功率场效应晶体管MOSFET特性试验研究及仿真 - 副本
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ID=f(Vsd)等的测试研究及仿真；
3、纯电阻及阻感负载时，MOSFET开关特性的测试研究；
二、基本要求
1、学功率场效应晶体管MOSFET的有关参数的测定方法和工作原理，设计实验步骤，做线路搭接并进行实验研究。
2、实验数据整理、绘制曲线，对实验结果和理论结果进行对比分析。
3、使用MATLAB软件对各主电路进行仿真。
放大原理和主要参数辅以实验来化解和提高学习效率是研究场效应管行之有效的方法。但由于目前MOS场效应管的实验装置普遍存在弊端，即实验装置没有充分考虑到场效应管易损的因素，即实验者误操作、带电连接电路，造成实验中场效应管大量损坏，导致实验不能顺利完成，乃至正常开展。经调查，目前高校开展MOS场效应管测试实验的较少，无法深入甚至放弃。
场效应管是一种电压控制半导体器件，应用非常广泛。目前与我们的日常生活高度相关，如现代电子计算机、超大规模成电路、数码相机、开关电源、控制电路、液晶电视、数码音响、热释电传感器等就是以场效应管为基本器件构成和发展起来的。
MOS场效应管由于特殊的结构和工艺，其栅极与导电沟道没有电接触，即绝缘的，故它的输入电阻很高，可达109Ω以上，工作时几乎栅极不取电流，又栅-源极间电容非常小，极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压（U=Q/C），将管子损坏。通俗地说，MOS场效应管比较“娇气”。因此MOS场效应管出厂时各管脚都绞合在一起，或装在金属箔内，使G极与S极呈等电位，防止积累静电荷。管子不用时，全部引线也应短接。在测量时应格外小心，并采取相应的防静电感措施。
1、当需要进入实验室做毕设实验研究时，一定要遵守实验室学生守则。
2、不准在实验室内吸烟，喧哗、打闹等。不准在实验室内吃零食。
3、要爱护设备、仪器、仪表，轻拿轻放。旋钮使用不要用力过猛，防止机械性损坏；不要超量程扭动，以确保仪器、仪表等的完好和安全使用。
4、要保持实验室的洁净、卫生。实验完毕后，要收拾清理现场，摆放整齐。
experimentii沈阳航空航天大学北方科技学院毕业设计论文mosfet管的相关知识简21场效应管的特211场效应管的命名方212场效应管的分类和结213场效应管的主要作214场效应管基本特215场效应管的主要参216场效应管与晶体管在电器特性方面的主要区别与选22场效应管的分221结型场效应管jfet222绝缘栅型场效应管mosfet223常见的n沟道mosfet参数及实31电力场效应管的结构和工作原32电力场效应管的驱动和保10321电力场效应管的驱动电10322电力场效应管的保护措41使用万用表简单测试jfet13411判定栅13412用感应信号法测jfet管放大能13413测反向电阻值的变化判断跨导的大1342内部带二极管保护mos场效应管的测14421绝缘栅型场效应管实用检测方法与技14422pmos管与nmos的判别测1751mcl0717iii沈阳航空航天大学北方科技学院毕业设计论文511mcl07挂箱中mosfet17511mcl0718512使用mcl07挂箱对mosfet电路进行研究需要注意事1852课题研究具体内1853课题研究具体步骤及部分数18531mosfet主要参数测18532快速光耦6n137输入输出延时时间的测21533驱动电路的输入输出延时时间测22534电阻负载时mosfet开关特性测22535电阻电感负载时的开关特性测22536有与没有栅极反压时的开关过程比25结束27参考文28附录实验数据记录处理与结果分29iv沈阳航空航天大学北方科技学院毕业设计论文绪论功率场控制器件泛指一切用电压信号控制工作电流的电力电子器件
四、毕业设计指导细则
（一）实验研究环节
1、在实验研究前，要确保设计的实验电路正确；实际的电路搭接正确；仪器、仪表的接入正确；实验方法和步骤正确。方可进行试验接线。
2、选择合适仪表及量程和档位；检查所用元器件（电阻、电感、电容等）量值或档位；保险丝是否符合要求，若不合要求要立即更换。
3、遵守实验操作规程。可施加规定的实验电压，检查电路及仪表。若电路，仪表正常，方可进行实验研究。
功率场效应晶体管MOSFET
特性试验研究及仿真
教学部
信息工程系
专业
自动化
班级
学号
姓名
指导教师
杜维东
负责教师
杜维东
沈阳航空工业学院北方科技学院
2015年6月
沈阳航空航天大学北方科技学院
毕 业 设 计（论文）任 务 书
教 学 部信息工程系专业自动化
班级学号姓名
毕业设计（论文）题目功率场效应晶体管MOSFET特性试验研究及仿真
8
修改论文初稿，交给指导教师审阅。
第14周(6月7日之前)
9
按要求修改论文及外文翻译，上交答辩委员会。
第15周(6月15日之前)
10
准备第1批答辩。答辩后按答辩委员会要求修改或补充论文。
第16周（6月23日）
11
准备第2批答辩，答辩后按答辩委员会要求修改论文。
第18周（7月3日之前）
12
答辩以后其他事宜（送有关教师审阅，合格后
This graduation project is a power field effect transistor (MOSFET) characteristics test research and simulation, in order to MCL - 07 MOSFET circuit for the characteristics of the research object. In this thesis, from the field effect tube related knowledge and principle of work were introduced; secondly introduces the graduation design project of the specific operation, discrimination of power field effect transistor MOSFET main parameters (turn-on threshold voltage VGS, guide through resistance RDS, the output of ID=f (VSD) )measurement method and polarity discrimination and quality of concrete steps are briefly described; finally the corresponding data are analyzed and summarized.
通过仿真测试、真实测试效果显著，制作的测试电路简单可靠，达到了预计的设计效果。克服了MOS场效应管实验装置存在的弊端。
2
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^8～10^9Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。FET应用范围很广,但不能说现在普及的双极型晶体管都可以用FET替代。然而，由于FET的特性与双极型晶体管的特性完全不同，能构成技术性能非常好的电路。
重新装订、存档等）。第1来自周(7月10日之前)13
办理离校手续等事宜。
第20周(7月17日之前)
注：1、几个重要时间（上交综述报告、中期检查、提交论文、答辩前硬件检查、毕设答辩时间等）以统一规定为准，必须遵守。否则影响毕业设计成绩。
2、参加期中检查者是根据毕业设计开题报告完成质量等因素，抽查部分学生。
5、离开实验室时，做到人走灯灭，锁好门窗。
指导教师2015年1月9日
负责教师年月日
摘
功率场效应管(Power MOSFET)也叫电力场效应晶体管，是一种单极型的电压控制器件，不但有自关断能力,而且有驱动功率小,开关速度高、无二次击穿、安全工作区宽等特点。
本毕业设计项目为功率场效应管（MOSFET）特性试验研究及仿真，以MCL－07挂箱中MOSFET电路为特性研究对象。本论文首先从场效应管的相关知识及工作原理进行了简单的介绍；其次引出了本毕业设计项目的实验具体操作，对功率场效应晶体管MOSFET主要参数（开启阀值电压VGS、导通电阻Rds，输出性ID=f(Vsd)）的测量方法及其极性判别和好坏判别的具体步骤进行了简要说明；最后对其相应数据进行了分析与总结。
关键词：功率场效应管；特性；参数；判别；实验
Abstract
Power field effect tube (power MOSFET) is also called power field effect transistor is a unipolar voltage control devices, not only self turn off capability, and has a small driving power, high switching speed, no secondary breakdown, safe operating area is wide wait for a characteristic.
（二）其它毕业设计环节
1、毕业设计过程中，若确有不解之疑问。可向指导教师提出，以寻求解决。
2、遵守学院关于毕业设计的规定，全身心投入到毕业设计。遵守纪律、勤奋钻研、
积极进取、乐观向上，以保证毕业设计的总体质量。
3、每周与指导教师见面至少1次，交流毕业设计存在的问题。尊师重教，保质保量地完成毕业设计任务。
5
完成要求的实验研究，直至取得正确实验数据，把理论和实验结果进行对比分析。
第8周（4月26日之前）
6
做各项目的仿真，并与实验电路和实验结果进行对比分析，进行归纳、总结。
第10周(5月13日之前)
7
着手毕业论文撰写工作，拟定论文提纲、论文目录，内容摘要，完成论文初稿。
第12周(5月24日之前)
接受毕设中期检查
Keywords:Power field effect tube; characteristic; parameter; discrimination; experiment
1
功率场控制器件泛指一切用电压信号控制工作电流的电力电子器件。这类器件的基本特点是输入阻抗极高,因而所需驱动功率很小,而且大多数器件在控制信号撤除之后即会自行关断,是一种高性能的自关断器件。与各种双极型电力电子器件相比,功率MOSFET从原理到性能都有很多独特之处。在电力电子电路中充分利用和发挥这些特长,可把电力电子技术推入一个新的阶段。功率MO SFET在线性放大和功率开关等方面的应用正在向深度和广度迅速发展,各种新颖电路不断问世。
4、完成一篇与该论文题目密切相关的外文资料翻译，在3500汉字以上。
5、完成《功率场效应晶体管MOSFET特性试验研究及仿真》毕业论文，文字通顺，语言规范，符合科技论文要求，不少于15000字。
三、毕业设计阶段性主要任务及完成时间要求
序号
阶段性主要任务
完成时间
1
理解毕设题目、主要内容及任务，广泛收集相关资料及外文资料（不少于10篇）。
6、全面分析异常现象的原因，寻找解决办法。在指导教师同意的情况下，可以更换已经受损的挂箱、仪表等措施后，再重试。若仍然有问题，则要彻底停止实验，直到解决实验研究中存在的问题为止。
7、要清楚实验的基本正确数据、结果和一般的正常现象。当需要进行读多个数据时，为获得尽可能的准确的实验数据，要有同伴配合，同时读数，然后记录。
第1周（3月8日之前）
2
继续收集消化相关资料（含外文资料），完成实验方案设计，拟定实验方法和实验步骤。
第2周（3月15日之前）
3
完成外文资料翻译，提交毕设综述报告1份
第4周（3月22日之前）
4
熟悉相关组件及仪器。完成实验电路设计并进行实际搭接，掌握有关实验方法。
第5周（3月29日之前）
（约3月25日交报告）
4、在实验过程中，一定要保证人身安全。必须要保证仪器、仪表安全。要监视挂箱、仪器等有无异常现象。如有异响、异味、冒烟等情况，则要立刻切断电源，停止实验。然后检查异响、异味、冒烟部位，确定是何器件出了问题。第一时间与指导教师取得联系，说明情况。
5、若仪器、仪表损坏，则需要一定的经济赔偿。一定要查明上述异常现象的原因，找出解决办法，并在实施了改正后，方可继续进行实验。在确保实验方法、实验接线等正确以后，可以重试。如果仍存在问题，请立即停止实验。
毕业设计（论文）时间2015年1月16日至2015年7月10日
毕业设计（论文）进行地点北科电力传动实验室
毕业设计（论文）的内容及要求:
一、主要内容
1、电力电子器件功率场效应晶体管MOSFET主要参数测量方法及其极性
判别和好坏判别；
2、MOSFET器件主要参数测试：开启阀值电压VGS、导通电阻Rds，输出性
2.1
MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。
功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET）,简称功率MOSFET（PowerMOSFET）。结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static Induction Transistor——SIT）。其特点是用栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单，需要的驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于GTR，但其电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。
五、参考文献
1、王兆安等主编：《电力电子技术》第5版，机械工业出版社，2010年1月
2、浙江求是公司：<电力电子及电气传动实验台实验指导书（上）>
3、栗书贤等主编：《电力电子技术实验》第1版，机械工业出版社，2004年8月
注：除此之外，要围绕毕业设计题目，尽可能多的收集其它相关参考资料或文献。
六、进入实验室注意事项
3、纯电阻及阻感负载时，MOSFET开关特性的测试研究；
二、基本要求
1、学功率场效应晶体管MOSFET的有关参数的测定方法和工作原理，设计实验步骤，做线路搭接并进行实验研究。
2、实验数据整理、绘制曲线，对实验结果和理论结果进行对比分析。
3、使用MATLAB软件对各主电路进行仿真。
放大原理和主要参数辅以实验来化解和提高学习效率是研究场效应管行之有效的方法。但由于目前MOS场效应管的实验装置普遍存在弊端，即实验装置没有充分考虑到场效应管易损的因素，即实验者误操作、带电连接电路，造成实验中场效应管大量损坏，导致实验不能顺利完成，乃至正常开展。经调查，目前高校开展MOS场效应管测试实验的较少，无法深入甚至放弃。
场效应管是一种电压控制半导体器件，应用非常广泛。目前与我们的日常生活高度相关，如现代电子计算机、超大规模成电路、数码相机、开关电源、控制电路、液晶电视、数码音响、热释电传感器等就是以场效应管为基本器件构成和发展起来的。
MOS场效应管由于特殊的结构和工艺，其栅极与导电沟道没有电接触，即绝缘的，故它的输入电阻很高，可达109Ω以上，工作时几乎栅极不取电流，又栅-源极间电容非常小，极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压（U=Q/C），将管子损坏。通俗地说，MOS场效应管比较“娇气”。因此MOS场效应管出厂时各管脚都绞合在一起，或装在金属箔内，使G极与S极呈等电位，防止积累静电荷。管子不用时，全部引线也应短接。在测量时应格外小心，并采取相应的防静电感措施。
1、当需要进入实验室做毕设实验研究时，一定要遵守实验室学生守则。
2、不准在实验室内吸烟，喧哗、打闹等。不准在实验室内吃零食。
3、要爱护设备、仪器、仪表，轻拿轻放。旋钮使用不要用力过猛，防止机械性损坏；不要超量程扭动，以确保仪器、仪表等的完好和安全使用。
4、要保持实验室的洁净、卫生。实验完毕后，要收拾清理现场，摆放整齐。
experimentii沈阳航空航天大学北方科技学院毕业设计论文mosfet管的相关知识简21场效应管的特211场效应管的命名方212场效应管的分类和结213场效应管的主要作214场效应管基本特215场效应管的主要参216场效应管与晶体管在电器特性方面的主要区别与选22场效应管的分221结型场效应管jfet222绝缘栅型场效应管mosfet223常见的n沟道mosfet参数及实31电力场效应管的结构和工作原32电力场效应管的驱动和保10321电力场效应管的驱动电10322电力场效应管的保护措41使用万用表简单测试jfet13411判定栅13412用感应信号法测jfet管放大能13413测反向电阻值的变化判断跨导的大1342内部带二极管保护mos场效应管的测14421绝缘栅型场效应管实用检测方法与技14422pmos管与nmos的判别测1751mcl0717iii沈阳航空航天大学北方科技学院毕业设计论文511mcl07挂箱中mosfet17511mcl0718512使用mcl07挂箱对mosfet电路进行研究需要注意事1852课题研究具体内1853课题研究具体步骤及部分数18531mosfet主要参数测18532快速光耦6n137输入输出延时时间的测21533驱动电路的输入输出延时时间测22534电阻负载时mosfet开关特性测22535电阻电感负载时的开关特性测22536有与没有栅极反压时的开关过程比25结束27参考文28附录实验数据记录处理与结果分29iv沈阳航空航天大学北方科技学院毕业设计论文绪论功率场控制器件泛指一切用电压信号控制工作电流的电力电子器件
四、毕业设计指导细则
（一）实验研究环节
1、在实验研究前，要确保设计的实验电路正确；实际的电路搭接正确；仪器、仪表的接入正确；实验方法和步骤正确。方可进行试验接线。
2、选择合适仪表及量程和档位；检查所用元器件（电阻、电感、电容等）量值或档位；保险丝是否符合要求，若不合要求要立即更换。
3、遵守实验操作规程。可施加规定的实验电压，检查电路及仪表。若电路，仪表正常，方可进行实验研究。
功率场效应晶体管MOSFET
特性试验研究及仿真
教学部
信息工程系
专业
自动化
班级
学号
姓名
指导教师
杜维东
负责教师
杜维东
沈阳航空工业学院北方科技学院
2015年6月
沈阳航空航天大学北方科技学院
毕 业 设 计（论文）任 务 书
教 学 部信息工程系专业自动化
班级学号姓名
毕业设计（论文）题目功率场效应晶体管MOSFET特性试验研究及仿真
8
修改论文初稿，交给指导教师审阅。
第14周(6月7日之前)
9
按要求修改论文及外文翻译，上交答辩委员会。
第15周(6月15日之前)
10
准备第1批答辩。答辩后按答辩委员会要求修改或补充论文。
第16周（6月23日）
11
准备第2批答辩，答辩后按答辩委员会要求修改论文。
第18周（7月3日之前）
12
答辩以后其他事宜（送有关教师审阅，合格后
This graduation project is a power field effect transistor (MOSFET) characteristics test research and simulation, in order to MCL - 07 MOSFET circuit for the characteristics of the research object. In this thesis, from the field effect tube related knowledge and principle of work were introduced; secondly introduces the graduation design project of the specific operation, discrimination of power field effect transistor MOSFET main parameters (turn-on threshold voltage VGS, guide through resistance RDS, the output of ID=f (VSD) )measurement method and polarity discrimination and quality of concrete steps are briefly described; finally the corresponding data are analyzed and summarized.
通过仿真测试、真实测试效果显著，制作的测试电路简单可靠，达到了预计的设计效果。克服了MOS场效应管实验装置存在的弊端。
2
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^8～10^9Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。FET应用范围很广,但不能说现在普及的双极型晶体管都可以用FET替代。然而，由于FET的特性与双极型晶体管的特性完全不同，能构成技术性能非常好的电路。
重新装订、存档等）。第1来自周(7月10日之前)13
办理离校手续等事宜。
第20周(7月17日之前)
注：1、几个重要时间（上交综述报告、中期检查、提交论文、答辩前硬件检查、毕设答辩时间等）以统一规定为准，必须遵守。否则影响毕业设计成绩。
2、参加期中检查者是根据毕业设计开题报告完成质量等因素，抽查部分学生。
5、离开实验室时，做到人走灯灭，锁好门窗。
指导教师2015年1月9日
负责教师年月日
摘
功率场效应管(Power MOSFET)也叫电力场效应晶体管，是一种单极型的电压控制器件，不但有自关断能力,而且有驱动功率小,开关速度高、无二次击穿、安全工作区宽等特点。
本毕业设计项目为功率场效应管（MOSFET）特性试验研究及仿真，以MCL－07挂箱中MOSFET电路为特性研究对象。本论文首先从场效应管的相关知识及工作原理进行了简单的介绍；其次引出了本毕业设计项目的实验具体操作，对功率场效应晶体管MOSFET主要参数（开启阀值电压VGS、导通电阻Rds，输出性ID=f(Vsd)）的测量方法及其极性判别和好坏判别的具体步骤进行了简要说明；最后对其相应数据进行了分析与总结。
关键词：功率场效应管；特性；参数；判别；实验
Abstract
Power field effect tube (power MOSFET) is also called power field effect transistor is a unipolar voltage control devices, not only self turn off capability, and has a small driving power, high switching speed, no secondary breakdown, safe operating area is wide wait for a characteristic.
（二）其它毕业设计环节
1、毕业设计过程中，若确有不解之疑问。可向指导教师提出，以寻求解决。
2、遵守学院关于毕业设计的规定，全身心投入到毕业设计。遵守纪律、勤奋钻研、
积极进取、乐观向上，以保证毕业设计的总体质量。
3、每周与指导教师见面至少1次，交流毕业设计存在的问题。尊师重教，保质保量地完成毕业设计任务。
5
完成要求的实验研究，直至取得正确实验数据，把理论和实验结果进行对比分析。
第8周（4月26日之前）
6
做各项目的仿真，并与实验电路和实验结果进行对比分析，进行归纳、总结。
第10周(5月13日之前)
7
着手毕业论文撰写工作，拟定论文提纲、论文目录，内容摘要，完成论文初稿。
第12周(5月24日之前)
接受毕设中期检查
Keywords:Power field effect tube; characteristic; parameter; discrimination; experiment
1
功率场控制器件泛指一切用电压信号控制工作电流的电力电子器件。这类器件的基本特点是输入阻抗极高,因而所需驱动功率很小,而且大多数器件在控制信号撤除之后即会自行关断,是一种高性能的自关断器件。与各种双极型电力电子器件相比,功率MOSFET从原理到性能都有很多独特之处。在电力电子电路中充分利用和发挥这些特长,可把电力电子技术推入一个新的阶段。功率MO SFET在线性放大和功率开关等方面的应用正在向深度和广度迅速发展,各种新颖电路不断问世。
4、完成一篇与该论文题目密切相关的外文资料翻译，在3500汉字以上。
5、完成《功率场效应晶体管MOSFET特性试验研究及仿真》毕业论文，文字通顺，语言规范，符合科技论文要求，不少于15000字。
三、毕业设计阶段性主要任务及完成时间要求
序号
阶段性主要任务
完成时间
1
理解毕设题目、主要内容及任务，广泛收集相关资料及外文资料（不少于10篇）。
6、全面分析异常现象的原因，寻找解决办法。在指导教师同意的情况下，可以更换已经受损的挂箱、仪表等措施后，再重试。若仍然有问题，则要彻底停止实验，直到解决实验研究中存在的问题为止。
7、要清楚实验的基本正确数据、结果和一般的正常现象。当需要进行读多个数据时，为获得尽可能的准确的实验数据，要有同伴配合，同时读数，然后记录。
第1周（3月8日之前）
2
继续收集消化相关资料（含外文资料），完成实验方案设计，拟定实验方法和实验步骤。
第2周（3月15日之前）
3
完成外文资料翻译，提交毕设综述报告1份
第4周（3月22日之前）
4
熟悉相关组件及仪器。完成实验电路设计并进行实际搭接，掌握有关实验方法。
第5周（3月29日之前）
（约3月25日交报告）
4、在实验过程中，一定要保证人身安全。必须要保证仪器、仪表安全。要监视挂箱、仪器等有无异常现象。如有异响、异味、冒烟等情况，则要立刻切断电源，停止实验。然后检查异响、异味、冒烟部位，确定是何器件出了问题。第一时间与指导教师取得联系，说明情况。
5、若仪器、仪表损坏，则需要一定的经济赔偿。一定要查明上述异常现象的原因，找出解决办法，并在实施了改正后，方可继续进行实验。在确保实验方法、实验接线等正确以后，可以重试。如果仍存在问题，请立即停止实验。
毕业设计（论文）时间2015年1月16日至2015年7月10日
毕业设计（论文）进行地点北科电力传动实验室
毕业设计（论文）的内容及要求:
一、主要内容
1、电力电子器件功率场效应晶体管MOSFET主要参数测量方法及其极性
判别和好坏判别；
2、MOSFET器件主要参数测试：开启阀值电压VGS、导通电阻Rds，输出性
2.1
MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。
功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET）,简称功率MOSFET（PowerMOSFET）。结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static Induction Transistor——SIT）。其特点是用栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单，需要的驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于GTR，但其电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。
五、参考文献
1、王兆安等主编：《电力电子技术》第5版，机械工业出版社，2010年1月
2、浙江求是公司：<电力电子及电气传动实验台实验指导书（上）>
3、栗书贤等主编：《电力电子技术实验》第1版，机械工业出版社，2004年8月
注：除此之外，要围绕毕业设计题目，尽可能多的收集其它相关参考资料或文献。
六、进入实验室注意事项