DRAM的封装技术

DRAM的封装技术
DRAM，全名是动态随机存取记忆体（Dynamic Random Access Memory，DRAM）。

基本原理就是利用电容内存储电荷的多寡来代表0和1，这就是一个二进制位元（bit），内存的最小单位。

DRAM的封装技术主要包括三种：双列直插封装(DIP)，小外形J引脚封装(SOJ)，薄型小外形封装(TSOP)。

1.DIP封装
DIP封装（如图1），也叫双列直插式封装技术，双入线封装，DRAM 的一种元件封装形式。

指采用双列直插形式封装的集成电路芯片，绝大多数中小规模集成电路均采用这种封装形式。

图1 DIP封装
DIP 有塑料和陶瓷两种形式，是早期的标准低引脚数封装之一。

DIP 封装的管脚从封装体的两端直线式引出。

DIP的外形通常是长方形的，管脚从长的一边伸出。

绝大部分的DIP是通孔式，但亦可是表面贴装式。

引脚中心距2.54mm，封装宽度通常为15.2mm，有的把宽度定为7.52和10.16的封装成为skinny DIP和slim DIP（窄体型DIP）。

对DIP来说，其管脚数通常在8至64（8、14、16、18、20、22、24、28、40、48、52和64）之
间，其中，24至40管脚数的器件最常用于逻辑器件和处理器，而14至20管脚的多用于记忆器件，主要取决于记忆体的尺寸和外形。

当器件的管脚数超过48时，DIP结构变得不实用并且浪费电路板空间。

2.SOJ封装
SOJ（Small Out-line J-Leaded Package）封装，如图2,即J形引脚小外形封装，是表面贴装型封装之一。

引脚从封装两侧引出向下呈J字形。

通常为塑料制品，多数用于DRAM存储器LSI电路，用SOJ封装的DRAM器件很多都装配在SIMM上，引脚中心距1.27mm，引脚数从20到40。

图2 SOJ封装
3.TSOP封装
TSOP（Thin Small Outline Package）封装如图3，即薄型小尺寸封装。

TSOP内存是在芯片的周围做出引脚，采用SMT技术（表面安装技术）直接附着在PCB板的表面。

TSOP封装外形尺寸时，寄生参数(电流大幅度变化时，引起输出电压扰动) 减小，适合高频应用，操作比较方便，可靠性也比较高。

同时TSOP封装具有成品率高，价格便宜等优点，因此得到了极为广泛的应用。

图3 TSOP封装
TSOP封装方式中，内存芯片是通过芯片引脚焊接在PCB板上的，焊点和PCB板的接触面积较小，使得芯片向PCB办传热就相对困难。

而且TSOP封装方式的内存在超过150MHz后，会产品较大的信号干扰和电磁干扰。

参考文献
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2.吴玉秀,薛松柏,胡永芳.J 形引线焊点可靠性有限元分析[J].南京航空航天大学材料科学与技术学院, 南京210016
3.鲜飞. 内存芯片封装技术的发展[J]. 烽火通信科技股份有限公司
4.Zhichun Zhu, Zhao Zhang. A Performance Comparison of DRAM Memory System Optimizations for SMT Processors
5.Wei Koh, PHD. Memory Device Packaging-From Leadframe Packages to Wafer Level Packages。