IGBT1－平面栅穿通（PT）型 IGBT （1988 1995）西门子第一代 IGBT 芯片也是采用平面栅、PT 型 IGBT 工艺，这是最初的 IGBT 概念原型产品。

生产时间是 1990 年－ 1995 年。

西门子第一代 IGBT 以后缀为“DN1” 来区分。

如 BSM150GB120DN1。

图 1.1 PT-IGBT 结构图PT 型 IGBT 是在厚度约为 300－500μm 的硅衬底上外延生长有源层，在外延层上制作IGBT 元胞。

PT-IGBT 具有类 GTR 特性，在向 1200V 以上高压方向发展时，遇到了高阻、厚外延难度大、成本高、可靠性较低的障碍。

因此，PT-IGBT 适合生产低压器件，600V 系列 IGBT 有优势。

二、IGBT2－第二代平面栅 NPT-IGBT西门子公司经过了潜心研究，于 1989 年在 IEEE 功率电子专家会议（PESC）上率先提出了 NPT－IGBT 概念。

由于随着 IGBT 耐压的提高，如电压VCE≥1200V，要求 IGBT 承受耐压的基区厚度dB>100μm，在硅衬底上外延生长高阻厚外延的做法，不仅成本高，而且外延层的掺杂浓度和外延层的均匀性都难以保证。

SIEMENS西门子IGBT模块

BSM100GAL120DN2K(DLC 100A/1200V/1U K) BSM100GAL120DN2(DLC) 100A/1200V/1U BSM150GAL120DN2(DLC) BSM200GAL120DN2(DLC) BSM300GAL120DN2(DLC) BSM75GAR120DN2 BSM100GAR120DN2 BSM150GAR120DN2 BSM200GAR120DN2 BSM300GAR120DLC 150A/1200V1U 200A/1200V/1U 300A/1200V/1U 75A/1200V/1U 100A/1200V/1U 150A/1200V/1U 200A/1200V/1U 300A/1200V/1U
型号 (6U600/1200V)IGBT BSM10GD60DLC BSM15GD60DLC BSM20GD60/DN2DLC BSM25GD60DLC BSM30GD60DLC BSM50GD60DLC BSM75GD60DLC BSM100GD60DLC BSM150GD60DLC BSM200GD60DLC BSM10GD100D BSM10GD120DN2 BSM10GD120DN1 BSM15GD120D2 BSM15GD100D BSM15GD120DN1 BSM15GD120DN2 BSM25GD120DN1
400A/6500V1U 400A/1700V/1U 300A/1200V/1U 400A/1200V/1U
FZ1200R12KF5 FZ1200R12KL4C FZ1200R16KF4 FZ1200R25KF1(KF4) FZ1200R33KF1/KF2 FZ1600R12KF4KL4C
1200A/1200V/1U 1200A/1200V/1U 1200A/1600V/1U 1200A/2500V/1U 1200A/3300V/1U 1600A/1200V/1U 1600A/1700V/1U 1600A/1700V/1U 1600A/1700V/1U 1800A/1200V/1U 1500A/2500V1U 1800A/1600V/1U 2400A/1200V/1U 2400A1700V/1U 3600A/1200V/1U 600A/6500V/1U 1200V/1200V1U 1200V/1200V1U 1600V/1200V/1U 2400V/1200V/1U

比亚迪(BYD)-IGBT模块

而电动车领域需要的IGBT产品，则完全是另外一个概念。电动车使用的IGBT寿命要求是普通工业用IGBT产品的10倍以上。这项技术对于全世界的厂商来说，都是一个很大的挑战，目前只有德国英飞凌等少数国外厂商掌握这种技术。"要解决IGBT的研发和生产工艺不仅仅是砸钱就能解决的，需要时间和经验积累。"南京银茂微电子的这位高管表示，国外对中国在这一块的技术封锁十分严格，国内的研发和制造人才也很紧缺，就连设备进口也受到层层限制，这些都可能影响比亚迪的研发进度。
当时大家都觉得，这是王传福的一个疯子的另外一次疯狂冒险。宁波比亚迪半导体将来最核心的产品将是IGBT(绝缘栅双极晶体管)--这被认为是电动车的核心技术之一。在电动车上，IGBT的作用是交流电和直流电的转换，同时还承担电压的高低转换功能。
现在，比亚迪的IGBT投产了。
目前已经可正常供货的产品有1200V电压的50A、75A、100A、150A、200A、300A、400A电流的1单元及2单元（半桥）IGBT模块,并可完全替代现有市场相同参数的产品。
替代SEMIKRON IGBT: SKM400GB123D (126D / 128D) / SKM400GB12T4
BG200A12LY封装：62mm
替代INFINEON IGBT : BSM200GA120DN2 / BSM200GA12DLC
BSM200GA120DNS / BSM200GA12DLS
比亚迪（BYD）-IGBT模块在东方崛起来源：作者：时间：2010-04-01 Tag：点击： 515 比亚迪-IGBT模块在东方崛起
比亚迪公司最新推出1200V的1单元和2单元（半桥）IGBT功率模块，成功应用在公司首款全球上市电动汽BYD F3e上,同时在变频器产品上面也得到广泛的应用，这标志着一家新的IGBT模块公司就此

英飞凌-IGBT模块在焊机应用中的选型

输出功率结温（Tj）
芯片-外壳温差∆Tjc
外壳-散热器热阻 Rthch
散热器(-环境) 热阻Rthha
基板
散热器
壳温（Tc）
外壳-散热器温差∆Tch
散热器温度（Th）
散热器-环境温差 ∆Tha
10.02.2010
Copyright © Infineon Technologies 2010. All rights reserved.
Q1
Q3
Q1 t
Q4
Q2
I1
I2
ip
Q4 t
vAB
Vin
0
t
Vin
损耗特点：
vrect 0
Vin/K
t0 t1 t2 t3 t4 t5
t6 t7 t8 t9 t10 t11
IGBT:导通时间长，导通损耗大，开关损耗小；
FWD:续流时间长，导通损耗大；
最佳IGBT芯片：T4芯片
t
t12 t13
10.02.2010
环境温度（Ta）
Page 17
IGBT模块热计算
IGBT模块各个部分的温差∆T取决于 1）损耗（芯片技术、运行条件、驱动条件）； 2）热阻（模块规格、尺寸）模块芯片的结温是各部分的温差和环境温度之和： Tj = ∆Tjc + ∆Tch + ∆Tha + Ta 如果假设壳温Tc恒定，则Tj = ∆Tjc + Tc；如果假设散热器温度Th恒定，则Tj = ∆Tjh + Th。 IGBT的平均结温取决于平均损耗、Rthjc和壳温Tc。在实际运行时，IGBT的结温是波动的，其波动幅度取决于瞬态损耗和 Zthjc，而Zthjc又和运行条件（如变频器输出频率）有关。 IGBT的峰值结温为平均结温+波动幅值。

BSM150GB120DN2中文资料

10 -1 0
5 10 15 20 25 30 V 40 VCE
Reverse biased safe operating area
ICpuls = f(VCE) , Tj = 150°C
parameter: VGE = 15 V
Short circuit safe operating area
ICsc = f(VCE) , Tj = 150°C parameter: VGE = ± 15 V, tSC ≤ 10 µs, L < 25 nH
VCE IC
Package
1200V 210A HALF-BRIDGE 2
Maximum Ratings Parameter Collector-emitter voltage Collector-gate voltage RGE = 20 kΩ Gate-emitter voltage DC collector current TC = 25 °C TC = 80 °C Pulsed collector current, tp = 1 ms TC = 25 °C TC = 80 °C Power dissipation per IGBT TC = 25 °C Chip temperature Storage temperature
260
IC 240 220
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20 0
0
2
4
6
8 10 V 14
VGE
Typ. output characteristics IC = f (VCE) parameter: tp = 80 µs, Tj = 125 °C

英飞凌各代IGBT模块技术详解精编版

英飞凌各代IGBT模块技术详解IGBT 是绝缘门极双极型晶体管（Isolated Gate Bipolar Transistor）的英文缩写。

它是八十年代末，九十年代初迅速发展起来的新型复合器件。

英飞凌／EUPEC IGBT 芯片发展经历了三代，下面将具体介绍。

一、IGBT1－平面栅穿通（PT）型 IGBT （1988 1995）西门子第一代 IGBT 芯片也是采用平面栅、PT 型 IGBT 工艺，这是最初的 IGBT 概念原型产品。

生产时间是 1990 年－ 1995 年。

西门子第一代 IGBT 以后缀为“DN1” 来区分。

如 BSM150GB120DN1。

图 1.1 PT-IGBT 结构图PT 型 IGBT 是在厚度约为 300－500μm 的硅衬底上外延生长有源层，在外延层上制作IGBT 元胞。

PT-IGBT 具有类 GTR 特性，在向 1200V 以上高压方向发展时，遇到了高阻、厚外延难度大、成本高、可靠性较低的障碍。

因此，PT-IGBT 适合生产低压器件，600V 系列 IGBT 有优势。

二、IGBT2－第二代平面栅 NPT-IGBT西门子公司经过了潜心研究，于 1989 年在 IEEE 功率电子专家会议（PESC）上率先提出了 NPT－IGBT 概念。

英飞凌各代IGBT模块技术详解

英飞凌各代IGBT 模块技术详解IGBT 是绝缘门极双极型晶体管（Isolated Gate Bipolar Transistor ）的英文缩写。

它是八十年代末，九十年代初迅速发展起来的新型复合器件。

由于它将MOSFET 和GTR 的优点集于一身，既有输入阻抗高，速度快，热稳定性好，电压驱动（MOSFET 的优点，克服GTR 缺点）；又具有通态压降低，可以向高电压、大电流方向发展（GTR 的优点，克服MOSFET 的缺点）等综合优点，因此IGBT 发展很快，在开关频率大于1KHz ，功率大于5KW 的应用场合具有优势。

随着以MOSFET 、IGBT 为代表的电压控制型器件的出现，电力电子技术便从低频迅速迈入了高频电力电子阶段，并使电力电子技术发展得更加丰富，同时为高效节能、省材、新能源、自动化及智能化提供了新的机遇。

英飞凌／EUPEC IGBT 芯片发展经历了三代，下面将具体介绍。

一、IGBT1 －平面栅穿通（PT）型IGBT （1988 1995 ）西门子第一代IGBT 芯片也是采用平面栅、PT 型IGBT 工艺，这是最初的IGBT 概念原型产品。

生产时间是1990 年－1995 年。

西门子第一代IGBT 以后缀为“DN1来”区分。

如BSM150GB120DN1 。

图1.1 PT-IGBT 结构图PT 型 IGBT 是在厚度约为300 －500μm 的硅衬底上外延生长有源层，在外延层上制作IGBT 元胞。

PT-IGBT 具有类G TR 特性，在向1200V 以上高压方向发展时，遇到了高阻、度大、成本高、可靠性较低的障碍。

因此，PT-IGBT 适合生产低压器件，600V厚外延难系列 IGBT 有优势。

二、IGBT2 －第二代平面栅N PT-IGBT（PESC ）上率先提出议西门子公司经过了潜心研究，于1989 年在 IEEE 功率电子专家会了NPT －IGBT 概念。

由于随着IGBT 耐压的提高，如电压VCE≥1200V，要求 IGBT 承受耐压的基区厚度dB>100 μm，在硅衬底上外延生长高阻厚外延的做法，不仅成本高，而且。

IGBT较丰富的替换表

富士电机IGBT模块与优派克Eupec相应型号对照表富士电机U系列PIM模块结构电流IcTc=80oCAmps. 对应富士PIM系列型号 EUPEC DLC系列型号 EUPEC IGBT3系列型号10 BSM 10GP 12015 7MBR25UA120 BSM 15GP 120 FP 15R 12KE3G25 7MBR35UA120 BSM 25GP 120 FP 25R 12KE335 BSM 35GP 12040 7MBR50UA120 FP 40R 12KE335 BSM 35GP 120G40 7MBR50UB120 FP 40R 12KE3G50 7MBR75U4B120 BSM 50GP 120 FP 50R 12KE375 7MBR100U4B120 FP 75R 12KE3富士电机U系列IGBT模块结构电流IcTc=80oCAmps. 对应富士U4系列型号 EUPEC DLC系列型号 EUPEC IGBT3系列型号1200V 2in1 75 2MBI75U4A-120 BSM75GB120DLC100 2MBI100U4A-120 BSM100GB120DLCK100 BSM100GB120DLC150 2MBI150U4H-120 BSM150GB120DLC FF150R12KE3G200 2MBI200U4H-120 BSM200GB120DLC FF200R12KE3300 2MBI300U4H-120 BSM300GB120DLC FF300R12KE3400 2MBI400U4H-120 FF400R12KE31200V6in1 15 BSM 15GD 120DLC25 BSM 25GD 120DLC FS 25 R12KE3G35 BSM 35GD 120DLC FS 35 R12KE3G50 6MBI50U4A-120 BSM 50GD 120DLC FS 50 R12KE375 6MBI75U4A-120 FS 75 R12KE375 6MBI75U4B-120 BSM 75GD 120DLC FS 75 R12KE3G100 6MBI100U4B-120 BSM 100GD 120DLC FS 100 R12KE3150 6MBI150U4B-120 FS 150 R12KE31200V 6in1EconoPACK™ 150 FS 150 R12KE3G225 6MBI225U4-120 FS 225 R12KE3300 6MBI300U4-120 FS 300 R12KE3450 6MBI450U4-120 FS 450 R12KE31700V 2in1100 2MBI100U4H-170 BSM100GB170DLC150 2MBI150U4H-170 BSM150GB170DLC200 2MBI200U4H-170 BSM200GB170DLC FF200R17KE3300 2MBI300U4H-170 FF300R17KE3400 2MBI400U4H-1701700V 6in1 75 6MBI75U4B-170 BSM 75GD 170DLC FS 75 R17KE3G 100 6MBI100U4B-170 FS 100 R17KE3150 6MBI150U4B-1701700V 6in1EconoPACK™ 225 6MBI225U4-170 FS 225 R17KE3 300 6MBI300U4-170 FS 300 R17KE3450 6MBI450U4-170 FS 450 R17KE3长期供应西门康模块SKM75GB128DE 西门康SKM100GB128DE 西门康SKM150GB128DE 西门康SKM200GB128DE 西门康FGL60N100BNTD 仙童原装FGA25N120ANTD 仙童原装快恢复二极管肖特基二极管MURP20040CT 200A 400VMBRP400100CT 400A 100VMBRP 300200CT 300A 200VMBRP 60035CT 600A 35VMDS100-16 100A 1600VMDS150-16 150A 1600VEUPEC于富士对照表结构电流Ic Tc=80o CAmps. EUPEC DLC系列型号EUPEC IGBT3系列型号对应富士U4系列型号2管系列75 BSM75GB120DLC 2MBI75U4A-120100 BSM100GB120DLCK 2MBI100U4A-120100 BSM100GB120DLC150 BSM150GB120DLC FF150R12KE3G 2MBI150U4H-12200 BSM200GB120DLC FF200R12KE3 2MBI200U4H-12300 BSM300GB120DLC FF300R12KE3 2MBI300U4H-12400 FF400R12KE3 2MBI400U4H-1206管系列15 BSM 15GD 120DLC25 BSM 25GD 120DLC FS 25 R12KE3G35 BSM 35GD 120DLC FS 35 R12KE3G5 0BSM 50GD120DLCFS 50 R12KE3 6MBI50U4A-120 75 FS 75 R12KE3 6MBI75U4A-1207 5BSM 75GD120DLCFS 75 R12KE3G 6MBI75U4B-1201 0 0BSM 100GD120DLCFS 100 R12KE3 6MBI100U4B-12150 FS 150 R12KE3 6MBI150U4B-120 6管1 EconoPACK™ 150 FS 150 R12KE3G225 FS 225 R12KE3 6MBI225U4-120300 FS 300 R12KE3 6MBI300U4-120450 FS 450 R12KE3 6MBI450U4-120 EUPEC与SEMIKRON对照表Cies串联1Ω电阻，模拟GATEHCPL-316J,HCPL3120:IGBT驱动芯片，AGILENT公司生产DN2=123=128DLC=124FF=126STRAY INDUCTANCE=23%栅极电阻: EUPEC=8Ω；SEMIKRON=6ΩBSM50GB120DLC=SKM75GB124DBSM75GB120DLC=SKM100GB124DBSM100GB120DLC=SKM145GB124DBSM100GB120DLC=SKM150GB124DBSM150GB120DLC=SKM200GB124DBSM200GB120DLC=SKM300GB124DBSM300GB120DLC =SKM400GB124D= SKM300GB128DBSM300GA120DN2 =SKM400GAL124D=SKM400GAL125D=SKM400GAR124D=SKM400GAR125DBSM75GB120DN2 = SKM75GB128DNBSM100GB120DN2 = SKM100GB128DNBSM150GB120DN2 = SKM145GB128DNBSM200GB120DN2 = SKM200GB128DBSM300GB120DN2 = SKM300GB128DBSM400GA120DN2无可对应如果用Eupec之120DN2系列及高頻, 可全部用128DN代替.。

交流电动机传动用电压源逆变器损耗的分析

交流电动机传动用电压源逆变器损耗的分析工业变频器/电压源逆变器/功率器件功耗/调制算法1引言三相交流供电的工业变频器在各行各业都得到了广泛的应用，带来了巨大的经济效益和社会效益，变频调速技术始终是电力电子变换技术的一个重要方面。

变频器设计涉及多个重要方面，其中包含散热处理，散热处理的好坏直接影响着安全运行。

由于实际采用的功率开关器件并非理想器件，必然存在着通态损耗和开关损耗，引起器件发热，因此变频器设计时必须考虑功率损耗的存在，以便设计合理的散热技术，减少热处理成本和提高运行可靠性。

目前工业变频器功率开关阵列包括整流器和逆变器，前者包括二极管整流器、电压源整流器和电流源整流器，后者主要包括电压源逆变器。

决定整流器损耗大小因素非常多：整流器型式、输入功率因数、调制算法、负载轻重和甚至电路参数设置等因素，决定逆变器损耗大小因素非常多：逆变器型式、输出功率因数、调制算法、负载轻重等因素。

本文在分析几种常用调制算法基础上，推导出几种逆变器调制策略功率损耗的计算公式，进行仿真分析，并以22kW工业变频器为例进行初步模拟计算。

2电压源逆变器功率损耗的分析功能最全面的、三相交流供电的交直交变频器的功率电路如图1所示，图1中发热开关器件主要包括不控整流桥二极管、制动器IGBT、和逆变器IGBT和续流二极管FWD。

整流桥的损耗与二极管的导通角、通过电流波形、负载大小、二极管的开关特性、电解电容容量等因素有关，逆变器的损耗与负载大小、负载特性、IGBT与续流二极管的开关特性、开关频率和调制算法等因素有关。

鉴于整流桥的损耗为不可控，因此本文只关心逆变器的损耗。

分析时忽略输出LC滤波器存在，认为逆变器输出交流电流为正弦波型。

忽略断态损耗后，IGBT的损耗主要包括通态损耗、开通损耗、关断损耗。

续流二极管的损耗主要包括通态损耗、关断损耗。

图1 三相不控整流器-电压源逆变器-异步电动机传统系统此外，还有IGBT的驱动损耗。

驱动损耗计算公式为=[(+Ugs)+(-Ugs)]Qg．fc （1）式中Q g表示全部栅极电荷，可以查阅IGBT参数，f c表示开关频率，+U gs表示开通驱动电压，-U gs表示关断驱动电压。

BSM200GA120DN2中文资料

diF/dt = -2000 A/µs
Tj = 25 °C
-
Tj = 125 °C
-
2.3
2.8
1.8
-
0.5
-
12
-
36
-
Unit ns
V µs µC
3
Oct-27-1997
元器件交易网 BSM 200 GA 120 DN2
Power dissipation Ptot = ƒ(TC) parameter: Tj ≤ 150 °C
-
12
-
Gate-emitter leakage current
IGES
VGE = 20 V, VCE = 0 V
-
-
200
AC Characteristics Transconductance VCE = 20 V, IC = 200 A Input capacitance VCE = 25 V, VGE = 0 V, f = 1 MHz Output capacitance VCE = 25 V, VGE = 0 V, f = 1 MHz Reverse transfer capacitance VCE = 25 V, VGE = 0 V, f = 1 MHz
10 4
ns t
10 3 tdoff
tdon
10 2
tr
tf
Typ. switching time t = f (RG) , inductive load , Tj = 125°C par.: VCE = 600 V, VGE = ± 15 V, IC = 200 A
10 4
ns tdoff
t
10 3
15V