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N通道: 利用感應少數載體形成的通到，增加汲極的電流量
P通道: 以P+區為汲極及源極，以電洞為電荷載子，除了vGS、vDS及臨界電壓Vt 為負外，元件的操作方式與N通道相同，電流iD是由源極流向汲極
二、工作原理 1. 電路符號 2.MOSFET特性曲線 3.MOSFET工作特性曲線 4.MOSFET次導通區
(2) 符號
中間的垂直線代表通道。 P型基體：箭頭朝內。 N型通道：源極的箭頭朝外。 其符號是模仿NPN。
N通道空乏型MOSFET (1) 操作情形
VGS 0，適當的加入VDS 電壓，則產生 有效的電流（此與JFET相同）。
VGS < 0，通道感應正電荷，並減少通
道多數載子，使得汲極電流減少（空
MOSFET
一、MOSFET的种类
1.N通道耗尽型与增强型MOSFET 2.P通道耗尽型与增强型MOSFET
N通道空乏型及增強型MOSFET
耗尽型:漏极D及源极S之间以通道连接 增強型:漏极D及源极1) 結構
於低摻雜量的P型基體內擴散成兩 個高雜量之N+ 區域，分別當作源、 汲極。 上層覆蓋二氧化硅（Si O2 ）層。 閘極未加偏壓時，本身已有通道。
(2)符號
N型基體：箭頭朝外。 P型通道：源極的箭頭朝內。 其符號是模仿PNP。
P通道增強型MOSFET的結構與符號
與空乏型MOSFET類似。 (1) 結構 汲、源極間沒有實質的通道。
(2) 符號
N型基體（箭頭朝外）、 P型通道 （源極箭頭朝內）。 中間的垂直虛線表示無通道存在。
N、P通道增強型MOSFET工作原理
N通道增強型MOSFET
(1) 基本動作原理
操作 情形
當 VGS 0時，MOSFET處於截止狀態。 當 VGS 0時，在閘極下方形成一個空乏區。 當 VGS （ Vth Vth 稱為臨界電壓）時，電子就
被引進入這一空乏區，汲、源極間有了N
型通道，產生電流。
N通道增強型MOSFET
(1) 基本動作原理
乏模式）。
，通道感應負電荷，並增加通
道的載子，使得汲極電流增加（增強
模式）。
N通道增強型MOSFET的結構與符號 增強型MOSFET的結構與空乏型
(1) 結構
MOSFET非常類似。 汲、源極間沒有實質的通道。
(2) 符號
P型基體（箭頭朝內）、 N型通 道（源極箭頭朝外）。
中間的垂直虛線表示無通道存在。
操作 情形
當 VGS 0時，MOSFET處於截止狀態。 當 VGS 0時，在閘極下方形成一個空乏區。 當 VGS （ Vth Vth 稱為臨界電壓）時，電子就
被引進入這一空乏區，汲、源極間有了N
型通道，產生電流。
P通道空乏型及增強型MOSFET
P通道空乏型MOSFET的結構與符號
(1) 結構：N型基體為製造MOSFET元件的基礎層 ，整個元件是製作在一塊基體上的。
1.
2.
3.
4.
P通道: 以P+區為汲極及源極，以電洞為電荷載子，除了vGS、vDS及臨界電壓Vt 為負外，元件的操作方式與N通道相同，電流iD是由源極流向汲極
二、工作原理 1. 電路符號 2.MOSFET特性曲線 3.MOSFET工作特性曲線 4.MOSFET次導通區
(2) 符號
中間的垂直線代表通道。 P型基體：箭頭朝內。 N型通道：源極的箭頭朝外。 其符號是模仿NPN。
N通道空乏型MOSFET (1) 操作情形
VGS 0，適當的加入VDS 電壓，則產生 有效的電流（此與JFET相同）。
VGS < 0，通道感應正電荷，並減少通
道多數載子，使得汲極電流減少（空
MOSFET
一、MOSFET的种类
1.N通道耗尽型与增强型MOSFET 2.P通道耗尽型与增强型MOSFET
N通道空乏型及增強型MOSFET
耗尽型:漏极D及源极S之间以通道连接 增強型:漏极D及源极1) 結構
於低摻雜量的P型基體內擴散成兩 個高雜量之N+ 區域，分別當作源、 汲極。 上層覆蓋二氧化硅（Si O2 ）層。 閘極未加偏壓時，本身已有通道。
(2)符號
N型基體：箭頭朝外。 P型通道：源極的箭頭朝內。 其符號是模仿PNP。
P通道增強型MOSFET的結構與符號
與空乏型MOSFET類似。 (1) 結構 汲、源極間沒有實質的通道。
(2) 符號
N型基體（箭頭朝外）、 P型通道 （源極箭頭朝內）。 中間的垂直虛線表示無通道存在。
N、P通道增強型MOSFET工作原理
N通道增強型MOSFET
(1) 基本動作原理
操作 情形
當 VGS 0時，MOSFET處於截止狀態。 當 VGS 0時，在閘極下方形成一個空乏區。 當 VGS （ Vth Vth 稱為臨界電壓）時，電子就
被引進入這一空乏區，汲、源極間有了N
型通道，產生電流。
N通道增強型MOSFET
(1) 基本動作原理
乏模式）。
，通道感應負電荷，並增加通
道的載子，使得汲極電流增加（增強
模式）。
N通道增強型MOSFET的結構與符號 增強型MOSFET的結構與空乏型
(1) 結構
MOSFET非常類似。 汲、源極間沒有實質的通道。
(2) 符號
P型基體（箭頭朝內）、 N型通 道（源極箭頭朝外）。
中間的垂直虛線表示無通道存在。
操作 情形
當 VGS 0時，MOSFET處於截止狀態。 當 VGS 0時，在閘極下方形成一個空乏區。 當 VGS （ Vth Vth 稱為臨界電壓）時，電子就
被引進入這一空乏區，汲、源極間有了N
型通道，產生電流。
P通道空乏型及增強型MOSFET
P通道空乏型MOSFET的結構與符號
(1) 結構：N型基體為製造MOSFET元件的基礎層 ，整個元件是製作在一塊基體上的。
1.
2.
3.
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