LED外延片及其生长工艺介绍

LED外延片及其生长工艺介绍
LED外延片是由不同材料组成的多层晶体结构，其中包括衬底、缓冲层、活性层和包埋层。

衬底通常采用蓝宝石或碳化硅等材料，它的选择决定了LED芯片的电学性能和热学特性。

缓冲层用于降低晶格失配和提高外延层的质量，通常由氮化铝等材料构成。

活性层是LED发光材料，根据不同的发光波长选择不同的材料，如氮化镓、磷化铟镓等。

包埋层用于保护活性层，通常由氮化铝等材料构成。

MOCVD是一种在高温和高真空环境下进行的气相生长技术。

生长过程中，金属有机化合物和气体反应生成LED外延片的材料。

首先，通过加热衬底使其表面达到高温状态；然后，将金属有机化合物和载气分别送入反应室中；在反应室中，金属有机化合物和载气发生热解反应，生成金属原子和气体等；金属原子和气体沉积在高温的衬底表面上，形成外延层。

MOCVD生长过程中，需要控制反应温度、气体流量、反应时间等参数，以获得理想的外延层。

MBE是一种在低温和超高真空环境下进行的分子束生长技术。

该技术通过将材料原子逐个蒸发并束缚成细束，直接沉积在衬底上。

MBE生长过程中，需要控制蒸发源温度、衬底温度、分子束流、蒸发速率等参数，以保证外延层的质量和均匀性。

挤压法是一种通过压缩固体材料，使其产生塑性变形，并在压力下生长外延层的技术。

该方法适用于外延层厚度较小的情况，能够提高外延层的质量和均匀性。

除了上述的MOCVD、MBE和挤压法外，还有其他的LED外延片生长工艺，如气相外延法、液相外延法等。

这些方法都有各自的特点和适用范围，可以根据不同的需求进行选择。

总结起来，LED外延片是构成LED芯片的重要组成部分，生长工艺对
其性能和质量有着重要的影响。

MOCVD是目前最常用的生长工艺，它通过
在高温和高真空环境下进行气相生长，获得理想的外延层。

MBE和挤压法
等也是常见的生长工艺，具有各自的优点和适用范围。

不同的生长工艺可
以根据需求选择，以获得高质量的LED外延片。