ICT入门培训流程规范要点

ICT入门培训流程规范
一、目的:建立ICT程式优化、机器故障排除规范，作为PEB技工
使用操作之依据.
二、范围：本公司测试技工
三、职责：PE部：技工负责程式优化、ICT在线维护
四、ICT简介：
ICT隹拔测试机(In Circ u it Teste r ), 电器测试使用的最基本仪劈。

如同一块功能强大的万用表，但它能对在圾电路板上的元件测试进行*效得陌离(Guarding)而万用表不能。

2.ICT 测试内容:主耍是靠测试探针接傩PCB la y ou t m 来的测试点来检测PC BA的开路.短路.零件6&坪接状况。

可“为开路测试.短路测试.电阻测试.电蓉测试.二极警测试.三极营测试、场效应管测试.IC®脚测试等等。

3.7€T 的脅局能测试元器件的漏装.错装.参数值傭差. 坪点述坪.程路板开短路等故障，并能将故障是哪个元件或开短路位于哪个点准确告诉我们•(对元件的坪接测试有校离的识别能力)
4.公司I C T型号:目前我们用的ICT分别是台湾捷曾科技股份*限公司生严的JET-30 ONT.億律科技股份有限公F生产的TR—518FE O(以下介鉛以JET 为例)
五、ICT量测原理：
(1)单个R (Mode 0, 1) 利用Vx=IsRx (欧
姆定律)，则Rx=Vx
信号源I s 取恒流(0. 1 uA —5mA),量回
Vx 。

即可算出Rx 值。

(2)小电阻(50欧姆以内)四线量 测：小电阻两端各下两支探针，1・4号 探针的
接触阻抗分别R1-R4, R a,Rb z Rc, Rd 分别
为四次测试之量测 值。

Ra=Rl+R2
Rb=R3+R4
Rc=Rl+Rx+R4
Rd 二R2+RX+R3
(竝和:必事昭宋弱/2 信
号源Vs 取恒压(0.2 V),量回 I x , Rx=Vs/Ix=0 ・ 2V/Ix , 算出Rx 值.
(4) R//L(mode3, 4,5):
IY* I Cos 0=YRx= 1 /Rx, 并 I Y ，| = l x / V s,
1.电阻量测
+
Vx=?
玫 Rx
L
1
1 p
R1
R2
R3
R4
1 2
3 4
Rx
Vs = 0 ・2V
信号源聽流电压源Vs,用相位法辅助。

Rx=l/|Y 、|Cos ()
2o 电容及电感量测
Vs
(1)单个C,L(ModeO, 1,2, 3):信号源
取恒定交流压源Vs, Vs/ I x=Zc=l/2 2 JifVs
Vs / I x = Z1= 2 JI fLx ,求得：Lx = Vs
(2) C//R 或 L//R (Mode 5,6, 7):用
相位法辅助,|Y1SinO=IYcxl, 即 3 Cx'Si n 0 =o )Cx
求得：Cx = C x S i n 0 , (C x ■ I x72 Ji
I Y M s i n o = I Ycx I , 即 S i n 0/3Cx'=l /3Cx
求得：Lx=Lx 7Siii 0 , (Lx f =Vs/2 Ji fix')
電容極性測試的另一方法是三端測試，須在上方加一探針觸及殼髏.在電 容的正負極加載直流電壓，至充鲍后測量殼骼電壓。

山于正負極與殼髏間的阻 抗差異，故對于插反的電容所測量到的殼鹘電壓會與正確時不同。

據此可判 別電容的極性。

（详见附页一）
3. 跳线测试：(UMPER, FUSE ，WIRE, CO N NECTO R, SWITCH, etc)
阻抗值
机器内识别值
荧幕显示值
(0,5] 0 1 (5,25] 1 1 (25,55]
2
3 (55,g)
3
4
Vs
Cx
4.量测PN 结：(D, Q, I C, F ET)
(1)信号源o— 1 0V/3mA o r 30mA可程式电压源，量
PN结导通电压;
⑵ZenerD的测试原理是量测其崩溃电压，与二极体
的差异是在测试电压源不同，其电压源为0V-1 0 V及0V- 4 8V可程式电压源.
(3)电晶体测试需要三步骤测试，其中(1) B-E和
(2 ) B-C脚是使用二极体的测试方法，(3) E-C使用V cc的饱和电压值及截止值的不同，来测试电晶体是否插反。

电晶体反插测试方法：在B-E及E-C 脚两端各提供一个可程式电压源,量测出电晶体E—C正向的饱和电压为V ce=0・2V左右，若该电晶体反插时，则Vce 电压将会变成截止电压,并大于0・2V,即可测出电晶体反插
的错误。

测Open/Short：
即以阻抗判定，先对待测板上所有P in点进行学习，R <25
Q即归为S h ort Group,然后T e st时进行比较,R〈5 Q判定为Sh o r
t ,R>5 5 Q 判为Ope n o
•T 関炳路學習d
凡雨甬之周竜阻.M 25□的針號歸入一個SHORT. CROUP,.反之亦皱彳
•t 闊&萄（在SHDET.GTO11P 內進行 y
•■■...OPEN.FAIL P ,....OPEN. PASS P
【(在SHOELGTOUP 之周進行)Q
6. G u arding (隔离)的实现:
Hi-Pin
Low-Pin
以电流源当信号源输入时，則在相接元件一的另一
與被測元件相接的旁路元件，確保量測的精準性。

此時隔離點 高電位能腳(Hi ・Pin )相接之旁路
的選擇必須以和被測元件元件為參考範圍.
以电压源当信号源输入时，則在相接元件二的另一
加上一等底電位能(Guarding P o i n t),以防止與被測元 件相接之元件所產生的電流流入，而增加量測的電流，影響
—
..OPEN …SHORTS
25 G 。

■ •••••• ・•
55.
V OP
Hi-Pin
隔 離乂 點
Guarding Point
被測元件
Guarding Point
隔V 離一 點
△ °P
«|授.几件二
被測元件
Low-Pin
1=
l=i
.SHORT PASS*-' -SHORT. FAIL#-1
電壓源
量測的精準性。

此時隔離點的選擇必須以和被測元件低電位
7、三端電容極性測試：
7。

1测试点
HiP?P
L O P;・3Q
7. 2试程式
PartName- - Act V- - Std V ・・ Hlim%…LlimH- - Mo4e- - Type- - Hip …Lop- - Dly …G-Pl 卜
•…CE1……0.2 ■ • 0.12V - • • -1 ....... 20* • • • 8 ■•- PX ・・• 1 • • 3・• • 0・• •
• 5“
• • • CEll - • • 0.2* ■ ■ 0.001V…・1 .. 20' • • • 18* ■ • PX…• 11 …13' • O' ■ ■ ■ 15^
\AAA*AAAAAAAAA-
上限 Do n c a re o
◊ Ac t _V: So u rc e v ol t age,建議值為 0.2 V
◊ St d _V:Se n s e V o 1 ta g e (Thr e s h old)，依實際 De b u g 後決定 ◊ Hl i m 個定為 一1 (Don, t c are)
◊ Llim :建議值為2 0,可依實際Debug 後決定 < Mode:固定為8或18(適用於防爆電容) ◊ Type ：固定為 PX
◊ Hip :電容負端(so u r ce pin) ◊ Lop :電容正端
◊ Dly :依實際Debug 後決定 ◊ G -P 1
: Se n se Pin
(Low-Pin)相接之旁路元件為參考範
G-F1
■:》
Cap
7o 3除错规则
將II i p/Lop相同的電容放在一起，例如CE1,CE2, CE3的HiP及LoP都是1及3,所以測試程式如下：
PartbTame -Act V- - Std V- - Hlim%- - Llim%- - Mode-・ Type- - Hip…Lop- - Dly…G-P2
• CE1 --• 0.2 …0.12V -1 20 - 8 PX• • 1 ••3…• 0…5卍• CE2---• 0.2…0.12V -1 20 - 8 PX• • 1 ••3…• 0•…九
・CE3…・0・2
…0.12V- • • -1 .............. 20 …8 …PX*・・1
・
•3•-・0…・・8
・CE4…・・0・2
…0.15V--・……20・・•・8…P%・20・・21・・0…・・22~
CE11 -・0.2…・0.001 V…-1 -・・20……18•P%…• 11- - 13…0 -・・15
卩
CE12 --0.2---0.001V- •-1 -• • 20 •-• 18 -PX -• 11 …13 …0 -••17^
◊ Deb ug時可交換HiP及L op比較量測值，以決定較佳之T hre s ho 1 d (Std_V )
◊若交換Hi P及Lop量測值差異不大可稠整De 1 ay time或S o u r c e volt age (Act_v)
◊若交換H i P及Lop量測肩居很低，可能是第三端接觸問題,可先檢查第三端是否接觸正常或待測電容有歪斜，可用換針或扶正待測電容方式解決
◊治具製作時第三端選用測試針，需考慮相同位置待用料的高度差異，以免造成接觸不良或刺穿待測物的問題
◊三端電容量測是用來檢測缺件及反向，無法檢測錯件
◊可利用量測分析工具(Hot K e y F 1 2)決定較佳标准值，Delay t i me。

8、IC空焊测试：
DIE
隹统的IC 保护二扱管测试方 式1般来说能测试IC 除VCC 与GND 之夕啲7卜80%的引 脚的开路问题,而T 馳戚 术的应用则使这一比例达到 98爲以上并足够稳定口
六、 ICT 调试（Deb ug ）流程：
1、固定治具：将ICT 治具架在压床上，将治具天板固定在压 床蜂窝板上，锁紧治具固定螺丝，使其不会松动，将压床点动调整 治具上探针行程，使之达到其行程的1/2・2/3左右，然后用排线 依顺序将治具与开关板连接起来；
2、 程序登录计算机：将治具的测试程序COPY 入计算机， 并调出;将测试程序检査一遍，未经过排序的，要先排序•要按JP —电 阻一电容一电感一二极管一IC 的顺序（即按实际值排序）；然后存盘。

3、 Open/Sh o rt 学习：学习之前，将状态参数里面的测试时 基改为50, OPS DELAY 更改为120-2 0 0；置良品板于治具上, 将压床压下即可开始学习；学习完毕后要存盘。

七、 ICT Debug 技巧与方法：
1、先将待测板测试一遍，然后可进入“EDIT” DEBUG ；
Solder JolnifCLMd)
3DDITIV.1DI41
Z
2、对于JP的DEBUG则比较简单，只要判定其有无点号，有无
零件，点号正确无误即可OK。

一般“JP”我们把ACT-VAL定为“2JP”上限为“+ 10%”，下限为“・60%” ;
3、电阻的DEBUG,则会比较复难，可按以下几步调试：
1）于小电阻，如零欧姆电阻，ACT・VAL可用2欧姆，然后上限为“+1 0 %”下限为“99%”即可,对于几欧姆或零点欧姆小电阻，
若客户要求用四线测试，则需做四线测试，未做要求的就可将线阻及
机器内阻加零件值作为标准值,上限可放宽；
2）于小电阻：（0Q-1KQ）要用定电流的测试方法（D 1、D2）；。

3）电阻DEBUG —般有几种方法:变换测量模式文件位元的变化, 更
改延迟时间，高低PIN对调，加隔离点等几种方法，可结合实际情
况，具体分析处理；
4） GUARDING点对于电阻的DEBUG尤为重要，一般有这样一个原则:电阻的两个点，其中一点所连组件较少，则该点所连组件另
外一点作GUARDING点；隔离点所连的组件阻抗须为20欧姆以上，
电阻的隔离，加GND点很有效果；。

5）电阻隔离的目的是将量测到的较少的值隔离成大的，使之更接近于实际值，若该电阻量测的结果很大，超出实际值，则要提出疑问，看看是
否针点的问题，还是零件值的错误，或者是由于针点的不准引起的,
等待。

6）对于并联的电阻，若两电阻阻抗相差不是很大，则用并联值作标
准值，若相差很大，则大电阻不可测;电阻没有针点的？电阻没有
针点C//C: S td—V取并联容值
C //R： Mode 5 > 6、7,由Zc=l/2JifC，故C 一定时，f 越
高,Zc越小，则R的影响越小.
C//L： Mod e 5 . 6、7,并且f越高效果越好。

3.电感
F 8测试，选择Mode。

、1、2中测试值最接近S t d—Vo
L / / R： Mode 5、6、7 o
4・PN结
F7自动调整，一般PN正向0。

7V （Si）,反向（2 V以上）。

D//C： Mo del 及加IDe 1 ay。

D//D（正向）：除正向导通测试，还须测反向截止（2V以上）以免D反插时误判。

Zener： Na t — V选不低于Z e nei•崩溃电压，若仍无法测出崩溃电压，可选Model（3 0 mA）,另1 ― 8 V z e n e r管，可以HV模式测试.
5。

电晶体
be、be之PN结电压两步测试可判断Q之类型（PNP or NPN）, Hi・P —样（NPN）, Lo-P—样（PNP），并可D e bug c e饱和电压（0.
2 V以下），注意Nat-V为be偏置电压，越大Q越易进入饱和,但
须做ce反向判断（须为截止0。

2 V以上），否则应调小N a t—V.
八、常见ICT误判及维护:ICT盲点:
①特殊IC （个别I C对GND、VCC无保护二极体）②
单点测试（如排插、插座、个别单个测试点的元件）③并联1 0个以上的电容并联（示电容的精密度作调整）④并联
1 5倍以上小电阻的大电阻⑤D/L或D/25Q以下，D不可测
⑥跳线并联⑦IC内部功能测试2・压床行程不足，探针压入量程为2/33・PCB板定位柱松动，造成探针偏离焊盘4
・PCB 上测试点或过穿孔绿油未打开、吃锡不良5. PCB制程不良：如未洗板导致PCB±松香过多探针接触不良6.探
针不良（如针头钝化、老化、阻抗过高……7、元件厂商变更（如小电容、I C之TE STJET）可加大垛 > 更改TEST J ET值8、未Debug良好]0、硬体问题:
lOo 1开关板：
诊断（D）一一—切换电路板（B）—・・一系统自我诊断（S）———切换电路板诊断（S）
若有B* C*表示SWB有Fail,请记录并通知TRI。

C*有可能为治具针点有Short造成.
10. 2系统自我检测：
诊断（D）——一硬体诊断（S）•—系统自我检测（S）
有R、D项Fail可能为DC板故障.
有C、L项Fai 1可能AC板Fail。

有P o wer项Fai 1可能Pow e r Fai 1，也请记录并通知供应商。

•日常维护
①一般GUARD点不超过3个，最好1、2个即
可
②无用之GUARD点需去除
③可GUARDING的元件为电阻、电容,一般大
电容GUARD ING无效
④电阻GUARD ING —般对地7 0%有效
⑤电容GUARDING —般对VCC 70%有效
©GUARDING 一般找串联小电阻（大于20
Q）、串联大电容
⑦若GUA RDING元件时，串联跳线或电感可
视为同点
⑧大电容并联测试偏大解决方式:
ACTUAL X 7 0% > S TANDAR DX下限值
九、注意事项：
1、小电容的测试通常用“A4”或“A5”模式，若量测结果过大，
贝!|需加GUAR DING点使OFFSET值不要太大，否则量测没有意义另外电容隔离VCC效果明显.
倘若小电容与大电空并联，则小电容可SKIP掉，不需测试，即便测试也会不稳定，又找不出问
2、大电容的量测，若用“DC”模式不稳定，可考虑用RANG E
“ + L去试，或加长延迟时间;
3、电容的上下限一般为3 0%,小电容的上限可适当放宽，下限要小一些；
4、电容极性测试可用两种方法：其一，二端测试法即用漏电流的
方法，实际值送0-9・9 V电压，标准值送电流，则模式会变为CM,适当加长DELAY,并调整实际值电压，使正反电流偏差较大；其二，三端测试法，即在电解电容顶部加多一根针, 高PIN 为顶部针点，低PIN为负极针点，隔离点为正极针点•实际值送0。

2 V电压，标准值为0o 05V左右，并适当加长DELAY, 使反向时接近于0.2V；
5、电感的测试最好用两种方法：其一,当作跳线测试，其二测其感
量，这样既可测出电感的缺件错件，也可测到短路，上下限可放宽；
6、二极管除了用“DT”(2・2V, 20MA)模式外，还可用“LV” (0—
10V)模式。

当二极管并联大电容时可将RA N GE“+1”,加延迟时间，还可将实际值电容提高，直到可测出反插及漏件;
二极管并联的情况，可加做电流的测试，即用“CM”模式，实际值可送0・7V- IV左右电压，并适当加长延迟时间，上下限可为2 0 %；
7、三极管除了测两个PN结外，要加做饱和电压测试，即三端测
试法，要注意是NPN型的还是PNP型，分别用N模式和P模式;尤其是基点要找正确，否则饱和电压测不出，一般NPN型实际值电压送0. 7V-1V左右，PNP型送3. 5V—4.5V,若饱和电
压测不岀，可往下调整电压;
8、I C的测试首先要找准该IC的VCC及GND,并在I C编辑
里分别注明（可按F4键），若IC做HP TESTJET测试
的，还要注明该IC的PORT埠（可按Fl 0）这些设定工作
做完后，可进入零件编辑，根据需要进行IC的学习。

注意:
1）IC SCAN学习后，可能会有些I C脚的量测结果很低,
可将低PIN针点取消,只留高PIN即IC脚对应针号,然后
将量测值做为标准值:上下限为± 40%；。

2）、HP TESTJET的学习可只做SHORT学习，然后将上限定为± 150%,下限定为一50%,这样可测IC的OPEN/
SHORT；
9、DEBUG完成后，要连续测试多少遍，然后利用EDIT里面的F6
功能，査看组件的稳定与否，对于那些不稳定的组件则需再做
调试，使之稳定.
产品工程部raop 20
通过以上几大项即可将治具调试好，若要使程序做得更为
完
美，则需更为细心，对照BOM检查，査看程序里面组件是否都
有测试。

最后希望各位技术员、工程师严格按以上条例DEBUG工作，并在工作中探索经验, 使所做程序既快捷又稳定。

0 5-6—3 0
THANKS
沟通无极限，一切构造源自创造。