等离子体辅助化学气相沉积技术—姜帆
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4. PCVD法还拓展了新的低温沉积领域。
•
应用
3. 金刚石、硬碳膜及立方氮化硼的沉积 对于低压合成金刚石、硬碳膜及立方氮化硼的研究工作，国内外学者
及研究机构都做了大量的工作，用DC、RF、MW-PCVD法都可得到这些材 料，但用得最多的是MW-PCVD金刚石薄膜在半导体和光学器件上的应用 已较成成熟，但在切削刀具、模具上的应用尚有大量工作要做。
4. 光导钎维 采用等离子体化学气相沉积技术可以较好的控制光导钎维的径向折射
率的分布，这种工艺对使光导钎维具有抵色散性来讲是很理想的。
等离子体辅助化学气相沉积技术
主讲人：姜帆 班级：金材1302 学号：2013000772
在低压化学气相沉积过程进行的同时，利用辉光放电等离子 体对沉积过程施加影响的技术称为等离子体辅助化学沉积 （PECVD）技术。
技术原理：
等离子体化学气相沉积技术原理是利用低温等离子体（非平衡 等离子体）作能量源，工件置于低气压下辉光放电的阴极上，利用 辉光放电（或另加发热体）使工件升温到预定的温度，然后通入适 量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在工件表 面形成固态薄膜。
在PECVD装置中，可以利用各种方法来产生所需要的等离子体。 比如，二级直流辉光放电的方法、射频辉光发电方法、微波激 发等离子体的方法等。下面，我们将依照产生等离子体的能量 耦合方式，逐一介绍各种PECVD装置。
•
由于PECVD方法的主要应用领域是一些绝缘介质薄膜的低温沉积，因而 其等离子体的产生方法多采用射频方法。射频电场可采用两种不同的耦 合方式，即电感耦合和电容耦合。
原理：使用波导或微波天线两种方式将微波能量耦合至CVD装置中的等离
子体中。
使用的微波频率：2.45G快，绕镀性好， 薄膜与基体结合强度好；
2. 设备操作维护简单；
3. 用PCVD法调节工艺参数方便灵活，容易 调整和控制薄膜厚度和成份组成结构， 沉积出多层复合膜及多层梯度复合膜等 • 优质膜；
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应用
3. 金刚石、硬碳膜及立方氮化硼的沉积 对于低压合成金刚石、硬碳膜及立方氮化硼的研究工作，国内外学者
及研究机构都做了大量的工作，用DC、RF、MW-PCVD法都可得到这些材 料，但用得最多的是MW-PCVD金刚石薄膜在半导体和光学器件上的应用 已较成成熟，但在切削刀具、模具上的应用尚有大量工作要做。
4. 光导钎维 采用等离子体化学气相沉积技术可以较好的控制光导钎维的径向折射
率的分布，这种工艺对使光导钎维具有抵色散性来讲是很理想的。
等离子体辅助化学气相沉积技术
主讲人：姜帆 班级：金材1302 学号：2013000772
在低压化学气相沉积过程进行的同时，利用辉光放电等离子 体对沉积过程施加影响的技术称为等离子体辅助化学沉积 （PECVD）技术。
技术原理：
等离子体化学气相沉积技术原理是利用低温等离子体（非平衡 等离子体）作能量源，工件置于低气压下辉光放电的阴极上，利用 辉光放电（或另加发热体）使工件升温到预定的温度，然后通入适 量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在工件表 面形成固态薄膜。
在PECVD装置中，可以利用各种方法来产生所需要的等离子体。 比如，二级直流辉光放电的方法、射频辉光发电方法、微波激 发等离子体的方法等。下面，我们将依照产生等离子体的能量 耦合方式，逐一介绍各种PECVD装置。
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由于PECVD方法的主要应用领域是一些绝缘介质薄膜的低温沉积，因而 其等离子体的产生方法多采用射频方法。射频电场可采用两种不同的耦 合方式，即电感耦合和电容耦合。
原理：使用波导或微波天线两种方式将微波能量耦合至CVD装置中的等离
子体中。
使用的微波频率：2.45G快，绕镀性好， 薄膜与基体结合强度好；
2. 设备操作维护简单；
3. 用PCVD法调节工艺参数方便灵活，容易 调整和控制薄膜厚度和成份组成结构， 沉积出多层复合膜及多层梯度复合膜等 • 优质膜；