电力电子复习题
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绪论
填空题:
1.电力电子技术是使用__电力电子______器件对电能进行__变换和控制______的技术。
2.电能变换的含义是在输入与输出之间,将___电流_____、___电压_____、___频率_____、____相数____、__电力______中的一项以上加以改变。
3.电力变换的四大类型是:_交流变直流_______、___直流变交流_____、___直流变直流_____、____交流变交流____。
4. 在功率变换电路中,为了尽量提高电能变换的效率,所以器件只能工作在___开关_____状态,这样才能降低___功率损耗_____。
5. 电力电子器件按照其控制通断的能力可分为三类,即: __不可控器件______、_半控器件_______、__全控器件______。
6. 电力电子技术的研究内容包括两大分支:____电力电子器件制造____________ 技术和___变流_____技术。
7.半导体变流技术包括用电力电子器件构成____各种电力变换_________电路和对其进行控制的技术,以及构成__电力电子______装置和___电力电子_____系统的技术。
8.电力电子技术是应用在___电气工程_____领域的电子技术。
9.电力电子技术是一门由__电力学______、_电子学_______、__控制理论______三个学科交叉形成的新的边缘技术学科。
简答题
1. 什么是电力电子技术?
2. 电能变换电路的有什么特点?机械式开关为什么不适于做电能变换电路中的开关?
3. 电力变换电路包括哪几大类?
第1章电力电子器件
填空题:
1.电力电子器件一般工作在_ 开关_______状态。
2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗_____,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为___开关损耗_____。
3.电力电子器件组成的系统,一般由____控制电路____、__驱动电路______、 __ ______三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加__保护电路______。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为___单极型器件_____ 、 __双极型器件______ 、_复合型器件_______三类。
5.按照器件能够被控制的程度,电力电子器件可分为以下三类:、
和。
6.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为_____电流驱动型___和___电压驱动型_____两类。。
7. 电力二极管的主要类型有普通二极管、快恢复、肖特基。
8. 普通二极管又称整流二极管多用于开关频率不高,一般为1kHz Hz以下的整流电路。其反向恢复时间较长,一般在5us 以上。
9.快恢复二极管简称快速二极管,其反向恢复时间较短,一般在5us 以
下。
10.肖特基二极管的开关损耗__小于______快恢复二极管的开关损耗。
11.晶闸管的基本工作特性可概括为:承受反向电压时,不论是否有触发电
流,晶闸管都不会导通;承受正向电压时,仅在门极有触发电流情
况下,晶闸管才能导通;晶闸管一旦导通,门极就失去控制作用。要
使晶闸管关断,只能使晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以
下。
12.对同一晶闸管,维持电流I H与擎住电流I L在数值大小上有I L___大于
_____I H。
13.晶闸管断态不重复电压U DRM与转折电压U bo数值大小上应为,U DRM___大于
_____Ubo。
14.逆导晶闸管是将__二极管______与晶闸管__反并联______(如何连接)在同
一管芯上的功率集成器件。
15. 普通晶闸管关断时间数百微秒,快速晶闸管数十微
秒,高频晶闸管
10us 左右。高频晶闸管的不足在于其电压和电流定额
不易做高。
16.双向晶闸管可认为是一对反并联联接的普通晶闸管的集成。
17. 光控晶闸管又称光触发晶闸管,是利用一定波长触发导通的晶
闸管。光触发保证了主电路与控制电路之间的绝缘,且可避免电磁干
扰的影响。常应用在高压大功率的场合。
18.GTO的_多元集成_______结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
19.电力MOSFET的通态电阻具有__正______温度系数。
20.IGBT 的开启电压U GE(th)随温度升高而__略有下降______,开关速度__小于
______电力MOSFET 。
21.功率集成电路PIC分为二大类,一类是高压集成电路,另一类是__智能功率
集成电路______。
22.抑制过电压的方法之一是用__储能元件______吸收可能产生过电压的能量,
并用电阻将其消耗。在过电流保护中,快速熔断器的全保护适用于___小_____
功率装置的保护。
23. 主电路是在电气设备或电力系统中,直接承担电能的变换或控制
的电路。
24. GTO的开通控制方式与晶闸管相似,但是可以通过在门极
施加负的脉冲电流使其关断。
25.电力MOSFET导通的条件是:且
。开关时间的大致范围是:10 ~ 100ns 。
19.IGBT是由GTR 和MOSFET 两类器件取长补短结合而成的复合
器件。
20.IGBT导通的条件是:且。
简答题:
1..电力电子器件是如何定义和分类的?同处理信息的电子器件相比,它的特点