模拟电子技术习题

多级放大电路与组成它的任何一个单级放大电路相比，通频带 B 。

A ．变宽

B ．变窄

C ．不变

D ．与单级放大电路无关

BJT 放大电路的三种组态必须工作在 C ．的状态。

A ．发射结反偏，集电结正偏

B ．发射结反偏，集电结反偏

C ．发射结正偏，集电结反偏

D ．发射结正偏，集电结正偏

负反馈放大电路产生自激振荡的条件是环路增益 B 。 A ．1A F =- B ．1A F = C ．1A

F < D ．1A F > 图中电路的交流反馈类型和极性（反馈组态）为（ D ）负反馈。

A. 电压串联

B. 电压并联

C. 电流串联

D. 电流并联

用万用表的R ×100档测得某二极管的正向电阻阻值为500Ω，若改用R ×1k 档，测量同一二极管，则其正向电阻值（ A. ）。

A. 增加

B. 不变

C. 减小

D. 不能确定

某放大电路在负载开路时的输出电压为6V ，当接入2k Ω负载后，其输出电压降为4V ，这表明该放大电路的输出电阻为（ C ）。

A. 10k Ω

B. 2k Ω

C. 1k Ω

D. 0.5k Ω

负反馈所能抑制的干扰和噪声是（ B ）

A. 输入信号所包含的干扰和噪声

B. 反馈环内的干扰和噪声

C. 反馈环外的干扰和噪声

D. 输出信号中的干扰和噪声

图中电路的交流反馈类型和极性（反馈组态）为（C ）负反馈。

A. 电压串联

B. 电压并联

C. 电流串联

D. 电流并联

下哪种PN 结的击穿现象不可逆（ C ）。

A. 齐纳击穿

B. 雪崩击穿

C. 热击穿

D. Zener 击穿

幅度失真和相位失真总称为（ A. ）。

A. 频率失真

B. 非线性失真

C. 电压失真

D. 电流失真 负反馈放大电路的反馈深度（ B ）

A.|1|1AF +<

B. |1|1AF +>

C. |1|1AF +=

D. |1|0AF += 共基极放大电路又称 C 。

A ．反相电压放大器

B ．电压跟随器

C ．电流跟随器

D ．射级输出器

图中电路的交流反馈类型和极性（反馈组态）为（ A ）负反馈。

A. 电压串联

B. 电压并联

C. 电流串联

D. 电流并联

1. 放大电路的主要性能指标主要有输入电阻、输出电阻、 增益、频率响应 和非线性失真等。

2. 当温度降低时，三极管的下列参数变化趋势为：电流放大系数β 减

小， ，I B 不变时，发射结正向电压V BE 增大 。

3. FET 的种类很多，按基本结构来分，主要有两大类： MOSFET 和 JFET 。

4. 反馈电路中，反馈极性的判别方法是： 瞬时变化极性法， ；电压、电流反馈的判别方法是： 输出短路法 。

5. 根据不同要求，最常用的低通有源滤波电路有三种，即 巴特沃思

（Butterworth ） 、 切比雪夫（Chebyshev ） 和贝塞尔（Bessel ）滤波电路。

6. BJT 共射级连接时的H 参数有几个？其各自含义是什么？

h ie ：BJT 输出端交流短路时的输入电阻

h fe ：BJT 输出端交流短路时的正向电流传输比

h re ：BJT 输入端交流开路时的反相电压传输比

h oe ：BJT 输入端交流开路时的输出电导

硅、锗二极管的正向导通压降分别为 B 。

A ．0.1V ，0.5V

B ．0.2V ，0.7V

C ．0.7V ，0.2V

D ．0.5V ，0.1V

1. 电路如图所示，设运放是理想的，v i = 10sin ωt （mV ），求运放电路的输出电

压v o 和各支路的电流i 1，i 2，i o ，i L 。（12分）