模拟电路选择题

选择题
1.在p型半导体中，多数载流子是（B ）。

A自由电子B空穴C正离子D负离子
2.在本证半导体中掺入微量三价元素，形成的杂质半导体其多数（D ）。

A正离子B负离子C自由电子D空穴
3.N型半导体又称为（ A ）型半导体。

P型半导体又称为（）型半导体。

A电子，空穴B电子，电子
C空穴，电子D空穴，空穴
4.PN结中空穴扩散运动的方向是（ A ）。

A从P区到N区B从N区到P区
C从正到负D从负到正
5.PN结外加正向电压时，空间电核区（A ）。

A变窄B变宽C不变D为零
6.外加（C ）电压时P区接电源正极，N极接电源负极，则空间电荷区变（）。

A反向，窄B反向，宽C正向，窄D正向，宽7.N型半导体是在本征半导体中加入（D ）物质后形成的。

A电子B空穴C三价元素D五价元素
8.PN结外加反向电压时，空间电荷区（B ）。

A变窄B变宽C不变D为零
A大B小C零D无穷
10.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（A ）。

A温度B掺杂工艺C杂质浓度D晶体缺陷11.P型半导体是在本征半导体中加入（D ）。

A空穴B电子C五价元素D三价元素
12.PN结上反向电压外电场与内电场方向（ B ），内电场（）。

A相反，加强B一致，加强C相反，减弱
D一致，减弱
13.稳压管是（C ）。

A普通二极管B三极管C特征二极管D场效应管14.在本征半导体中掺入微量五价元素，形成的杂质半导体，其多数载流子是（D ）
A负离子B空穴C正离子D自由电子
15.杂质半导体中，少数载流子的浓度（A ）。

A与掺杂的浓度和温度有关
B只与掺杂浓度有关
C只与温度有关
D与掺杂浓度和温度均无关
16在N型半导体中，多数载流子是（B ）。

A空穴B自由电子C负离子D正离子
A大B小 C 0 D无穷
18.稳压管的工作状态是（ C ）。

A正向导通B反向截止
C反向击穿D正向击穿
19.二极管的单向导电性是（A ）。

A正向电阻小，反向电阻大
B正向电阻小，反向电阻为0
C正向电阻大，反向电阻小
D正向电阻为0，反向电阻为0
20.二极管的反向电流受（A ）的影响较大。

A温度B正向电流C正向电压D反向电压21.在P型半导体中，多数载流子为空穴，P型半导体带电情况是（A ）
A成电中性B带正电
C带负电D不确定
22.两只稳压管分别为6v和9v.稳压值，顺向串联后可得到（B ）A3v稳压值B3v，15v两种稳压值
C15v稳压值D6v和9v之间任意值
23.PN结承受外加正向电压，处于（B ）工作状态。

A截止B导通C带正电D带负电
24.PN结中自由电子的扩散方向是（B ）。

A从P到N区B从N区到P区
C取决于外加电压方向D随机的
25.稳压管工作在伏安特性的（D ）
A死区B正向导通区C反向截止区D反向击穿区26.当温度升高后，二极管的正向电压（B ）
A增大B减小C不变D不定。