一种减少单晶高温合金截面突变处杂晶形成的方法[发明专利]

专利名称：一种减少单晶高温合金截面突变处杂晶形成的方法专利类型：发明专利
发明人：杨院生,冯小辉,李应举,罗天骄,韩小伟
申请号：CN201711223372.0
申请日：20171129
公开号：CN108080603A
公开日：
20180529
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明涉及金属材料凝固控制领域，具体为一种减少单晶高温合金截面突变处杂晶形成的方法。

在单晶高温合金定向生长过程中，截面突变处由于散热较快容易形成局部过冷而形成杂晶。

该方法是在单晶高温合金铸件定向凝固过程中施加直流电流，利用固/液相之间以及不同温度熔体之间的电阻率差异，使电流在截面突变处的边部形成偏聚，因而在温度较低部位产生更多的焦耳热，减轻或消除截面突变处的局部过冷，从而降低或消除杂晶形核和生长倾向。

本发明通过在单晶高温合金生长过程中施加直流电流减少截面突变处杂晶的生成，获得取向一致性好，组织均匀致密的单晶组织，解决目前在铸造单晶高温合金结构件时截面突变处极易形成杂晶的问题。

申请人：中国科学院金属研究所
地址：110016 辽宁省沈阳市沈河区文化路72号
国籍：CN
代理机构：沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人：张志伟
更多信息请下载全文后查看。