tft残像原理介绍
tft显示屏显示原理
tft显示屏显示原理TFT显示屏显示原理TFT液晶显示屏（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display）是一种广泛应用于电子产品中的平面显示技术。
它通过利用薄膜晶体管（TFT）来控制液晶分子的排列，从而实现图像的显示。
TFT显示屏具有色彩鲜艳、对比度高、响应速度快等优点，因此被广泛应用于手机、电视、电脑显示器等电子设备中。
TFT液晶显示屏的显示原理基于液晶分子的光电效应。
液晶分子是一种具有有机结构的化合物，它具有两种典型的排列状态：平行排列和垂直排列。
当液晶分子处于平行排列状态时，光线无法通过液晶层，显示屏呈现黑色；当液晶分子处于垂直排列状态时，光线可以通过液晶层，显示屏呈现透明或彩色。
TFT液晶显示屏通过在玻璃基板上加上一层薄膜晶体管阵列来控制液晶分子的排列状态。
薄膜晶体管是一种电子器件，具有开关功能。
当薄膜晶体管受到电压作用时，会改变液晶分子的排列状态。
TFT 显示屏中的每个液晶像素都与一个薄膜晶体管相连，通过控制薄膜晶体管的开关状态，可以改变液晶像素的亮度和色彩。
TFT液晶显示屏的基本组成包括玻璃基板、液晶层、薄膜晶体管阵列和背光源。
玻璃基板是显示屏的基础支撑结构，上面覆盖着液晶层。
液晶层由两层平行排列的玻璃基板组成，中间夹层填充有液晶分子。
薄膜晶体管阵列被制造在其中一层玻璃基板上，用于控制液晶分子的排列。
背光源位于另一层玻璃基板的背面，用于提供背光照明，使得显示屏可以在暗环境下正常显示。
TFT液晶显示屏的工作原理可以简单描述为以下几个步骤：1. 数据传输：显示屏接收到输入信号，将其转换为电信号，通过数据线传输到薄膜晶体管阵列。
2. 信号放大：薄膜晶体管阵列接收到电信号后，将其放大，以便能够控制液晶分子的排列状态。
3. 液晶分子排列：薄膜晶体管阵列的驱动信号作用下，液晶分子的排列状态发生改变，从而控制光线的通过与阻挡。
4. 色彩显示：通过控制液晶分子的排列状态，可以实现对光线的调节，从而显示出不同的颜色。
TFT 原理及应用-简介 (SC)
射線管等。
上、下偏光片:将入射光转变为偏振光，只有与 偏光轴同向的光才能穿过偏光片，配合液晶的 旋转可以达到控制光线强弱的目的。
TFT-LCD 的结构说明
下玻璃基板:该基板上集成了数据线、扫描线、
TFT开关、VCOM线路、ITO、存储电容CS等。
主要负责各个Sub-pixel的充放电、让光线有效 地进入、与上玻璃一起构成液晶的夹压以控制 液晶有效地偏转。 液晶(Liquid Crystal ):是介于液态与结晶态之间的
需要显示不同的明暗程度，即此为灰阶。
目前駆动IC 6位元的可顯示26 = 64灰阶, 8位元 的可顯示28 = 256灰阶.
TFT液晶显示器的基本概念
色彩:以RGB不同亮和暗灰阶混合出不同的色 彩，重现影像需要显示不同內容，即此为灰阶。 目前駆动IC, 6x3位元的可顯示218 = 65536 色 (高色彩 High Color), 8x3位元的可顯示224 = 16.7百萬色(全色彩 Full Color).
TFT-LCD的工作原理
Gamma 電壓的輸出曲線
正極性
負極性
TFT-LCD的工作原理
Gamma電壓產生電路: 需要上下兩 半部R-string
FPC/PCB板上 Source IC 內部
TFT-LCD的工作原理
伽玛校正的视觉影响
—— 输入原伽玛
—— 系統伽玛
—— 伽玛校正
TFT-LCD的工作原理
電腦顯示之圖像均是由一個個的像素(pixel)構成
TFT-LCD的工作原理
Color Filter Substrate
G
B
Clc
Clc
Clc
R
G
B
TFT-LCD残像原理与分析-基础篇
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TFT-LCD残影不良的研究与改善
TFT-LCD残影不良的研究与改善范恒亮;汤展峰;刘利萍;李静;黄静;刘岩龙【期刊名称】《液晶与显示》【年(卷),期】2016(031)003【摘要】影像残留是TFT-LCD,特别是TN型产品常见的不良,对产品良率影响很大.本文从产品设计、工艺参数、工艺管控3个方面对残影进行分析.发现产品设计时Data线两侧段差过大,是导致残影发生的主要原因,通过增加配向膜厚度和摩擦强度值可以有效降低残影,实验得出配向膜膜厚高于110 nm,摩擦强度高于5.5N,m时无残影发生.通过控制配向膜工程与摩擦工程间的延迟时间在5h,摩擦工程与对盒工程间的延迟时间在10 h,并且严格管控ITO偏移量可以有效减少Panel内部电场,从而降低残影.通过以上措施,对于15.6HD产品,良率提升了10％,为企业高效生产奠定基础.【总页数】6页(P270-275)【作者】范恒亮;汤展峰;刘利萍;李静;黄静;刘岩龙【作者单位】合肥鑫晟光电科技有限公司,安徽合肥230012;合肥鑫晟光电科技有限公司,安徽合肥230012;合肥鑫晟光电科技有限公司,安徽合肥230012;合肥鑫晟光电科技有限公司,安徽合肥230012;合肥鑫晟光电科技有限公司,安徽合肥230012;合肥鑫晟光电科技有限公司,安徽合肥230012【正文语种】中文【中图分类】TN141.9【相关文献】1.基于DOE的TFT-LCD切换残影不良改善研究 [J], 陶雄;王云志;李莹;杨德波;何云川2.TFT-LCD背板设计对线残像改善的研究 [J], 吕耀朝;王进;廖加敏;林鸿涛;陈曦;杨虹;刘耀;张洪林;贠向南;刘文瑞;吴洪江3.残影不良分析及改善对策研究 [J], 艾雨;蒋学兵4.TFT-LCD中驱动信号对线残像的改善研究 [J], 林鸿涛;郤玉生;胡海琛;胡巍浩;张亮;邵喜斌5.TFT-LCD白点不良机理研究及改善 [J], 刘信;吴伟;郭会斌;江鹏;高玉杰;郭坤;杨志;程石;林鸿涛;毛大龙;盛子沫;赵剑因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。
TFT- LCD 残像原理与分析
Apr.2012，总第135期现代显示Advanced Display TFT-LCD 残像原理与分析（基础篇）焦峰，王海宏（南京中电熊猫液晶显示科技有限公司研发中心，江苏南京210033）摘要：残像是TFT-LCD 的一种显示特性，主要表现为当液晶显示器长时间显示同一个画面，在把画面切换到下一个画面时，原先的画面会残留在下一个画面中。
文章基础篇系统地介绍TFT-LCD 残像的分类、发生机理、试验条件、判定方法和对策方向，为改善相应的显示残像问题提供较佳的处理方案。
关键词：液晶显示器；残像中图分类号：TN141.9；TN873+.93文献标识码：AThe Theory and Analysis of TFT-LCD Image Sticking(Basis)JIAO Feng,WANG Hai-hong(Nanjing CEC PANDA LCD Technology Co.,Ltd.R&D Center,Nanjing Jiangsu 210033,China)Abstract:Image Sticking is a display behavior of TFT-LCD.Mainly expressed when a static image remains displayed on the same screen for a long time,the original image will be left when the screen switches to the next image.The basis of this article will systematically introduce classification,mechanism,experiment conditions,judgment and improvement of TFT-LCD image sticking,to obtain a better image sticking improvement solution.Keywords:TFT-LCD;image sticking文章编号：1006-6268（2012）04-0054-06收稿日期：2012-03-12引言近年来液晶显示器以其低工作电压、低功耗、低辐射、低空间占有率以及轻薄美观等优势，不断普及，已成为市场的主流。
TFT残像原理介绍
TFT开关的源漏极金属相当于一个DC偏置，会把液晶中的离子型不纯物，特别是液晶掺杂技
术中的单体，吸附在TFT背沟道上，形成背沟道效应。
Development Team
工艺原因
TFT-LCD生产的各个工艺也是产生残像的重要原因之一。其中包括：产线洁净度的影响，玻璃 基板的清洗，各种工艺参数的管控，以及每道工序之间间隔时间的影响等等。TFT-生产的每一道工 序都有可能是产生残像的源头，而且分析生产工艺对残像的影响需要综合设计、材料、电路等各方 面的影响。
全星爱 2009.1.7日制 作
残像机理与改善对策介绍
Contents
1 2
残像定义与分类 形成残像的原因
3
4Байду номын сангаас5
OT残像分析历史
OT残像改善历史
残像改善Idea
Development Team
1.残像定义与分类
所谓“残像”即影像残留（Image Sticking）,是 在屏幕上长时间保持一幅静止的画面,液晶由于受到 长时间的驱动被极化,造成液晶分子不能在信号电压 控制下正常偏转。过一段时间,即便改变显示画面的 内容,屏幕上仍然可以看到以前那个静止图像的痕迹.
(二) 配向膜(PI)
目前用于液晶盒的配向膜材料，多以溶剂材料作为保存与制造的媒介，因此在液晶盒的制程中，基板洗净 与配向膜的成膜(Coating)及固化(Curing)制程也会产生少量离子，若配向膜本身不纯净，仍会让离子影响到 液晶盒样本。
(三) 封胶(Seal)及间隙物(Spacer)
封胶及控制液晶样本厚度的间隙物，也是产生离子的来源之一；为了有完整固化封胶的制程，液晶盒会存 在于长时间的高温状态，离子会有足够的时间从封胶材料及间隙物中分解出来。 (四) 电极(Electrode) 配向膜在一般考虑下是一层完全的绝缘体，若液晶样本操作在较高电压时，离子将会有机会穿越配向膜层 注入液晶盒中。 (五) CF的影响 CF是引入离子型不纯物的主要对象之一，CF中的覆盖层OC、黑色矩阵BM、色层RGB都含有树脂成分。 树脂，特别是掺杂了各种离子成分的树脂更容易引入离子不纯物。
LCD面板TFT特性相关残像研究
第３３卷㊀第３期２０１８年３月㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀液晶与显示㊀㊀㊀C h i n e s e J o u r n a l o fL i q u i dC r y s t a l s a n dD i s p l a ys ㊀㊀㊀㊀㊀V o l ．３３㊀N o ．３㊀M a r ．２０１８㊀㊀收稿日期:２０１７Ｇ１０Ｇ０９;修订日期:２０１７Ｇ１１Ｇ１５．㊀㊀∗通信联系人,E Ｇm a i l :x u z h u o ＠b o e ．c o m．c n文章编号:１００７Ｇ２７８０(２０１８)０３Ｇ０１９５Ｇ０７L C D 面板T F T 特性相关残像研究许㊀卓∗,金熙哲,吴海龙,周㊀焱,张㊀智,闵泰烨,袁剑峰(重庆京东方光电科技有限公司产品技术部,重庆４００７００)摘要:残像是影响T F T ＧL C D 画面品质的重要因素,也是发生原因最为复杂的一种不良.本论文提出了一种定量测量残像水平的方法,同时对T F T 特性引起的残像不良进行了实验研究,得到了由T F T 特性引起的交流(A C )残像发生规律及发生机理.本文通过对比研究残像画面黑白格亮度与T F T 漏电流变化曲线,同时结合像素充放电计算公式进行电压差模拟,发现黑白格像素放电差异导致的像素保持电位差异(ΔV ＞１２．５m V )是发生残像的根本原因.根据以上机理,本论文提出了两种方法改善此类残像.第一种是通过改善T F Ta ＧS i 成膜工艺减小漏电流(＜５０p A ),同时提升T F T 特性的稳定性,可以减小棋盘格画面残像评价导致的T F T 转移特性曲线偏移;第二种是通过改变栅压低电平,避开关态时不同显示区域的T F T 漏电流差异峰值;以上两种方法均可以有效改善残像(ΔL ＜０．５c d /m ２).关㊀键㊀词:残像,薄膜晶体管,交流驱动,漏电流,保持电压中图分类号:T N １４１．９㊀㊀文献标识码:A㊀㊀d o i :１０．３７８８/Y J Y X S ２０１８３３０３．０１９５I n f l u e n c e o fT F Tc h a r a c t e r o nL C D i m a g e s t i c k i n gX UZ h u o ∗,J I N X i Ｇz h e ,WU H a i Ｇl o n g,Z HO U Y a n ,Z H A N GZ h i ,M I N T a i Ｇy e ,Y U A NJ i a n Ｇf e n g(P r o d u c tT e c h n o l o g y D e p a r t m e n t ,B O EO p t o e l e c t r o n i c sT e c h n o l o g y CO ．,L T D ,C h o n g q i n g ４００７００,C h i n a )A b s t r a c t :I m a g e s t i c k i n g (I ．S ．)i s am a i n f a c t o r t h a t l o w e r s t h ed i s p l a yq u a l i t y inT F T ＧL C D ,a n d i t i s a l s o t h em o s t c o m p l i c a t e d i s s u e t h a t o c c u r r e do nL Cd i s p l a y ．I n t h i s s t u d y ,m e a s u r i n g me t h o dof I ．S ．l e v e l i s p r o p o s e d ,a n de x p e r i m e n t s a r e p e r f o r m e d t o f i n d t h e r e l a t i o n s h i p b e t w e e n i m ag e s t i c k i n g an d T F Tt r a n s f e r c u r v e ．T h e f e a t u r e o fA C i m a g e s t i c k i n g i s d i s c o v e r e d ,a n d t h em e c h a n i s mo f t h e i m a ge s t i c k i n g i s o b t a i n e d ．B y a n a l y z i n g t h e l u m i n a n c ea n dT F T I of f (L e a k a g e c u r r e n t a tT F To f f s t a t e )o n w h i t e (W )a n db l a c k (B )a r e a a t c h e s s b o a r d i m a g e a n d c o m p a r i n g th e s i m u l a t i o n r e s u l t s ,w e f i n d t h a t t h e r e c h a r g i n g d i f f e r e n c e o f p i x e l s o n Wa n dBa r e a ,w h i c h c a nb e r e s u l t i nd i f f e r e n t p i x e l h o l d i n g vo l t Ｇa g e (ΔV ＞１２．５m V ),i s r e s p o n s i b l e f o r i m a g es t i c k i n g ．B a s e do nt h i sm e c h a n i s m ,w e i n t r o d u c e dt w o m e t h o d s t o i m p r o v e i m a g e s t i c k i n g ．O n ew a y i s t o l o w e r t h eT F T I o f f (＜５０p A )a n d s t a b i l i z e t h eT F T c h a r a c t e rd u r i n g a ＧS i f o r m a t i o n p r o c e s s ,w h i c h c a n e f f e c t i v e l y de c r e a s e t h e s h if t o fT F Tt r a n s f e r c u r v e d u r i ng th e I ．S ．i m a g e a g i n g ．A n o t h e rw a y i s t o a dj u s t t h e g a t e l o wv o l t a g e (V G L )t o a p r o pe r v a l u e t h a t . All Rights Reserved.c a nde v i a t ef r o mt h e p e a ko fΔI o f f c u r v e o fWa n dBa r e a．T h i s t w om e t h o d s i s p r o v e d t o s o l v e t h eA C i m ag e s t i c k i n g e f f e c t i v e l y(ΔL＜０．５c d/m２)．K e y w o r d s:i m a g e s t i c k i n g;T F T;A Cd r i v i n g;l e a k a g e;h o l d i n g v o l t a g e１㊀引㊀㊀言㊀㊀液晶显示器由于视角广㊁画质好㊁低耗电㊁寿命长等种种优势在手机㊁笔记本及电视面板行业占据绝对市场份额.而随着人们对显示质量的要求不断提高,液晶面板存在的显示问题 残像,是业界持续改善的一项重要不良.当液晶显示器长时间停留于某一画面再切换到另一画面时,原有画面形成影响残留(I m a g eS t i c k i n g),称为残像[１].引起残像的原因有很多,当液晶组分或取向膜稳定性较差时,由于离子吸附构成内建电场容易形成残像[２],而当驱动信号产生非对称直流成分或一定程度的T F T漏电流时,也会形成残像[３].现有主流残像的发生机理中,主要包含两个因素,一个是液晶面板中包含的离子型不纯物,第二是形成偏置电压,二者缺一不可[４].本文主要通过在实际液晶面板制造过程中遇到的面残像问题,对残像发生规律以及面板T F T特性之间的关联进行了深入分析,最终发现了一种新的基于T F T特性差异化导致的交流(A C)残像发生机理,为改善T F T特性相关面残像提供了理论依据.２㊀残像评价实验２．１㊀样品制备我们基于aＧS i图案化的灰化工艺制备了３２英寸高清分辨率液晶显示屏样品.其中T F T的制造使用有源层与源漏层连续成膜,一次曝光, P R(P h o t oR e s i n)灰化,两次湿刻与两次干刻的工艺.其中,金属层成膜使用磁控溅射工艺(S p u t t e r)进行,非金属层成膜使用化学气相沉积工艺(C V D)进行,湿刻使用酸性刻蚀液进行,干法刻蚀使用E C C P工艺进行.具体制造流程如图１所示.以上工艺形成的T F T在源漏极下方存在有源层,且有源层会外延出源漏极一定的宽度(以下称A c t i v eT a i l),因此在受到光照时漏电流(以下称I o f f)会有较大幅度的上升,完成后的样品像素及T F T如图２所示.使用此工艺制造T F T基板的好处是可以减少工艺步骤提升液晶屏制造产能,而缺点则是由于存在A c t i v eT a i l而会额外增加背光照射下T F T的漏电流.图１㊀T F T制造工艺流程图F i g．１㊀T F T m a n u f a c t u r e r p r o c e ss图２㊀A D S样品像素图．(a)像素俯视图;(b)T F T俯视图;(c)T F TS E M截面图．F i g．２㊀P i x e l o fA D SP a n e l．(a)P i x e l t o p v i e w;(b)T F Tt o p v i e w;(c)T F TS E Ms e c t i o nv i e w．２．２㊀残像评价实验T F TＧL C D面板的残像评价实验一般使用棋盘格画面进行点灯老化,这种方法是业内通用的最有效的评价方法,因为黑白区可以对应施加最低与最高的像素电压.显示屏按照亮度从最低到最高分２５５个灰阶来驱动,棋盘格画面采用交错相间的黑白格组成,其中黑格区域对应灰阶为L０,白格区域对应灰阶为L２５５,本实验中显示屏被黑白格划分成５ˑ７的正方形区域,如图３(a)所示.残像评价通常在常温或高温下进行,期间液晶显示屏保持静态的棋盘格画面点灯状态.６９１㊀㊀㊀㊀液晶与显示㊀㊀㊀㊀㊀㊀第３３卷㊀. All Rights Reserved.残像评价１６８h以后对显示画面切换为中间灰阶(L１２７灰阶)画面,这时黑白格区域亮度差异最明显,这是因为液晶的电压Ｇ透过率曲线(VＧT 曲线)在中间灰阶位置斜率最大[５],较小的电压差异能产生较大的亮度差异.图３(b)是残像判定之１２７灰阶画面示意图,当残像程度轻微时屏幕黑白格区域位置均显示同一亮度,而当残像程度较重时屏幕黑白格区域位置有明显的亮度差异,本实验样品所产生的残像为面残像,同时也为正残像[１].图３㊀(a)本实验残像评价画面;(b)本实验残像判定画面及残像示意图．F i g．３㊀(a)I．S．a g i n g i m a g e i n t h i s e x p e r i m e n t;(b)I．S．j u d g i n g i m a g e i n t h i s e x p e r i m e n t．㊀㊀为了定性分析残像发生原因,我们进一步对样品进行了其他条件的残像评价测试.主要对比了液晶盒(以下称C e l l)正置背光照射㊁正置背光遮光照射㊁C e l l反置背光照射㊁反置背光遮光照射四种评价条件下的残像结果,其中C e l l正置意为T F T阵列基板朝向背光,C e l l反置意为彩膜基板(C o l o rF i l t e r,C F)朝向背光.残像评价结果如表１所示,我们发现当C e l l正置且不遮光条件下残像水平较重,而正置遮光条件下基本无残像,而C e l l反置遮光与不遮光条件下均无出现残像.根据样品＃１和样品＃３实验结果我们推测,样品发生残像主要受背光照射T F T阵列基板影响而不受背光照射彩膜基板影响,根据样品＃１和＃２背光遮光部分和不遮光部分的残像评价结果我们推测,样品的T F T阵列受到背光照射而发生残像.另外,经过１６８h(７d)残像评价以后,我们将屏取出放置１h再进行残像评价,发现残像程度有所减轻,我们推测静置可以消除液晶屏内部的直流残留影响.然而最终经过(１６８＋１)h后表１㊀不同条件残像评价实验结果T a b．１㊀I．S．r e s u l t su n d e r d i f f e r e n t e x p e r i m e n t a l c o n d i t i o n sP a n e l E x p e r i m e n t a l c o n d i t i o n sT e m p．B．L．L a y i n g S a m p l eN o．S h a d i n g B．L．１６８h r１６８h r＋１h rW i t h o u t s h a d i n g B．L．１６８h r１６８h r＋１h r３２H D２５ħ５０００c d/m２C FS id eU pC FS i d eD o w n＃１L１＜L１＞L３L３＃２L２＜L１＞L３L３＃３L３＜L１＞L１L１＃４L４＜L１＞L１L１的残像水平并不能减轻,并且调节公共电压也未发生残像轻重区域转移,因此我们定性判断为交流残像(A C).２．２㊀残像水平判定方法我们使用C AＧ３１０光学测试设备分别测试黑白格位置的亮度,并使用黑白格亮度差ΔL来定量衡量残像水平.图４(a)是残像定量测试示意图,在L１２７灰阶画面下残像区域黑格与白格区域形成十字分界线,黑格区１㊁３位置对应的亮度为L p１和L p３,白格区２㊁４位置对应的亮度为L p２和L p４,则L B l a c k＝(L p１＋L p３)/２,L W h i t e＝(L p２＋L p４)/２,ΔL＝L W h i t e－L B l a c k＝(L p２＋L p４－L p１－L p３)/２,(１)为了探究残像与T F T充放电的相关性,我们对屏幕进行了调节栅压高电平(V G H)㊁栅压低电平(以下称V G L)与公共电压的实验,最终我们发现调节栅压低电平对残像水平有明显影响(如图４(b)).我们发现若ΔL达到０．５c d/m２时会被人眼觉察到,我们定义为L１(L e v e l１)水平,而ΔLȡ１ ５c d/m２时则肉眼可观察到较为严重的程度,因此对图４(b)样品的残像水平我们定义为L３水平.２．２㊀残像水平判定方法我们在上一步评价完成后,同样按照图４(a)７９１第３期㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀许㊀卓,等:L C D面板T F T特性相关残像研究. All Rights Reserved.图４㊀(a)残像亮度测试示意图;(b)残像屏亮度测试结果．F i g．４㊀(a)L u m i n a n c em e a s u r i n g m e t h o d i n t h i s r e s e a r c h;(b)L u m i n a n c em e a s u r e m e n t f o r I．S．i n v e s t m e n t．中对应的４个区域分别进行T F T转移特性曲线测试,其中黑白格对应的漏电流同样采用１㊁３和２㊁４位置取均值的方法.T F T测试条件为源极(连接像素端)接地,漏极(连接数据线)给１０V常压,栅极(连接栅线)从－３０V~＋３０V进行扫描加压,最终测试源极和漏极之间的电流I d s.３㊀结果与分析３．１㊀残像水平光学评价结果图５是对两片严重残像程度的液晶屏(水平L３以上)测试黑白格亮度差异随栅压低电平变化示意图.图５(a)中黑格区亮度要低于白格区,在栅压低电平为－９．８V时亮度差异最大,达到２．３８c d/m２,此时残像最严重,而当V G L＞－５V或V G L＜－１５V时的ΔL＜０．５c d/m２,此时残像基本消失.图５(b)是另一片不同残像水平的屏测试黑白格亮度差异随栅压低电平变化曲线,黑白格区域在灰阶画面下亮度差为２．２９c d/m２,残像水平为L３以上;测试结果表明屏２的残像等级峰值位置(－９V)与屏１不同,但是残像变化曲线随栅压低电平变化规律大体一致.３．２㊀T F T特性评价结果根据之前的测试结果我们判断该残像与T F T特性相关,我们对上述两片样品进行了㊀图５㊀残像屏亮度及残像等级随V G L变化规律F i g．５㊀L u m i n a n c e a n d I．S．f e a t u r e v a r i e s w i t hV G Lc h a n g i n gT F T转移特性曲线测试,结果如图６所示.黑白格T F T特性曲线在栅源电压(以下称V g s)小于０V区域内有较大差异(图中只截取了V g s＜－４V 时的测试数据),我们用ΔI o f f来衡量黑白格T F T 漏电流差异,计算公式为ΔI o f f＝I d s(黑格)－I d s (白格),测试结果表明在V g s＜０V区域内ΔI o f f＞０,表示黑格区漏电流大于白格区.同时图６(a)中ΔI o f f峰值(４８．６p A)位置在V g s为－１３ ２V,表示此时的黑白格漏电流差异最大.图６中,V g s表示栅极与源极之间的压差,在像素充电过程中,V g s满足公式V g s＝V G L－V s o u r c e,(２)我们实测L１２７灰阶画面下的相邻像素V s o u r c e为４V与１２V,同时在极性反转驱动下的像素下一帧写入电压则为１２V与４V,因而实际在V g s计算公式中V s o u r c e应取为４V,这样T F T对应产生最大的漏电流.我们对图４中两片屏的黑白格ΔI o f f峰值处的V g s根据式(２)进行换算,可以得到屏１和屏２漏电流差异峰值处对应的V G L分别为９．２V和９V.再对比图４中两片样品测试的黑白格亮度差异曲线我们发现,ΔL与ΔI o f f具８９１㊀㊀㊀㊀液晶与显示㊀㊀㊀㊀㊀㊀第３３卷㊀. All Rights Reserved.图６㊀残像屏黑白格T F T 转移特性曲线差异F i g．６㊀D Ｇv a l u e o f T F Tt r a n s f e r c u r v e a t t h e a r e a o f B a n d W p a t t e r n有相同的变化趋势.３．３㊀像素电压模拟分析由于像素保持电压与公共电位的压差作用在液晶盒两端最终使得液晶透过一定的亮度,因此引起残像黑白格亮度差异的本质原因是像素保持电压的差异.像素经过充电以后进入保持阶段,会由于漏电流的原因导致保持电压不断下降,下降的电压我们用V H R 来表示.图７(a )和图７(b )分别表示正极性帧情形下和负极性帧情形下的像素电压变化曲线,在显示时间内像素先达到充电电压V ０,再经历一次跳变电压ΔV p [６],再经历一次漏电流导致的V H R ,最终达到一个实际像素的保持电压V p .正负帧情形下V p 的计算如下:V p 正帧＝V ０－ΔV p －V H RV p 负帧＝V ０－ΔV p ＋V H R{,(３)通过仿真软件利用黑白格漏电流实测数据进行保持电压的模拟,可以得到在一定的存储电容情形下像素V H R 电压变化随V g s 的变化曲线.同时,我们实测L １２７画面下的正负极性驱动电压分别为４V 和１２V ,因此我们再通过式(２)进行(a)正极性帧(a )P o s i t i v e p o l a r i t y fr a m e (b)负极性帧(b )N e g a t i v e p o l a r i t y f r a m e 图７㊀像素电压波形F i g ．７㊀P i x e l v o l t a gew a v e f o r m 换算得到V H R 随V G L 的变化曲线,如图８(a )所示,可以看到黑白格区域T F T 关断时V g s 由于正负极性反转时存在差异,保持电压下降V H R在正负图８㊀像素电压模拟结果F i g ．８㊀P i x e l v o l t a ge s i m u l a t i o n r e s u l t s 极性反转情况下也存在差异;结合式(３),我们计算黑白格位置正帧L １２７画面下对应的的像素电９９１第３期㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀许㊀卓,等:L C D 面板T F T 特性相关残像研究. All Rights Reserved.压曲线如图８(b )所示.计算结果表明,残像评价后黑白格区域的像素保持电压存在差异,在V G L为－９V 时ΔV 达到１２．５m V ,这是造成残像的根本原因.通过对图８(b )与图５对比我们可以发现V p 差异峰值与亮度差异峰值在同一个V G L 位置,表示以上模拟结果与残像测试结果基本吻合.４㊀改善方案探讨由于黑白格T F T 特性差异是在残像评价过程中发生的,因此提升T F T 器件对光照及温度的耐受稳定性是改善此类残像的工艺方向.表２是本次实验中不同a ＧS i 成膜条件下产出屏的残像水平测试结果.实验结果表明,降低a ＧS i 与源漏极之间的过渡层(表２中所示N＋a ＧS i)厚度㊁降低a ＧS i 低速成膜工艺(表２中所示A L )中的H ２气体比例㊁提升N＋a ＧS i 刻蚀后处理工艺(表２中所示N＋A T )中的S F ６气体比例,同时减小栅极膜层的坡度角(表２中所示G a t eP r o f i l e )和减小有源层对于源漏极的外延(表２中所示A c t i v eT a i l ),可以降低T F T 光照状态下的漏电流以及提升阈值电压(V t h ),在经过残像评价以后具有更小的漏电流和阈值电压的漂移量(参考表２中样品＃３数据).多次实验数据表明,当存储电容为３．１p F 时,具有初态水平漏电流小于５０pA 且阈值电压大于１．５V 的T F T 样品,最终经过残像评价后黑白格位置漏电流差异将达到小于１２p A 且阈值电压差异达到小于０．５V 的程度,这样对应的黑白格区域在１２７灰阶下显示的亮度差异将小于０．５c d /m ２,因而不能被人眼觉察为残像.图９(a )是L ３残像水平显示屏实拍效果图,图９(b )是表２中＃３显示屏样品实拍效果图,可以看到残像改善后的显示屏黑白格位置的亮度差异人眼基本不可见.表２㊀不同a ＧS i 成膜条件屏T F T 特性及残像评价结果T a b ．２㊀T F Tc h a r a c t e r a n d I ．S ．j u d ge r e s u l t s a t d if f e r e n t a ＧS i f o r m a t i o n c o n d i t i o n s P a n e lA r r a yp r o c e s s c o n d i t i o n s N＋T h i c k n e s s (n m )H ２p r o p o r t i o n a tA L S F ６p r o po r t i o n a tN＋A TO t h e rc o nd i t i o n sS a m p l e N o ．I n i t i a l c h a r a c t e rC h a r a c t e r s h i f tP h o t oI o f f/p A V t h /V ΔI o f f/p A ΔV t h /VI ．S ．l e v e l ３２H D５０３０L o wH i g h H i g h L o wL o w H i g h H i g h L o w D e c r e a s e G a t eP o f i l e ,D e c r e a s ea c t i v e t a i l＃１６８－０．１１７０．３L １＃２８１．５－０．２５２８０．６L ２＃３４３１．５５９０．３５＜L １＃４６２０．８１５０．４５L１图９㊀残像改善实验屏显示效果F i g ．９㊀D i s p l a y e x h i b i t i o no f I ．S ．i m pr o v e d p a n e l ㊀㊀另外,我们根据残像随V G L 的变化规律,在现有L ３残像水平的液晶显示屏的基础上,通过从－８V 至－５V 提升V G L 可以有效进行改善.其原理是利用了黑白格区域ΔI o f f 随V G L 提升而减小,进而将残像水平降低到L １甚至L １以下,这是见效最快的方法.而提升V G L 是否会对液晶屏带来其他附加不良效果,则需要研究者再进一步实验验证.５㊀结㊀论本论文通过黑白格画面老化对L C D 屏进行残像评价,通过中间灰阶画面(L １２７)进行残像判定,并进行亮度差异解析,最后基于转移特性曲线可以进行像素保持电压模拟,得到了与T F T 特性相关的A C 残像发生机理.此类残像既与离子００２㊀㊀㊀㊀液晶与显示㊀㊀㊀㊀㊀㊀第３３卷㊀. All Rights Reserved.型不纯物无关,也与偏置电压无关,而是黑白格位置的T F T 经过残像评价以后产生了不同程度的变化,其中的漏电流变化差异导致了不同位置漏电电压的差异,进而产生了写入同一灰阶电压的像素保持电压的差异.同时我们也提出了两种有效的残像改善方案,一种是通过a ＧS i 成膜工艺条件的改变,例如,提升了a ＧS i 对于残像评价条件(老化画面)的耐受性,进而降低了残像评价对不同位置的T F T 产生的漏电流变化量(＜１２p A ),最终减轻残像;另一种是通过适当提升栅压低电平来规避在－８V 左右产生的黑白格位置ΔI o f f 峰值进而减轻残像.通过以上两种改善方法均可以将I ．S ．水平从L ３以上(对应黑白格位置亮度差异大于１．５c d /m ２)降低到L １以下(对应黑白格位置亮度差异小于０．５c d /m ２),达到人眼难以识别的程度.参㊀考㊀文㊀献:[１]㊀焦峰,王海宏．T F T ＧL C D 残像原理与分析(基础篇)[J ]．现代显示,２０１２(４):５４Ｇ５９．J I A O F ,WA N G H H．T h e t h e o r y a n d a n a l y s i s o fT F T ＧL C D i m a g e s t i c k i n g (B a s i s )[J ]．A d v a n c e dD i s p l a y ,２０１２(４):５４Ｇ５９．(i nC h i n e s e)[２]㊀王丹,梁晓,唐洪．T F T ＧL C D 液晶材料对显示残像的影响[J ]．液晶与显示,２００８,２３(４):４１２Ｇ４１５．WA N GD ,L I A N G X ,T A N G H．I n f l u e n c eo fT F T ＧL C Dl i q u i dc r y s t a lm i x t u r eo ni m a g es t i c k i n g [J ]．C h i n e s e J o u r n a l o f L i q u i dC r y s t a l s a n dD i s p l a ys ,２００８,２３(４):４１２Ｇ４１５．(i nC h i n e s e )[３]㊀焦峰,王海宏．T F T ＧL C D 残像原理与分析Ｇ加强篇一[J ]．现代显示,２０１２(５):１６Ｇ２０．J I A OF ,WA N G H H．T h e t h e o r y a n da n a l y s i s o fT F T ＧL C Di m a g e s t i c k i n g ＧU p g r a d eⅠ[J ]．A d v a n c e dD i s p l a y ,２０１２(５):１６Ｇ２０．(i nC h i n e s e )[４]㊀林鸿涛,郤玉生,胡海琛,等．T F T ＧL C D 中驱动信号对线残像的改善研究[J ]．液晶与显示,２０１２,２７(３):３５９Ｇ３６３．L I N H T ,X IYS ,HU H C ,e t a l ．I m p r o v e m e n t r e s e a r c ho f l i n e i m a g e s t i c k i n g b y d r i v e s i g n a l i nT F T ＧL C D [J ]．C h i n e s eJ o u r n a l o f L i q u i dC r y s t a l s a n dD i s p l a ys ,２０１２,２７(３):３５９Ｇ３６３．(i nC h i n e s e )[５]㊀马群刚．T F T ＧL C D 原理与设计[M ]．北京:电子工业出版社,２０１１．MA Q G．T F T ＧL C D T h e o r y a n dD e s i g n [M ]．B e i j i n g :P u b l i s h i n g H o u s eo fE l e c t r o n i c s I n d u s t r y ,２０１１．(i nC h i Ｇn e s e)[６]㊀马占洁．改善a ＧS iT F TL C D 像素电极跳变电压方法研究[J ]．现代显示,２００９(４):１９Ｇ２２,２７．MAZJ ．T h e i n v e s t i g a t i o n t o i m p r o v e k i c k b a c k v o l t a g e o f p i x e l e l e c t r o d e o f a ＧS i T F TL C D [J ]．A d v a n c e dD i s p l a y ,２００９(４):１９Ｇ２２,２７．(i nC h i n e s e)作者简介:许卓(１９８８－),男,湖南长沙人,硕士,工程师,２０１１年于山东大学获得学士学位,２０１４年于中山大学获得凝聚态物理硕士学位,现为重庆京东方光电科技有限公司高级研究员,主要从事T F T ＧL C D 面板设计及产品技术相关工作.E Ｇm a i l :x u z h u o ＠b o e ．c o m．c n１０２第３期㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀许㊀卓,等:L C D 面板T F T 特性相关残像研究. All Rights Reserved.。
TFT液晶工作原理及常见不良分析 ppt课件
5）CROSSTALK (多见于黑底白字，白字两侧能见 到淡的横条，如下图)
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A. 晶振电阻过小。 B. 初始代码问题。帧频设置值过大。 C.元器件（倍压电容）虚焊，VGH,VGL 升压不够。 D. FPC压接问题。 E. IC压接问题。
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二、偏光片的构造
• 偏光片的构造如图2所示，主要由PVA膜，TAC膜，
TFT液晶工作原理及 常见不良分析方法
——LCM 范静提供
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一、TFT LCD 1 、什么叫TFT TFT-----Thin Film Transistor (薄膜晶体管) TFT LCD------薄膜晶体管液晶显示器
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2、TFT LCD 工作原理
在TFT-LCD中，TFT的功能就是一个开关管。常用的TFT 是三端器件。利用施加于栅极的电压来控制源、漏电极间 的电流。 对于显示屏来说，每个像素从结构上可以看作为像素电极 和共同电极之间夹一层液晶。更重要的是从电的角度可以 把它看作电容。其等效电路为图1所示。要对j行i列的像素 P（i，j）充电，就要把开关T（i，j）导通，对信号线D（i） 施加目标电压。当像素电极被充分充电后，即使开关断开， 电容中的电荷也得到保存，电极间的液晶分子继续有电场 作用。数据（列）驱动器的作用是对信号线施加目标电压， 而栅极（行）驱动器的作用是起开关的导通和断开。
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• 4.TFT LCD DRIVER 的作用 • 产生液晶显示所需各种电压，处理外部
CPU送过来的指令。 • 5. LCD, IC, FPC, POL 的结构关系：
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TFT-LCD残像原理与分析-加强篇一
图 １ 液 晶 像 素 单 元 的 等 效 电路 图和 驱 动 电压 时序 图
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分， 而导致残像。 从 要 减 小 这 种 Ｆ ｅ ｈｏ ｇ 电压 ，可 以 三 方 面 ｅ ｄ ｔ ｒｕ ｈ
入手 ：
理 论 上 ， 晶 像 素 的 写 入 期 间 的 电荷 数 等 于 保 液
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焦 峰 ， 王海 宏 ：＇ Ｌ Ｄ残 像 原 理 与 分 析 一 强 篇 一 １ 一 Ｃ Ｉ 加
文章编号 ：０ ６ ６ ６ （０ ２ ０ — ０ ６ ０ １０ — ２ ８２ １ ）５ ０ １— ５
Ｔ Ｔ Ｌ Ｄ残像原理与分析 Ｆ—Ｃ 加 强篇一
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焦
峰。 王海 宏
（ 南京 中电 熊猫液 晶显 示科技 有 限公 司研发 中心 。 江苏南 京 ２ ０ ３ ） １ ０ ３
的活 性 弱 ， ｎ的移 动 量 少 。 长 时 间 以后 在 像 素 电 Ｉ ｏ 极 侧 蓄 积 的负 电荷 要 多于 共 通 电极 侧 ， 么 将 会 产 那
生 Ｄ Ｃ偏 置 电场 而 导 致残 像 的发 生 。因 此可 以知 道 Ｉｎ的移 动 量 与 电场 强 度 强 烈 相 关 ， 时 温 度 上 升 ｏ 同 也会 加 剧 此类 现 象 的 发生 。 解 决 上 述 问题 的办 法 ， 是 恢 复 对称 的像 素 内 就
液晶显示器TFT的原理
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多点沟通，少点抱怨。多点理解，少 点争执 。21.2.1 721:25:2921:2 5Feb-2 117-Feb -21
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Gate Driver
Array面板訊號傳輸說明
Source Driver
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Drain側通道消失) 3. 4.
Cox：Gate到Channel的電容 W/L
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TFT之Vg V.S. Log Id圖
Log Id
1.0x10-5 1.0x10-6 1.0x10-7 1.0x10-8 1.0x10-9 1.0x10-10 1.0x10-11
-20 -10
0
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20
註：此圖為一特定之Vds下所量得
TFT元件結構及原理
1
TFT-LCD的面板構造
2
Array面板說明
S1 S2 S3
Sn-1 Sn
G1 G2 G3
Gm-1 Gm
TFT Source 線 Gate 線 液晶電容 儲存電容
ITO
CLC
com
TFT的基本原理及制程原理
22
Panel主要内容
1.panel等效电路 2.防静电回路 3.5道光罩
23
SPC/芝蒲
TEL/Nikon
DNS 光洋 DNS 光洋 DNS TEL/PSC 20 DNS
Mask 6：DC(保護層形成)
A
A’
A
A’
1. 成膜前洗淨 2. 成膜SiNx 3. 光阻塗佈/曝光/顯影 4. 顯影檢查 Nikon/Hitachi 5. 蝕刻(DRY) 6. 光阻去除 7. 退火
SPC/芝蒲 Barlzers TEL/Nikon
6
掃描線 信 號 線 S G D
RON ROFF
1.
TFT TFT ON 線
掃描線 線 TFT TFT (ROFF) 105
7
2.
3.
(RON) OFF TFT 線 RON ROFF
認識 TFT
D S
D S D S
G
G
G 1. TFT為一三端子元件。 2.在LCD的應用上可將其視為一開關。
8
TFT元件的運作原理
12
VID C GS
1.△V的大小關係如下: CGD:閘極與汲極間電容 CLC:液晶電容 CST:保持電路
VG
CGD
VP
CST
CLC
VCOM
(b)電路圖
2.此下降電壓△V與影像信號的極 性無關，永遠比畫素電位VP 下 降此一電壓值。因此，只要將彩 色濾光片的共用電極電位VCOM設 定成相對於信號線的中心電壓VC 低一偏移值△V，便可以使加在 畫素電極上的電壓成為正負對稱 的波形，使直流位準的電壓降誤 差到最小值。 13
18
Mask 4：CH (Contact Hole形成)
tft显现原理
tft显现原理TFT液晶显示原理TFT液晶显示技术是目前最常用的显示技术之一，它广泛应用于电视、电脑显示器、智能手机等各类电子设备中。
TFT全称为薄膜晶体管，是一种非常重要的电子元件。
本文将介绍TFT液晶显示的原理及其工作过程。
一、液晶介绍液晶是一种特殊的物质，介于固体与液体之间。
它具有类似晶体的结构，但又能像液体一样流动。
液晶分为向列型和向列型两种，其中最常用的是向列型液晶。
二、TFT液晶显示原理TFT液晶显示原理主要涉及三个关键技术：薄膜晶体管、色彩滤光片和液晶。
1.薄膜晶体管（TFT）薄膜晶体管是TFT液晶显示技术的核心部件，它由特殊材料制成，具有半导体特性。
每个像素点都有一个对应的薄膜晶体管，通过对薄膜晶体管的控制，可以控制液晶的通断状态，进而显示出不同的图像。
2.色彩滤光片色彩滤光片是用来给液晶显示屏添加颜色的。
在TFT液晶显示屏中，色彩滤光片通常是红、绿、蓝三种颜色的组合，通过调整这三种颜色的比例，可以显示出各种不同的颜色。
3.液晶液晶是TFT液晶显示屏的关键组成部分，它位于色彩滤光片与薄膜晶体管之间。
液晶的分子呈现有序排列的形态，通过改变液晶分子的排列，可以控制光的透过程度，从而实现像素点的开关。
三、TFT液晶显示工作过程TFT液晶显示屏的工作过程可以分为以下几个步骤：1.光源照明在TFT液晶显示屏的背后通常有一个光源，比如冷阴极灯管。
这个光源照亮整个显示屏。
2.光的调节经过光源照明后的光线通过色彩滤光片，根据像素点的控制信号来调节光线的强弱和颜色。
3.液晶分子排列经过色彩滤光片的光线进入液晶层，液晶分子根据控制信号的作用发生排列改变，改变了光的透过程度。
4.光的透过或阻隔根据液晶分子排列的不同，光线会被透过或阻隔。
当液晶分子排列让光线透过时，这个像素点就会显示为亮点；当液晶分子排列阻隔光线时，这个像素点就会显示为暗点。
5.形成图像通过对每个像素点的控制，液晶显示屏可以形成各种图像。
液晶显示之残影
DC残影，Vcom shift大
PI光解物残留
改善方式
VGH调整（增大）
/
Oven+重新OTP
石墨片散热
/
规格：
某手机品牌：点亮黑白相间8*8棋盘格画面，持续1hour，切换到G127画面，3min消失，判定pass等级≤JND2.3 1行；
原理
如下图，全黑全白区域的驱动电压不同，分别形成大小不等的DC偏置电压b和c。当两个区域的显示画面都显
示同一个灰阶时（127灰阶），原来黑白区域的电压偏移量分别与第127灰阶电压设计值a形成叠加。原来黑白
驱动电压，所以需综合考虑，对于IPS来说需优先考虑响应速度） 增大Cst。根据Vft公式，Cst越大，Vft越小。 灰阶补正。只在黑白灰阶△Vft超出容忍值时使用。
补正前
补正后
残影分类
常规的几种分类方法如下表所示：
残影分类
实例分类：
名称
描述
线残MODE1
水平线残 （充电不足）
线残MODE2
原理分析
DC偏置电压，主要受下面3各因素的影响
Ion 开态电流 Ioff 关态电流 Vft Feedthrough电压
Feedthrough电压概念
主要由寄生电容Cgs耦合产生，所以称作Feedthrough电压
Data line
Scan line Vd
Vgh-Vgl
G Vg Vs
质离子； 评价CF内离子析出的实验，可把CF样品放置在甲基邻苯二酚溶剂中进行试验，用阴阳离子分析法，验证杂质析出性是否不同； 提高CF的后烘温度可以作为改善残影的对策。 4）配向膜 PI是影响残影的关键因素，在DC偏置下会有选择性的吸附液晶中的杂质离子，形成残留DC偏置；配向膜的膜质、膜厚和摩擦
TFT-LCD原理及制程简介--五道光罩
Channel(通道)
(i)a-Si：H
通道與電極之接觸介面 (n+)a-Si：H
Source/Drain 電極 Cr
Contact hole
SiNx
畫素電極
ITO
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Mask 1：GE (Gate電極形成)
A
A
A’
1. 受入洗淨
A’
芝蒲
2. 濺鍍Cr (4000A)
ULVAC
3. 成膜前洗淨
島田理化/芝蒲
DNS 島田理化 ORBOTEC 田葉井
TFT元件製程結束 , 後流至ARRAY TESTER
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靜電保護：避免因Gate與Source電極的電壓差，而對TFT產生
不良的影響，達到靜電保護的目的。
Source Driver
Gate Driver
Source 線 或 Gate 線
尖 端 放 電
Short Ring
41325.. CGSPDEH製製程程
玻璃基板
ITO層:1000Å
半導體層(a-Si):1500Å
歐姆接觸層(n+ a-Si):300Å
閘極(Gate):4000Å
閘極絕緣層 (SiNx):3000Å+1000Å
保護層(SiNx):3000Å
汲極金屬層(Drain):4000Å
源極金屬層(Source):4000Å
3.一般RON與ROFF電阻比至少約為105以上。
7
認識 TFT
D
S
D
SD
S
G
G
G
1. TFT為一三端子元件。 2.在LCD的應用上可將其視為一開關。 3.為何要採 Inverted Staggered 之結構？
TFT+LCD影像残留研究
透过来，而“百叶窗”关上后光线就无法透过来。
当然，在技术上实际上实现起来就不像刚才说的那么简单。
ＬＣＤ（ＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌＤｉｓｐｌａｙ）就是利用了液晶的特性（当加热时为液态，冷却时就结晶为固态），一般液晶有三种形态：类似粘土的层列（Ｓｍｅｃｔｉｃ）近晶液晶类似细火柴棒的丝状（Ｎｅｍａｔｉｃ）向列液晶类似胆固醇状的（Ｃｈｏｌｅｓｔｉｃ）胆甾液晶液晶显示器使用的是丝状向列液晶，当外界环境变化它的分子结构也会变化，从而具有不同的物理特性——就是能够达到让光线通过或者阻挡光线的目的——也就是刚才比方的百叶窗。
图卜ｌ液晶屏剖面图以冈卜１为例ＴＦＴ的基本原理如下：一个成品ＴＦＴ显示屏，一般由一个夹层组成，这个夹层大致是由偏光板、彩色滤光片、薄膜晶体管组成，这两层之间就是液晶层。
偏光板、彩色滤光片决定了多少光可以通过以及生成何种颜色的光。
这个夹层位于两层玻璃基板之问。
在上层玻璃基板上自彩色滤光片和公共电极，而下层是薄膜晶体管，他们共同作用可以生成能精确控制的电场，电场决定了液晶的排列方式。
大家知道三原色所以构成显示屏上的每个象素需上面介绍的三个类似的基本组件来构成，分别控制红、绿、蓝三种颜色。
目前使用的最普遍的是扭曲向列ＴＦＴ液晶显示器（ＴｗｉｓｔｅｄＮｅｍａｔｉｃＴＦＴＬｃＤ），下图（１－２）就是此类ＴＦＴ显示器的的基本结构。
图１－２ＴＦＴ显示器的的基本结构在显示器上、下两层上都有沟槽，其中上层的沟槽是纵向排列，而下层是横向排列的。
当不加电压，液晶处于自然状态，从图卜３扭曲向列ＴＦＴ显示器工作原理图可以看出，由外部发散过来的光线通过夹层之后，会发生９０度的扭曲旋转，从而能在下层顺利透过。
这时液晶就呈现亮的状态。
图卜３扭曲向列ＴＦＴ显示器工作示意图当两层之间加上电压之后，就会生成一个电场，这时液晶都会垂直捧列，所以光线不会发生扭转——结果就是光线无法通过下层。
这时液晶就处于暗的状态．ＴＦＴ象素架构如图１－４所示。
TFT技术解析
TFT技术解析TFT(Thin Film Transistor)LCD即薄膜场效应晶体管LCD，是有源矩阵类型液晶显示器(AM-LCD)中的一种。
和TN技术不同的是，TFT的显示采用“背透式”照射方式——假想的光源路径不是像TN液晶那样从上至下，而是从下向上。
这样的作法是在液晶的背部设置特殊光管，光源照射时通过下偏光板向上透出。
由于上下夹层的电极改成FET电极和共通电极，在FET电极导通时，液晶分子的表现也会发生改变，可以通过遮光和透光来达到显示的目的，响应时间大大提高到80ms左右。
因其具有比TN-LCD更高的对比度和更丰富的色彩，荧屏更新频率也更快，故TFT俗称“真彩”。
相对于DSTN而言，TFT-LCD的主要特点是为每个像素配置一个半导体开关器件。
由于每个像素都可以通过点脉冲直接控制。
因而每个节点都相对独立，并可以进行连续控制。
这样的设计方法不仅提高了显示屏的反应速度，同时也可以精确控制显示灰度，这就是TFT色彩较DSTN更为逼真的原因。
目前，绝大部分笔记本电脑厂商的产品都采用TFT-LCD。
早期的TFT-LCD 主要用于笔记本电脑的制造。
尽管在当时TFT相对于DSTN具有极大的优势，但是由于技术上的原因，TFT-LCD在响应时间、亮度及可视角度上与传统的CRT 显示器还有很大的差距。
加上极低的成品率导致其高昂的价格，使得桌面型的TFT-LCD成为遥不可及的尤物。
不过，随着技术的不断发展，良品率不断提高，加上一些新技术的出现，使得TFT-LCD在响应时间、对比度、亮度、可视角度方面有了很大的进步，拉近了与传统CRT显示器的差距。
如今，大多数主流LCD显示器的响应时间都提高到50ms以下，这些都为LCD走向主流铺平了道路。
LCD的应用市场应该说是潜力巨大。
但就液晶面板生产能力而言，全世界的LCD主要集中在中国台湾、韩国和日本三个主要生产基地。
亚洲是LCD面板研发及生产制造的中心，而台、日、韩三大产地的发展情况各有不同。