湖南工程学院电力电子2013考试试卷
电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)
4.升压斩波电路的典型应用有_直流电动机传动_和_单相功率因数校正_等。
5.升降压斩波电路呈现升压状态的条件为__ ______。
6.CuK斩波电路电压的输入输出关系相同的有__升压斩波电路___、__Sepic斩波电路_和__Zeta斩波电路__。
15、单结晶体管产生的触发脉冲是尖脉冲脉冲;主要用于驱动小功率的晶闸管;锯齿波同步触发电路产生的脉冲为强触发脉冲脉冲;可以触发大功率的晶闸管。
17、为了减小变流电路的开、关损耗,通常让元件工作在软开关状态,软开关电路种类很多,但归纳起来可分为零电流开关与零电压开关两大类。
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ8.当采用6脉波三相桥式电路且电网频率为50Hz时,单相交交变频电路的输出上限频率约为_20Hz__。
9.三相交交变频电路主要有两种接线方式,即_公共交流母线进线方式_和_输出星形联结方式_,其中主要用于中等容量的交流调速系统是_公共交流母线进线方式_。
10.矩阵式变频电路是近年来出现的一种新颖的变频电路。它采用的开关器件是_全控_器件;控制方式是_斩控方式__。
10、逆变器按直流侧提供的电源的性质来分,可分为电压型型逆变器和电流型型逆变器,电压型逆变器直流侧是电压源,通常由可控整流输出在最靠近逆变桥侧用电容器进行滤波,电压型三相桥式逆变电路的换流是在桥路的本桥元件之间元件之间换流,每只晶闸管导电的角度是180º度;而电流型逆变器直流侧是电流源,通常由可控整流输出在最靠近逆变桥侧是用电感滤波,电流型三相桥式逆变电路换流是在异桥元件之间元件之间换流,每只晶闸管导电的角度是120º
电力电子试题及答案及电力电子器件及其驱动电路实验报告
2、(10分)
答:图是带有泵升电压限制电路的电压型间接交流变流电路,它在中间直流电容两端并联一个由电力晶体管V0和能耗电阻R0组成的泵升电压限制电路。当泵升电压超过一定数值时,使V0导通,把从负载反馈的能量消耗在R0上(5分)。其局限性是当负载为交流电动机,并且要求电动机频繁快速加减速时,电路中消耗的能量较多,能耗电阻R0也需要较大功率,反馈的能量都消耗在电阻上,不能得到利用(5分)。
2.不同基极电流时的开关特性测试。
3.有与没有基极反压时的开关过程比较。
4.并联冲电路性能测试。
5.串联冲电路性能测试。
6.二极管的反向恢复特性测试。
三.实验线路
四.实验设备和仪器
1.MCL-07电力电子实验箱中的GTR与PWM波形发生器部分
2.双踪示波器
3.万用表
4.教学实验台主控制屏
五.实验方法
2、空1要有足够的驱动功率;空2触发脉冲前沿要陡幅值要高;
空3触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。
3、空1均流;空2串专用均流电抗器。
4、空1正弦波;空2方波。5、空1 180。6、空1增加;空2下降。
7、空1快速熔断器;空2串进线电抗器;空3接入直流快速开关;
空4控制快速移相使输出电压下降。
二、选择题(本题共10小题,每小题1分,共10分)
(完整版)电力电子技术期末考试试题及答案
电
力
电
子
复
习
姓名:***
电力电子技术试题
第1章电力电子器件
1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。
2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为__开关损耗__。
3.电力电子器件组成的系统,一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加_保护电路__。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。
7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。
9.对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流I L在数值大小上有I L__大于__IH。
10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为,UDSM_大于__Ubo。
11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。
12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。
湖南工程学院电器学试卷及其答案
湖南工程学院试卷用纸 至 学年 第 1 学期 专业班级 电气工程 姓名 学号 _____ 共 2 页 第 1
页
(装 订 线 内 不 准 答 题)
湖南工程学院试卷用纸 专业班级 电气工程 姓名______________ 学号 共 2 页 第 2 页
(装 订 线 内 不 准 答 题)
湖南工程学院试卷参考答案及评分标准(B 卷) 专业班级 电气工程 命题老师 李 靖 至 学年第 学期
(装 订 线 内 不 准 答 题)
课程名称 电器学 一、填空题(每题3分,共24分)
1、控制,保护,检测。
2、吸引;排斥
3、F=KI 1I 2=K *λ*I 1I 2×10-7
。
4、u jf (t) > u hf (t)。
5、沿磁路的任一闭合回路,磁压降的代数和,等于与该回路磁通相交链的线圈磁通势的代数和。
6、传导,对流,辐射。
7、长期工作制,八小时工作制,短时工作制,反复短时工作制。 8、固定,滑动,可分合。
二、简答题(要点) (每题13分,共26分)
1、 交流电弧熄灭更容易,因为交流电弧存在零休期与近阴极效应。
开断直流电感性电路时产生的电弧较难熄灭,原因是:电感中储存有能量,
在熄弧过程中这部分能量没有返回电源,而是消耗在弧隙中,于是熄弧过程中
从弧隙散发的能量增多,其次,电感中能量泄放需要一定的时间,因而电弧不
能立即熄灭,必须俟能量基本泄放后,电弧才能熄灭。另外,电感性电路产生电弧时零休期时间较短。
2、“近阴极效应”指在电流过零瞬间,新阴极附近只有少量的正离子,无法形成高电场,不能产生高电场发射,同时,由于弧温下降,不能提供电子流,从而使弧隙具有一定的介电(耐压)强度的现象。
电力电子考试题库(附含答案解析)
一、填空(每空1分)
1、请在正确的空格内标出下面元件的简称:
电力晶体管GTR;图形符号为;
可关断晶闸管GTO;图形符号为;
功率场效应晶体管MOSFET;图形符号为;
绝缘栅双极型晶体管IGBT ;图形符号为;IGBT是MOSFET 和GTR的复合管。
2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。
3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题,解决的方法是串专用均流电抗器。
4、在电流型逆变器中,输出电压波形为正弦波,输出电流波形为方波。
5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为800V伏、额定有效电流为100A。
6、180°导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个元件之间进行;而120º导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在不同桥臂上的元件之间进行的。
7、当温度降低时,晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降;当温度升高时,晶闸管的触发电流会下降、正反向漏电流会增加。
8、在有环流逆变系统中,环流指的是只流经逆变电源、逆变桥而不流经负载的电流。环流可在电
路中加电抗器来限制。为了减小环流一般采控用控制角α大于β的工作方式。
9、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。(写出四种即可)
10、双向晶闸管的触发方式有Ⅰ+、Ⅰ-、Ⅲ+、Ⅲ- 四种。
11、双向晶闸管的触发方式有:I+ 触发:第一阳极T1接正电压,第二阳极T2接负电压;门极G接正电压,T2接负电压。
电力电子考试题库 (含答案)
一、填空(每空1分)
1、请在正确的空格内标出下面元件的简称:
电力晶体管GTR;图形符号为;
可关断晶闸管GTO;图形符号为;
功率场效应晶体管MOSFET;图形符号为;
绝缘栅双极型晶体管IGBT ;图形符号为;IGBT是 MOSFET 和GTR的复合管。
2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。
3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题,解决的方法是串专用均流电抗器。
4、在电流型逆变器中,输出电压波形为正弦波,输出电流波形为方波。
5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为800V伏、额定有效电流为 100A。
6、180°导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个元件之间进行;而120º导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在不同桥臂上的元件之间进行的。
7、当温度降低时,晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降;当温度升高时,晶闸管的触发电流会下降、正反向漏电流会增加。
8、在有环流逆变系统中,环流指的是只流经逆变电源、逆变桥而不流经负载的电流。环流可在电路中加电抗器来限制。为了减小环流一般采控用控制角α大于β的工作方式。
9、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流
快速开关 、 控制快速移相使输出电压下降。(写出四种即可)
10、双向晶闸管的触发方式有 Ⅰ+、 Ⅰ-、 Ⅲ+、 Ⅲ- 四种 。
11、双向晶闸管的触发方式有:I+ 触发:第一阳极T1接 正 电压,第二阳极T 2接 负 电压;门极G 接正 电压,T2接 负 电压。 I- 触发:第一阳极T1接 正 电压,第二阳极T2接 负 电压;门极G 接 负 电压,T2接 正 电压。
电力电子期末考试20套题库电力电子技术期末考试试题及答案
电力电子期末考试20套题库电力电子技术期
末考试试题及答案
电力电子复习姓名:
电力电子技术试题
第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。
2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为__开关损耗__。
3.电力电子器件组成的系统,一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加_保护电路__。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型器件_
、 _双极型器件_
、_复合型器件_三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。
7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__
。
9.对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于
__IH 。
10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为,UDSM_大于__Ubo。
11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。
12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。
电力电子B试卷带答案
******************88
2014-2015 学年第一学期 出题教师:
【电力电子技术】课程 试题 (B 卷) 【闭卷考试】
姓名 学号 专业及班级
本试卷共有4道大题
一、填空题(共20分,每空1分,共11道小题)
1. 电力变换通常可以分为四大类,即交流变直流(AC-AC 、整流)、直流变交流(DC-AC 、逆变)、交流变交流(AC-AC )和直流变直流(DC-DC )。
2.按照载流子参与导电的情况,电力电子器件分为单极型器件、双极型器件和复合型器件。
3.电力二极管的工作特性是由其主要构成PN 结的单向导电性质来决定的。
4. 晶闸管有阳极A 、阴极K 和门极(控制端)G 三个联接端。
5. 按负载的性质不同,晶闸管可控整流电路的负载分为电阻性负载,阻感性负载和反电动势负载三大类。
6. 要使三相全控桥式整流电路正常工作,对晶闸管触发方法有两种,一是用 双脉冲 触发;二是用 宽脉冲 触发。
7.晶闸管单相桥式全控整流电路带反电动势负载E 时(变压器二次侧电压有效值为U 2,忽略主电路各部分的电感),与电阻负载时相比,晶闸管提前了电角度δ停止导电,δ称为()角,数量关系为δ=()。停止导电(角) 8.在电流型逆变器中,输出电压波形为正弦波,输出电流波形为方波。 9.为了减小变流电路的开、关损耗,通常让元件工作在软开关状态,软开关电 路种类很多,但归纳起来可分为零电压电路与零电流电路两大类。
10.逆变电路中,当交流侧接在电网上时称为有源逆变;当交流侧直接和负载连接时称为无源逆变。
11.逆变电路根据直流侧电源性质的不同分为两种:直流侧是电压源的称为电压型逆变电路;
电力电子试题库含答案
1.一型号为KP10-7的晶闸管,U TN= 700V I T(AV)= 10A 。1
2.中间直流侧接有大电容滤波的逆变器是电压型逆变器,交流侧输出电压波形为矩形波。
3.晶闸管串联时,给每只管子并联相同阻值的电阻R是__均压______措施。4.在SPWM的调制中,载波比是载波频率和调制波频率的比值。5.考虑变压器漏抗的可控整流电路中,在换相过程期间,两个相邻的晶闸管同时导通,对应的电角度称为换相重叠角。
6.功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为二次击穿。7.三相半波可控整流电阻性负载电路中,控制角α的最大移相围是150°。8.三相全控桥电路有 6 只晶闸管,应采用宽脉冲或双窄脉冲才能保证电路工作正常。电压连续时每个管导通120 度,每间隔60 度有一只晶闸管换流。接在同一桥臂上两个晶闸管触发脉冲之间的相位差为°。
9.型号为KP100-8的晶闸管其额定参数为:额定电压800v,额定电流100 A 。
10.考虑变压器漏抗的可控整流电路中,在换相过程期间,两个相邻的晶闸管同时导通,对应的电角度称为换相重叠角
11.抑制过电压的方法之一是用_电容__吸收可能产生过电压的能量,并用电阻将其消耗。而为抑制器件的du/dt和di/dt,减小器件的开关损耗,可采用接入缓冲电路的办法。
12.在交-直-交变频电路中,中间直流环节用大电容滤波,则称之为电压型逆变器,若用大电感滤波,则为电流型逆变器。
13.锯齿波触发电路由脉冲形成环节、锯齿波的形成和脉冲移相环节、同步环
节、双窄脉冲形成环节构成。
2013年湖南对口升学高考电子电工类专业综合知识试题(文档)
机密★启用前
湖南省2013年普通高等学校对口招生考试
电子电工类专业综合知识试题
本试题卷共五大题,共10页。时量150分钟,满分390分
一、选择题(在本题的每一小题的备选答案中,只有一个答案是正确的,本大题共20小题,每小题6分,
共120分)
1、如图所示电路中电灯灯丝被烧断,则()
A、安培表读数不变,伏特表读数为零
B、伏特表读数不变,安培表读数为零
C、安培表和伏特表的读数为零
D、安培表和伏特表的读数都不变
2、R1和R2串联,若R1:R2=2:1,且R1和R2小号的总功率为30W,则R1消耗的功率是()
A、5W
B、10W
C、15W
D、20W
3、已知一电压源的电动势为12V,内阻为2Ω,等效为电流源时,其电流源电流和内阻应是()
A、6A 3Ω
B、3A 2Ω
C、6A 2Ω
D、3A 3Ω
4、如所示电路,R1=R2=R3=R4=R,R5=2R,开关S断开和闭合时a、b之间的等效电阻分别为R开和R 合,则有()
A、R开>R合
B、R开<R合
C、R开=R合
D、不确定
5、一个电容器,当它接到220V直流电源上时,每个极板所带电荷量为q,若把它接到110V的直流电源
上,每个极板所带电荷量为()
A、q
B、2q
C、q/2
D、q/4
6、三相四线制供电线路,已知作星形联接的三相负载中A相为纯电阻,B相为纯电感,C相为纯电容,通过三相负载的电流均为10A,则中线电流为()
A、30A
B、10A
C、6.33A
D、7.32A
7、在潮湿工作场所或在金属容器内使用手提式电动用具或照明灯时,应采用的安全电压是()
湖南省2013年普通高等学校对口招生考试电子电工类专业综合知识模拟试题1
湖南省2013年普通高等学校对口招生考试
电子电工类专业综合知识模拟试题 1
本试题共13页,共5大题,50小题,时量:150分钟,满分:390分
一、单选题(每一小题中只有一个答案是正确的,
多选不给分。本大题共20小题,每个小题6分,
共120分)
1、任何一个有源二端线性网络的戴维南等效电路是( )
A 、一个理想电流源和一个电阻的并联电路
B 、一个理想电流源和一个理想电压源的并联电路
C 、一个理想电压源和一个理想电流源的串联电路
D 、一个理想电压源和一个电阻的串联电路
2、图示电路中,所有输出功率的元件( )
A 、仅有恒压源
B 、仅有恒流源
C 、有恒压源和恒流源
D 、不能确定
3、某电路元件中,按关联方向电流)90t 314sin(210i ︒-=A ,两端电压t 314sin 2220u =V ,则此元件的无功功率Q 为( ) 得分
评分人 复评人
A 、-4400W
B 、-2200var
C 、2200var
D 、
4400W 4、纯电感元件的正弦交流电路如图示,已知电源的角频率为ω,其U &与I &的正
确关系是( )
A 、L I j U ω-=&&
B 、L I j U ω=&&
C 、L 1I j U ω-=&&
D 、 L 1I j U ω=&& 5、图示电路中,u=)180t sin(U m ︒+ω,i=t sin I m ω则此
电路元件是( )
A 、电容元件
B 、电阻元件
C 、电感元件
D 、电阻与电感串联元件
6、图示电路中,u 为正弦交流电压,其角频率为ω,则此电路中的阻抗|Z|为
( )
A 、2221)C 1L ()R R (ω-
2013电工学试卷A综述
说明: 本试卷将作为样卷直接制版胶印,请命题教师在试题之间留足答题空间。
湘潭大学2013年上 学期2011 级《电工学》
课程考试试卷
(A 卷) 适用年级专业 2011级测控技术与仪器
考试方式 闭卷 考试时间 120 分钟
学院 专业 班级
学号 姓名
题 号 一 二 三 四 五 六 七 总分 阅卷 教师 得 分
………………………………………………………………………………………………………………
一、单项选择题。(每题2分,共20分)
1. 在图1所示电路中,三个电阻共消耗的功率为( )。 (A)4W (B)9W (C)20W (D)12W
2A R1R28V
4V
1A
图1
2. 在图2所示电路中,等效电阻R ab = ( )。 (A)7.5Ω (B) 15Ω (C)5Ω (D)10Ω
得 分
制卷人签名: 制卷日期: 审核人签名:: 审核日期: …………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
……………………………………………………………装…………………… 订……………………线…………………………………………………………………
15Ω
a
b
5Ω
15Ω
5Ω
15Ω
5Ω
5Ω
图2
3. 已知电路的阻抗Z=3+j4Ω,该电路的性质为( )。
(A)电容性 (B) 电感性 (C) 电阻性 (D) 不确定
4. 有“220V 、100W”“220V 、25W”白炽灯两盏,串联后接入220V 交流电源,其亮度情况是( )。
(A)两只灯泡一样亮 (B)100W 灯泡最亮 (C)25W 灯泡最亮 (D)两只灯泡都不亮
电力电子考试题库-(含答案)
一、填空(每空1分)
1、请在正确的空格内标出下面元件的简称:
电力晶体管GTR;图形符号为;
可关断晶闸管GTO;图形符号为;
功率场效应晶体管MOSFET;图形符号为;
绝缘栅双极型晶体管IGBT ;图形符号为;IGBT是 MOSFET 和GTR的复合管.
2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。
3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题,解决的方法是串专用均流电抗器.
4、在电流型逆变器中,输出电压波形为正弦波,输出电流波形为方波。
5、型号为KS100—8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为800V伏、额定有效电流为 100A。
6、180°导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个元件之间进行;而120º导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在不同桥臂上的元件之间进行的。
7、当温度降低时,晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降;当温度升高时,晶闸管的触发电流会下降、正反向漏电流会增加。
8、在有环流逆变系统中,环流指的是只流经逆变电源、逆变桥而不流经负载的电流。环流可在电路中加电抗器来限制。为了减小环流一般采控用控制角α大于β的工作方式。
9、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流
快速开关 、 控制快速移相使输出电压下降。(写出四种即可)
10、双向晶闸管的触发方式有 Ⅰ+、 Ⅰ-、 Ⅲ+、 Ⅲ- 四种 .
11、双向晶闸管的触发方式有:I+ 触发:第一阳极T1接 正 电压,第二阳极T 2接 负 电压;门极G 接正 电压,T2接 负 电压。 I — 触发:第一阳极T1接 正 电压,第二阳极T2接 负 电压;门极G 接 负 电压,T2接 正 电压。
电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)
11.实际工作中,整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数,当从0°~90°变化时,整流输出的电压ud的谐波幅值随的增大而_增大_,当从90°~180°变化时,整流输出的电压ud的谐波幅值随的增大而_减小_。
14.晶闸管直流电动机系统工作于整流状态,当电流连续时,电动机的机械特性为一组_平行的直线_,当电流断续时,电动机的理想空载转速将_抬高_,随的增加,进入断续区的电流_加大_。
15.直流可逆电力拖动系统中电动机可以实现四象限运行,当其处于第一象限时,电动机作_电动__运行,电动机_正__转,正组桥工作在_整流_状态;当其处于第四象限时,电动机做_发电_运行,电动机_反转_转,___正_组桥工作在逆变状态。
12.逆变电路中,当交流侧和电网连结时,这种电路称为_有源逆变_,欲实现有源逆变,只能采用__全控_电路;对于单相全波电路,当控制角0<<时,电路工作在__整流_状态;时,电路工作在__逆变_状态。
13.在整流电路中,能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等(可控整流电路均可),其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势,其极性和晶闸管导通方向一致,其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角> 90O,使输出平均电压Ud为负值_。
电力电子考试题库-(含答案)
一、填空(每空1分)
1、请在正确的空格内标出下面元件的简称:
电力晶体管GTR;图形符号为;
可关断晶闸管GTO;图形符号为;
功率场效应晶体管MOSFET;图形符号为;
绝缘栅双极型晶体管IGBT ;图形符号为;IGBT是 MOSFET 和GTR的复合管。
2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。
3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题,解决的方法是串专用均流电抗器。
4、在电流型逆变器中,输出电压波形为正弦波,输出电流波形为方波。
5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为800V伏、额定有效电流为 100A。
6、180°导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个元件之间进行;而120º导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在不同桥臂上的元件之间进行的。
7、当温度降低时,晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降;当温度升高时,晶闸管的触发电流会下降、正反向漏电流会增加。
8、在有环流逆变系统中,环流指的是只流经逆变电源、逆变桥而不流经负载的电流。环流可在电路中加电抗器来限制。为了减小环流一般采控用控制角α大于β的工作方式。
9、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流
快速开关 、 控制快速移相使输出电压下降。(写出四种即可)
10、双向晶闸管的触发方式有 Ⅰ+、 Ⅰ-、 Ⅲ+、 Ⅲ- 四种 。
11、双向晶闸管的触发方式有:I+ 触发:第一阳极T1接 正 电压,第二阳极T 2接 负 电压;门极G 接正 电压,T2接 负 电压。 I- 触发:第一阳极T1接 正 电压,第二阳极T2接 负 电压;门极G 接 负 电压,T2接 正 电压。
湖南工程学院试卷参考答案(1卷)
湖南工程学院试卷参考答案及评分标准(1卷)专业班级____ 命题老师___ ___至____学年第__学期
湖南工程学院试卷用纸 专业班级____________ 姓名______________ 学号______ 共__3__页 第__3__页
(装 订 线 内 不 准 答 题)
湖南工程学院试卷用纸 专业班级____________ 姓名______________ 学号______ 共__3__页 第_2__页
(装 订 线 内 不 准 答 题)
湖南工程学院试卷用纸 __至__学年第_ _学期 专业班级_ _ 姓名__________ 学号_____ 共__3__页 第__1__页
(装 订 线 内 不 准 答 题)
命题教师__________审核________________________
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
填空
1 通常电力电子技术分为信息电子和电力电子两个分支。
2 滞环比较方式的电流跟踪型pwm变流电路属于实时控制方式电流响应快。
3在硬开关过程中会产生较大的开关噪声和开关损耗。
4 电力MOSFET开通的栅源极间驱动电压一般取10~15V使IGBT开通的栅射极间驱动电压一般取15~20V.
5 在双端电路中,变压器中的电流为直流脉动电流。
6.电网频率为50HZ时,交电频电路输出上限频率是20HZ。
7.
选择题
矩阵式变频电路理论上最大的输出输入电压比(D. 0.866)
换流方式:器件换流。强迫换流。负载电流,电网换流
对晶闸管来说,通常螺栓是其(阳极)
一个控制周期中电源侧的电流脉冲波数称斩波电路的(相数)
过压保护常用(避雷器;阻容吸收;硒堆;压敏电阻;整流式阻容吸收)。
名词解释
1.PWM控制——就是对脉冲的宽度进行调制的技术。即通过对一系列脉冲的宽度
进行调制,来等效地获得所需要波形。
2.有源逆变电路——把直流电逆变成交流电的电路称为逆变电路。当交流侧和电网
连结时,这种逆变电路称为有源逆变电路。
3.交流调压电路——在每半个周波内通过对晶闸管开通相位的控制,可以方便地调
节输出电压的有效值,这种电路称为交流调压电路。
4.逆变颠覆——逆变运行时,一旦发生换相失败,外接的直流电源就会通过晶闸管
电路形成短路,或者使变流器的输出平均电压和直流电动势变成顺向串联,由于逆变电路的内阻很小,形成很大的短路电流,这种情况称为逆变失败,或逆变颠覆。
造成逆变失败的原因有逆变桥晶闸管或元件损坏,供电电源缺相,逆变角太小,触发脉冲丢失或未按时到达,
间接电流控制——为了使PWM整流电路功率因数近似为1,即要求输入电流为正弦且和电压同相位,可以有多种控制方法。根据有没有引入电流反馈可以将这些控制方法
分两种,没有引入交流电流反馈的称为间接电流控制。
自然采样法———按照SPWM控制的基本原理,在正弦波和三角波的自然交点时刻控制功率开关器件的通断。
无源逆变——把工频交流电能或直流电能变换成频率和电压都可调节的交流电能供给
负载
触发延迟角————在晶闸管整流器中,用来调压,与一般晶闸管调压系统一样,采用相位控制,通过改变触发脉冲的延迟角,来获得与逆变器输出频率相对应的不同大
小的直流电压。
比较不同
交流调压:是通过控制交流电移相触发角控制输出电压大小。
交流调功:是通过控制交流电通断比例(PWM)来控制输出功率大小
区别:小功率场合叫调压,大功率场合叫调功,调压是调电压的高低,调功是
调带负载的能力或大小
场效应晶体管简称场效应管。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压
控制型半导体器件。具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二
次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
IGBT,绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组
成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低
导通压降两方面的优点
问答题
1 电力电子装置中外因和内因过电压的主要内容分别是什么?
外因:操作过电压,雷击过电压
内因:换相过电压,关断过电压
2 什么是软开关?分类
见书200页
3缓冲电路的作用及分类
作用:抑制电力电子器件的内因过电压或过电流及减小器件的开关损耗
分类:关断和开通缓冲电路
有源逆变状态的条件是什么?
答:条件有二:①直流侧要有电动势,其极性须和晶闸管的导通方向一致,其值应大于变流电路直流侧的平均电压;
②要求晶闸管的控制角α>π/2,使U d为负值
降压原理见书119页
升降压原理见书126页
升压原理见书123页