电力电子复习题

合集下载
  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。

绪论

填空题:

1.电力电子技术是使用__电力电子______器件对电能进行__变换和控制______的技术。

2.电能变换的含义是在输入与输出之间,将___电流_____、___电压_____、___频率_____、____相数____、__电力______中的一项以上加以改变。

3.电力变换的四大类型是:_交流变直流_______、___直流变交流_____、___直流变直流_____、____交流变交流____。

4. 在功率变换电路中,为了尽量提高电能变换的效率,所以器件只能工作在___开关_____状态,这样才能降低___功率损耗_____。

5. 电力电子器件按照其控制通断的能力可分为三类,即: __不可控器件______、_半控器件_______、__全控器件______。

6. 电力电子技术的研究内容包括两大分支:____电力电子器件制造____________ 技术和___变流_____技术。

7.半导体变流技术包括用电力电子器件构成____各种电力变换_________电路和对其进行控制的技术,以及构成__电力电子______装置和___电力电子_____系统的技术。

8.电力电子技术是应用在___电气工程_____领域的电子技术。

9.电力电子技术是一门由__电力学______、_电子学_______、__控制理论______三个学科交叉形成的新的边缘技术学科。

简答题

1. 什么是电力电子技术?

2. 电能变换电路的有什么特点?机械式开关为什么不适于做电能变换电路中的开关?

3. 电力变换电路包括哪几大类?

第1章电力电子器件

填空题:

1.电力电子器件一般工作在_ 开关_______状态。

2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗_____,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为___开关损耗_____。

3.电力电子器件组成的系统,一般由____控制电路____、__驱动电路______、 __ ______三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加__保护电路______。

4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为___单极型器件_____ 、 __双极型器件______ 、_复合型器件_______三类。

5.按照器件能够被控制的程度,电力电子器件可分为以下三类:、

和。

6.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为_____电流驱动型___和___电压驱动型_____两类。。

7. 电力二极管的主要类型有普通二极管、快恢复、肖特基。

8. 普通二极管又称整流二极管多用于开关频率不高,一般为1kHz Hz以下的整流电路。其反向恢复时间较长,一般在5us 以上。

9.快恢复二极管简称快速二极管,其反向恢复时间较短,一般在5us 以

下。

10.肖特基二极管的开关损耗__小于______快恢复二极管的开关损耗。

11.晶闸管的基本工作特性可概括为:承受反向电压时,不论是否有触发电

流,晶闸管都不会导通;承受正向电压时,仅在门极有触发电流情

况下,晶闸管才能导通;晶闸管一旦导通,门极就失去控制作用。要

使晶闸管关断,只能使晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以

下。

12.对同一晶闸管,维持电流I H与擎住电流I L在数值大小上有I L___大于

_____I H。

13.晶闸管断态不重复电压U DRM与转折电压U bo数值大小上应为,U DRM___大于

_____Ubo。

14.逆导晶闸管是将__二极管______与晶闸管__反并联______(如何连接)在同

一管芯上的功率集成器件。

15. 普通晶闸管关断时间数百微秒,快速晶闸管数十微

秒,高频晶闸管

10us 左右。高频晶闸管的不足在于其电压和电流定额

不易做高。

16.双向晶闸管可认为是一对反并联联接的普通晶闸管的集成。

17. 光控晶闸管又称光触发晶闸管,是利用一定波长触发导通的晶

闸管。光触发保证了主电路与控制电路之间的绝缘,且可避免电磁干

扰的影响。常应用在高压大功率的场合。

18.GTO的_多元集成_______结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。

19.电力MOSFET的通态电阻具有__正______温度系数。

20.IGBT 的开启电压U GE(th)随温度升高而__略有下降______,开关速度__小于

______电力MOSFET 。

21.功率集成电路PIC分为二大类,一类是高压集成电路,另一类是__智能功率

集成电路______。

22.抑制过电压的方法之一是用__储能元件______吸收可能产生过电压的能量,

并用电阻将其消耗。在过电流保护中,快速熔断器的全保护适用于___小_____

功率装置的保护。

23. 主电路是在电气设备或电力系统中,直接承担电能的变换或控制

的电路。

24. GTO的开通控制方式与晶闸管相似,但是可以通过在门极

施加负的脉冲电流使其关断。

25.电力MOSFET导通的条件是:且

。开关时间的大致范围是:10 ~ 100ns 。

19.IGBT是由GTR 和MOSFET 两类器件取长补短结合而成的复合

器件。

20.IGBT导通的条件是:且。

简答题:

1..电力电子器件是如何定义和分类的?同处理信息的电子器件相比,它的特点

相关文档
最新文档