SiC功率器件项目投资计划书

SiC功率器件项目投资计划书规划设计/投资方案/产业运营SiC功率器件项目投资计划书半导体材料已经从硅、锗第一代材料发展到SiC、GaN的第三代半导体材料，相比前两代半导体材料，SiC和GaN在禁带宽度、击穿电场、热导率等方面表现更加突出，特别适用于现阶段下游正在快速发展的5G通讯和新能源汽车市场。

该SiC功率器件项目计划总投资7092.07万元，其中：固定资产投资5475.65万元，占项目总投资的77.21%；流动资金1616.42万元，占项目总投资的22.79%。

达产年营业收入13067.00万元，总成本费用10042.99万元，税金及附加131.16万元，利润总额3024.01万元，利税总额3572.27万元，税后净利润2268.01万元，达产年纳税总额1304.26万元；达产年投资利润率42.64%，投资利税率50.37%，投资回报率31.98%，全部投资回收期4.63年，提供就业职位228个。

本文件内容所承托的权益全部为项目承办单位所有，本文件仅提供给项目承办单位并按项目承办单位的意愿提供给有关审查机构为投资项目的审批和建设而使用，持有人对文件中的技术信息、商务信息等应做出保密性承诺，未经项目承办单位书面允诺和许可，不得复制、披露或提供给第三方，对发现非合法持有本文件者，项目承办单位有权保留追偿的权利。

......SiC功率器件项目投资计划书目录第一章申报单位及项目概况一、项目申报单位概况二、项目概况第二章发展规划、产业政策和行业准入分析一、发展规划分析二、产业政策分析三、行业准入分析第三章资源开发及综合利用分析一、资源开发方案。

二、资源利用方案三、资源节约措施第四章节能方案分析一、用能标准和节能规范。

二、能耗状况和能耗指标分析三、节能措施和节能效果分析第五章建设用地、征地拆迁及移民安置分析一、项目选址及用地方案二、土地利用合理性分析三、征地拆迁和移民安置规划方案第六章环境和生态影响分析一、环境和生态现状二、生态环境影响分析三、生态环境保护措施四、地质灾害影响分析五、特殊环境影响第七章经济影响分析一、经济费用效益或费用效果分析二、行业影响分析三、区域经济影响分析四、宏观经济影响分析第八章社会影响分析一、社会影响效果分析二、社会适应性分析三、社会风险及对策分析附表1：主要经济指标一览表附表2：土建工程投资一览表附表3：节能分析一览表附表4：项目建设进度一览表附表5：人力资源配置一览表附表6：固定资产投资估算表附表7：流动资金投资估算表附表8：总投资构成估算表附表9：营业收入税金及附加和增值税估算表附表10：折旧及摊销一览表附表11：总成本费用估算一览表附表12：利润及利润分配表附表13：盈利能力分析一览表第一章申报单位及项目概况一、项目申报单位概况（一）项目单位名称xxx集团（二）法定代表人徐xx（三）项目单位简介公司一直秉承“坚持原创，追求领先”的经营理念，不断创造令客户惊喜的产品和服务。

经过10余年的发展，公司拥有雄厚的技术实力，完善的加工制造手段，丰富的生产经营管理经验和可靠的产品质量保证体系，综合实力进一步增强。

公司将继续提升供应链构建与管理、新技术新工艺新材料应用研发。

集团成立至今，始终坚持以人为本、质量第一、自主创新、持续改进，以技术领先求发展的方针。

公司自成立以来，在整合产业服务资源的基础上，积累用户需求实现技术创新，专注为客户创造价值。

未来公司将加强人力资源建设，根据公司未来发展战略和发展规模，建立合理的人力资源发展机制，制定人力资源总体发展规划，优化现有人力资源整体布局，明确人力资源引进、开发、使用、培养、考核、激励等制度和流程，实现人力资源的合理配置，全面提升公司核心竞争力。

鉴于未来三年公司业务规模将会持续扩大，公司已制定了未来三年期的人才发展规划，明确各岗位的职责权限和任职要求，并通过内部培养、外部招聘、竞争上岗的多种方式储备了管理、生产、销售等各种领域优秀人才。

同时，公司将不断完善绩效管理体系，设置科学的业绩考核指标，对各级员工进行合理的考核与评价。

公司近年来的快速发展主要得益于企业对于产品和服务的前瞻性研发布局。

公司所属行业对产品和服务的定制化要求较高，公司技术与管理团队专业和稳定，对行业和客户需求理解到位，以及公司不断加强研发投入，保证了产品研发目标的实施。

未来，公司将坚持研发投入，稳定研发团队，加大研发人才引进与培养，保证公司在行业内的技术领先水平。

（四）项目单位经营情况上一年度，xxx有限公司实现营业收入9873.78万元，同比增长29.88%（2271.62万元）。

其中，主营业业务SiC功率器件生产及销售收入为8505.94万元，占营业总收入的86.15%。

根据初步统计测算，公司实现利润总额2525.85万元，较去年同期相比增长472.95万元，增长率23.04%；实现净利润1894.39万元，较去年同期相比增长294.45万元，增长率18.40%。

上年度营收情况一览表上年度主要经济指标二、项目概况（一）项目名称及承办单位1、项目名称：SiC功率器件项目2、承办单位：xxx集团（二）项目建设地点xx保税区（三）项目提出的理由半导体材料已经从硅、锗第一代材料发展到SiC、GaN的第三代半导体材料，相比前两代半导体材料，SiC和GaN在禁带宽度、击穿电场、热导率等方面表现更加突出，特别适用于现阶段下游正在快速发展的5G通讯和新能源汽车市场。

（四）建设规模与产品方案项目主要产品为SiC功率器件，根据市场情况，预计年产值13067.00万元。

项目承办单位计划在项目建设地建设项目，具有得天独厚的地理条件，与xx省同行业其他企业相比，拥有“立地条件好、经营成本低、投资效益高、比较竞争力强”的优势，因此，发展相关产业前景广阔。

undefined （五）项目投资估算项目预计总投资7092.07万元，其中：固定资产投资5475.65万元，占项目总投资的77.21%；流动资金1616.42万元，占项目总投资的22.79%。

（六）工艺技术按目前市场的需求情况，原料存储时间约为20-30天，存放在原料仓库内；投资项目将建设原料仓库和辅助材料仓库，以满足投资项目生产的需要。

项目建成投产后，项目承办单位物资采购部门根据生产实际需要制定原材料采购计划，掌握原材料的性能、特点，在不影响产品质量的前提下，对项目所需原辅材料合理地选择品种、规格、质量，为企业节约使用原材料降低采购成本。

原材料仓库按品种分类存储；库内原辅材料的保管应按批号分存，建立严格的入库、分发制度，坚决杜绝分发差错，坚决杜绝因混批错号、混用原材料而造成的质量事故。

对于生产技术方案的选用，遵循“利用资源”的原则，选用当前较先进的集散型控制系统，控制整个生产线的各项工艺参数，使产品质量稳定在高水平上，同时可降低物料的消耗；严格按照相关行业规范要求组织生产经营活动，有效控制产品质量，为广大顾客提供优质的项目产品和良好的服务。

（七）项目建设期限和进度项目建设周期12个月。

该项目采取分期建设，目前项目实际完成投资5385.24万元，占计划投资的75.93%。

其中：完成固定资产投资3582.98万元，占总投资的66.53%；完成流动资金投资1802.26，占总投资的33.47%。

项目建设进度一览表（八）主要建设内容和规模该项目总征地面积20276.80平方米（折合约30.40亩），其中：净用地面积20276.80平方米（红线范围折合约30.40亩）。

项目规划总建筑面积20276.80平方米，其中：规划建设主体工程14364.33平方米，计容建筑面积20276.80平方米；预计建筑工程投资1448.32万元。

项目计划购置设备共计73台（套），设备购置费1875.47万元。

（九）设备方案以甄选优质供应商为原则；选择设备交货期应满足工程进度的需要，售后服务好、安装调试及时、可靠并能及时提供备品备件的设备生产厂家，力求减少项目投资，最大限度地降低投资风险；投资项目主要工艺设备及仪器基本上采用国产设备，选用生产设备厂家具有国内一流技术装备，企业管理科学达到国际认证标准要求。

主要设备的配置应与产品的生产技术工艺及生产规模相适应，同时应具备“先进、适用、经济、环境保护、节能”的特性，能够达到节能和清洁生产的各项要求；投资项目所选设备必须达到目前国内外先进水平，经生产厂家使用证明运转稳定可靠，能够满足生产高质量产品的要求。

投资项目生产工艺装备和检验设备的选用以“先进、高效、实用、节能、可靠”为原则，项目产品生产设备应具有效率高、质量好、物料损耗少、自动化程度高、劳动强度小、噪音低的特点。

项目拟选购国内先进的关键工艺设备和国内外先进的检测设备，预计购置安装主要设备共计73台（套），设备购置费1875.47万元。

第二章发展规划、产业政策和行业准入分析一、发展规划分析半导体材料已经从硅、锗第一代材料发展到SiC、GaN的第三代半导体材料，相比前两代半导体材料，SiC和GaN在禁带宽度、击穿电场、热导率等方面表现更加突出，特别适用于现阶段下游正在快速发展的5G通讯和新能源汽车市场。

SiC产业链分为三大环节，包括上游的SiC晶片、SiC外延，中游产业为SiC功率器件的制造，下游市场主要应用在新能源汽车、光伏发电、电源等领域。

SiC是现阶段高压、高功率、高频功率器件理想的材料，所以SiC功率器件在新能源车、充电桩、光伏、风电等这些对效率、节能和损耗等指标比较看重的领域，具有明显的发展前景。

相比于Si基的IGBT，SICMOS在产品尺寸、功率消耗大幅降低，在电动汽车的电池领域应用具有较强的性能提升。

2018年特斯拉的主逆变器采用SiC，随后采埃孚、博世等多家零部件制造商以及比亚迪、雷诺等汽车生产商都宣布在其部分产品中采用SiC技术。

汽车领域成为SiC功率市场快速发展的首要驱动力，2014-2019年全球SiC功率器件市场规模复合增长率35.83%，截至219年全球SiC功率器件市场规模约为6.15亿美元。

全球SiC功率器件主要应用于电动汽车、电源和光伏领域，上述三个主要市场占据了SiC功率器件市场份额65%左右。

由于我国SiC市场起步晚，绝大部分材料基本依赖进口，国产化程度偏低。

其中，上游的晶片基本被美国CREE和II-VI等美国厂商垄断。

其中CREE从SIC上游材料切入到了SIC器件，相当于其拥有了从上游SIC片到下游SIC器件的产业链一体化能力。

由于碳化硅材料特殊的物理性质，晶体切割、加工等工艺要求高，需要企业长期投入和深耕才能形成产业化生产能力，导致SiC行业门槛很高。

国内的企业均处于初创期或者刚刚介入SIC领域，包括传统的功率器件厂商华润微、捷捷微电、扬杰科技，从传统的硅基MOSFET、晶闸管、二极管等切入SIC领域，IGBT厂商斯达半导、比亚迪半导体等，但国内当前的SIC器件营收规模都比较小。