内存Memory Rank
了解电脑内存的类型和容量
了解电脑内存的类型和容量随着科技的发展，电脑已经成为了我们生活中不可或缺的重要工具。
而在电脑的硬件配置中，内存是一项至关重要的性能指标。
了解电脑内存的类型和容量对于选择适合自己需求的电脑至关重要。
本文将详细介绍电脑内存的各种类型以及容量。
一、内存类型1. DRAM（Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器）DRAM是目前使用最广泛的内存类型。
它是一种易失性存储器，需要不断刷新以保持数据的完整性。
DRAM的访问速度相对较慢，但成本较低，容量较大，通常用于个人电脑和服务器。
2. SRAM（Static Random Access Memory，静态随机存取存储器）SRAM是一种高速、易失性存储器。
相比DRAM，SRAM的访问速度更快，但造价更高，容量较小。
它广泛应用于高性能计算机和缓存系统。
3. SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步动态随机存取存储器）SDRAM是一种同步访问的DRAM，它的访问速度比传统的DRAM 更快。
SDRAM主要分为DDR、DDR2、DDR3和DDR4等不同的代数。
DDR4是目前市场上使用最广泛的内存类型，它的访问速度、传输带宽和能效都得到了显著的提升。
二、内存容量1. GB（Gigabyte，千兆字节）内存容量通常以GB为单位进行表示。
在选择电脑内存时，需要考虑个人使用需求和预算。
对于一般办公和上网需求，4GB或8GB的内存已经足够。
而对于高性能游戏或者专业设计软件的需求，16GB或32GB的内存可能更为适合。
2. ECC（Error-Correcting Code，纠错码）ECC内存是一种能够自动检测和纠正内存错误的高可靠性内存。
它广泛应用于服务器和工作站等对数据完整性要求较高的领域。
相比普通内存，ECC内存的价格较高，对于一般用户来说并不常见。
三、内存扩展1. DIMM（Dual In-Line Memory Module，双列直插内存模块）DIMM是目前主流的内存扩展形式之一。
DDR内存讲解
Memory讲解Memory的简要说明各种存储技术的说明Memory协议简介线路图绘制Layout说明Memory Tuning简介Memory的简要说明简要说明一下Memory是什么？Memory充当什么角色。
Memory对于计算机行业而言，就是指主板上所使用的内存，也被称呼为DRAM（动态随机存取内存），内存的作用就是使计算机的CPU(中央处理器)能够更快速读取储存在内存的指令及资料，相对于我们的存储设备硬盘而相对于我们的存储设备硬盘而言，它的速度更加快。
近几年主要在用的内存有DDR，DDR2，DDR3。
64bit带宽的，内存在样式上主要有两种：DIMM和现在我们使用的内存都是带宽的内存在样式上主要有两种SO‐DIMM两种。
DIMM：即Dual In‐Line Memory Modules，双列直插式存储模块, 在台式机上应用比较多，台式机上应用的主要是UDIMM(Un‐buffered DIMM),在DIMM模组上，电路板正反两面的针脚各有其独立电路，这是相对于早期的SIMM （Single In Memory Modules,单边接触内存模块）而言的，在SIMM模‐Line组上，电路板正反两面的针脚是相连在一起的。
SO‐DIMM：即Small Outline DIMM，主要使用于笔记本电脑，它的尺寸较标模组小很多准的DIMM模组小很多。
‐DIMM和SO DIMM图片各种存储技术的说明ROM和RAMSRAM 和DRAMSDRAMSDRAM和DDR SDRAM内存的发展趋势ROMROM: Read Only Memory只读的存储器对于ROM,我们接触的最多的有如下几个:PROM: Programmable ROM (可编程的ROM)通常只能写入一次,写入后不能再更改. EPROM: Erasable PROM(可擦除PROM)工作时只能读取信息,但是可以用紫外线擦除EPROM E bl已有信息,并在专用设备上高压写入信息.EEPROM: Electronic EPROM(电可擦出PROM),可以通过程序的控制进行读写操作.Flash ROM: 也被称为Flash Memory，EEPROM的一种,这种技术可以快速完成读,写,擦除三种基本的操作模式,就算在不供电的的环境下,也能保存数据的完整性.其实U盘采用的就是Flash ROM技术,这种技简单来讲是在MOS的控制闸(Gate极)与通道间多一层成为”浮闸”(floating gate)的物质,这个功能可以让单元格中的电子在断电的情况下被长久保存保存,下次再通过更高的电压还原为正常的1.从以上的说明可以看出，ROM特性：它能在不供电的情况下长期存储数据。
基于国产处理器的双Rank内存设计与仿真优化
基于国产处理器的双Rank内存设计与仿真优化摘要：随着国产处理器的功能和性能的提升，越来越多的行业设备采用搭载国产处理器的计算机主板。
在恶劣环境应用场景下，主板内存设计采用更可靠的板载颗粒的方案，而国产单片内存颗粒的最大容量有限，采用双Rank内存设计增大访问内存的容量。
在这种情况下，尺寸较小的主板的器件布局和PCB布线都提出了更高的要求，高密度布线对DDR信号干扰更加明显。
本文提出了一种基于国产处理器的板载双Rank内存设计与仿真优化的方法，通过对影响内存信号质量的关键因素的分析，实现对信号完整性的仿真分析和优化，从而在实现更大内存容量的同时，节省了PCB设计时间和开发成本，实现更可靠稳定的内存访问控制。
关键词：国产处理器；双Rank，内存设计，仿真优化1概述近年来，中美双边贸易摩擦日益加剧，对我国芯片行业的发展带来巨大影响。
国内涌现出大量半导体设计和制造相关公司，研发的芯片包括中央处理器、桥片、内存、FPGA、DSP和电源芯片等。
采用国产自主处理器和内存设计的主板越来越多，国产处理器的运行速度越来越快，对存储器的数据传输能力要求也越来越高，在有限电路板尺寸下高速电路的互连关系变得越来越复杂，PCB设计也越来越复杂。
为了降低重新制版造成的产品交付进度风险和成本风险，解决板卡复杂信号完整性，设计过程增加了仿真要求，根据仿真结果对设计进行优化。
在设计的不同阶段通过仿真来指导优化设计，PCB设计初期做前仿（pre-simulation），PCB完成设计做后仿（post-simulation）。
本文主要针对PCB前仿和后仿两个阶段，介绍了仿真的一些基础理论和PCB设计规则，对双Rank DDR的信号质量及时序进行仿真，提升高速设计的信号完整性。
2仿真分析本例使用的仿真软件是Cadence SPB 16.6/Allegro Sigrity 2017，采用双Rank板载DDR颗粒设计，16片16bit颗粒，800M的数据信号速率。
内存扫盲(single rank,dual-rank, quad-rank)
singlerank,dual-rank, quad-rank前言：在看Hp服务器参数的时候（比如DL120 G6）发现白皮书上该机型对内存要求挺苛刻的：Supports up to 16GB, using 4GB PC3-10600E DDR3 Unbuffered (UDIMM) memory, operating at 1333MHz when fully populated at 2 DIMMs per Channel in 4 slotsSupports up to 16GB, using 4GB Quad-Rank PC3-8500R DDR3 Registered (RDIMM) memory, operating at 1066MHz when fully populated at 2 DIMMs per Channel in 4 slotsSupports up to 12GB, using 2GB PC3-10600R DDR3 Registered (RDIMM) memory, operating at 1333MHz when fully populated at 3 DIMMs per Channel in 6 slots一般来讲，一条内存总线的data宽度是64bits，也就是说总线上有64条道，每条道上一次传送1位数据。
DIMM上的每个内存颗粒，提供4位或者8位数据，来组成这64位数据(data word)。
提供4位数据的芯片记作x4,提供8位数据的记作x8. 据此，要组成一个64位的word就需要16片x4的芯片或者8片x8的芯片（没有x4和x8的芯片混搭的情况）。
所以，一条DIMM上至少有8颗内存颗粒，排列在DIMM 的一面或两面上。
标准的DIMM的每一面有足够的空间容纳第9颗芯片，这第9颗芯片用来存储4bits 或8bits的ECC.如果1根ECC DIMM的9颗芯片都位于DIMM的同一面，就叫做single-sided（单面）。
内存上面的标识解读
内存上面的标识解读（Memory Rank Single Rankx4）2011-10-28 17:29:11| 分类： | 标签：|字号订阅一组或几组Memory chips,Chips分为两种4Bits与8Bits, 由于CPU处理能力为64Bits, 如果内存要达到CPU处理能力, 就把Chips组成了Rank; 简单理解就是64Bits为1 Rank.Single Rank:1组Memory chipDual Rank: 2 组Memory chip ,one rank per sideQuad Rank: 4 组Memory chip ,two rank per sideRank并不是同时间读写, 而是使用了Memory interleaving进行读写, 这样提高了总线利用效率!解读内存中的Bank两种内存Bank的区别内存Bank分为物理Bank和逻辑Bank。
1.物理Bank传统内存系统为了保证CPU的正常工作，必须一次传输完CPU在一个传输周期内所需要的数据。
而CPU在一个传输周期能接收的数据容量就是CPU数据总线的位宽，单位是bit（位）。
内存与CPU之间的数据交换通过主板上的北桥进行，内存总线的数据位宽等同于CPU数据总线的位宽，这个位宽就称之为物理Bank（Physical Bank，简称P-Bank）的位宽。
以目前主流的DDR系统为例，CPU与内存之间的接口位宽是64bit，也就意味着CPU在一个周期内会向内存发送或从内存读取64bit的数据，那么这一个64bit的数据集合就是一个内存条Bank。
不过以前有不少朋友都认为，内存的物理Bank是由面数决定的：即单面内存条则包含一个物理Bank，双面内存则包含两个。
其实这个看法是错误的!一条内存条的物理Bank是由所采用的内存颗粒的位宽决定的，各个芯片位宽之和为64bit就是单物理Bank；如果是128bit 就是双物理Bank。
内存相关知识总结
3. 几种内存的区别及信号描述
SDR/DDR/DDR2/DDR3区别
SDR DDR DDR2 DDR3
工作电压(V)
CLOCK 频率(MHz) 数据传输率(MHz) 密度(Mb) 位宽(bit) BANK Termination DATA Strobe System Synchronization 储存温度(摄氏度) 封装
KINGMAX（胜创）
HyunDai（现代） Kingston(金士顿) Adata(威刚)
/
http://kcs.hei.co.kr/models/ /pc/dnyjcs/ /pc/dnyjcs/
RAS#
CS# CAS# WE# DQM,DQML/DQMH
I
I I I I
行地址选通
片选 列地址选通 写使能 DQ Mask.写屏蔽 For x16：DQML/DQMH For x8/x4:DQM
DQ(x:0)
VCC/VCCQ VSS/VSSQ
I/O
Power GND
数据信号
DDR信号描述
Symbol
VDDQ/VDDL/VDD/VREF VSSQ/VSSDL/VSS
Data strobe: ×4 DQ S/DQ S# ×8 DQ S/DQ S# RDQ S/RDQ S#(可配置为一对或两对选通) ×16 UDQ S/UDQ S#(对应DQ8-DQ15) LDQ S/LDQ S#(对应DQ0-DQ7)
BC#/A12 DQ TDQS, TDQS#
ZQ DQU, DQL, DQS,DQS#, DQSU,DQSU#,DQSL,DQSL#
VDDQ/VDD/VREFDQ/VREFCA VSSQ/VSS
4.内存基本时序
内存上面的标识解读
内存上面的标识解读（Memory Rank Single Rankx4）2011-10-28 17:29:11| 分类：技巧整合 | 标签：memory rank single r |字号订阅一组或几组Memory chips,Chips分为两种4Bits与8Bits, 由于CPU处理能力为64Bits, 如果内存要达到CPU处理能力, 就把Chips组成了Rank; 简单理解就是64Bits为1 Rank.Single Rank:1组Memory chipDual Rank: 2 组Memory chip ,one rank per sideQuad Rank: 4 组Memory chip ,two rank per sideRank并不是同时间读写, 而是使用了Memory interleaving进行读写, 这样提高了总线利用效率!解读内存中的Bank两种内存Bank的区别内存Bank分为物理Bank和逻辑Bank。
1.物理Bank传统内存系统为了保证CPU的正常工作，必须一次传输完CPU在一个传输周期内所需要的数据。
而CPU在一个传输周期能接收的数据容量就是CPU数据总线的位宽，单位是bit（位）。
内存与CPU之间的数据交换通过主板上的北桥芯片进行，内存总线的数据位宽等同于CPU数据总线的位宽，这个位宽就称之为物理Bank（Physical Bank，简称P-Bank）的位宽。
以目前主流的DDR系统为例，CPU与内存之间的接口位宽是64bit，也就意味着CPU在一个周期内会向内存发送或从内存读取64bit 的数据，那么这一个64bit的数据集合就是一个内存条Bank。
不过以前有不少朋友都认为，内存的物理Bank是由面数决定的：即单面内存条则包含一个物理Bank，双面内存则包含两个。
其实这个看法是错误的!一条内存条的物理Bank是由所采用的内存颗粒的位宽决定的，各个芯片位宽之和为64bit就是单物理Bank；如果是128bit 就是双物理Bank。
DDR组成的简单介绍
DDR组成的简单介绍SDRAM(Synchronous dynamic random access memory)，同步动态随机访问内存，通常包括 SDR (Single Data Rate) SDRAMs以及DDR (Double Data Rate) SDRAMs.在显卡中常⽤的是GDDR SDRAMs以及HBM。
如图⼀所⽰，左边就是PC系统中常⽤的内存条，该内存条是双通道2G内存(dual inline Memory Module),通常简称为DIMM。
我们可以看到内存条上⿊⾊的128MB内存芯⽚，这些内存芯⽚简称为IC。
该内存条是双⾯内存，就是说正反两⾯都有8个IC，总共16个IC，16*128M=2GB。
DIMM的单⾯称作rank，⽐如下图的2GB内存条，它就是由rank1，rank2两个单⾯组成，每个⾯有8个IC。
图⼀，DRAM的组成每个IC内部通常由8个bank组成(DDR3通常为8个bank，GDDR5通常有16个bank)，这些bank共享⼀个memory I/O controller, 但是在每个bank内部的读写可以并⾏进⾏。
每个bank内部包括⾏地址解码器，列地址解码器，传感放⼤器，以及DRAM内存阵列。
如图2所⽰，这些内存阵列由⾏列组成，每个⾏列交叉的单元，表⽰n bit，通常是8bit或者16位【每⼀位都是由⼀个晶体管和⼀个电容组成,在GDDR5和HBM内存中，通常为32Byte】，表⽰⼀个字节或者⼀个word。
bank中的每⼀⾏组成⼀个page，每⼀⾏⼜包括很多列(这⼉列是指单个交叉单元)。
内存读写的最⼩单位就是这些交叉单元，通常只有这些单元被放⼊传感放⼤器的时候，才能够被读写，所以通常要不断在⾏和传感放⼤器之间移动数据。
把⼀⾏放⼊传感放⼤器称作"activate”，因为这个操作会激活bank。
把传感放⼤器的内容放⼊⾏，称作“precharge”。
有时候Read或者write 的时候会隐含着 precharge的操作，称作AP-read,或者AP-write,AP(auto precharge)。
mem_ranks_eng
Kingston Technology memory ranking technical briefMemory ranks and Intel E7320 / E7520 chipset based servers April 2005Kingston Technology memory ranking technical brief – 1IntroductionThe processors, chipsets and memory controllers used by system manufacturers are constantly developing and changing. New developments have led to a technology known as memory ranks becoming an important consideration when choosing server system memory. This technical brief explains what memory ranks are, and details their relevance and importance within a server system. Whilst the concept of memory ranks can apply to all memory module form-factors, such as desktop DIMMs, notebook SODIMMs, and workstation and server Registered DIMMs; in general, it is only currently relevant to server platforms due to their higher memory capacity and motherboard chipsets.Definition of a rankThe term “rank” was created and defined by JEDEC, the memory industry standards group. A memory rank is simply a unique, independently addressable 64-bit data area of a memory module. Each rank must be 64-bits wide except on memory modules that support Error Correction Code (ECC), where the 64-bit wide data area requires an 8-bit wide ECC area for a total width of 72-bits. Depending on how a DIMM is manufactured, and which DRAM chips are used in its construction, a single memory module could comprise 1, 2 or 4 ranks making it a single, dual or quad rank module. It is important to note that a single rank DIMM or dual rank DIMM are different from a single-sided or double-sided DIMM.A rank can apply to:• The whole module (either single or double sided) This is known as a single rank module • Each side of a double-sided module This is known as a dual rank module • Multiple ranks within a double-sided module This is known as a quad rank moduleFigure 1 - How ranks can be applied to a memory moduleAs a rule, single-sided modules are always single-ranked. Doubled-sided unbuffered DIMMs and SODIMMs are always dual-ranked. Registered DIMMs, used for servers and workstations, vary from single to four ranks, as illustrated in Figure 1 above.Why ranks are importantAlthough memory ranks are not a new technology, with the advent of the latest motherboard chipsets, they have become an important factor in deciding which memory to populate a server system with. Selecting the wrong memory could result in a reduction in the total capacity of the server system and could create problems for future upgrading.Servers based upon Intel’s E7320 and E7520 chipsets (codenamed “Lindenhurst”) limit the number of memory ranks of DDR or DDR2 memory. This means that the combined number of memoryranks for all the memory modules must not exceed the maximum number. If the number of memory ranks exceeds the specified maximum ranks set by the chipset, the server may not boot or may not operate reliably.The number of ranks is important based upon the server’s memory speed:• If PC2100 memory is used, the number of ranks is not critical and either single or dual rank memory module pairs can be used.• If PC2700 or PC2-3200 memory is used, there is typically a maximum of 8 ranks per server.o If two pairs of 2GB dual-ranked memory modules are inserted into the memory sockets, that would add up to 8 ranks (4 modules x 2-ranks each = 8 ranks = 8GBcapacity); in this case, the remaining four empty memory sockets cannot be usedfor future upgrading.o If four pairs of 2GB single ranked modules are inserted into the memory sockets, that would also add up to 8 ranks (8 modules x 1 rank each = 8 ranks); but in thiscase the total server capacity would be 16GB.It is fair to point out that single and dual ranked memory modules do vary in price. This is directly related to how the modules are manufactured. In general, single-ranked memory modules are built using x4 (“By 4”) DRAM chips and can be more expensive than most dual-rank memory modules (which are typically built using x8 DRAM chips). Dual-ranked memory modules can cost less but may limit future upgradeability and capacity of servers using PC2700 or PC2-3200 memory. This trade-off between cost and capacity is important to consider when purchasing memory modules for Intel Lindenhurst-based servers.The use of x4 modules can bring additional benefits. Modules based upon x4 DRAMs will allow you to access the latest chipset and motherboard features such as;• Intel’s Single Device Data Correction (SDDC)• Memory scrubbing• DIMM sparing• DIMM mirroring• And so on…x8 DRAMs do not support these latest features. Again, different systems manufacturers may choose to implement different features, and not all vendors will offer all available features.Memory ranks best practiceThe implementation of ranks can differ from one system vendor to another. Some vendors may enable their servers to work with single rank modules only; others may enable their systems to work with both single and dual rank modules. A server that has been configured with the wrong memory may work at sub-standard performance or may not boot or work properly. It is important to ensure that the correct memory modules are installed in accordance with the original systems manufacturers instructions. Some systems will allow the mixing of single and dual rank modules, others will not. Some may allow modules to be installed as singles; many others will only allow modules to be installed in pairs or kits.Kingston Technology suggests the following best practice guidelines:• Use identical matched pairs (module kits) as per Figure 2 below• Use x4 modules so that the latest server features can be supported• Do not mix single and dual modules – this will affect performance• Always check your requirements against our online memory configurator –/europe/config to check individual system specifications and the type of memory supportedFigure 2 - Dos and Don'ts for module pairsAs mentioned previously, different system vendors can apply different configurations to their servers, but as a general rule, x4 and x8 modules cannot be mixed within a pair of modules; in addition, you cannot mix x4 single-rank memory modules with x4 dual-rank memory modules. Please check the online Kingston Technology memory configurator/europe/config to verify your servers’ configuration details.Quad-rank memory modulesQuad-ranked memory modules require special motherboard modifications and an enabled server BIOS to work properly. Unless a server or system board is specifically designed to support quad-rank memory modules, they will not work. It is expected that only a limited number of server motherboards will support quad-rank memory modules during 2005. When quad-rank memory modules are supported, server boards will only be able to accommodate 2 quad-ranked memory modules as the 8-rank maximum will be reached, making them ideal for servers with a limited number of memory sockets.SummarySingle rank memory modules will allow a server to reach its maximum memory capacity and highest performance levels, whilst enabling support for the latest server chipset and motherboard features – dependant on system manufacturers’ specifications.Dual rank modules can be used if a system vendor allows it. These modules offer a keenprice/performance point but can limit overall system capacity, restrict future upgrade options and will typically not support the latest chipset and motherboard features.If you have any comments or questions about this brief, please email eu_highend@ or visit our dedicated server memory zone /europe/server© 2005 Kingston Technology Europe Ltd, Kingston Court, Brooklands Close, Sunbury-on-Thames, Middlesex, TW16 7EP, England. Tel: +44 (0) 1932 738888 Fax: +44 (0) 1932 738811 All rights reserved. All trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners.。
金士顿ValueRAM内存手册说明书
S: Thermal Sensor H: Standard Height (STD)
DRAM MFGR H: Hynix E: Elpida
K: Kit + Number Certi cation
of pieces
I: Intel Validated
KVR 1600 D3 L D 4 R 9 H L K / 4G E F
Rank: Single, Dual, Quad Rank Memory Modules Important when installing memory modules in workstations and servers. If the total number of ranks installed exceeds the system’s memory speci cations, the system may not boot, may have memory errors, or may not recognize part of the memory capacity. Check your system’s user guide for supported number of ranks.
KVR
RDLeabharlann K2 HSpeed 16: 1600 13: 1333 10: 1066
Low Voltage CAS Latency en blanco: 1,5V L: 1,35V U: 1,25V
DRAM Type
Pro le
4: x4 DRAM chip L: 17.75mm (VLP)
8: x8 DRAM chip H: 30mm
Server Premier Server memory with fully controlled BOM (Bill of Materials) from the PCB to the Chip die revision.
[转]DDR内存条rank的概念和区分
![[转]DDR内存条rank的概念和区分](https://img.taocdn.com/s3/m/9c5c212042323968011ca300a6c30c225901f0ed.png)
[转]DDR内存条rank的概念和区分1：什么是RANK?答：CPU与内存之间的接⼝位宽是64bit，也就意味着CPU在⼀个时钟周期内会向内存发送或从内存读取64bit的数据。
可是，单个内存颗粒的位宽仅有4bit、8bit或16bit，个别也有32bit的。
因此，必须把多个颗粒并联起来，组成⼀个位宽为64bit的数据集合，才可以和CPU互连。
⽣产商把64bit集合称为⼀个物理BANK（Physical BANK），简写为P-BANK。
为了和逻辑BANK相区分，也经常把P-BANK称为RANK或Physical RANK,把L-BANK则简称为BANK。
如果每个内存颗粒的位宽是8bit，应该由8个颗粒并联起来，组成⼀个RANK（64bit）；同理，如果颗粒的位宽是16bit，应该由4个颗粒组成⼀个RANK。
由此可知：Rank其实就是⼀组内存颗粒位宽的集合。
具体说，当颗粒位宽×颗粒数=64bits时，这个模组就是有⼀个RANK。
为了保证和CPU的沟通，⼀个模组⾄少要有⼀个RANK。
但是，为了保证有⼀定的内存容量，⽬前，DDR2内存，经常是采⽤⼀个模组两个RANK的架构。
（过去也有⽤⼏个模组组成⼀个RANK的情况）。
“模组构成”中的“R”是“RANK”的意思。
“2R”是说组成模组的RANK数（Number of ranks of memory installed）是2个。
有“1R”和“2R”两种；“模组构成”中的“×8”是颗粒的位宽(bit width)，有×4、×8和×16三种2.如何根据模组的编号计算模组的RANK数？答：根据模组组成原理可以知道：如果模组的深度等于颗粒的深度，就是⼀个RANK；如果模组的深度等于两倍颗粒深度，就是两个RANK。
例如，编号为M378B5673DZ1的三星模组的模组深度是256M。
⼜因为这种模组采⽤的是K4T1G084QD颗粒。
内存通道（channel）和内存列（rank）
内存通道（channel）和内存列（rank）内存通道(channel)和内存列(rank)mdgcUCloud云计算什么是内存通道（channel）？在数电和计算机硬件领域，多通道内存架构是一种技术。
内存和CPU上的内存控制器，通过总线来和计算机的其余部分进行通信。
在内存和内存控制器之间增加通信通道，可以加快数据传输速率。
内存控制器通常有一个通道、两个通道（双通道）、四通道（四通道）、六通道和八通道等等。
六通道和八通道架构通常是为服务器设计的。
从理论上讲，多通道数据传输速率可以成倍的增加（多通道速率= 单通道速率 * 通道数量）。
TweakTown使用SiSoftware Sandra执行的基准测试显示，与双通道配置相比，四通道配置的性能提高了约70%。
但TweakTown对同一主题进行其他测试显示，性能并没有显着差异。
因此得出的结论是，并不是所有基准软件都能利用多通道内存提供的并行性。
内存模块分别使用单通道和双通道和CPU通信什么是内存列（rank）？内存rank是一组连接到同一个chip select的DRAM芯片，可以同时访问它们。
所有 DRAM 芯片共享所有命令和控制信号，并且只有每个rank的芯片选择引脚是独立的。
内存rank是由内存行业标准组织 JEDEC 创建和定义的。
在 DDR、DDR2 或 DDR3 内存模块上，每个rank都有一个 64 位宽的数据总线（在支持 ECC 的 DIMM 上为 64+8==72 位宽）。
物理 DRAM 的数量取决于它们各自的宽度。
例如，一列×8（8 位宽）DRAM 将由 8 个物理芯片组成（如果支持ECC，则为9个），但一列×4（4 位宽）DRAM 将由 16 个物理芯片（如果支持 ECC，则为18个）。
单侧单rank，双侧单rank，双侧双rank多个rank可以在单个DIMM 上共存，现代DIMM 可以由一列（单列）、两列（双列）、四列（四列）或八列（八列）组成。
RDIMM和DIMM概述
RDIMM即Registered DIMM表示控制器输出的地址和控制信号经过Reg寄存后输出到DRAM芯片UDIMM即Unbuffered DIMM控制器输出的时钟信号经过PLL后到达各DRAM芯片。
表示控制器输出的地址和控制信号直接到达DIMM上的DRAM芯片。
通俗讲法：RDIMM 叫增强校验单条内存可以自己和自己校验适用与服务器影响的速度可以忽略不记UDIMM 直达控制指令直达内存芯片，理论上速度要比RDIMM 快我们感觉不出来，影响不大。
适用与台机，商用机等RDIMM即Registered DIMM，表示控制器输出的地址和控制信号经过Reg寄存后输出到DRAM 芯片，控制器输出的时钟信号经过PLL后到达各DRAM芯片。
UDIMM即Unbuffered DIMM，表示控制器输出的地址和控制信号直接到达DIMM上的DRAM芯片。
RDIMM：registered DIMM（Registered Dual In-line Memory Module），带寄存器的双线内存模块。
Registered内存本身有两种工作模式，即 Registered模式和Buffered模式。
在支持Registered工作模式的主板上工作时，Registered内存工作于 Registered模式，这时主板上的地址信号和控制信号会比数据信号先一个时钟周期到达DIMM，送入Register芯片后会在其中停留一个时钟周期，然后在下一个时钟信号的上升沿从Register输出，与此时从主板上到达DIMM的数据信号一起同时传送到SDRAM。
当Registered内存工作在普通的主板上时，为Buffered工作模式，这时所有的信号也基本上是同时到达DIMM再同时传送到SDRAM，Register芯片这时在功能上只相当于一个简单的Buffer，其输入到输出之间是直通的，只简单的起到改善地址信号和控制信号的作用，时序上与Unbuffered内存是一样的。
电脑内存超频的那些BIOS选项都是什么意思？
电脑内存超频的那些BIOS选项都是什么意思？本文所涉及的内容仅仅是针对内存超频过程中的参数解释，方便诸位在进行内存超频时，能对内存参数数值调整有更加清晰的判断。
① Memory Profiles（内存参数设置）：设置内存时序。
设定值有：Default Profile（自动）、Custom Profile（自定义）、XMP Profile1。
XMP 全名为 Extreme Memory Profile，它是英特尔提出的一种内存超频模式，就是把内存的超频频率和参数设置以文件的方式存在内存条的 SPD 模块中。
BIOS 启动 XMP 就是直接从 SPD 中读取超频设置参数设置内存频率。
选择“Manual” ，可对内存频率进行超频设置。
② CAS Latency Time（tCL）：此项控制了 C A S 延迟，它决定了在 SDRAM 在接收指令后开始读取的延迟时间（在时间周期中）。
③ RAS/ CAS Delay（tRCD）:此项目用于选择从 RAS (Row Address Strobe) 到 CAS (Column Address Strobe)在相同的 bank 读写数据时所延迟的时间。
设定的周期越短，DRAM 运行越快。
④ ROW Precharge Time（tRP）：这个项目用来控制当 SDRAM 送出 Precharge 命令后，多少时间内不得再送出命令。
建议您使用缺省值以保持系统的稳定。
设置值有：[2Clocks] [3 Clocks] [4 Clocks] [5 Clocks] [6 Clocks]。
⑤ Min Active RAS（tRAS）（SDRAM 内存预充电延迟）：此项控制SDRAM内存时钟周期数的RAS最小值。
⑥ Read to Precharge（tRTP）：选择预充电时间。
⑦ Row Cycle（tRC）：TRC 表示“SDRAM 行周期时间”，它是包括行单元预充电到激活在内的整个过程所需要的最小的时钟周期数。
电脑内存基础必备知识
电脑内存基础必备知识电脑内存时序是什么意思?内存时序，英文是”MemoryTiming“，是描述内存性能的一项参数，一般存储在内存的SPD中，通常电脑内存时序会标注在内存铭牌上，当然也有些内存品牌不会标注，我们可以在该型号内存参数中查看，或者使用CPU-Z进行查看。
内存时序通常被写为破折号分隔开的四组数字，例如下图的内存铭牌上标注的“16-18-18-38”就代表内存时序。
当然也有的内存只标注前三个数字的，还有些标注五个数字，即Commandrate(命令速率)，通常为2T或1T，也写作2N、1N。
反映的都是内存不同工作环节当中的延迟时间，数值越低意味着性能越好，而真正决定平台性能水平的延迟时间单位是纳秒(ns,nanosecond)。
电脑内存时序高好还是低好?内存时序是描述同步动态随机存取存储器性能的四个参数：地址访问潜伏时间(CL)、行地址到列地址等待时间(TRCD)、行地址预充电时间(TRP)和行地址活动时间(TRAS)，单位为时钟周期，数值越小代表越好，其中CL值，也就是时序当中首个数字是确切的周期数，CL对内存性能的影响是最明显的，所以很多产品都会把内存CL值标在产品名上，而后面的三个数字都是最小周期数。
内存时序参数影响随机存储存储器速度的延迟时间，较低的数字通常意味着更快的性能，所以在同代同频率的情况下，内存时序越小越好，一般情况下大家只需要看内存时序中的第一个数字，也就是CL值，数字越小越好。
如何查看电脑内存的时序?我们可以下载一款CPU-Z软件，在内存的选项卡中查看CL、TRCD、TRP、TRAS的四个数值。
内存时序不一样能兼容不?现在的主板对不同主频，不同时序，不同品牌的内存的兼容能力都很强，只要是内存代数相同，内存时序不同是能够兼容的。
以上就是装机之家分享的关于电脑内存时序的相关知识，一般来说，我们看内存时序只需要看CL值就可以了，也就是开头第一组数字，这组数字在同代同频率下越小越好，希望本文能够帮助到大家。
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Memory Rank
举例说明，单面的内存一般都是8个8bit的芯片，所以有一个物理BANK，但是双面的内存有16片8bit
的芯片，所以有两个物理BANK（16*8/64）并不是所以的单面的内存都是一个BANK，例如单面8片16bit 芯片的内存就有两个BANK，也不是所有的双面内存都是双bank,例如16片4bit的芯片的内存只有1个bank , 传统内存系统为了保证CPU的正常工作，必须一次传输完CPU在一个传输周期内所需要的数据。
而CPU 在一个传输周期能接受的数据容量就是CPU数据总线的位宽，单位是bit（位）。
当时控制内存与CPU之间数据交换的北桥芯片也因此将内存总线的数据位宽等同于CPU数据总线的位宽，而这个位宽就称之为物理(BankPhysical Bank，下文简称P-Bank）的位宽。
在一些文档中，也把P-Bank称为Rank（列）。
single rank单列dual rank双列
为了更好更简便的理解memory Rank的含义，做如下说明：
1.首先，需要知道CPU数据总线的位宽,现在一般是64bit, 这个位宽就称之为物理Bank..
2.那么memory 1RX4则表示1个64bit,X4则表示memory每颗内存颗粒的位数.从这里我们就可以很容易知道memory内存颗粒的个数为：64/4=16颗。
如果是2RX8的话内存颗粒就是:64*2/8=16颗.
3.所以无论是1RX4 ,2Rx4或者1RX8,2Rx8，代表的含义可以理解为memory的内存颗粒的个数.而不是单面或者是双面内存.。