非对称栅控鳍式场效应晶体管(FET)(finFET)二极管[发明专利]

专利名称：非对称栅控鳍式场效应晶体管(FET)(finFET)二极管专利类型：发明专利
发明人：王昊,杨海宁,陈小楠
申请号：CN201780072087.5
申请日：20170926
公开号：CN110036487A
公开日：
20190719
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：公开了一种非对称栅控鳍式场效应晶体管(FET)(finFET)二极管。

在一个方面，非对称栅控finFET二极管采用包括第一类型的阱区和沿着一方向被设置的鳍部的衬底。

采用包括被设置在鳍部中的第一类型掺杂材料并且在该方向上具有第一长度的第一源极/漏极区域。

采用包括被设置在鳍部中的第二类型掺杂材料并且在该方向上具有大于第一长度的第二长度的第二源极/漏极区域。

栅极区域被设置在第一源极/漏极区域与第二源极/漏极区域之间，并且在该方向上具有大于第一长度并且大于第二长度的第三长度。

较宽的栅极区域增加了非对称栅控finFET二极管的耗尽区的长度，这减少了电流泄漏，同时避免了面积的增加。

申请人：高通股份有限公司
地址：美国加利福尼亚州
国籍：US
代理机构：北京市金杜律师事务所
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