电子与通信技术：集成电路工艺原理必看考点(强化练习)

电子与通信技术：集成电路工艺原理必看考点（强化练习）
1、判断题成品率是指在一片晶圆上所有芯片中好芯片所占的百分比。

正确答案：对
2、填空题用于热工艺的立式炉的主要控制系统分为五部分（）、（）、气体分配系统、尾气系统和（）。

答（江南博哥）案：工艺腔；硅片传输系统；温控系统
3、问答题封装中涉及到的主要材料有哪些？
正确答案：引线材料；引线框架材料；芯片粘结材料；模塑料；焊接材料；封装基板材料。

4、判断题大马士革工艺的名字来源于几千年前叙利亚大马士革的一位艺术家发明的一种技术。

正确答案：对
5、判断题集成电路制造就是在硅片上执行一系列复杂的化学或者物理操作。

简而言之，这些操作可以分为四大基本类：薄膜制作、刻印、刻蚀和掺杂。

正确答案：对
6、问答题矩形片式电阻由哪几部分组成？各部分的主要作用是什么？
正确答案：基板：基板要具有良好的电绝G8P-1A4PDC12缘性、导热性和机械强度高等特征。

一般基板的材科多采用高纯度的（96%）AL203陶瓷。

其工艺要求表面平整、划线准确，以确保电阻、电极浆料印制到位。

电极：片式电阻器一般都采用三层电极结构，最内层的是内层电极，它是连接电阻体位于中间层的是中间电极，它是镀镍（Ni）层，也被称为阻挡层，其主要作用是提高电阻器在焊接时的耐热性，避免造成内层电极被溶蚀。

位于最外层的是外层电极，它也被称为可焊层，该层除了使电极具有良好的可焊性外，还可以起到延长电极保存期的作用。

通常，外层电极采用锡一铅（S。

-PB.合金电镀而成。

电阻膜：电阻膜是采用具有一定电阻率的电阻浆料印制在陶瓷基板上，然后再经过烧结而成的厚膜电阻。

保护层：保护层位于电阻膜的外部，主要起保护作用。

它通常可以细分为封包玻璃保护膜、玻璃釉涂层和标志玻璃层。

7、判断题20世纪90年代初期使用的第一台CMP设备是用样片估计抛光时间来进行终点检测的。

正确答案：对
8、问答题SMT电路基板（SMB）的主要特点？
正确答案：高密度：SMB引脚数增加，线宽和间距缩小。

小孔径：表面过孔用于实现层间连接。

CTE低：CTE失配，元器件与电路板之间的热失配对SMB的CTE提出更高要求。

耐高温性能：双面SMT，SMB需要经受两次再流焊。

平整度好：要求SMB焊盘与元器件引脚、端子紧密接触。

9、判断题化学机械平坦化，简称CMP，它是一种表面全局平坦化技术。

正确答案：对
10、问答题简要说明IC制造的平坦化工艺的作用是什么？主要有哪些方式？并解释各种方式的详细内容。

正确答案：在多层布线立体结构中，把成膜后的凸凹不平之处进行抛光研磨，使其局部或全局平坦化。

A.关于ECMP（电化学机械研磨方法），其工作步骤如下：首先，用电能使Cu氧化，再用络合剂使之生成Cu的络合物，最终研磨掉Cu络合物。

从对加工面进行研磨加工的原理观察，除了Cu的氧化方法之外，ECMP和CMP是同样的，而且加工面获得的平坦度性能也是同等水平。

但是，ECMP的必要条件是底座盘应具备导电性。

B.关于电解研磨ECP方法，利用电镀的逆反应。

从电场集中之处开始进行刻蚀，可获得平滑的研磨加工表面；但是，它能刻蚀平坦的区域只限于突起部分。

C.关于化学蚀刻CE构成的平坦化技术，它是把Si的精细加工等领域里使用的各向异性刻蚀用湿式刻蚀法实现的。

关于湿式刻蚀法虽然对于平坦化无能为力，但是，若把圆片一面旋转一面加工，则产生各向异性，体现出平坦化能力。

11、名词解释横向扩散
正确答案：由于光刻胶无法承受高温过程，扩散的掩膜都是二氧化硅或氮化硅。

当原子扩散进入硅片，它们向各个方向运动：向硅的内部，横向和重新离开硅片。

假如杂质原子沿硅片表面方向迁移，就发生了横向扩散。

12、问答题简述离子注入工艺中退火的主要作用？
正确答案：由于离子注入所造成的损伤区及畸形团，增加了散射中心及陷阱能级，使迁移率和寿命等半导体参数下降。

此外，大部分的离子在被注入时并不位于替位位置，未退火之前的注入区域将呈显高阻区。

为（1）激活被注入的离子（使其变成替位杂质）；（2）恢复有序的晶格结构（如果是无定形结构，就谈不上替位杂质与间隙杂质），其目的是恢复迁移率（减少散射中心）和恢复寿命（减少缺陷能级，减少陷阱），必须在适当的时间与温度下将半导体退火。

13、填空题在干法刻蚀中发生刻蚀反应的三种方法是（）、（）和（）。

正确答案：化学作用；物理作用；化学作用与物理作用混合
14、判断题二氧化硅是一种介质材料，不导电。

正确答案：对
15、问答题说明APCVDLPCVDPECVD各自的含义及特点。

正确答案：含义：APCVD——常压化学气相沉积法；LPCVD——低压化学气相沉积法；PECVD——等离子体增强型化学气相沉积法。

特点：APCVD制程发生在大气压力常压下，适合在开放环境下进行自动化连续生
产。

APCVD易于发气相反应，沉积速率较快，可超过1000A/min，适合沉积厚介质层。

但由于反应速度较快，两种反应气体在还未到达硅片表面就已经发生化学反应而产生生成物颗粒，这些生成物颗粒落在硅片表面，影响硅片表面的薄膜生长过程，比较容易形成粗粗糙的多孔薄膜，使得薄膜的形貌变差.
低气压（133.3PA.下的CVD较长的平均自由路径可减少气相成核几率，减少颗粒，不需气体隔离，成膜均匀性好；晶圆垂直装载和提高生产力；但是反应速率较低，需要较高的衬底温度。

APCVD通常使用稀释的硅烷（在氮中占3%）和LPCVD使用纯硅烷。

PECVD低温下有高的沉积速率；射频在沉积气体中感应等离子体场；表面所吸附的原子不断受到离子与电子的轰击容易迁移使成膜均匀性好台阶覆盖性好；射频控制沉积薄膜的应力；反应室可用等离子体清洗。

16、判断题对于大马士革工艺，重点是在于金属的刻蚀而不是介质的刻蚀。

正确答案：错
17、判断题CD越小，源漏结的掺杂区越深。

正确答案：对
18、填空题芯片硅片制造厂可以分为6个独立的生产区：扩散区、（）、刻蚀区、（）、（）和抛光区。

正确答案：光刻区；注入区；薄膜区
19、判断题世界上第一块集成电路是用硅半导体材料作为衬底制造的。

正确答案：错
20、判断题离子注入中静电扫描的主要缺点是离子束不能垂直轰击硅片，会导致光刻材料的阴影效应，阻碍离子束的注入。

正确答案：对
21、判断题硅中的杂质只有一部分被真正激活，并提供用于导电的电子或空穴（大约3%~5%），大多数杂质仍然处在间隙位置，没有被电学激活。

正确答案：对
22、问答题简述BGA的安装互联技术？
正确答案：安装前需检查BGA焊球的共面性以及有无脱落，BGA在PWB上的安装与目前的SMT工艺设备和工艺基本兼容。

先将低熔点焊膏用丝网印制到PWB上的焊区作列上，用安装设备将BGA对准放在印有焊膏的焊区上，然后进行标准的SMT再流焊。

23、判断题旋涂膜层是一种传统的平坦化技术，在0.35μm及以上器件的制造中常普遍应用于平坦化和填充缝隙。

正确答案：对
24、判断题人员持续不断地进出净化间，是净化间沾污的最大来源。

正确答案：对
25、判断题在半导体产业界第一种类型的CVD是APCVD。

正确答案：对
26、问答题简述MCM的BGA封装？
正确答案：BGA封装适用于MCM封装，能够实现MCM的高密度，高性能。

27、问答题简述焊接材料？
正确答案：焊接材料是指焊接时所消耗材料，有软焊接材料，Sn—Pb，低于450摄氏度，还有硬焊接材料。

28、名词解释间隙式扩散
正确答案：间隙式扩散指间隙式杂质从一个间隙位置运动到相邻的间隙位置。

29、判断题离子注入是一个物理过程，不发生化学反应。

正确答案：对
30、问答题倒装焊芯片凸点的分类、结构特点及制作方法？
正确答案：蒸镀焊料凸点：蒸镀焊料凸点有两种方法，一种是C4技术，整体形成焊料凸点；
电镀焊料凸点：电镀焊料是一个成熟的工艺。

先整体形成UBM层并用作电镀的导电层，然后再用光刻胶保护不需要电镀的地方。

电镀形成了厚的凸点。

印刷焊料凸点：焊膏印刷凸点是一种广泛应用的凸点形成方法。

印刷凸点是采用模板直接将焊膏印在要形成凸点的焊盘上，然后经过回流而形成凸点钉头焊料凸点：这是一种使用标准的球形导线键合技术在芯片上形成的凸点方法。

可用Au丝线或者Pb基的丝线。

化学凸点：化学镀凸点是一种利用强还原剂在化学镀液中将需要镀的金属离子还原成该金属原子沉积在镀层表面形成凸点的方法。

31、填空题列出热氧化物在硅片制造的4种用途（）、（）、场氧化层和（）。

正确答案：掺杂阻挡；表面钝化；金属层间介质
32、判断题西门子工艺生产的硅没有按照希望的晶体顺序排列原子。

正确答案：对
33、判断题高阻衬底材料上生长低阻外延层的工艺称为正向外延。

正确答案：错
34、判断题离子注入物质必须以带电粒子束或离子束的形式存在。

正确答案：对
35、判断题用于亚0.25μm工艺的选择性氧化的主要技术是浅槽隔离。

正确答案：对
36、判断题纯净的半导体是一种有用的半导体。

正确答案：错
37、填空题热氧化工艺的基本设备有三种（）、（）和（）。

正确答案：卧式炉；立式炉；快速热处理炉
38、名词解释蒸发镀膜
正确答案：加热蒸发源，使原子或分子从蒸发源表面逸出，形成蒸汽流并入射到硅片（衬底）表面，凝结形成固态薄膜。

39、判断题栅氧一般通过热生长获得。

正确答案：对
40、判断题在刻蚀中用到大量的化学气体，通常用氟刻蚀二氧化硅。

正确答案：对
41、判断题硼是VA族元素，其掺杂形成的半导体是P型半导体。

正确答案：错
42、问答题插装元器件的结构特点及应用？
正确答案：结构特点：插装元器件的管脚都带有引线，引脚从封装两侧引出，适合进行插装，封装材料有塑料和陶瓷两种。

插装元器件的引脚节距多为
2.54mm，引脚一般在4—64之间。

应用：应用范围包括标准逻辑IC，存贮器LSI，微机电路等。

43、名词解释保形覆盖
正确答案：保形覆盖是指无论衬底表面有什么样的倾斜图形在所有图形的上面都能沉积有相同厚度的薄膜。

44、填空题选择性氧化常见的有（）和（），其英语缩略语分别为LOCOS和（）。

正确答案：局部氧化；浅槽隔离；STI
45、判断题大马士革工艺来源于一种类似精制的镶嵌首饰或艺术品的图案。

正确答案：对
46、问答题与普通溅射法相比，磁控溅射的特点是什么？
正确答案：普通溅射法有两个缺点：一是溅射方法淀积薄膜的速率低；二是所需的工作气压较高，这两者综合效果是气体分子对薄膜产生的污染的可能性提高。

磁控溅射：使电子的路径不再是直线，而是螺旋线，增加了与气体原子发生碰撞的几率，在同样的电压和气压下可以提高电离的效率，提高了沉积速率.该方法淀积速率可比其他溅射方法高出一个数量级，薄膜质量好。

这是磁场有效地提高了电子与气体分子的碰撞几率，因而工作气压可以明显下降，较低的气压条件下溅射原子被散射的几率减小。

这一方面降低了薄膜污染的倾向，另一方面也将提高入射到衬底表面原子的能量，因而可以很到程度上改善薄膜质量。

47、判断题高密度等离子体刻蚀机是为亚0.25微米图形尺寸而开发的最重要的干法刻蚀系统。

正确答案：对
48、填空题硅片上的氧化物主要通过（）和（）的方法产生，由于硅片表面非常平整，使得产生的氧化物主要为层状结构，所以又称为（）。

正确答案：热生长；淀积；薄膜
49、问答题扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么？与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是什么？
正确答案：扩散杂质所形成的浓度分布：杂质掺杂主要是由高温的扩散方式来
完成，杂质原子通过气相源或掺杂过的氧化物扩散或淀积到硅晶片的表面，这些杂质浓度将从表面到体内单调下降，而杂质分布主要是由温度与扩散时间来决定。

离子注入杂质所形成的浓度分布：掺杂离子以离子束的形式注入半导体内，杂质浓度在半导体内有个峰值分布，杂质分布主要由离子质量和注入能量决定。

（1）.离子注入掺杂的优势：相对于扩散工艺，离子注入的主要好处在于能更正确地控制掺杂原子数目、掺杂深度、横向扩散效应小和较低的工艺温度，较低的温度适合对化合物半导体进行掺杂，因为高温下化合物的组分可能发生变化，另外，较低的温度也使得二氧化硅、氮化硅、铝、光刻胶、多晶硅等都可以用作选择掺杂的掩蔽膜，热扩散方法的掩膜必须是耐高温材料。

（2）离子注入掺杂的缺点：主要副作用是离子碰撞引起的半导体晶格断裂或损伤。

因此，后续的退化处理用来去除这些损伤。

50、填空题热扩散利用（）驱动杂质穿过硅的晶体结构，这种方法受到（）和（）的影响。

正确答案：高温；时间；温度
51、判断题芯片上的物理尺寸特征被称为关键尺寸，即CD。

正确答案：对
52、问答题简述模塑料？
正确答案：模塑料与常见的热塑性塑料相比，模塑料具有更高的几何尺寸稳定性、更耐极端高热高湿复杂环境、耐化学品腐蚀、高机械强度等特点。

其基本构成为：基体（10-30%）（高分子化合物树脂）、环氧树脂、硅酮树脂、1，2-聚丁二烯酯树脂、添加剂（60-90%）、固化剂、催化剂、填充剂（SiO2）、阻燃剂、脱模剂、染色剂。

53、填空题制作钨塞的主要工艺步骤是：1、（）；2、（）；3、（）；4、磨抛钨。

正确答案：钛淀积阻挡层；氮化钛淀积；钨淀积
54、填空题在半导体制造业中，最早的互连金属是（），在硅片制造业中最普通的互连金属是（），即将取代它的金属材料是（）。

正确答案：铝；铝；铜
55、判断题投影掩膜版上的图形是由金属钽所形成的。

正确答案：错
56、填空题CZ直拉法生长单晶硅是把（）变为（）并且（）的固体硅锭。

正确答案：融化了的半导体级硅液体；有正确晶向的；被掺杂成p型或n型57、判断题关键层是指那些线条宽度被刻蚀为器件特征尺寸的金属层。

正确答案：对
58、判断题有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。

正确答案：对
59、填空题集成电路的制造分为五个阶段，分别为（）、（）、硅片测试和拣选、（）、终测。

正确答案：硅片制造备；硅片制造；装配和封装
60、判断题平滑是一种平坦化类型，它只能使台阶角度圆滑和侧壁倾斜，但高度没有显著变化。

正确答案：对
61、判断题在硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤：预淀积、推进和激活。

正确答案：对
62、填空题对芯片互连的金属和金属合金来说，它所必备一些要求是（）、高黏附性、（）、（）、可靠性、抗腐蚀性、应力等。

正确答案：导电率；淀积；平坦化
63、填空题制作通孔的主要工艺步骤是：1、（）；2、（）；3、（）。

正确答案：第一层层间介质氧化物淀积；氧化物磨抛；第十层掩模和第一层层间介质刻蚀
64、填空题单晶硅生长常用（）和（）两种生长方式，生长后的单晶硅被称为（）。

正确答案：CZ法；区熔法；硅锭
65、问答题其它表面组装元件主要是指哪些元件？这些元件各有什么特点？分别用在哪些场合？
正确答案：磁珠，二极管。

磁珠特点：是由铁氧体材料和导体线圈组成的叠层型独石结构，因在高温下烧结而成，因而致密性好、可靠性高。

磁珠应用场合：广泛应用于开关电源、遥控玩具、传真机、激光打印机及电子钟表等通讯和消费类电子领域。

磁珠是EMC设计中常使用的元件，在EMC对策中占重要位置。

二极管特点：有单向导电性，片式封装，贴片焊接。

二极管应用场合：可分为开关二极管，变容二极管，稳压片式二极管，整流二极管，瞬间抑制二极管，发光二极管，适合于高频、大电流、低电压整流电路以及微波电子混频电路、检波电路、高频数字逻辑电路等。

66、问答题常用的半导体材料为何选择硅？
正确答案：1）硅的丰裕度。

硅是地球上第二丰富的元素，占地壳成分的25%；经合理加工，硅能够提纯到半导体制造所需的足够高的纯度而消耗更低的成本。

2）更高的熔化温度允许更宽的工艺容限。

硅1412℃>锗937℃。

3）更宽的工作温度。

用硅制造的半导体件可以用于比锗更宽的温度范围，增加了半导体的应用范围和可靠性。

4）氧化硅的自然生成。

氧化硅是一种高质量、稳定的电绝缘材料，而且能充当优质的化学阻挡层以保护硅不受外部沾污；氧化硅具有与硅类似的机械特性，允许高温工艺而不会产生过度的硅片翘曲。

67、名词解释物理气相沉积
正确答案：“物理气相沉积”通常指满意下面三个步骤的一类薄膜生长技术：A.所生长的材料以物理的方式由固体转化为气体；B.生长材料的蒸汽经过一个低压区域到达衬底；C.蒸汽在衬底表面上凝聚，形成薄膜。

68、名词解释恒定表面源扩散
正确答案：在整个扩散过程中，杂质不断进入硅中，而表面杂质浓度始终保持不变。

69、判断题冶金级硅的纯度为98%。

正确答案：对
70、问答题简述引线材料？
正确答案：用于集成电路引线的材料，需要注意的特性为电特性、绝缘性质、击穿、表面电阻热特性，玻璃化转化温度、热导率、热膨胀系数，机械特性，扬氏模量、泊松比、刚度、强度，化学特性，吸潮、抗腐蚀。

71、填空题制备半导体级硅的过程：1、（）；2、（）；3、（）。

正确答案：制备工业硅；生长硅单晶；提纯
72、判断题CMOS反相器电路的功效产生于输入信号为零的转换器。

正确答案：对
73、填空题硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤（）、（）和（）。

正确答案：预淀积；推进；激活
74、问答题简述沟道效应的含义及其对离子注入可能造成的影响如何避免？正确答案：对晶体进行离子注入时，当离子注入的方向与与晶体的某个晶向平行时，一些离子将沿沟道运动，受到的核阻止作用很小，而且沟道中的电子密度很低。

受到的电子阻止也很小，这些离子的能量损损失率很低，注入深度就会大于无定形衬底中深度，这种现象称为沟道效应。

沟道效应的存在，使得离子注入的浓度很难精确控制，因为它会使离子注入的分布产生一个很厂的拖尾，偏离预计的高斯分布规律。

沟道效应降低的技巧：
（1）、覆盖一层非晶体的表面层、将硅晶片转向或在硅晶片表面制造一个损伤的表层。

（2）、将硅晶片偏离主平面5-10度，也能有防止离子进入沟道的效果。

（3）、先注入大量硅或锗原子以破坏硅晶片表面，可在硅晶片表面产生一个随机层。

75、问答题简述MCM的组装技术？
正确答案：MCM一般采用DCA（裸芯片直接安装技术）或CSP，可使电路图形线宽达到几微米到几十微米的等级。

在MCM基础上设计的与外部电路连接的扁平引线间距为0.5mm，把几块MCM利用SMT组装在普通的PCB上即可实现系统的功能。

它是为适应现代电子系统短、小、轻、薄和高速、高性能、高可靠性、低成本的发展方向而在多层印制板（PCB.和表面安装技术（SMT）的基础上发展起
来的新一代微电子封装与组装技术。

76、判断题在CMP设备中被广泛采用的终点检测方法是光学干涉终点检测。

正确答案：对
77、判断题光刻的本质是把电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上。

正确答案：对
78、判断题集成电路是由Kilby和Noyce两人于1959年分别发明，并共享集成电路的专利。

正确答案：对
79、填空题CMP是一种表面（）的技术，它通过硅片和一个抛光头之间的相对运动来平坦化硅片表面，在硅片和抛光头之间有（），并同时施加（）。

正确答案：全局平坦化；磨料；压力
80、填空题硅片平坦化的四种类型分别是（）、部分平坦化、（）和（）。

正确答案：平滑；局部平坦化；全局平坦化
81、名词解释化学气相沉积
正确答案：化学气体或蒸气和晶圆表面的固体产生反应，在表面上以薄膜形式产生固态的副产品，其它的副产品是挥发性的会从表面离开。

82、填空题扩散是物质的一个基本性质，分为三种形态（）扩散、（）扩散和（）扩散。

正确答案：气相；液相；固相
83、问答题片式钽电解电容和铝电解电容有什么主要特点和主要差别？
正确答案：片式钽电解电容器：是用金属钽做正极，用稀硫酸等配液做负极，用钽表面生成的氧化膜作为介质制成。

矩形钽电解电容外壳为有色塑料封装，一端印有深色标志线，为正极，在封面上有电容量的数值及耐压值，一般有醒目的标志，以防用错。

铝电解电容：以金属铝为正极，其表面氧化膜作为介质，电解液作为负极的电容，液体电解质片式铝电解电容器的特点：它是由铝圆筒做负极、里面装有液体电解质，插人一片弯曲的铝带做正极制成。

还需经直流电压处理，做正极的片上形成一层氧化膜做介质。

其特点是容量大、但是漏电大、稳定性差、有正负极性，适于电源滤波或低频电路中，使用时，正、负极不能接反。

84、填空题如果淀积的膜在台阶上过度地变薄，就容易导致高的（）、（）或者在器件中产生不希望的（）。

正确答案：膜应力；电短路；诱生电荷
85、判断题在半导体生产中，湿法腐蚀是最主要的用来去除表面材料的刻蚀方法。

正确答案：错
86、名词解释溅射镀膜
正确答案：溅射镀膜是利用电场对辉光放电过程中产生出来的带电离子进行加
速，使其获得一定的动能后，轰击靶电极，将靶电极的原子溅射出来，沉积到衬底形成薄膜的方法。

87、判断题传统的0.25μm工艺以上的器件隔离方法是硅的局部氧化。

正确答案：对
88、填空题制造电子器件的基本半导体材料是圆形单晶薄片，称为硅片或（）。

在硅片制造厂，由硅片生产的半导体产品，又被称为（）或（）。

正确答案：硅衬底；微芯片；芯片
89、判断题LPCVD反应是受气体质量传输速度限制的。

正确答案：对
90、问答题简述MCM的设计？
正确答案：将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种设计。

要使用多层互联基板的制作，芯片连接两种技术，芯片连接可以用打线键合，TAB或
C4，基板可以使用陶瓷、金属、高分子材料，利用厚膜，薄膜或多层陶瓷共烧等技术制成的互连结构。

91、判断题多层金属化指用来连接硅片上高密度堆积器件的那些金属层。

正确答案：错
92、判断题硅上的自然氧化层并不是一种必需的氧化材料，在随后的工艺中要清洗去除。

正确答案：对
93、填空题写出三种半导体制造业的金属和合金（）、（）和（）。

正确答案：Al；Cu；铝铜合金
94、判断题离子注入的缺点之一是注入设备的复杂性。

正确答案：对
95、问答题载带自动焊的分类及结构特点？
正确答案：TAB按其结构和形状可分为
Cu箔单层带：
Cu的厚度为35-70um，
Cu-PI双层带
Cu-粘接剂-PI三层带
Cu-PI-Cu双金属
96、判断题P是VA族元素，其掺杂形成的半导体是P型半导体。

正确答案：对
97、问答题片式电感器的类型主要有几种？其结构各有什么特点？
正确答案：片式电感器从制造工艺来分，片式电感器主要有4种类型，即绕线型、叠层型、编织型和薄膜片式电感器。

其中，绕线式是传统绕线电感器小型化的产物，叠层式则采用多层印刷技术和叠层生产工艺制作，体积比绕线型片式电感器还要小，是电感元件领域重点开发的产品。

片式电感器现状与发展趋势由于微型电感器要达到足够的电感量和。